用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物和使用它的蝕刻方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，基于所述蝕刻劑組合物的總重量，其包含：(a)0.5?20wt％的過硫酸鹽；(b)0.01?2wt％的氟化合物；(c)1?10％的無機(jī)酸；(d)0.1?10wt％的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽；(e)0.01?3wt％的銅化合物；(f)0.1?5wt％的選自磺酰氯化合物和噻唑化合物的至少一種化合物；和(g)余量的水；并涉及使用所述蝕刻劑組合物的蝕刻方法。
【專利說明】
用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物和使用它的蝕刻方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物和使用該蝕刻劑組合物的蝕刻 方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 通常，薄膜晶體管(TFT)陣列基板用作在液晶顯示器(LCD)或有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯 示器等中獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素的電路基板。所述薄膜晶體管陣列基板中形成有用于傳輸掃 描信號(hào)的掃描信號(hào)線或柵極線和用于傳輸圖像信號(hào)的圖像信號(hào)線或數(shù)據(jù)線，并且還包括與 所述柵極線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管連接的像素電極等。為了制造 這種薄膜晶體管陣列基板，在基板上沉積用于柵極線和數(shù)據(jù)線的金屬層，繼之以蝕刻這些 金屬層的過程。所述柵極線和數(shù)據(jù)線利用具有高導(dǎo)電性和低電阻的銅形成。然而，當(dāng)單獨(dú)使 用銅形成這些線路時(shí)，在施加和圖案化光致抗蝕劑的過程中存在困難。出于這種原因，對(duì)于 所述柵極線和數(shù)據(jù)線不使用單層的銅，而是使用多個(gè)金屬層。在所述多個(gè)金屬層之中，通常 廣泛使用鈦-銅雙層結(jié)構(gòu)。在同時(shí)蝕刻這種鈦-銅雙層結(jié)構(gòu)的情況下，蝕刻剖面差，并在后續(xù) 過程中存在困難。
[0003] 韓國專利申請(qǐng)公布No. 10-2012-0111636公開了用于蝕刻鈦/銅雙層的蝕刻劑，其 包含0· 5-20wt%的過硫酸鹽、0.01-2wt%的氟化合物、l-10wt%的無機(jī)酸、0 · l-5wt%的環(huán) 胺化合物、〇. l_5wt%的氯化合物、0.05-3wt %的銅鹽、0.1-lOwt %的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽、和 水。
[0004] 然而，上述蝕刻劑缺點(diǎn)在于:保持蝕刻性能的時(shí)段明顯短于過氧化物類蝕刻劑，因 損害玻璃基板和光致抗蝕劑而引起的線路斷開缺陷顯著，并且由于與蝕刻反應(yīng)產(chǎn)物沉淀有 關(guān)的問題，在初始階段難以管控所述蝕刻劑。
[0005] 【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】
[0006] 【專利文獻(xiàn)】
[0007] 韓國專利申請(qǐng)公布No. 10-2012-0111636

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述描述，做出了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供 用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，所述蝕刻劑組合物具有對(duì)銅基金屬層的優(yōu)秀蝕刻特 性，可防止銅離子沉淀而在蝕刻劑組合物中形成不溶性沉淀物，由此大幅減少因銅離子沉 淀而產(chǎn)生的線路缺陷和加工成本，可減少因損害玻璃基板、絕緣層和光致抗蝕劑而引起的 線路斷開缺陷，并且還不會(huì)產(chǎn)生對(duì)環(huán)境有害的化合物氰化物(CN)。
