專利名稱：一種連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及氟硅酸鈉的生產(chǎn)方法，更具體地說，本發(fā)明涉及一種連續(xù)性 生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法。


鑒于本發(fā)明對照附圖描述更為簡潔清楚，因此，首先對附圖的內容進行 簡要說明。
圖l為"間歇式生產(chǎn)氟硅酸鈉工藝"流程示意圖2為現(xiàn)有技術中"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉工藝"流程示意圖3為本發(fā)明"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一多格合成槽工藝"所釆用的多
格合成槽一一優(yōu)選正圓柱分格形狀及正(長)方體分格組合形狀(優(yōu)選4格、
3格、2格)的平面示意圖4為本發(fā)明"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一多格合成槽工藝"流程示意圖 (以三格槽為例)；
圖5為本發(fā)明"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一養(yǎng)晶槽工藝"流程示意圖(以 設置兩個養(yǎng)晶槽為例)。
背景技術：
采用氟硅酸(H2SiF6)與工業(yè)氯化鈉、鹵水(NaCl溶液)或芒硝(Na2S04) 為原料生產(chǎn)氟硅酸鈉時，在合成槽中，仏SiF6與NaCl溶液(或Na2S(V溶液) 發(fā)生反應，生成氟硅酸鈉沉淀結晶和稀鹽酸(或稀硫酸)母液，化學反應式 如下
H2SiF6 +2NaCl ==== Na2SiF6 | + 2HC1 H2SiF6 +Na2S04 ==== Na2SiF6 | + H2S04 現(xiàn)有技術中，氟硅酸鈉的生產(chǎn)，長期以來都是釆用間歇式生產(chǎn)工藝，即在單格合成槽中，先加入計量過的H2SiF6，再計量加入NaCl溶液或Na2S0r溶 液，攪拌反應一定時間，養(yǎng)晶一定時間后，停攪拌，在單格合成槽中進行澄 清，分離出上層母液，接著加水洗滌沉淀2~3次(每次洗滌后進行澄清， 分離出上層洗液)。洗滌后得到氟硅酸鈉沉淀，轉移到離心機摔干，然后進 行干燥，得到氟硅酸鈉產(chǎn)品。單格合成槽再重復進行合成反應及洗滌操作， 母液和洗液經(jīng)中和后排放。"間歇式生產(chǎn)氟硅酸鈉工藝"流程如圖l所示。
間歇式生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，其優(yōu)點是可以穩(wěn)定控制合成反應時間和 養(yǎng)晶時間，>品結晶壽命一致，結晶粒度大而均勻，產(chǎn)品質量好。但其存在 的缺點是工藝落后，生產(chǎn)效率低，勞動強度大，只適合于小規(guī)模、作坊式 生產(chǎn)，不適合現(xiàn)代化的大規(guī)模生產(chǎn)。
近兩年來，出現(xiàn)了個別氟硅酸鈉生產(chǎn)裝置，釆用了連續(xù)性生產(chǎn)工藝。即 在單格合成槽中，同時計量加入氟硅酸和鹵水，攪拌反應、停留一定時間后， 反應料漿從合成槽中出來，進入一級增稠器進行沉降，分離出上層母液，一 級增稠器底流料漿用泵送入調漿槽，加水調漿、洗滌，然后進入二級增稠器 進行沉降，分離出上層洗液，二級增稠器底流料漿進入連續(xù)式離心機摔干， 然后送入氣流干燥機干燥，得到氟硅酸鈉產(chǎn)品。母液和洗液經(jīng)中和后排放。 現(xiàn)有技術中"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉工藝"流程如圖2所示。
圖2所示的、現(xiàn)有技術中"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉工藝"與"間歇式生產(chǎn) 氟硅酸鈉工藝"相比，自動化程度較高，工藝比較先進，生產(chǎn)效率提高，裝 置產(chǎn)能大，操作比較簡單。但是，由于仍然采用了單格合成槽來進行連續(xù)性 生產(chǎn)，在單格合成槽的同 一空間內，既要實現(xiàn)原料H2SiF6、NaCl溶液(或Na2S04
