專利名稱：生產(chǎn)硅的反應(yīng)器和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅的生產(chǎn)。更確切地，本發(fā)明涉及使用氣相沉積方法來生產(chǎn)多晶硅的反應(yīng)器和方法。
背景技術(shù)：
硅是電子工業(yè)和太陽能電池工業(yè)中非常重要的材料。目前，可使用冶金方法來生產(chǎn)用于太陽能電池工業(yè)的高純度硅。然而，冶金品質(zhì)的硅產(chǎn)生具有有限效率的太陽能電池。 除了在電子工業(yè)內(nèi)應(yīng)用外，必須使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法來生產(chǎn)給予太陽能電池更高效率的足夠純度的硅。來自電子工業(yè)的硅廢物已用于生產(chǎn)太陽能電池。然而，太陽能電池工業(yè)的增長(zhǎng)已導(dǎo)致硅短缺。除了電子工業(yè)的不斷增長(zhǎng)的重要性和擴(kuò)展外，世界上對(duì)環(huán)境友好的能源的巨大需求包括對(duì)有助于以低成本生產(chǎn)高純度硅的裝置的極大需求。西門子工藝是用于生產(chǎn)多晶硅的最普遍的CVD方法。更確切地，諸如三氯硅烷的鹵代硅烷被沉積在電阻加熱棒上。能量需求是高的。在專利公布US 3，979，490中描述了該工藝的更詳細(xì)說明。另一種CVD方法是流化床熱解，其中硅晶種顆粒(silicon seed particle)被上升的氣流包圍并被保持在上升的氣流中，由于氣流包含載硅氣體(silicon-bearing gas), 所以硅可從載硅氣體中沉積在晶種顆粒上。使用該流化床的優(yōu)點(diǎn)是硅可沉積到其上的巨大的表面積，這實(shí)現(xiàn)增大的且連續(xù)的生產(chǎn)的可能性以及較低的能耗。然而，實(shí)際上難以獲得將已生長(zhǎng)成足夠大的顆粒取出的實(shí)用且簡(jiǎn)單的方法。更確切地，難以控制流化床反應(yīng)器中的顆粒大小，且非常難以控制操作的反應(yīng)器中的顆粒的分布。顆粒的不均勻分布影響流動(dòng)狀態(tài)，這又影響溫度分布和硅的沉積。該方法需要從反應(yīng)器外添加新的顆粒或在操作期間在反應(yīng)器中形成的小的顆粒。排放反應(yīng)器底部中的大的顆粒以及添加尺寸將增大的小的顆粒需要同時(shí)控制許多參數(shù)，這已證明在實(shí)際操作中隨時(shí)間是非常困難的。CVD反應(yīng)器的普遍問題是顆粒一起生長(zhǎng)且逐漸阻止流化。此外，加熱的流化床反應(yīng)器中的硅烷或鹵代硅烷的分解會(huì)導(dǎo)致細(xì)顆粒的沉積，這是不期望的，因?yàn)樾枰w粒分離和后續(xù)熔化的附加步驟。這導(dǎo)致綜合性處理以及污染和材料損失的增加的風(fēng)險(xiǎn)。然而，CVD反應(yīng)器的最大問題是硅通常不期望地沉積到反應(yīng)器和噴嘴的內(nèi)表面上， 這使得噴嘴和反應(yīng)器體積堵塞。為阻止硅的這種不期望的沉積，必須將流化反應(yīng)區(qū)中的晶種顆粒保持在反應(yīng)溫度，同時(shí)必須將反應(yīng)器壁和噴嘴的溫度保持明顯更低，這是極其難以實(shí)現(xiàn)的，尤其是當(dāng)從反應(yīng)器外部加熱時(shí)。在專利公布US 4. 818. 495第2欄第40行至第3 欄第20行中和在專利公布US 5. 810. 934中討論了該問題。被部署為能夠從反應(yīng)器壁和其噴嘴釋放硅的技術(shù)是將不粘涂層應(yīng)用到表面，這簡(jiǎn)化了后續(xù)手動(dòng)或自動(dòng)除去硅沉積物。在包含詳細(xì)信息的專利公布US 4，818，495和US 5，810，934中可找到具有流化床和附屬裝置的CVD方法以及包括氣體混合物、沉積溫度和與此相關(guān)的問題和限制的生產(chǎn)硅的操作參數(shù)的詳盡說明。存在對(duì)關(guān)于上述問題中的一個(gè)或多個(gè)問題有利的可替換的技術(shù)的需求。發(fā)明概述