[0009] 本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供使用所述蝕刻劑蝕刻銅基金屬層的方法。
[0010] 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，基于所 述蝕刻劑組合物的總重量，其包含：（a)0.5-20wt %的過硫酸鹽；（b)0.01 -2wt %的氟化合 物；（c) 1-10%的無機(jī)酸；（d)0.1-lOwt%的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽；（e)0.01-3wt%的銅化合物； (f) 0.1 -5wt %的、選自磺酰氯化合物和噻挫化合物的至少一種化合物;和(g)余量的水。
[0011]本發(fā)明還提供了蝕刻方法，所述方法包括：
[0012] (a)在基板上形成銅基金屬層；
[0013] (b)在所述銅基金屬層的選定區(qū)域上形成光反應(yīng)性材料;和
[0014] (c)使用本發(fā)明的蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬層。
【附圖說明】
[0015] 根據(jù)下面結(jié)合附圖給出的實(shí)施方式的描述，能夠明白本發(fā)明的目的和性質(zhì)，所述 附圖中：
[0016] 圖1是一組照片，顯示了使用本發(fā)明實(shí)施例4和比較例7的蝕刻劑組合物進(jìn)行沉淀 試驗(yàn)的結(jié)果;和
[0017]圖2是一組SEM圖像，顯示了使用本發(fā)明實(shí)施例4和比較例7的蝕刻劑組合物進(jìn)行蝕 刻的結(jié)果。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 在下文中，將更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
[0019] 本發(fā)明涉及用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，基于所述蝕刻劑組合物的總重 量，其包含：（a)0.5-20wt%的過硫酸鹽；（b)0.01-2 Wt%的氟化合物；（c) 1 -10 %的無機(jī)酸； (d)0 · 1 -1 Owt %的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽；（e)0 · 01 -3wt %的銅化合物；（f)0 · 1 -5wt %的選自磺 酰氯化合物和噻唑化合物的至少一種化合物;和(g)余量的水。
[0020] 在本文中使用時(shí)，術(shù)語"銅基金屬層"意圖包括含有銅的單層結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu)例如 雙層結(jié)構(gòu)。
[0021] 所述銅基金屬層的例子包括:銅或銅合金的單層結(jié)構(gòu);包括鈦層和在所述鈦層上 形成的銅層的銅/鈦多層結(jié)構(gòu);包括鈦合金層和在所述鈦合金層上形成的銅層的銅/鈦合金 多層結(jié)構(gòu);包括鉬層和在所述鉬層上形成的銅層的銅/鉬多層結(jié)構(gòu);包括鉬合金層和在所述 鉬合金層上形成的銅層的銅/鉬合金多層結(jié)構(gòu);包括在上鉬層和下鉬層之間形成的銅層的 鉬/銅/鉬多層結(jié)構(gòu)；和包括在上鉬合金層和下鉬合金層之間形成的銅層的鉬合金/銅/鉬合 金多層結(jié)構(gòu)。
[0022] 在本文中使用的術(shù)語"合金層"意圖還包括氮化物或氧化物層，并且術(shù)語"鉬合金 層"是指鉬與例如選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、鎳(Ni)和釹(Nd)的至少一種的合金。
[0023] 特別是，本發(fā)明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物可優(yōu)選應(yīng)用于由銅或銅合 金層/鈦或鈦合金層組成的多層結(jié)構(gòu)。
[0024] 本發(fā)明的蝕刻劑組合物還可以應(yīng)用于鉬基金屬層或鈦基金屬層。在本文中使用 時(shí)，術(shù)語"鉬基金屬層或鈦基金屬層"意圖包括含有鉬或鈦的單層結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu)例如雙層 結(jié)構(gòu)。
