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18對棒多晶硅還原爐的制作方法

文檔序號:3442147閱讀:321來源:國知局
專利名稱:18對棒多晶硅還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種生產(chǎn)多晶硅用的還原爐,特別是一種以提高單爐的產(chǎn)量和降 低能耗為目的大對棒數(shù)多晶硅還原爐。
背景技術(shù)
多晶硅還原爐是生產(chǎn)多晶硅原料的關(guān)鍵設(shè)備,同時又是一個高耗能的設(shè)備。因此, 還原爐的設(shè)計和制造,直接影響到產(chǎn)品的產(chǎn)量、質(zhì)量和生產(chǎn)成本。隨著多晶硅市場的竟?fàn)幦?趨激烈,要求多晶硅生產(chǎn)必須做到充分利用生產(chǎn)資料,提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本,為多 晶硅生產(chǎn)企業(yè)提高產(chǎn)量、質(zhì)量、節(jié)省投資顯得尤為重要?,F(xiàn)有的多晶硅還原爐結(jié)構(gòu)由底盤、爐體組成,爐子主體采用不銹鋼材料。底盤上設(shè) 置電極、進氣口和還原尾氣排氣口。從節(jié)能降耗、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本考慮,其爐子 結(jié)構(gòu)有待進一步完善。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是為了進一步提高產(chǎn)品質(zhì)量和節(jié)能降耗,對現(xiàn)有多晶硅還原爐 進行優(yōu)化設(shè)計,提供一種具有顯著節(jié)能降耗效果和提高產(chǎn)品質(zhì)量的多晶硅還原爐。本實用新型的結(jié)構(gòu)特點實現(xiàn)了上述設(shè)計目的。本實用新型是一種18對棒多晶硅 還原爐,由底盤和爐體構(gòu)成,在爐體和底盤上設(shè)有冷卻水腔和冷卻水進出口,底盤上配有電 極、進氣口和排氣口,底盤與爐體采用緊固件連接,其特征在于還原爐內(nèi)壁有一層厚度為 2-3mm的光滑的銀層,底盤上有18對用于生成硅棒的電極。上述設(shè)置的18對電極在底盤上分二圈在360°上均布內(nèi)圈為6對電極,外圈為 12對電極,底盤上在兩圈電極之間間隔120°均勻分布3個進氣噴嘴,底盤中心設(shè)有還原尾 氣的出氣口。本實用新型由于采用了在爐內(nèi)壁和底盤內(nèi)側(cè)設(shè)置光滑的銀層,均勻設(shè)置進氣噴 嘴,使多晶硅還原爐中反應(yīng)時的供料氣體分布更均勻,反應(yīng)更充分,并利用銀的化學(xué)特性和 良好的加工性,以及拋光后的鏡面效果,在生產(chǎn)出純度更高的多晶硅產(chǎn)品的同時,大幅度降 低了能耗,從而顯著降低了多晶硅的生產(chǎn)成本。

圖1是本18對棒多晶硅還原爐的外觀示意圖。圖2是爐子底盤電極、進氣噴嘴和排氣口分布示意圖。實施例1如圖所示,本實用新型是一種18對棒多晶硅還原爐,由底盤9和爐體5構(gòu)成,底盤 與爐體采用法蘭盤8連接。爐體5上設(shè)有冷卻水腔夾套7,底盤9上也設(shè)有冷卻水腔夾套, 夾套上設(shè)有冷卻水進出口。爐體5上設(shè)有9個用于觀察和測量溫度的視孔4,分上、中、下三 層120°均布;還原爐內(nèi)壁有一層光滑的銀層3,厚度2-3mm。底盤上設(shè)置有18對電極10,
3在底盤上分二圈分布內(nèi)圈為6對電極,外圈為12對電極;爐子下部有進氣管道2與底盤上 的3個進氣噴嘴11連通,3個進氣噴嘴在底盤上的二圈電極之間間隔120 °均勻分布,底盤 中心設(shè)有還原尾氣的出氣口 1。
權(quán)利要求18對棒多晶硅還原爐,包括底盤和爐體,在爐體和底盤上設(shè)有冷卻水腔和用于冷卻水進出的進出口,底盤上配有電極、進氣口和排氣口,底盤與爐體采用緊固件連接,爐體上設(shè)有用于觀察和測量溫度的視孔,其特征在于還原爐內(nèi)壁有一層厚度為2 3mm的光滑的銀層,底盤上有18對用于生成硅棒的電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的18對棒多晶硅還原爐,其特征在于18對電極在底盤上分二 圈在360°上均布,內(nèi)圈為6對電極,外圈為12對電極,底盤上位于兩圈電極之間在360° 上均勻分布3個進氣噴嘴,底盤中心設(shè)有還原尾氣的排氣口。
專利摘要本18對棒多晶硅還原爐在還原爐內(nèi)壁有光滑的銀層,底盤上配有18對電極、在底盤上均勻設(shè)置多個進氣噴嘴,利用銀的化學(xué)特性和良好的加工性,以及拋光后的鏡面效果,使多晶硅還原爐中反應(yīng)時的供料氣體分布更均勻,反應(yīng)更充分,此舉不僅提高了產(chǎn)品純度,也達到了大幅度節(jié)能降耗的目的。
文檔編號C01B33/021GK201713325SQ20102021562
公開日2011年1月19日 申請日期2010年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月4日
發(fā)明者王姍 申請人:成都蜀菱科技發(fā)展有限公司
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