用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種蒸鍍裝置，具體來說涉及一種用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(OLED)能自發(fā)光，無視角障礙，低溫特征好，因此OLED顯示器已被認(rèn)為是繼液晶顯示器、等離子顯示器之后最具市場價值的新一代平板顯示器。
[0003]OLED的制作過程大都采用以玻璃為基板，利用蒸鍍設(shè)備將多層薄膜相繼沉積在基板上而形成。OLED蒸鍍技術(shù)為利用一蒸發(fā)源，內(nèi)部充填OLED材料，在真空環(huán)境下加熱蒸發(fā)源使材料升華或氣化，透過金屬掩模，蒸鍍于基板上。
[0004]蒸發(fā)源依鍍膜方式，一般分為點蒸發(fā)源(point source)與線蒸發(fā)源(linearsource)。參見圖1，通過基板6旋轉(zhuǎn)，加熱的點蒸發(fā)源5使材料升華或氣化，通過噴孔蒸鍍于基板上，在基板6上形成膜厚均勻的薄膜層；參見圖2，線蒸發(fā)源7是利用多個并排的噴孔搭配蒸發(fā)源7沿垂直與噴孔的排列方向來回移動在基板6上形成膜厚均勻的薄膜層。
[0005]OLED用蒸發(fā)源的加熱方式，較普遍為電熱式；其中又以加熱線圈(Heater)直接接觸蒸發(fā)源的“熱傳導(dǎo)”(Thermal conduct1n)加熱以及加熱線圈不接觸蒸發(fā)源的“熱福射”(Thermal Radiat1n)加熱最為常見。其目的為使蒸發(fā)源內(nèi)的材料均勾受熱，穩(wěn)定的將OLED材料從噴孔處噴出。
[0006]由于材料必須通過噴孔附著在基板上，為不影響材料的蒸鍍路徑，噴孔的上方與基板之間不能有任何阻擋物，所以噴孔處無法裝設(shè)保溫結(jié)構(gòu)，使得噴孔的溫度，容易成為蒸發(fā)源中溫度較低的地方。若是噴孔的溫度低于材料蒸氣的溫度，材料就會凝結(jié)在噴孔上，使得噴孔堵塞，無法繼續(xù)蒸鍍材料。
[0007]傳統(tǒng)的解決噴孔堵塞的方式為在噴孔附近增加加熱線圈，使噴孔溫度增加。但通常蒸發(fā)源的體積受真空腔室的限制，蒸發(fā)源小型化的結(jié)果使加熱線圈不易安裝在噴孔上；此外，噴孔與蒸發(fā)源材料的位置相距不是很遠(yuǎn)，如果在噴孔上安裝上加熱線圈，在線圈加熱噴孔的同時，也加熱到蒸發(fā)源內(nèi)的材料，使得材料的蒸鍍率不穩(wěn)定，或是使材料性質(zhì)劣化。
[0008]此外，一般真空腔室中還設(shè)置有防著板，用于防止蒸鍍材料附著到真空腔室的內(nèi)壁上，因此防著板上會積累有蒸鍍材料，不易清除。
【實用新型內(nèi)容】
[0009]針對上述問題，本實用新型提供一種用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置，用以解決在鍍膜過程中出現(xiàn)的蒸發(fā)源塞孔或材料累積在防著板上的問題。
[0010]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)方案如下:
[0011]用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置，包括真空腔室及設(shè)置在真空腔室內(nèi)的蒸發(fā)源，其特征在于，還包括激光脈沖對準(zhǔn)蒸發(fā)源的噴孔位置的激光頭。
[0012]優(yōu)選的，所述激光頭架設(shè)在真空腔室內(nèi)。
[0013]優(yōu)選的，所述真空腔室設(shè)置有視窗，激光頭架設(shè)在真空腔室外，激光脈沖透過視窗加熱噴孔。
[0014]優(yōu)選的，所述激光頭為激光角度可以調(diào)整的可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。
[0015]優(yōu)選的，所述蒸發(fā)源為點蒸發(fā)源，所述激光頭發(fā)射一道激光脈沖，且對準(zhǔn)點蒸發(fā)源的噴孔位置。
[0016]優(yōu)選的，所述蒸發(fā)源為線蒸發(fā)源，所述激光頭發(fā)射多道激光脈沖，且多道激光脈沖與線蒸發(fā)源的噴孔位置一一對應(yīng)。
[0017]本實用新型通過激光局部加熱，解決塞孔或材料累積問題。
[0018]本實用新型的優(yōu)點:
[0019]1、激光局部加熱，不影響材料或蒸鍍率。
[0020]2、激光頭可架在真空腔室外，不影響腔室內(nèi)空間，容易設(shè)計，可外加。
[0021]3、激光角度可調(diào)，可對應(yīng)各式蒸發(fā)源或防著板的不同位置。
[0022]本實用新型的特點可參閱本案圖式及以下較好實施方式的詳細(xì)說明而獲得清楚地了解。
【附圖說明】
[0023]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中點蒸發(fā)源鍍膜的示意圖。
[0024]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中線蒸發(fā)源鍍膜的示意圖。