[0025] 本發(fā)明的蝕刻劑組合物的特征在于不含除了噻唑之外的唑化合物，所述除了噻唑 之外的唑化合物引起銅離子在蝕刻劑中沉淀。另外，因?yàn)楸景l(fā)明的蝕刻劑組合物不含除了 噻唑之外的唑化合物，防止了因所述唑化合物分解產(chǎn)生的對(duì)環(huán)境有害的化合物氰化物 (CN)〇
[0026] 所述唑化合物(除了噻唑之外）和所述氯化合物引起問題，因?yàn)樗鼈兣c銅離子成鍵 形成不溶性沉淀物。然而，如果所述氯化合物與噻唑一起使用，則不發(fā)生上述問題。
[0027] 過硫酸鹽(a)是用于蝕刻銅基金屬層的主要組分，并優(yōu)選基于所述蝕刻劑組合物 的總重量占5-20wt %的量。如果所述過硫酸鹽占小于0.5wt %的量，所述銅基金屬層不會(huì)被 蝕刻或者蝕刻速率將非常低，而如果所述過硫酸鹽占多于20wt %的量，總體蝕刻速率將增 加，使得難以控制蝕刻過程。
[0028] 用于本發(fā)明的過硫酸鹽可以是選自過硫酸鉀(K2S208)、過硫酸鈉(Na 2S208)和過硫 酸銨（(NH4)2S2〇8)的至少一種。
[0029] 氟化合物(b)是用于蝕刻鈦基金屬層的主要組分，并起到去除在蝕刻期間可能出 現(xiàn)的殘留物的作用。
[0030] 所述氟化合物優(yōu)選基于所述蝕刻劑組合物的總重量占0.01-2wt%的量。如果所述 氟化合物占小于O.Olwt%的量，將減小所述鈦基金屬層的蝕刻速率，并因而可能出現(xiàn)殘留 物，而如果所述氟化合物占多于2.Owt%的量，它可造成對(duì)其中形成了金屬線路的基板例如 玻璃的損害，以及對(duì)與所述金屬線路一起形成的含硅絕緣層的損害。
[0031] 用于本發(fā)明的氟化合物是能夠在溶液中解離成氟離子或多元氟離子的化合物，并 可以是選自氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉和氟化氫鉀。
[0032] 無機(jī)酸(c)用作用于蝕刻所述銅基金屬層或鈦基金屬層的共氧化劑。
[0033]所述無機(jī)酸優(yōu)選基于所述蝕刻劑組合物的總重量占 l-10wt%的量。如果所述無機(jī) 酸占小于lwt%的量，將降低所述銅基金屬層或鈦基金屬層的蝕刻速率，因而可能出現(xiàn)不良 蝕刻剖面和殘留物，而如果所述無機(jī)酸占多于l〇wt%的量，將出現(xiàn)過蝕刻和光致抗蝕劑破 裂，因而所述線路可因化學(xué)物質(zhì)滲入而短路。
[0034] 用于本發(fā)明的無機(jī)酸可以是選自硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸的至少一種。
[0035] 有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽(d)起到與所蝕刻的金屬離子形成螯合物的作用，以防止所蝕 刻的金屬離子影響蝕刻劑，由此增加所加工基板的數(shù)量。
[0036]所述有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽優(yōu)選基于所述蝕刻劑組合物的總重量占0. l-10wt%的量。 如果所述有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽占小于lwt %的量，不能得到增加所加工基板數(shù)量的效果，而即 使所述有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽占多于10wt%的量，也不再增加提高所加工基板的數(shù)量的效果。
[0037] 用于本發(fā)明的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽可以是選自下列的至少一種：乙酸、丁酸、檸檬 酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基對(duì)苯二甲酸、 水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞 氨基二乙酸和乙二胺四乙酸(EDTA)，以及它們的鈉鹽、鉀鹽和銨鹽。
[0038] 銅化合物(e)起到控制CD(臨界尺寸)偏離的作用。所述銅化合物可以基于所述蝕 刻劑組合物的總重量占0.01 -3wt %的量。如果所述銅化合物的含量小于0.0 lwt %，初始蝕 刻將不均勻，而如果所述銅化合物的含量超過3wt %，將降低所述蝕刻劑組合物的蝕刻性 能。
[0039]用于本發(fā)明的銅化合物可以是選自硝酸銅(Cu(N〇3)2)、硫酸銅(CuS04)和磷酸銅銨 (NH4CUP04)的至少一種。
[0040]選自磺酰氯化合物和噻唑化合物的所述至少一種(f)起到確保均勻蝕刻所述銅基 金屬層和控制其蝕刻速率的作用。
