鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材銀的氧化物，銀的氧化物蒸發(fā)后分解，以納米銀形式在步驟D中第四膜層的表面形成薄層，同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為1A/S，第五膜層最終形成后的厚度為5-20nm;
F、鍍第六膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第六膜層的膜材，第六膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟E中第五膜層的表面，同時(shí)控制第六膜層蒸鍍的速率為7A/S，第六膜層最終形成后的厚度為10-50nm;其中，所述第六膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅高硬度晶體或者一氧化硅高硬度晶體，形成高硬度層。
[0016]所述的步驟I)中對(duì)基片進(jìn)行清洗、干燥的具體步驟如下:將基片放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基片的外表面5-10分鐘進(jìn)行清洗。
[0017]本發(fā)明采用電子束真空蒸鍍的原理，利用帶電荷的粒子在電場(chǎng)中加速后具有一定動(dòng)能的特點(diǎn)，將離子引向欲被鍍膜的基片制成的電極，并通過(guò)電子槍高溫轟擊將高純度膜材，蒸發(fā)出來(lái)的納米分子使其沿著一定的方向運(yùn)動(dòng)到基片并最終在基片上沉積成膜的方法。本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)結(jié)合利用磁場(chǎng)的特殊分布控制電場(chǎng)中的電子運(yùn)動(dòng)軌跡，以此改進(jìn)鍍膜的工藝，使得鍍膜厚度及均勻性可控，且制備的膜層致密性好、附著力強(qiáng)。
[0018]本發(fā)明在基片上真空蒸鍍有五氧化三鈦層，充分利用了五氧化三鈦晶體材料鍍膜操作性好，膜層密集，均勻，穩(wěn)定，應(yīng)力小等性能，以及五氧化三鈦晶體材料在可見(jiàn)光波段內(nèi)具有最高的折射率，結(jié)晶性好，蒸鍍穩(wěn)定，無(wú)放氣和噴濺等優(yōu)點(diǎn)，使其適合在儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗基片上鍍制增透性好的多層膜。
[0019]本發(fā)明在基片上真空蒸鍍有二氧化硅層，主要起增加膜層附著力、耐磨性以及抗沖擊性的作用，同時(shí)可以吸收有害光。
[0020]本發(fā)明的五氧化三鈦層和二氧化硅層相互配合，主要起到控制過(guò)濾波長(zhǎng)的效果。本發(fā)明通過(guò)上述膜層相互配合，起到吸收、反射、轉(zhuǎn)化、過(guò)濾等功效，是儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗鍍膜殺菌防炫耐磨的核心技術(shù)；同時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)上述各膜層的厚度，使得波長(zhǎng)較長(zhǎng)的可見(jiàn)光產(chǎn)生相干干涉，從而進(jìn)一步產(chǎn)生防眩效果;設(shè)置納米銀層，對(duì)大腸桿菌、淋球菌、沙眼衣原體等數(shù)十種致病微生物都有強(qiáng)烈的抑制和殺滅作用，而且不會(huì)產(chǎn)生耐藥性，納米銀層的膜材為銀的氧化物，如Ag20、Ag0或Ag2O3,銀的氧化物經(jīng)過(guò)電子槍蒸鍍過(guò)程氧離子從銀的氧化物中分離得到納米銀，納米銀在第四層膜的表面形成薄層;此外設(shè)置高硬度層能夠有效提高了儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗的耐磨性，可以防止其刮花，因此本發(fā)明產(chǎn)品表面通過(guò)多層鍍膜實(shí)現(xiàn)多種功能效果，設(shè)計(jì)合理，實(shí)用性強(qiáng)。
[0021]
【附圖說(shuō)明】
[0022]以下結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明:
圖1為本發(fā)明殺菌防炫增透的耐磨儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗的分解圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]如圖1所示，本發(fā)明包括基片I，包括基片I，所述基片I的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層2、第二膜層3、第三膜層4、第四膜層5、第五膜層6和第六膜層7;所述第一膜層2和第三膜層4均為五氧化三鈦層，厚度均為1-1OOnm;所述第二膜層3和第四膜層5均為二氧化硅層，厚度均為50-100nm;所述第五膜層6為納米銀層，第五膜層6的厚度為5_20nm;所述第六膜層7為高硬度層，厚度為10_50nmo
[0024]所述納米銀層的膜材為銀的氧化物，并使用電子槍蒸鍍成型。
[0025]所述銀的氧化物為Ag2O、AgO或Ag2O3。
[0026]所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并由電子槍蒸鍍成型。
[0027]所述基片I由樹(shù)脂或玻璃成型。
[0028]實(shí)施例1:
所述儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗的基片I由樹(shù)脂成型時(shí)，所述殺菌防炫增透的耐磨儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗的制備方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基片I進(jìn)行清洗、干燥；
2)對(duì)基片I的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層2:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層2的膜材，第一膜層2的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基片I的外表面，同時(shí)控制第一膜層2蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層2最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第一膜層2的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層； B、鍍第二膜層3:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層3的膜材，第二膜層3的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層2的表面，同時(shí)控制第二膜層3蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層3最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第二膜層3的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層4:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第三膜層4的膜材，第三膜層4的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層3的表面，同時(shí)控制第三膜層4蒸鍍的速率為2.5A/S，第三膜層4最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第三膜層4的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三欽層;
D、鍍第四膜層5:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第四膜層5的膜材，第四膜層5的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層4的表面，同時(shí)控制第四膜層5蒸鍍的速率為7A/S，第四膜層5最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第四膜層5的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
E、鍍第五膜層6:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材銀的氧化物，銀的氧化物蒸發(fā)后分解，以納米銀形式在步驟D中第四膜層的表面形成薄層，同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為1A/S，第五膜層最終形成后的厚度為5-20nm;
F、鍍第六膜層7:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第六膜層的膜材11，第六膜層7的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟E中第五膜層6的表面，同時(shí)控制第六膜層7蒸鍍的速率為7A/S，第六膜層7最終形成后的厚度為10-50nm;其中，所述第六膜層7的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅高硬度晶體或者一氧化硅高硬度晶體，形成高硬度層。
[0029]所述的步驟I)中對(duì)基片I進(jìn)行清洗、干燥的具體步驟如下:將基片I放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基片I的外表面2-3分鐘進(jìn)行清洗。
[0030]通過(guò)上述方法制得的儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗上的各膜層在零下20°C時(shí)的附著力為2-4Hrs，在80°C時(shí)的附著力為2-4Hrs，具有很強(qiáng)的附著能力，同時(shí)各膜層的致密性好、附著力強(qiáng)。而且，該儀表盤(pán)或照相機(jī)視窗能使得波長(zhǎng)較長(zhǎng)的可見(jiàn)光產(chǎn)生相干干涉，從而進(jìn)一步產(chǎn)生防眩效果;設(shè)置納米銀層，對(duì)大腸桿菌、淋球菌、沙眼衣原體等數(shù)十種致病微生物都有強(qiáng)烈的抑制和殺滅作用，而且不會(huì)產(chǎn)生耐藥性，納