所述需求通過本發(fā)明得到滿足，本發(fā)明提供了用化學(xué)氣相沉積來生產(chǎn)硅的反應(yīng)器，該反應(yīng)器包括形成容器的反應(yīng)器主體、載硅氣體的至少一個(gè)入口、至少一個(gè)出口、以及作為反應(yīng)器的一部分或可操作地布置到反應(yīng)器的至少一個(gè)加熱設(shè)備。該反應(yīng)器是獨(dú)特的， 因?yàn)榉磻?yīng)器的至少一個(gè)主要部分用硅制造即由硅制成，該部分暴露于載硅氣體且該部分被加熱以在所述部分上沉積硅。因此，該反應(yīng)器適于以流過工藝(flow through process)分批生產(chǎn)，因?yàn)橹辽偎鲋饕糠直患訜?，以便有目的地分解反?yīng)氣體并在至少所述部分上沉積硅，使得在反應(yīng)器由于沉積的硅而變成緊密的之后，至少所述部分可被銷售或被進(jìn)一步加工為硅產(chǎn)品。所述主要部分或在操作期間暴露于載硅氣體的至少其內(nèi)部部分由硅制成。優(yōu)選地，所述主要部分是反應(yīng)器主體或其壁或其管段。反應(yīng)器的基本思想是暴露于載硅氣體的所有部分或重要部分的材料由優(yōu)選具有高純度的硅制成，使得可導(dǎo)致有意的硅的沉積發(fā)生在這些材料上。除了避免或減少與阻塞有關(guān)的許多問題外，還將避免或減少將硅與其他材料分離的已知問題。同時(shí)，這將導(dǎo)致反應(yīng)器可被如何構(gòu)造和操作(包括可如何實(shí)現(xiàn)加熱)的許多另外的可能性。在反應(yīng)器的最簡(jiǎn)單的形式中，該反應(yīng)器是密閉容器，主要由硅組成，用于在無硅晶種顆粒或流化床下在內(nèi)側(cè)上化學(xué)氣相沉積硅，且如果反應(yīng)器被置于容納載硅氣體的室中或外部容器中，還可能在外側(cè)上沉積硅。這種類型反應(yīng)器可以例如是利用電流的電阻加熱型。 在更先進(jìn)的實(shí)施方式中，當(dāng)硅的生長(zhǎng)有意地在反應(yīng)器的硅材料上以及在晶種顆粒上發(fā)生時(shí)，反應(yīng)器還適于使用流化床和晶種顆粒。旋轉(zhuǎn)反應(yīng)器或爐也是優(yōu)選的實(shí)施方式，特別地適合于大規(guī)模生產(chǎn)，因?yàn)榭沙浞指淖冃D(zhuǎn)軸和傾斜角度。對(duì)于得到朝向顆粒將被提取的一端的適當(dāng)?shù)牟牧狭鳎m度傾斜的載有晶種顆粒的旋轉(zhuǎn)反應(yīng)器會(huì)是特別有利的。旋轉(zhuǎn)、流化床、 在反應(yīng)器壁的內(nèi)側(cè)上沉積、在反應(yīng)器壁的外側(cè)上沉積以及在輸入元件例如硅棒上沉積是可被組合以增加工業(yè)適用性的所有特征。有利地，通過冶金級(jí)純度或更高純度的硅來構(gòu)造反應(yīng)器，優(yōu)選硅沉積在其上的所有部分并且至少為一個(gè)主要部分，例如反應(yīng)器壁或反應(yīng)器的管的一部分。目前，可以以有利地低成本并具有足以用于太陽能電池的純度來生產(chǎn)冶金級(jí)純度的硅。當(dāng)在密閉的或制造的反應(yīng)器中硅的主要體積或重量的主要部分具有比冶金級(jí)硅更高的純度時(shí)，含高純度硅的整個(gè)反應(yīng)器可被熔化以重結(jié)晶，且以更高效率用于電子工業(yè)和/或太陽能電池，因?yàn)槠骄兌葘⑹亲銐虻摹？赡艿?，如果僅最高的純度是可接受的，則可以以非污染的方式，例如通過對(duì)上述層的水射流切割、機(jī)械加工或熔化，來除去外部部分冶金級(jí)硅?？赡艿兀磻?yīng)器可用與其生產(chǎn)時(shí)相同高的純度的硅制造，該硅的品質(zhì)適合于電子工業(yè)。與當(dāng)今可實(shí)現(xiàn)的相比，密閉的或制造的反應(yīng)器的極力簡(jiǎn)化的處理導(dǎo)致對(duì)硅更少的處理和污染。