[0041] 選自磺酰氯化合物和噻唑化合物的所述至少一種化合物可以基于所述蝕刻劑組 合物的總重量占0. l_5wt%、優(yōu)選0.5-3wt%的量。如果所述至少一種化合物占小于0. lwt% 的量，它不能控制銅的蝕刻速率，因而可出現(xiàn)銅的過蝕刻，并且也不能確保銅的均勻蝕刻， 而如果所述至少一種化合物占多于5wt%的量，將降低銅的蝕刻速率，因而可能增加蝕刻時(shí) 間，導(dǎo)致生產(chǎn)率下降，并且，特別是可能發(fā)生產(chǎn)生沉淀的問題。
[0042] 特別是，基于本發(fā)明的蝕刻劑組合物的總重量，所述噻唑化合物更優(yōu)選占0.5-3wt %的量，更加優(yōu)選0 · 5-2wt %。
[0043] 所述磺酰氯化合物起到控制所述金屬層的錐角的作用，并且還起到防止出現(xiàn)線路 斷開缺陷的作用。
[0044] 可以用于本發(fā)明的磺酰氯化合物的例子包括乙磺酰氯、甲磺酰氯、氯苯磺酰氯、芐 磺酰氯和氯乙磺酰氯。
[0045] 可以用于本發(fā)明的噻唑化合物的例子包括4-甲基噻唑、4-氨基噻唑、4-羧基噻唑 和乙基噻唑。
[0046] 水(g)是指去離子水，并且是用于半導(dǎo)體加工的水，優(yōu)選是電阻率為18ΜΩ _ cm或更 高的水。所述水構(gòu)成基于所述蝕刻劑組合物的總重量達(dá)到l〇〇wt%所需的蝕刻劑組合物的 余量。
[0047] 另外，如果所述選自磺酰氯化合物和噻唑化合物的至少一種化合物(f)包含噻唑 化合物，用于蝕刻銅基金屬層的本發(fā)明蝕刻劑組合物還可以包含氯化合物(h)。氯化合物 (h)充當(dāng)蝕刻所述銅基金屬層的共氧化劑和起到控制所述金屬層的錐角的作用。
[0048] 所述氯化合物基于所述蝕刻劑組合物的總重量可以占0. l-5wt%的量。如果所述 氯化合物占小于O.lwt%的量，將降低所述銅基金屬層的蝕刻速率，導(dǎo)致蝕刻剖面差，而如 果所述氯化合物占多于5wt %的量，可出現(xiàn)過蝕刻，導(dǎo)致所述金屬線路損失。
[0049] 所述氯化合物是指可解離成氯離子的化合物。用于本發(fā)明的氯化合物可以是選自 鹽酸(HC1)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KC1)和氯化銨(NH4C1)的至少一種。
[0050] 另外，除上述組分之外，本發(fā)明的蝕刻劑組合物還可以包含掩蔽劑和防腐蝕劑。另 外，為了使得本發(fā)明的效果更好，可以任選地向所述蝕刻劑組合物中添加本領(lǐng)域已知的其 他各種添加劑。
[00511本發(fā)明的蝕刻劑組合物的組分可通過本領(lǐng)域已知的常規(guī)方法制備，并優(yōu)選以適合 半導(dǎo)體加工的純度使用。
[0052] 此外，本發(fā)明的蝕刻劑組合物不僅可以用于制造平板顯示器例如液晶顯示器，而 且可以用于制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器顯示面板等等。
[0053]本發(fā)明的蝕刻劑組合物能有效蝕刻用于液晶顯示器的源極/漏極和數(shù)據(jù)線，它們 是由銅基金屬層形成的。
[0054]在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供蝕刻方法，其包含：
[0055] (a)在基板上形成銅基金屬層；
[0056] (b)在所述銅基金屬層的選定區(qū)域上形成光反應(yīng)性材料;和
[0057] (c)使用本發(fā)明的蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬層。
[0058]在本發(fā)明的蝕刻方法中，所述光反應(yīng)性材料優(yōu)選是可以通過常規(guī)曝光和顯影過程 形成圖案的光致抗蝕劑材料。
[0059] 在此，所述銅基金屬層的定義如上所述。
[0060] 在下文中，將通過這些實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明。然而，下面的實(shí)施例是用來 更充分地說明本發(fā)明，本發(fā)明的范圍不受這些實(shí)施例的限制。下面的實(shí)施例可由本領(lǐng)域技 術(shù)人員在不背離本發(fā)明范圍的情況下適當(dāng)修改或改變。
[0061] 實(shí)施例1至8和比較例1至8:用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的制備和特性評(píng) 價(jià)