溶液)的加入，又要實現(xiàn)Na2SiF6沉淀結晶的生成和長大，還要實現(xiàn)反應產(chǎn) 物的移出，這種方法就無法避免多量剛生成的細碎結晶走短路，混入從合成 槽移出的反應產(chǎn)物中。從合成槽中移出的、細碎的Na2SiF6結晶進入后續(xù)工 序，在增稠器中沉降困難，在離心機中摔干困難，使裝置產(chǎn)能下降，還影響 液固分離和洗滌過程，易造成產(chǎn)品游離酸超標，易造成增稠器上層母液、洗 液夾帶Na2SiF6產(chǎn)品較多，收率降低，消耗增高，易污染環(huán)境。過于細碎的Na2SiF6結晶在采用氣流干燥機進行干燥時，還易造成干燥尾氣過細粉塵含
量高，捕收、除塵困難，效率下降，使產(chǎn)品損失，還污染環(huán)境。而且，細碎
的結晶難以滿足用戶(尤其是歐洲巿場用戶)對Na2SiF6產(chǎn)品"粒度不能過 細，有下限指標限制"的要求，過細的產(chǎn)品比表面積大，包裝后，在儲運過 程中還易結塊。這些不足之處迫切地需要加以克服和改進。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術中的缺點，提供一種連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉 的新方法。
本發(fā)明的目的通過下述技術方案予以實現(xiàn)。
*除非另有說明，本發(fā)明中所釆用的百分濃度均為質量百分濃度。 本發(fā)明提供了一種連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，該方法采用"連續(xù)性生 產(chǎn)氟硅酸鈉一一多格合成槽工藝"或者"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一養(yǎng)晶槽工 藝"兩種技術方案均可以實現(xiàn)。
l.采用"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一多格合成槽工藝"時，包括以下步驟 (1)氟硅酸鈉合成槽采用一個多格合成槽，所述的這個多格合成槽由任 意形狀和任意數(shù)目的單格組合而成，優(yōu)選正圓柱分格形狀及正(長)方體分 格組合形狀，優(yōu)選2、 3或4格。分格后單格容積的大小可以不同(即不等 分結構)，也可以相同(即等分結構)，優(yōu)選不等分結構。在不等分結構中， 由于第l格內要完成加料及合成反應，該格的容積設計得大一些，故各個單 格容積大小的優(yōu)選方案為第1格容積大，其余各單格容積小且相同。
兩格槽第一格容積占總容積的55%~70% (優(yōu)選55%~65% );三格槽 第一格容積占總容積的35%~60% (優(yōu)選45%~55% );四格槽第一格容積 占總容積的28%~45% (優(yōu)選30%~40%)。根據(jù)裝置設計能力不同，多格合 成槽總容積(各單格容積之和)大小不同， 一般在2 M3~70 M3，總有效容 積(各單格有效容積之和) 一般在1.6 M3~56M3，優(yōu)選總有效容積為2 M3~ 40 M3。(2 )所述的多格合成槽為進行防腐處理的鋼槽或者混凝土槽。多格合成 槽的各格之間為串聯(lián)關系。在多格合成槽各格的隔板或隔墻上，距離槽子底
面0~0. 5m的位置(優(yōu)選0~0. 2m)開任意形狀的口連通(優(yōu)選正方形口、 長方形口和圓形口)，根據(jù)裝置設計能力不同及合成槽總有效容積不同，其 開口截面積大小不同， 一般在O. 04 M2~1.50M2，優(yōu)選O. 06 M2~1.00M2。 第l格與最后l格之間不開口、不連通。在靠近槽子底部位置開口，是為了 保證進入下一隔槽的結晶為粒度大的結晶。
(3)原料氟硅酸和卣水同時計量加入第1格中，在攪拌下進行反應， 反應料漿在攪拌作用下進入第2格，該格中，可以補加氟硅酸或/和鹵水， 消除SiF,或Na +的過飽和度，進行進一步反應和養(yǎng)晶，然后，反應料漿依 次進入第3格、直到最后一格進行消化、養(yǎng)晶。最后一格出來的反應料漿總 量中的1/6 ~ 2/5 (優(yōu)選1/5 ~ 1/3 )作為返漿(晶種)，用循環(huán)泵送回第1格， 其余5/6-3/5 (優(yōu)選4/5~2/3)的料漿進入下一道工序。