反應(yīng)器有利地配置當(dāng)前技術(shù)的許多技術(shù)特征用于使用化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)硅，然而，反應(yīng)器已被有利地調(diào)節(jié)為能夠在整個(gè)操作周期或在操作周期的最后部分期間，以需要的且可調(diào)節(jié)的水平引導(dǎo)硅沉積到側(cè)壁。反應(yīng)器主體的壁或管的一部分和頂部的至少一個(gè)內(nèi)部部分以及底部的至少一個(gè)內(nèi)部部分全部用優(yōu)選具有冶金級(jí)純度或更高純度的硅制造，是有利的。反應(yīng)器被有利地調(diào)節(jié)為利用硅氣相沉積到內(nèi)部硅表面上和沉積到晶種顆粒上來生產(chǎn)硅，因?yàn)榉磻?yīng)器包括晶種顆粒的至少一個(gè)入口或門(gate)以及可將反應(yīng)器主體的至少壁加熱到反應(yīng)溫度的至少一個(gè)加熱設(shè)備。反應(yīng)器還有利地包括用于提取硅顆粒的門，使得至少在反應(yīng)器的操作周期的初始部分，可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)，如在流化床反應(yīng)器中，在反應(yīng)器的操作周期的初始部分之后，在操作周期的最后部分，可以可控的方式來控制操作以裝填或填充反應(yīng)器。反應(yīng)器有利地包括硅的中心入口管，用于供給載硅氣體和/或晶種。該入口管延伸到容器的下部部分中，且被通過底部部分、可能地還通過頂部部分的多個(gè)其他氣體(例如惰性流化氣體、氫氣和可能地還有載硅氣體以及其他氣體)入口所環(huán)繞。這些入口優(yōu)選地是對(duì)稱的且圍繞入口管徑向地布置。反應(yīng)器有利地包括具有在上端部的硅蓋(silicon cap)和在下端部的硅蓋的垂直立式硅管。另一個(gè)有利的實(shí)施方式是以具有正方形或矩形橫截面的長(zhǎng)方形立式反應(yīng)器形式，這可簡(jiǎn)化反應(yīng)器制造和后續(xù)切割。用于加熱根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)器的設(shè)備有利地包括各自具有適合的波長(zhǎng)和效應(yīng)的相干的或非相干的加熱光源，例如微波源、無線電波源、可見光源、紅外光源和/或紫外光源，優(yōu)選為紅外光源。該設(shè)備尤其有利地包括被定向到反應(yīng)器中的一個(gè)或多個(gè)加熱光源，尤其是如下所述的加熱光源布置在反應(yīng)器的底蓋(bottom head)和/或頂蓋(top head)中， 同中心地或等效地布置在進(jìn)料管內(nèi)或等效地用于惰性氣體，使得反應(yīng)器的內(nèi)表面和反應(yīng)器內(nèi)部的顆粒被輻射且因此被加熱，而光源被保護(hù)免受硅沉積物且被惰性氣體冷卻。在本上下文中為不含有硅的氣體的惰性氣體環(huán)流，且保護(hù)免受硅的沉積以及冷卻加熱光源。因此， 可實(shí)現(xiàn)增大的生產(chǎn)速率。本發(fā)明還包括一種用于操作根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)器的方法，該方法是獨(dú)特的，因?yàn)橛糜诩訜岱磻?yīng)器的設(shè)備和用于流體流動(dòng)的設(shè)備被控制為使得在反應(yīng)器的操作周期的最后部分，硅的沉積朝向穿過反應(yīng)器的中心軸徑向向內(nèi)發(fā)生。通過控制原理上僅加熱表面或被輻射物體的內(nèi)部和外部加熱光源實(shí)現(xiàn)了特別有利的效果。采用在反應(yīng)器的操作時(shí)間的最后部分以增大的程度輻射反應(yīng)器中的內(nèi)表面和顆粒的加熱光源，是尤其有利的。MM通過附圖更確切地