[0062] (1)用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的制備
[0063] 根據(jù)下面表1中顯示的組成，制備實(shí)施例1至8和比較例1至8的蝕刻劑組合物，并向 其添加達(dá)到l〇〇wt%量的水。
[0064] (2)蝕刻劑組合物的特性評(píng)價(jià)
[0065] 以下面的方式評(píng)價(jià)實(shí)施例1至8和比較例1至8的組合物的蝕刻特性。
[0066]在玻璃基板上沉積SiNx層，并在所述SiNx層上沉積鈦層，之后在所述鈦層上沉積 銅層。所述玻璃基板利用金剛石刀具切割成550mm X 650mm的尺寸，制備試驗(yàn)樣品。
[0067]實(shí)施例1至8和比較例1至8的各蝕刻劑組合物放入噴霧型蝕刻設(shè)備中并加熱到25 °C的溫度。接著，在溫度達(dá)到30 ± 0. TC后，進(jìn)行蝕刻過程。引入試驗(yàn)樣品，并將所述蝕刻劑 組合物噴灑在所述試驗(yàn)樣品上。完成蝕刻后，取出試驗(yàn)樣品，用去離子水清潔，然后利用熱 空氣干燥器干燥，并利用掃描電子顯微鏡評(píng)價(jià)所述蝕刻劑組合物的蝕刻特性。
[0068] 評(píng)價(jià)結(jié)果顯示在下面表1以及圖1和圖2中。
[0069]〈蝕刻速率評(píng)價(jià)〉
[0070] 基于下列標(biāo)準(zhǔn)僅僅評(píng)價(jià)縱向蝕刻速率:優(yōu)秀（厚度方向的蝕刻速率是50 A/sec (秒)或更高）；良好(所述蝕刻速率低于5Q爲(wèi)/sec但不低于2〇A/sec);和差(所述蝕刻速 率低于2〇A/sec)。
[0071] 〈測(cè)量Cu濃度的變化〉
[0072] 利用金屬分析儀測(cè)量Cu濃度的變化。
[0073]〈沉淀評(píng)價(jià)〉
[0074]在嚴(yán)苛的儲(chǔ)存和加工條件下進(jìn)行沉淀形成試驗(yàn)。向所述蝕刻劑組合物添加 3000ppm的銅粉并在-8°C儲(chǔ)存，分析形成不溶性沉淀物的程度。
[0075]〈氰化物生成評(píng)價(jià)〉
[0076] 由國家批準(zhǔn)的分析公司分析是否生成氰化物。
[0077] 表 1(單位:wt%)
[0079] 注釋：
[0080] SPS:過硫酸鈉 [0081 ] ABF:氟化氫銨
[0082] ATZ:5-氨基四唑
[0083] CuS〇4:硫酸銅
[0084] MSC:甲磺酰氯
[0085] MTA:4-甲基噻唑 [0086]氰化物:環(huán)境有害化合物
[0087] 未蝕刻:在非圖案化部分中的Cu未被蝕刻，因而沒有形成圖案
[0088] 如上表1所示，在含有所述磺酰氯化合物的本發(fā)明實(shí)施例1至3的蝕刻劑組合物情 況下，對(duì)蝕刻劑成問題的沉淀未形成，并且蝕刻性能也是優(yōu)秀的。另外，沒有觀察到氰化物 生成。
[0089] 在含有所述噻唑化合物的本發(fā)明實(shí)施例4至8的蝕刻劑組合物情況下，如圖1中所 示，對(duì)蝕刻劑成問題的沉淀未形成，并且蝕刻性能如圖2中所示也是優(yōu)秀的。另外，沒有觀察 到氰化物生成。
[0090] 相反，在不含所述磺酰氯化合物或噻唑化合物或含有過量的這種化合物的比較例 1和2蝕刻劑組合物的情況下，觀察到蝕刻速率非常低，而在含有ATZ和/或NaCl的比較例3至 6蝕刻劑組合物的情況下，發(fā)生問題，包括蝕刻速率差、沉淀形成和/或氰化物形成。
[0091] 另外，在不含所述磺酰氯化合物或噻唑化合物而含有所述環(huán)胺化合物(ATZ)的比 較例7蝕刻劑組合物中，觀察到形成對(duì)蝕刻劑成問題的沉淀，并且也生成氰化物。在含有過 多量的所述噻唑化合物的比較例8蝕刻劑組合物的情況下，在20天后形成沉淀。
[0092] 如上所述，本發(fā)明的蝕刻劑組合物在初始階段防止了銅離子在其中沉淀，因而具 有優(yōu)秀的蝕刻特性，并使得有可能大為減少因銅離子沉淀引起的差的金屬線路和因清潔蝕 刻系統(tǒng)引起的加工成本。此外，本發(fā)明的蝕刻劑組合物使得有可能減少因損害玻璃基板、絕 緣層和光致抗蝕劑而引起的線路斷開缺陷。另外，它不產(chǎn)生對(duì)環(huán)境有害的化合物氰化物 (CN)，并使初始剖面能夠保持完好。因此，本發(fā)明的蝕刻劑組合物能有利地用于蝕刻銅基金 屬層。