[0025]圖3為本實用新型中激光頭設(shè)置在真空腔室外的示意圖。
[0026]圖4為激光頭加熱點蒸發(fā)源的示意圖。
[0027]圖5為激光頭加熱線蒸發(fā)源的示意圖。
【具體實施方式】
[0028]為了使本實用新型實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實施例進一步闡述本實用新型。
[0029]參見圖3，蒸發(fā)源I設(shè)置在真空腔室2內(nèi)，蒸發(fā)源I中設(shè)置有待蒸鍍的材料13，真空腔室2設(shè)置有視窗21，一激光頭3架設(shè)在真空腔室2外，激光脈沖透過視窗21加熱蒸發(fā)源I的噴孔14，若在蒸鍍過程中，由于噴孔被加熱，材料不會凝結(jié)在噴孔14處，因而噴孔14不會被堵塞；對于被堵塞的噴孔14則可以通過激光的加熱使噴孔處凝結(jié)的材料融化，使噴孔14恢復(fù)暢通，。激光頭3架在真空腔室外，不影響腔室內(nèi)空間，容易設(shè)計，可外加。
[0030]當(dāng)然，激光頭3也可以架設(shè)在真空腔室內(nèi)。
[0031]參見圖4，蒸發(fā)源為點蒸發(fā)源11，激光頭31發(fā)射一道激光脈沖，并對準(zhǔn)點蒸發(fā)源11的噴孔14位置對噴孔進行局部加熱。
[0032]參見圖5，針對蒸發(fā)源為線蒸發(fā)源12的情況，激光頭32發(fā)射多道激光脈沖，且多道激光脈沖與線蒸發(fā)源的噴孔14位置一一對應(yīng)，使線蒸發(fā)源的多個噴孔14同時被加熱。
[0033]真空腔室2內(nèi)還設(shè)置有防著板(圖中未示出)，防止蒸鍍材料附著到真空腔室2的內(nèi)壁上，因此也可以通過激光頭對防著板上累積的蒸鍍材料進行加熱，進而清除防著板上累積的材料。
[0034]激光頭3為激光角度可以調(diào)整的可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，方便調(diào)整激光脈沖的照射方向，使其對準(zhǔn)蒸孔位置，此外還可以不定期清理防著板的材料累積處。
[0035]本實用新型通過激光局部加熱，解決蒸發(fā)源塞孔或材料累積在防著板上的問題。
[0036]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型的范圍內(nèi)。本實用新型要求的保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
【主權(quán)項】
1.用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置，包括真空腔室及設(shè)置在真空腔室內(nèi)的蒸發(fā)源，其特征在于，還包括激光脈沖對準(zhǔn)蒸發(fā)源的噴孔位置的激光頭。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置，其特征在于，所述激光頭架設(shè)在真空腔室內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置，其特征在于，所述真空腔室設(shè)置有視窗，所述激光頭架設(shè)在所述真空腔室外，所述激光脈沖透過視窗加熱所述噴孔。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置，其特征在于，所述激光頭為激光角度可以調(diào)整的可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置，其特征在于，所述蒸發(fā)源為點蒸發(fā)源，所述激光頭發(fā)射一道激光脈沖，且對準(zhǔn)點蒸發(fā)源的噴孔位置。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置，其特征在于，所述蒸發(fā)源為線蒸發(fā)源，所述激光頭發(fā)射多道激光脈沖，且多道激光脈沖與線蒸發(fā)源的噴孔位置一一對應(yīng)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種用于改善蒸發(fā)源塞孔裝置，該裝置包括真空腔室及設(shè)置在真空腔室內(nèi)的蒸發(fā)源，本實用新型通過增設(shè)激光脈沖對準(zhǔn)蒸發(fā)源的噴孔位置的激光頭，通過激光局部加熱噴孔，解決蒸發(fā)源的塞孔問題。本實用新型的優(yōu)點：？1、激光局部加熱,不影響材料或蒸鍍率。2、激光可架在真空腔室外，不影響腔室內(nèi)空間，容易設(shè)計，可外加。3、激光角度可調(diào),可對應(yīng)各式蒸發(fā)源或防著板的不同位置。
【IPC分類】C23C14/24
【公開號】CN204918742
【申請?zhí)枴緾N201520666002
【發(fā)明人】林哲瑋, 康嘉濱, 林進志, 李柏德, 王玉清
【申請人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年8月31日