本發(fā)明釆用的"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一多格合成槽工藝"所確定的生 產(chǎn)方法，其余部分與圖2現(xiàn)有技術中"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉工藝"相同。
本發(fā)明釆用的"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一多格合成槽工藝"流程如圖4 所示(以三格槽為例)。
2.采用"連續(xù)性氟硅酸鈉生產(chǎn)一一養(yǎng)晶槽工藝"時，包括以下步驟
(1 )氟硅酸鈉合成槽采用一個單格合成槽，同時設置多個單格養(yǎng)晶槽(簡 稱養(yǎng)晶槽，下同)。單格合成槽為任意形狀，優(yōu)選正圓柱帶圓錐底形狀以及
正(長)方體帶四棱錐底形狀。設置的養(yǎng)晶槽為任意形狀、任意數(shù)目，優(yōu)選 正圓柱帶圓錐底形狀以及正(長)方體帶四棱錐底形狀。優(yōu)選養(yǎng)晶槽數(shù)目為 1、 2或3個。由于單格合成槽內要完成加料及合成反應，故單格合成槽及養(yǎng) 晶槽容積大小的優(yōu)選方案為單格合成槽的容積大，各養(yǎng)晶槽的容積小且相 同。
養(yǎng)晶槽數(shù)目為l時，單格合成槽容積占總容積的55%~70% (優(yōu)選55~ 65%);養(yǎng)晶槽數(shù)目為2時單格合成槽容積占總容積的35%~60% (優(yōu)選45%~55% );養(yǎng)晶槽數(shù)目為3時單格合成槽容積占總容積的28%~45%(優(yōu) 選30%~40% )。根據(jù)裝置設計能力不同，單格合成槽與多個養(yǎng)晶槽的容積之 和一般在2M3 70M3,有效容積之和一般在1.6M3 56M3，優(yōu)選有效容積之 和為2 M3 — 40 M3。
(2 )所述的單格合成槽、養(yǎng)晶槽均為進行防腐處理的鋼槽或者混凝土槽。 單格合成槽與各個養(yǎng)晶槽之間為串聯(lián)關系。在單格合成槽及各個養(yǎng)晶槽錐底 位置開口出料。在槽子錐底位置開口出料，是為了保證進入下一個槽的結晶 為粒度大的結晶，并方便于排料。
(3)原料氟硅酸和鹵水同時計量加入單格合成槽中，在攪拌下進行反應。 反應料漿從槽子錐底出口排出，進入第l養(yǎng)晶槽，該槽中，可以補加氟硅酸 或/和卣水，消除SiF,或Na +的過飽和度，進行進一步反應和養(yǎng)晶。然后， 反應料漿從槽子錐底出口排出，依次進入第2個、直到最后一個養(yǎng)晶槽進行 消化、養(yǎng)晶。最后一個養(yǎng)晶槽出來的反應料漿總量中的1/6~2/5(優(yōu)選1/5~ 1/3)作為返漿(晶種)，用循環(huán)泵送回單格合成槽，其余5/6 ~ 3/5 (優(yōu)選 4/5-2/3)的料漿進入下一道工序。
本發(fā)明釆用的"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一養(yǎng)晶槽工藝"所確定的生產(chǎn) 方法，其余部分與圖2現(xiàn)有技術中"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉工藝"相同。
本發(fā)明釆用的"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一養(yǎng)晶槽工藝"流程如圖5所 示(以設置兩個養(yǎng)晶槽為例)。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下有益效果
1. 本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉工藝"存在的問題，對 生產(chǎn)方法進行兩種改進，形成"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一多格合成槽工藝" 和"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一養(yǎng)晶槽工藝"，均可以取得良好效果。