圖1闡述了本發(fā)明，圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)器的兩種實(shí)施方式，分別地不具有和具有流化床。碰參考附圖，圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)器的兩種實(shí)施方式，相應(yīng)地不具有和具有流化床。在左圖中圖示了不具有流化床的實(shí)施方式，其中反應(yīng)器被加熱光源7、8、9包圍， 并且在起動(dòng)之前在壁和角落處比在中心12處被填充有較粗的硅顆粒11。更具體地，反應(yīng)器由純硅的側(cè)壁1和底蓋3組成，側(cè)壁1和底蓋3應(yīng)是或可以是最終產(chǎn)品的一部分。反應(yīng)器還可裝備有純硅的頂蓋5，在結(jié)束的工藝后更換反應(yīng)器時(shí)該頂蓋5可被包括。側(cè)壁可以是多邊形的或圓形的，這取決于可得到的材料。底蓋3和頂蓋5裝備有載硅氣體10的孔4、6，載硅氣體10將流過反應(yīng)器并且將純硅沉積到反應(yīng)器中的加熱的壁的內(nèi)側(cè)上。當(dāng)管已填充有一直到反應(yīng)器的中間的純硅時(shí)，或只要進(jìn)行下述更換過程經(jīng)濟(jì)上合理，整個(gè)反應(yīng)器被裝備有底蓋3和頂蓋5的新的硅反應(yīng)器更換。增加的壁厚度導(dǎo)致用于載硅氣體的不斷減小的容積，且每小時(shí)生產(chǎn)量將隨時(shí)間下降并在管被堵塞時(shí)停止。加熱光源7、8、9被置于反應(yīng)器的外部，且通過輻射將熱傳遞到反應(yīng)器的外表面。加熱光源在彼此的頂部上被分成2個(gè)、3個(gè)或更多個(gè)段，以能夠在反應(yīng)器的高度上控制溫度。熱被從加熱光源7、8、9引導(dǎo)通過硅壁1 至壁的內(nèi)側(cè)2，該內(nèi)側(cè)2將是反應(yīng)器內(nèi)最熱的表面。底蓋3倚靠在石英/石墨的表面13上或與底部部件具有相同模式的孔的另一導(dǎo)電材料上。表面13在表面上具有涂層，防止從表面13至硅反應(yīng)器中的底蓋3的污染。當(dāng)采用外部加熱源時(shí)，當(dāng)開始工藝時(shí)，反應(yīng)器周圍的室必須填充有非污染的中性氣體17。在比加熱室略高的壓力下供應(yīng)到反應(yīng)器內(nèi)的載硅氣體將滲透過硅管的角落中的裂縫。這些裂縫將逐漸被沉積到表面上的硅密封。在工藝早期，加熱可被引導(dǎo)向硅管的角落和端部，以在早期階段朝向需要密封的表面引導(dǎo)硅沉積。反應(yīng)器的加熱還可通過直接流過硅管的壁的電流、或通過外部加熱源和可能的內(nèi)部加熱源以及在硅管壁中的直接電阻加熱兩者的組合、或通過使用其他方法來完成。如果通過在硅管壁中的直接電阻加熱完成所有的加熱且外部加熱源被移走，則當(dāng)將載硅氣體供應(yīng)到外側(cè)上和內(nèi)側(cè)上時(shí)，硅沉積可發(fā)生在反應(yīng)器的外側(cè)和內(nèi)側(cè)上。反應(yīng)器意圖僅使用一次且當(dāng)結(jié)束工藝且準(zhǔn)備更換反應(yīng)器時(shí)以單元形式被更換。反應(yīng)器可在無晶種顆粒下空車運(yùn)轉(zhuǎn)，或填充有優(yōu)選量的晶種材料。當(dāng)工藝開始時(shí)，晶種材料12的典型粒度為0. 2-20mm的直徑。如果使用粉狀硅材料，則反應(yīng)器中壁附近的粗的、純的硅具有更大的直徑或邊緣。通過底蓋3和頂蓋5中的若干噴嘴可將氣流導(dǎo)向內(nèi)壁，且管可填充有粗粒和/或細(xì)粒的純硅，這對(duì)管中的氣流產(chǎn)生不同的阻力。粗粒的純硅被圖示為在反應(yīng)器角落的最靠外處，且細(xì)粒的純硅朝向反應(yīng)器的中間。這將導(dǎo)致載硅氣體在反應(yīng)器角落的最靠外處增大的流動(dòng)，因此使純硅更快速地沉積在反應(yīng)器角落的內(nèi)側(cè)。