基板處理裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及觸控顯示技術領域，尤其涉及一種基板處理裝置。該基板處理裝置包括一處理基板的第二模塊，所述第二模塊至少包括本體，所述本體至少包括一第二表面和設置于所述本體上的多條第一凹槽和多條第二凹槽，所述多條第一凹槽為以所述第一表面中心為圓點的一系列同心環(huán)，所述多條第二凹槽分別于所述多條第一凹槽相連接。
【專利說明】
基板處理裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及觸控顯示技術領域，尤其涉及一種基板處理裝置。
【背景技術】
[0002]在手機上應用電容式觸摸屏已成為當今社會之主流趨勢，電容式觸摸屏作為一種新型的人機交互界面，逐步被廣泛地應用于各種數(shù)字信息系統(tǒng)上，從小型產(chǎn)品如手機、PDA、數(shù)碼產(chǎn)品、e-Book，到中型產(chǎn)品如車載導航儀、游戲機、家用電器、工控儀器，再到大型產(chǎn)品如POS系統(tǒng)、公共查詢和自助系統(tǒng)、便攜電腦、醫(yī)療儀器以及電視新聞節(jié)日中常用的觸摸式PDP上都可以看到電容式觸摸屏產(chǎn)品。因此，電容式觸摸屏具有廣泛的市場前景。
[0003]電容式觸摸屏包括玻璃基板以及形成于玻璃基板上的功能層。在所述玻璃基板上形成所述功能層之前，因所述玻璃基板表面并非平整且光滑的平面，需要對所述玻璃基板的表面進行處理，使所述玻璃基板的表面變得平整且光滑。業(yè)界通常采用拋光的方式對玻璃基板進行處理?，F(xiàn)有的拋光裝置通常包括上蓋板和磨盤。所述上蓋板用于吸附玻璃基板且將所述玻璃基板移動到所述磨盤上、以及將所述玻璃基板從所述磨盤上撤離。所述磨盤(詳見圖1)用于對所述玻璃基板的表面進行打磨，其表面上設置有多條相互垂直呈井字形分布的凹槽，便于所述拋光液通過。然，現(xiàn)有的拋光裝置中，呈井字形分布的凹槽容易導致所述拋光液聚集且不利于所述拋光液的排出，極大影響拋光的效率及良品率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，有必要提供一種可有效提升良品率及處理效率的基板處理裝置。
[0005]—種基板處理裝置包括一處理基板的第二模塊，所述第二模塊至少包括本體，所述本體至少包括一第二表面和設置于所述本體上的多條第一凹槽和多條第二凹槽，所述多條第一凹槽為以所述第一表面中心為圓點的一系列同心環(huán)，所述多條第二凹槽分別于所述多條第一凹槽相連接。
[0006]本發(fā)明提供的所述基板處理裝置中，所述本體還包括第三表面和第四表面，所述第二表面為表面粗糙的平面，所述第三表面和第四表面分別與所述第二表面鄰接，且其均為所述第二表面向所述本體內(nèi)凹陷所形成；所述多條第一凹槽由所述第三表面形成，所述多條第二凹槽由所述第四表面形成。
[0007]本發(fā)明提供的所述基板處理裝置中，所述基板處理裝置還包括一第一模塊，所述第一模塊可分離地與所述第二模塊結(jié)合在一起；所述第一模塊用于吸附所述基板并固定所述基板，且將所述基板移動至第二模塊進行處理、將所述第二模塊處理好的基板撤離所述第二模塊；所述第一模塊包括一與所述基板接觸的光滑且平整的第一表面，當所述第一模塊吸附且固定基板后移動至與所述第二模塊接觸時，所述基板表面將與所述第二表面接觸，且此時所述第一表面與所述第二表面相互平行。
[0008]本發(fā)明提供的所述基板處理裝置中，任意兩第一凹槽之間具有相同的間距，所述多條第一凹槽在所述第二表面上的投影為一系列以同一原點為圓心的同心環(huán)；任意兩第二凹槽之間具有相同的夾角，所述多條第二凹槽在所述第二表面上的投影為一系列經(jīng)過所述第一凹槽在所述第二表面投影形成的同心環(huán)的圓心且貫穿所述第二表面的矩形。
[0009]本發(fā)明提供的所述基板處理裝置中，越靠近所述圓心處的第一凹槽在所述第二表面上形成的同心環(huán)的外圓直徑越小，所述第一凹槽被經(jīng)過所述圓心的直線的平面所截的圖形為呈面向所述第二表面一側(cè)開口的矩形，所述多條第一凹槽之間具有相同的高度，即所述第三表面的底部與所述第二表面之間的距離一致。
[0010]本發(fā)明提供的所述基板處理裝置中，所述第二表面呈圓形，所述第四表面被經(jīng)過垂直于所述第二表面直徑的直線的平面所截的圖形為一面向所述第二表面一側(cè)開口的矩形，且所述多條第二凹槽的高度一致，即所述第四表面的底部與所述第二表面之間的距離一致。