2. 以圖5中"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一養(yǎng)晶槽工藝"(設置兩個養(yǎng)晶 槽)為例，在單格合成槽中，主要完成原料H2SiF6、 NaCl溶液(或Na2S04溶 液)的加入，進行合成反應，即SiF,與Na +結合生成Na^iF6結晶，存在返 漿(晶種)條件下，可以有效避免形成過多新的晶核，有效減少細碎結晶的數(shù)量及其所占比率。在第l個養(yǎng)晶槽中，可以根據(jù)需要，補充少部分卣水或 /和氟硅酸，進行消化、養(yǎng)晶，消除SiF^或/和Nr的過飽和度。在第2個 養(yǎng)晶槽中，主要完成養(yǎng)晶過程，進一步消除SiF,或/和N^的過飽和度，提 高收率，形成粗大的Na2SiF6產(chǎn)品結晶。同時，兩個養(yǎng)晶槽的獨立設置，可 以起到有效的隔離作用，阻止小結晶進入下一個槽，以保證從最后一個養(yǎng)晶 槽出來的、進入下一道工序的產(chǎn)品結晶粗大、均勻。
3.與現(xiàn)有技術生產(chǎn)的產(chǎn)品相比，本發(fā)明生產(chǎn)的產(chǎn)品中+15011111顆粒所 占比率由10% ~30%提高到50 - 70%; + 100um顆粒所占比率由30% -50 %提高到80% ~90%; -45um顆粒所占比率由30% ~50%降低到8%以下； 氟收率由~85%提高到90%以上；每噸氟硅酸鈉產(chǎn)品的氟硅酸消耗(折 100%H2SiF6)從0.901 - 1.021噸下降到0.851噸以下，從根本上解決了現(xiàn) 有技術中"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉工藝"所存在的不足。
具體實施例方式
實施例1
采用本發(fā)明"連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉一一養(yǎng)晶槽工藝"，該工藝設置單格 合成槽1個，養(yǎng)晶槽2個。單格合成槽為進行防腐處理的圓柱形(4)2.6 x 2.3m)、帶錐底(錐高1.4m)的鋼槽，其容積為16. 3 M3,其有效容積為13. 0 M3。 2個養(yǎng)晶槽大小一致，均為進行防腐處理的圓柱形(4)2. lxl.8m)、帶 錐底(錐高l.lm)鋼槽，其容積均為8.15 (其有效容積均為6.5 M3 。單 格合成槽與2個養(yǎng)晶槽的總容積為32. 6 M3,總有效容積為26. 0 M3 。
裝置氟硅酸鈉產(chǎn)能為5.190t/h，氟收率取90%, 100%氟硅酸加入量為 4.417 t/h,氟硅酸全部加入到單格合成槽中。以氟硅酸加入量為依據(jù)，根 據(jù)反應式計算出卣水的理論加入量。卣水的實際加入量以理論加入量的120 %計(其中110%加入到單格合成槽中，10%加入到第l養(yǎng)晶槽中)。
將全部氟硅酸和110%理論量的卣水同時計量加入單格反應槽中。氟珪 酸濃度11.0%,密度1. 106g/cm3，加入量為36. 31MVh;卣水濃度24. 5%，密度1. 216g/cm3，單格合成槽中鹵水加入量為13. 241M3/h;從第2養(yǎng)晶槽出 來的、通過循環(huán)泵送回單格合成槽的返漿量為12. 0 MVh。以上物料在單格 合成槽中進行攪拌反應，所形成的反應料漿通過槽子錐底出口進入第l養(yǎng)晶
在第1養(yǎng)晶槽反應料漿中，計量加入的鹵水量為理論量的10%,即 1.201MVh,進行攪拌反應，通過反應、消化，進一步消除SiF廣過飽和度，
并進行養(yǎng)晶，增大結晶，形成的反應料漿通過槽子錐底出口進入第2養(yǎng)晶槽。 反應料漿在第2養(yǎng)晶槽中，進行攪拌反應，通過反應、消化、養(yǎng)晶，進 一步消除SiF,過飽和度，增大結晶，然后通過槽子錐底出口設置的循環(huán)泵 把返漿(晶種)送回單格合成槽中，返槳量為12.0 MVh。剩余反應料漿送 入一級增稠器進行沉降，分離出上層母液， 一級增稠器底流料漿用泵送入調 漿槽，加水調漿、洗滌，然后進入二級增稠器進行沉降，分離出上層洗液， 二級增稠器底流料漿進入連續(xù)式離心機摔干，然后送入氣流干燥機干燥，得 到氟硅酸鈉產(chǎn)品。母液和洗液送到中和槽，經(jīng)中和后排放。
