專利名稱：24對棒多晶硅還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種生產(chǎn)多晶硅用的還原爐，特別是一種以提高單爐的產(chǎn)量和降 低能耗為目的大對棒數(shù)多晶硅還原爐。
背景技術(shù)：
多晶硅還原爐是生產(chǎn)多晶硅原料的關(guān)鍵設(shè)備，同時又是一個高耗能的設(shè)備。因此， 還原爐的設(shè)計和制造，直接影響到產(chǎn)品的產(chǎn)量、質(zhì)量和生產(chǎn)成本。隨著多晶硅市場的竟?fàn)幦?趨激烈，要求多晶硅生產(chǎn)必須做到充分利用生產(chǎn)資料，提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本。因此， 開發(fā)大對棒數(shù)還原爐為多晶硅生產(chǎn)企業(yè)提高產(chǎn)量、質(zhì)量、節(jié)省投資顯得尤為重要?，F(xiàn)有的多晶硅還原爐結(jié)構(gòu)由底盤、爐體組成，爐子主體采用不銹鋼材料。底盤上設(shè) 置電極、進氣口和還原尾氣排氣口。從節(jié)能降耗、提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本考慮，其單爐 產(chǎn)量有待進一步提高。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是為了提高產(chǎn)品的產(chǎn)量和質(zhì)量，對現(xiàn)有多晶硅還原爐底盤和爐 體的冷卻腔的結(jié)構(gòu)和尺寸進行優(yōu)化設(shè)計，設(shè)計一種提高多晶硅的產(chǎn)量和降低能耗，降低多 晶硅生產(chǎn)的成本的高產(chǎn)多晶硅還原爐。本實用新型的結(jié)構(gòu)特點實現(xiàn)了上述設(shè)計目的。本實用新型是一種24對棒多晶硅 還原爐，由底盤和爐體構(gòu)成，在爐體和底盤上設(shè)有冷卻水腔和冷卻水進出水口，底盤上配有 電極、進氣口和排氣口，底盤與爐體采用緊固件連接，其特征在于還原爐內(nèi)壁有一層厚度 為2-3mm的光滑的銀層，底盤上有24對用于生成硅棒的電極。上述設(shè)置的24對電極在底盤上分三圈在360°上均布內(nèi)圈4對電極，中圈8對電 極，外圈為12對電極，底盤上位于內(nèi)圈和中圈電極之間在相距180°設(shè)置2個進氣噴嘴，中 圈電極與外圈電極之間360°上均勻分布4個進氣噴嘴，底盤中心設(shè)有還原尾氣的排氣口。本實用新型由于采用了在爐子底盤上采用大對數(shù)電極、在還原爐內(nèi)壁設(shè)置光滑的 銀層，均勻設(shè)置多個進氣噴嘴，使多晶硅還原爐中反應(yīng)時的供料氣體分布更均勻，反應(yīng)更充 分，多晶硅棒數(shù)量更多，并利用銀的化學(xué)特性和良好的加工性，以及拋光后的鏡面效果，顯 著提高了反應(yīng)效率和單爐產(chǎn)量，在生產(chǎn)出純度更高的多晶硅產(chǎn)品的同時，大幅度降低了能 耗，從而大大降低了多晶硅的生產(chǎn)成本。

圖1是本24對棒多晶硅還原爐的外觀示意圖。圖2是爐子底盤電極、進氣噴嘴和排氣口分布示意圖。實施例1如圖所示，本實用新型是一種高產(chǎn)24對棒多晶硅還原爐，由底盤9和爐體5構(gòu)成， 底盤與爐體采用法蘭盤8連接。爐體5上設(shè)有冷卻水腔夾套7，在底盤9上也設(shè)有冷卻水夾套，夾套上設(shè)有冷卻水進出口。爐體上設(shè)有9個用于觀察和測量溫度的視孔4，分上、中、下 三層120°均布；還原爐內(nèi)壁有一層光滑的銀層3，厚度2-3mm。底盤上設(shè)置有24對電極10 在底盤上分三圈分布內(nèi)圈為4對電極，中圈為8對電極，外圈為12對電極；爐子下部有進 氣管道2與底盤上的6個進氣噴嘴11連通，6個進氣噴嘴在底盤上的分布是內(nèi)圈與中圈之 間相距180°設(shè)置2個噴嘴，中圈與外圈之間360°均勻分布4個噴嘴，底盤中心設(shè)有還原 尾氣的出氣口 1。
權(quán)利要求1.24對棒多晶硅還原爐，包括底盤和爐體，在爐體和底盤上設(shè)有冷卻水腔和用于冷卻 水進出的進出口，底盤上配有電極、進氣口和排氣口，底盤與爐體采用緊固件連接，爐體上 設(shè)有用于觀察和測量溫度的視孔，其特征在于還原爐內(nèi)壁有一層厚度為2-3mm的光滑的銀 層，底盤上有24對用于生成硅棒的電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的24對棒多晶硅還原爐，其特征在于24對電極在底盤上分三 圈，在360°上均布，內(nèi)圈為4對電極，中圈為8對電極，外圈為12對電極，底盤上位于內(nèi)圈 和中圈電極之間相距180°設(shè)置2個進氣噴嘴，中圈電極與外圈電極之間360°上均勻分布 4個進氣噴嘴，底盤中心設(shè)有還原尾氣的排氣口。
專利摘要本24對棒多晶硅還原爐在爐子底盤上采用大對數(shù)電極、還原爐內(nèi)壁設(shè)置光滑的銀層，均勻設(shè)置多個進氣噴嘴，使多晶硅還原爐中反應(yīng)時的供料氣體分布更均勻，反應(yīng)更充分，多晶硅棒數(shù)量更多，從而顯著提高了反應(yīng)效率和單爐產(chǎn)量；并利用銀的化學(xué)特性和良好的加工性，以及拋光后的鏡面效果，在生產(chǎn)出純度更高的多晶硅產(chǎn)品的同時，大幅度降低了能耗，大大降低了多晶硅的生產(chǎn)成本。
文檔編號C01B33/021GK201785197SQ201020215600
公開日2011年4月6日 申請日期2010年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月4日
發(fā)明者王姍 申請人:成都蜀菱科技發(fā)展有限公司