[0011]本發(fā)明提供的所述基板處理裝置中，所述多條第一凹槽之間具有相同的寬度，所述多條第二凹槽之間具有相同的寬度，且所述多條第一凹槽和多條第二凹槽之間亦具有相同的寬度和高度。
[0012]本發(fā)明提供的所述基板處理裝置中，所述本體整體呈扁圓柱體，所述第二表面呈圓形，越靠近所述第二表面圓心處的任意兩第一凹槽之間的間距小于越遠離所述第二表面圓心處的任意兩條第一凹槽之間的間距，任意兩第二凹槽之間具有不同的夾角。
[0013]本發(fā)明提供的所述基板處理裝置中，越靠近所述第二表面圓心處的第一凹槽的高度越小，越遠離所述第二表面圓心處的第一凹槽的高度越大；所述第二凹槽在沿所述第二表面直徑的方向上越遠離所述第二表面圓心的高度越大；所述多條第一凹槽與所述多條第二凹槽之間相互連通，形成一便于處理基板的材料通過的網(wǎng)絡，每一所述第二凹槽分別與每一所述第一凹槽之間具有兩個第一連接處，靠近所述第一連接處的第一凹槽和第二凹槽的部分具有相同的高度，抑或，靠近所述第一連接處的第一凹槽的部分的高度大于靠近所述第一連接處的所述第二凹槽的部分的高度。
[0014]本發(fā)明提供的所述基板處理裝置中，所述第一凹槽越遠離所述第一連接處的部分的高度越小，所述第一凹槽的數(shù)量小于、等于或大于所述第二凹槽的數(shù)量，所述第一凹槽與所述第二凹槽之間具有相同或不同的寬度，即所述第一凹槽在所述第二表面上的投影形成的同心環(huán)的內(nèi)圓與外圓的半徑之差等于或不等于所述第二凹槽在所述第二表面上的投影形成的矩形的寬度。
[0015]本發(fā)明提供的基板處理裝置中，通過在本體上設置多條第一凹槽和第二凹槽，以便于處理基板的材料通過，進而便于對所述基板的表面進行處理，提升基板處理的良品率及效率。
【附圖說明】
[0016]下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，附圖中:
[0017]圖1為本發(fā)明提供的一較佳實施方式的基板處理裝置的局部示意圖。
[0018]圖2為圖1所不的基板處理裝置的局部截面不意圖。
【具體實施方式】
[0019]為說明本發(fā)明提供的基板處理裝置，以下結(jié)合說明書附圖進行詳細闡述。
[0020]請同時參閱圖1和圖2，其為本發(fā)明提供的一較佳實施方式的基板處理裝置的局部示意圖及局部截面示意圖。所述基板處理裝置100用于處理基板，如玻璃基板，其包括第一模塊(圖中未示出)和第二模塊120，所述第一模塊可分離地與所述第二模塊120結(jié)合在一起。所述第一模塊用于吸附所述基板并固定所述基板，且將所述基板移動至第二模塊120進行處理、將所述第二模塊120處理好的基板撤離所述第二模塊。所述第一模塊包括一與所述基板接觸的第一表面(圖中未示出)，所述第一表面在本實施方式中為一光滑的平面，所述第一模塊在本實施方式中整體呈扁圓柱體形，在其他實施方式中，所述第一模塊還可以呈其他形狀如扁長方體形。
[0021]所述第二模塊120包括本體121及設置于所述本體121上的多條第一凹槽123和多條第二凹槽125。所述本體121整體呈扁圓柱體形，其具有一第二表面121a和一第三表面121b、第四表面121c。所述第二表面121a為圓形，其為一粗糙但平整的表面。當所述第一模塊110吸附且固定基板后移動至與所述第二模塊120接觸時，所述基板表面將與所述第二表面121a接觸，且此時所述第一表面與所述第二表面121a相互平行。
[0022]所述第三表面121b與所述第二表面121a相鄰接，其由所述第二表面121a向所述本體121內(nèi)凹陷形成。所述多條第一凹槽123由所述第三表面121b形成，且所述多條第一凹槽123在所述第二表面121a上的投影為一系列以所述第二表面121a的中心點(圓心)為圓心的同心環(huán)，且任意兩條第一凹槽123之間具有相同的間距，越靠近所述第二表面121a圓心的第一凹槽123在所述第二表面121a上的投影形成的同心環(huán)的外圓直徑越小。所述第三表面121b被經(jīng)過所述第二表面121a直徑方向的平面所截的圖形在本實施方式中為一面向所述第二表面121a —側(cè)開口的矩形，所述多條第一凹槽123的高度一致，即所述第三表面121b的底部與所述第二表面121a之間的距離一致。