所得產(chǎn)品中，+150咖顆粒所占比率達到69%; +10011111顆粒所占比率 達到88 % ; -45um顆粒所占比率降低到5 % ;氟收率達到91. 2 % ;每噸氟硅 酸鈉產(chǎn)品的氟硅酸消耗(折100%H2SiF6)降低到0.840噸。 實施例2
釆用本發(fā)明"連續(xù)性氟硅酸鈉生產(chǎn)一一多格合成槽工藝"。進行防腐處 理的多格合成槽為圓柱形(j) 3. 6 x 3. 2m鋼槽，分為三格，其總容積為32. 6 M3, 總有效容積為26. 0M3 。第一個格容積為16. 3M3 ，其有效容積為13. 0M3 ，第 2格、第3格容積均為8. 15M3,其有效容積均為6. 5M3。
裝置氟硅酸鈉產(chǎn)能為5.190t/h,氟收率取90%, 100%氟硅酸加入量為 4.417 t/h,氟硅酸全部加入到第l格中，以氟硅酸加入量為依據(jù)，根據(jù)反 應式計算出卣水的理論加入量。卣水的實際加入量以理論加入量的120%計 (其中110%加入到第l格中，10%加入到第2格)。
將全部氟硅酸和110%理論量的卣水同時計量加入第1格中。氟硅酸濃度ll. 0%，密度1. 106g/cm3，加入量為36. 31M3/h;鹵水濃度24. 5%，密度 1.216g/cm3，第l格中鹵水加入量為13. 241M3/h;從第3格出來的、通過循 環(huán)泵送回第l格的返漿量為12.0 MVh。以上物料在第一格中，進行攪拌反 應，形成的反應料漿通過隔板上距離槽子底面0 m位置的正方形孔(0.4 m x0. 4m)進入到第2格。
在第2格反應料漿中，計量加入的卣水量為理論量的10 % ,即1. 201MVh， 進行攪拌反應，通過反應、消化，進一步消除SiF,進飽和度，并進行養(yǎng)晶， 增大結晶，形成的反應料漿通過隔板上距離槽子底面0 m位置的正方形孔 (0.4 mx 0.4m)進入到第3格。
反應料漿在第3格中進行攪拌反應，通過反應、消化、養(yǎng)晶，進一步消 除SiF廣過飽和度，增大結晶，然后通過循環(huán)泵把返漿(晶種)送回第l格， 返漿量為12.0MVh。剩余反應料漿送入一級增稠器進行沉降，分離出上層 母液， 一級增稠器底流料漿用泵送入調漿槽，加水調漿、洗滌，然后進入二 級增稠器進行沉降，分離出上層洗液，二級增稠器底流料漿進入連續(xù)式離心 機摔干，然后送入氣流干燥機干燥，得到氟硅酸鈉產(chǎn)品。母液和洗液經(jīng)中和 后排放。
所得產(chǎn)品中，+150咖顆粒所占比率達到67%; +10011!11顆粒所占比率 達到86%; -4511111顆粒所占比率降低到6%;氟收率達到91.0%;每噸氟硅 酸鈉產(chǎn)品的氟硅酸消耗(折100。/。H2SiF6)降低到0.842噸。
權利要求
1.一種連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，其特征在于氟硅酸鈉合成槽采用一個多格合成槽，所述的多格合成槽由任意形狀和任意數(shù)目的單格組合而成，多格合成槽的各格之間為串聯(lián)關系；在多格合成槽各格的隔板或隔墻上，距離槽子底面0～0.5m的位置開任意形狀的口連通，第1格與最后1格之間不開口、不連通；原料氟硅酸和鹵水同時計量加入多格合成槽的第1格中，進行攪拌反應，在攪拌作用下，反應料漿進入第2格，進行進一步反應和消化、養(yǎng)晶，然后反應料漿依次進入第3格、直到最后一格進行消化、養(yǎng)晶后，進入下一步工序。
2. 根據(jù)權利要求1所述的連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，其特征在于將 最后一格排出的料漿總量中的1/6~2/5作為返漿晶種，用循環(huán)泵送回第1 格，其余5/6~3/5的料漿進入下一道工序。
3. 根據(jù)權利要求l所述的連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，其特征在于在 多格合成槽的第2格中補充鹵水或/和氟硅酸，以消除SiF八或/和化+的過飽和度。