通過在工藝的早期將氣體引導(dǎo)至最靠近壁的噴嘴，可使氣流引導(dǎo)向硅管反應(yīng)器的內(nèi)側(cè)(和可能地外側(cè))。隨著反應(yīng)器向內(nèi)朝向反應(yīng)器的中心被填充純硅，朝著反應(yīng)器的中心的新的噴嘴逐漸被利用?？赡芴畛溆芯ХN顆粒的完全填充的反應(yīng)器單元作為完整的塊處理，且通過機(jī)器人或另一自動(dòng)設(shè)備被置于加熱室中。反應(yīng)器在加熱室內(nèi)直至工藝完全結(jié)束，且在打開加熱室之前，溫度降至期望的水平。在結(jié)束的工藝后為完整的純硅塊的整個(gè)反應(yīng)器可被將其置于室中的同一機(jī)器人取回，且該塊被輸送以進(jìn)行后加工?？烧{(diào)節(jié)塊的尺寸以適應(yīng)下一階段的加工或最終消費(fèi)者，使得切割可減少至僅一個(gè)橫切口(cut crosswise)，且可避免硅塊的任何污染壓碎 (contaminating crushing)。因此，可使用非污染方法來切割塊。參考附圖，圖1的右側(cè)圖示了具有流化床的根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)器。該反應(yīng)器除了沒有流化床的反應(yīng)器外，還包含硅的入口管15，該入口管15應(yīng)僅使用一次且當(dāng)工藝結(jié)束時(shí)，連同反應(yīng)器的其余部分以完整單元形式被更換。將反應(yīng)器填充期望量的適合于在流化層反應(yīng)器中使用的顆粒形式的晶種材料。當(dāng)工藝開始時(shí)，典型粒度為0.2-4mm的直徑。經(jīng)由入口噴嘴4穿過底蓋3供給流化氣體10。通過在反應(yīng)器的中心中略向上延伸的入口管 15供給載硅氣體。載硅氣體以非常低而不能發(fā)生任何沉積的溫度進(jìn)入反應(yīng)器。當(dāng)氣體撞擊熱表面時(shí)，氣體被加熱，直至其達(dá)到可發(fā)生沉積的溫度。硅從載硅氣體的沉積將首先發(fā)生在具有最高溫度的表面上，且因此外加熱將導(dǎo)致在內(nèi)壁上且朝向反應(yīng)器的中間向內(nèi)可控的生長(zhǎng)。如果通過直接流過反應(yīng)器的硅壁的電流來完成加熱，則將發(fā)生相同的事情。通過底蓋 3和頂蓋5中的根據(jù)工藝的進(jìn)程控制每個(gè)噴嘴的氣流的若干噴嘴可將硅管中的氣流導(dǎo)向硅管內(nèi)側(cè)的壁。未圖示用于將氣流單獨(dú)引導(dǎo)到噴嘴的裝置。快到工藝終止時(shí)，當(dāng)顆粒開始變得集中且流化不再起作用時(shí)，可切斷流化氣體，且在工藝結(jié)束之前，通過所有噴嘴供給載硅氣體，以沉積盡可能多的硅，并且反應(yīng)器以整塊形式被更換?？扇缟鲜鲞M(jìn)行另外的加工。僅圖示說明了兩個(gè)具體實(shí)施方式
。然而，反應(yīng)器明顯地可具有任何合適的實(shí)施方式和形狀。除了上述那些外，形狀可以例如是橢圓形的，例如管狀形狀，這可利用硅熔化通過旋轉(zhuǎn)模制、殼模制或其他模制方法來實(shí)現(xiàn)?？衫镁哂谢虿痪哂斜Ｗo(hù)氣的熔焊或電阻縫焊例如電阻焊接(resistance-but welding)，用板和其他合適的部件裝配反應(yīng)器。電子束焊接、激光焊接和摩擦焊接是其他可行的制造方法。另外，反應(yīng)器可適于圍繞對(duì)稱的或不對(duì)稱的、垂直的、傾斜的或水平的任何旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。 以在本文件中提及或闡述的特征或階段的任何組合的如在獨(dú)立專利權(quán)利要求中界定的反應(yīng)器和方法的操作組合是本發(fā)明的一部分。
權(quán)利要求