[0023]在其他實施方式中，所述第一凹槽123之間可以具有不同的高度，如越靠近所述第二表面121a圓心處的第一凹槽123，其高度越小，越遠離所述第二表面121a圓心處的第一凹槽123，其高度越大，以便于處理基板的材料通過所述第一凹槽123。所述第三表面121b被經(jīng)過所述第二表面121a直徑方向的平面所截的圖形還可以為一面向所述第二表面121a—側(cè)開口的三角形、橢圓形、圓形等其他形狀。所述第一凹槽123之間亦可具有不同的間距，即越靠近所述第二表面121a圓心處的任意兩第一凹槽123之間的間距小于越遠離所述第二表面121a圓心處的任意兩條第一凹槽123之間的間距。
[0024]所述第四表面121c與所述第二表面121a相鄰接，其由所述第二表面121a向所述本體121內(nèi)凹陷形成。所述多條第二凹槽125由所述第四表面121c形成，且所述多條第二凹槽125在所述第二表面121a上的投影為一系列經(jīng)過所述第二表面121a的中心點(圓心)且貫穿所述第二表面121a的矩形，且任意兩條第二凹槽125之間具有相同的夾角，在本實施方式中，所述本體121具有4條第二凹槽125，且所述第二凹槽125將所述本體121分割成8個形狀及大小相同的扇形塊。所述第四表面121c被經(jīng)過垂直于所述第二表面121a直徑的直線的平面所截的圖形為一面向所述第二表面121a—側(cè)開口的矩形，且所述多條第二凹槽125的高度一致，即所述第四表面121c的底部與所述第二表面121a之間的距離一致。
[0025]在其他實施方式中，所述第二凹槽125之間可以具有不同的高度，如所述第二凹槽125在沿所述第二表面121a直徑的方向上越遠離所述第二表面121a圓心，其高度越大，以便于處理基板的材料通過所述第二凹槽125。任意兩條第二凹槽125之間亦可具有不同的夾角。
[0026]所述多條第一凹槽123與所述多條第二凹槽125之間相互連通，形成一便于處理基板的材料通過的網(wǎng)絡，且在本實施方式中，每一所述第二凹槽125分別與每一所述第一凹槽123之間具有兩個第一連接處127，靠近所述第一連接處127的第一凹槽123和第二凹槽125的部分具有相同的高度，抑或，靠近所述第一連接處127的第一凹槽123的部分的高度大于靠近所述第一連接處127的所述第二凹槽125的部分的高度，以便于處理基板的材料通過。在其他實施方式中，所述第一凹槽123越遠離所述第一連接處127的部分的高度越小，以便于處理基板的材料通過。
[0027]在本實施方式中，所述第一凹槽123的數(shù)量小于所述第二凹槽125的數(shù)量，所述第一凹槽123與所述第二凹槽125之間具有相同的寬度，即所述第一凹槽123在所述第二表面121a上的投影形成的同心環(huán)的內(nèi)圓與外圓的半徑之差等于所述第二凹槽125在所述第二表面121a上的投影形成的矩形的寬度。在其他實施方式中，所述第一凹槽123的數(shù)量可以等于或大于所述第二凹槽125的數(shù)量，所述第一凹槽123的寬度亦可小于所述第二凹槽125的寬度，即所述第一凹槽123在所述第二表面121a上的投影形成的同心環(huán)的內(nèi)圓與外圓的半徑之差小于所述第二凹槽125在所述第二表面121a上的投影形成的矩形的寬度。
[0028]所述本體121還包括設置于所述第二表面121a圓心處的一通孔129，用于處理基板的材料通過所述通孔129流向所述多條第一凹槽123和多條第二凹槽125。
[0029]本發(fā)明提供的基板處理裝置中，通過在本體121上設置多條第一凹槽123和第二凹槽125，以便于處理基板的材料通過，進而便于對所述基板的表面進行處理，提升基板處理的良品率及效率。
[0030]以上為本發(fā)明提供的一種基板處理裝置的較佳實施方式，并不能理解為對本發(fā)明權利保護范圍的限制，本領域的技術人員應該知曉，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可做多種改進或替換，所有的該等改進或替換都應該在本發(fā)明的權利保護范圍內(nèi)，即本發(fā)明的權利保護范圍應以權利要求為準。
【主權項】