[0093]另外，本發(fā)明的蝕刻銅基金屬層的蝕刻方法使用所述蝕刻劑組合物，能有效率地 蝕刻?hào)艠O和柵極線層、源極/漏極層和數(shù)據(jù)線層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，基于所述蝕刻劑組合物的總重量，其包含： (a)0 · 5-20wt %的過硫酸鹽；（b)0 · 01-2wt%的氟化合物；（c) 1-10%的無機(jī)酸；（d)0 · 1-1 Owt %的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽；（e)0 · 01 -3wt %的銅化合物；（f)0 · 1 -5wt %的選自磺酰氯化合 物和噻唑化合物的至少一種化合物;和(g)余量的水。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述過硫酸鹽(a)包括選自過硫酸鉀、過 硫酸鈉和過硫酸銨的至少一種。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述氟化合物(b)包括選自氟化銨、氟化 鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉和氟化氫鉀的至少一種。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述無機(jī)酸(c)包括選自硝酸、硫酸、磷酸 和高氯酸的至少一種。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述有機(jī)酸包括選自下列的至少一種：乙 酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基 對(duì)苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬 酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸和乙二胺四乙酸，并且所述有機(jī)酸鹽包括選自這些有機(jī)酸的鉀 鹽、鈉鹽和銨鹽的至少一種。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述銅化合物(e)包括選自硝酸銅、硫酸 銅和磷酸銅銨的至少一種。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述磺酰氯化合物選自乙磺酰氯、甲磺酰 氯、氯苯磺酰氯、芐磺酰氯和氯乙磺酰氯，和所述噻唑化合物選自4-甲基噻唑、4-氨基噻唑、 4-羧基噻唑和乙基噻唑。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述選自磺酰氯化合物和噻唑化合物的 至少一種化合物(f)包含所述噻唑化合物，并且用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物還包 含(h)0. l-5wt%的氯化合物。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的蝕刻劑組合物，其中所述氯化合物(h)包括選自鹽酸、氯化鈉、 氯化鉀和氯化銨的至少一種。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述銅基金屬層是銅或銅合金的單層結(jié) 構(gòu);或 包括鈦層和在所述鈦層上形成的銅層的銅/鈦多層結(jié)構(gòu);或 包括鈦合金層和在所述鈦合金層上形成的銅層的銅/鈦合金多層結(jié)構(gòu);或 包括鉬層和在所述鉬層上形成的銅層的銅/鉬多層結(jié)構(gòu);或 包括鉬合金層和在所述鉬合金層上形成的銅層的銅/鉬合金多層結(jié)構(gòu);或 包括在上鉬層和下鉬層之間形成的銅層的鉬/銅/鉬多層結(jié)構(gòu);或 包括在上鉬合金層和下鉬合金層之間形成的銅層的鉬合金/銅/鉬合金多層結(jié)構(gòu)。11. 一種蝕刻方法，所述方法包括： (a) 在基板上形成銅基金屬層； (b) 在所述銅基金屬層的選定區(qū)域上形成光反應(yīng)性材料;和 (c) 使用權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬層。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述光反應(yīng)性材料是通過曝光和顯影過程形成 圖案的光致抗蝕劑材料。
【文檔編號(hào)】C23F1/18GK105970224SQ201610124148
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年3月4日
【發(fā)明人】鞠仁說, 金寶衡, 李鐘文
【申請(qǐng)人】東友精細(xì)化工有限公司