1.一種用于通過化學(xué)氣相沉積來生產(chǎn)硅的反應(yīng)器，所述反應(yīng)器包括形成容器的反應(yīng)器主體、載硅氣體的至少一個(gè)入口、至少一個(gè)出口、以及作為所述反應(yīng)器的一部分或可操作地布置到所述反應(yīng)器的至少一個(gè)加熱設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)器的至少一個(gè)主要部分用硅制造，所述部分暴露于載硅氣體且所述部分被加熱以在所述部分上沉積硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述反應(yīng)器主體的壁或管的一部分以及頂蓋的至少一個(gè)內(nèi)部部分和底蓋的至少一個(gè)部分用硅制造，優(yōu)選用具有冶金品質(zhì)的或更純的硅制造。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述反應(yīng)器適于通過在所述反應(yīng)器的所述壁的內(nèi)部硅表面上和在晶種顆粒上的化學(xué)氣相沉積來生產(chǎn)硅，其中所述反應(yīng)器包括晶種顆粒的至少一個(gè)入口和能夠?qū)⑺龇磻?yīng)器主體的至少所述壁加熱到反應(yīng)溫度的至少一個(gè)加熱設(shè)備。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述反應(yīng)器包括硅的中心入口管，所述硅的中心入口管延伸到所述容器的下部部分中并且被穿過底蓋的多個(gè)氣體入口環(huán)繞，所述氣體入口是圍繞所述入口管對(duì)稱地且徑向地布置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述反應(yīng)器包括具有在一個(gè)端部上的硅蓋和在另一端部上的硅蓋的硅管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器，其特征在于，用于加熱所述反應(yīng)器的所述設(shè)備包括加熱光源，優(yōu)選紅外光源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)器，其特征在于，用于加熱所述反應(yīng)器的所述設(shè)備包括在所述反應(yīng)器的底蓋和/或頂蓋中的一個(gè)或多個(gè)加熱光源，所述一個(gè)或多個(gè)加熱光源實(shí)質(zhì)上同心地布置在惰性氣體的供給管內(nèi)部，使得所述反應(yīng)器的內(nèi)部和晶種顆粒內(nèi)含物被輻射且因此被加熱。
8.一種用于操作根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的反應(yīng)器的方法，其特征在于，用于加熱所述反應(yīng)器的所述設(shè)備和用于流體流動(dòng)的設(shè)備以使得在所述反應(yīng)器的操作時(shí)間的最后部分，朝向穿過所述反應(yīng)器的中心軸徑向向內(nèi)發(fā)生硅沉積的方式被控制。
全文摘要
一種用于通過化學(xué)氣相沉積來生產(chǎn)硅的反應(yīng)器，該反應(yīng)器包括形成容器的反應(yīng)器主體、載硅氣體的至少一個(gè)入口、至少一個(gè)出口、以及作為反應(yīng)器的一部分或可操作地布置到反應(yīng)器的至少一個(gè)加熱設(shè)備。該反應(yīng)器是獨(dú)特的，因?yàn)榉磻?yīng)器的至少一個(gè)主要部分用硅制造，該部分暴露于載硅氣體且該部分被加熱以在所述部分上沉積硅。用于操作反應(yīng)器的方法。
文檔編號(hào)C01B33/033GK102428027SQ201080021288
公開日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2010年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月29日
發(fā)明者沃納·O·菲爾特維特, 約瑟夫·菲爾特維特 申請(qǐng)人:戴納泰克工程有限公司