4. 根據(jù)權利要求1所述的連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，其特征在于所 述的多格合成槽采用兩格槽時，第一格容積占總容積的55%~70%;釆用三 格槽時，第一格容積占總容積的35%~60%;采用四格槽時，第一格容積占 總容積的28%~45%;多格合成槽總容積為2M3~70M3,總有效容積為1. 6 M3~56M3;所述的隔板或隔墻上的開口的截面積為0.04 M2~1.50 M2 。
5. 根據(jù)權利要求1所述的連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，其特征在于所 述的多格合成槽釆用進行防腐處理的鋼槽或者混凝土槽。
6. —種連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，氟硅酸鈉合成槽釆用一個單格合成 槽，其特征在于同時設置多個單格養(yǎng)晶槽，所述的單格合成槽與各個養(yǎng)晶 槽之間為串聯(lián)關系；在單格合成槽及各個養(yǎng)晶槽錐底位置開口出料；原料氟 硅酸和卣水同時計量加入單格合成槽中，進行攪拌反應，單格合成槽錐底出 口排出的反應料漿進入第l個養(yǎng)晶槽中進行進一步反應和消化、養(yǎng)晶，第l個養(yǎng)晶槽錐底出口排出的料漿依次進入第2個養(yǎng)晶槽、直到最后 一個養(yǎng)晶槽 進行消化、養(yǎng)晶后，進入下一道工序。
7. 根據(jù)權利要求6所述的連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，其特征在于最 后一個養(yǎng)晶槽出來的料漿中的1/6-2/5作為返漿釆用循環(huán)泵送回單格合成 槽，其余5/6~3/5的料漿進入下一道工序。
8. 根據(jù)權利要求6所述的連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，其特征在于在 第l養(yǎng)晶槽中補充卣水或/和氟硅酸，以消除SiF,或/和N^的過飽和度。
9. 根據(jù)權利要求6所述的連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，其特征在于所 述的養(yǎng)晶槽為任意形狀、任意數(shù)目；當養(yǎng)晶槽數(shù)目為l時，單格合成槽容積 占總容積的55%~70%;養(yǎng)晶槽數(shù)目為2時，單格合成槽容積占總容積的 35%~60%;養(yǎng)晶槽數(shù)目為3時，單格合成槽容積占總容積的28 % ~ 45 % ; 單格合成槽與多個養(yǎng)晶槽的容積之和為2M3~70 M3，有效容積之和為1.6 M3~ 56M3。
10. 根據(jù)權利要求6所述的連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法，其特征在于 所述單格合成槽和養(yǎng)晶槽的形狀均為帶圓錐底的正圓柱體或者帶四棱錐底 的正方體或長方體；所述的合成槽和養(yǎng)晶槽均釆用進行防腐處理的鋼槽或混 凝土槽。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種連續(xù)性生產(chǎn)氟硅酸鈉的方法。本發(fā)明可采用一個多格合成槽，在多格合成槽各格的隔板或隔墻上設置開口連通，第1格與最后1格之間不開口、不連通。原料氟硅酸和鹵水同時計量加入第1格中，進行攪拌反應。在攪拌作用下，反應料漿進入第2格，該格中，可以補加氟硅酸或/和鹵水，進一步反應和養(yǎng)晶，然后，反應料漿依次進入第3格、直到最后一格進行養(yǎng)晶。本發(fā)明還可以采用一個單格合成槽并同時設置多個養(yǎng)晶槽，在單格合成槽及各個養(yǎng)晶槽錐底位置開口出料。原料氟硅酸和鹵水同時計量加入單格合成槽中，進行攪拌反應。然后進入第1養(yǎng)晶槽，該槽中可補加氟硅酸或/和鹵水，進一步反應和養(yǎng)晶。然后，反應料漿依次進入第2個養(yǎng)晶槽、直到最后一個養(yǎng)晶槽進行養(yǎng)晶。
文檔編號C01B33/32GK101306820SQ20081005861
公開日2008年11月19日 申請日期2008年7月1日 優(yōu)先權日2008年7月1日
發(fā)明者吳向東, 煜 王, 資學民, 趙劍波 申請人:云南三環(huán)中化化肥有限公司