1.一種基板處理裝置，其包括一處理基板的第二模塊，所述第二模塊至少包括本體，所述本體至少包括一第二表面和設置于所述本體上的多條第一凹槽和多條第二凹槽，所述多條第一凹槽為以所述第一表面中心為圓點的一系列同心環(huán)，所述多條第二凹槽分別于所述多條第一凹槽相連接。2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于:所述本體還包括第三表面和第四表面，所述第二表面為表面粗糙的平面，所述第三表面和第四表面分別與所述第二表面鄰接，且其均為所述第二表面向所述本體內(nèi)凹陷所形成；所述多條第一凹槽由所述第三表面形成，所述多條第二凹槽由所述第四表面形成。3.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于:所述基板處理裝置還包括一第一模塊，所述第一模塊可分離地與所述第二模塊結(jié)合在一起；所述第一模塊用于吸附所述基板并固定所述基板，且將所述基板移動至第二模塊進行處理、將所述第二模塊處理好的基板撤離所述第二模塊；所述第一模塊包括一與所述基板接觸的光滑且平整的第一表面，當所述第一模塊吸附且固定基板后移動至與所述第二模塊接觸時，所述基板表面將與所述第二表面接觸，且此時所述第一表面與所述第二表面相互平行。4.如權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于:任意兩第一凹槽之間具有相同的間距，所述多條第一凹槽在所述第二表面上的投影為一系列以同一原點為圓心的同心環(huán)；任意兩第二凹槽之間具有相同的夾角，所述多條第二凹槽在所述第二表面上的投影為一系列經(jīng)過所述第一凹槽在所述第二表面投影形成的同心環(huán)的圓心且貫穿所述第二表面的矩形。5.如權利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于:越靠近所述圓心處的第一凹槽在所述第二表面上形成的同心環(huán)的外圓直徑越小，所述第一凹槽被經(jīng)過所述圓心的直線的平面所截的圖形為呈面向所述第二表面一側(cè)開口的矩形，所述多條第一凹槽之間具有相同的高度，即所述第三表面的底部與所述第二表面之間的距離一致。6.如權利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于:所述第二表面呈圓形，所述第四表面被經(jīng)過垂直于所述第二表面直徑的直線的平面所截的圖形為一面向所述第二表面一側(cè)開口的矩形，且與所述多條第二凹槽的高度一致，即所述第四表面的底部與所述第二表面之間的距離一致。7.如權利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于:所述多條第一凹槽之間具有相同的寬度，所述多條第二凹槽之間具有相同的寬度，且所述多條第一凹槽和多條第二凹槽之間亦具有相同的寬度和高度。8.如權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于:所述本體整體呈扁圓柱體，所述第二表面呈圓形，越靠近所述第二表面圓心處的任意兩第一凹槽之間的間距小于越遠離所述第二表面圓心處的任意兩條第一凹槽之間的間距，任意兩第二凹槽之間具有不同的夾角。9.如權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于:越靠近所述第二表面圓心處的第一凹槽的高度越小，越遠離所述第二表面圓心處的第一凹槽的高度越大；所述第二凹槽在沿所述第二表面直徑的方向上越遠離所述第二表面圓心的高度越大；所述多條第一凹槽與所述多條第二凹槽之間相互連通，形成一便于處理基板的材料通過的網(wǎng)絡，每一所述第二凹槽分別與每一所述第一凹槽之間具有兩個第一連接處，靠近所述第一連接處的第一凹槽和第二凹槽的部分具有相同的高度，抑或，靠近所述第一連接處的第一凹槽的部分的高度大于靠近所述第一連接處的所述第二凹槽的部分的高度。10.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于:所述第一凹槽越遠離所述第一連接處的部分的高度越小，所述第一凹槽的數(shù)量小于、等于或大于所述第二凹槽的數(shù)量，所述第一凹槽與所述第二凹槽之間具有相同或不同的寬度，即所述第一凹槽在所述第二表面上的投影形成的同心環(huán)的內(nèi)圓與外圓的半徑之差等于或不等于所述第二凹槽在所述第二表面上的投影形成的矩形的寬度。
【文檔編號】B24D7/00GK105881246SQ201410796585
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2014年12月19日
【發(fā)明人】申屠江民, 許亮, 樂衛(wèi)文, 張平, 胡雪龍, 杜建通
【申請人】浙江金徠鍍膜有限公司