一種殺菌防炫增透的耐磨儀表盤或照相機視窗及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種儀表盤或照相機視窗技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種殺菌防炫增透的耐磨儀表盤或照相機視窗及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的儀表盤或照相機視窗較少有殺菌功能，人們在使用過程中通過觸摸的需要容易從儀表盤或照相機視窗上感染細(xì)菌，或帶給儀表盤或照相機視窗外表面細(xì)菌，給人體造成交叉感染，影響使用者身心健康。
[0003]現(xiàn)有的儀表盤或照相機視窗的透光性能不好，容易炫目。
[0004]另外，現(xiàn)有的儀表盤或照相機視窗在使用過程中很容易被刮花或蹭花，影響美觀，更嚴(yán)重的是，儀表盤或照相機視窗的表面刮花或蹭花后，內(nèi)層暴露在空氣中，容易受腐蝕，影響使用壽命。
[0005]因此市場上迫切需要出現(xiàn)殺菌、防炫增透、耐磨的儀表盤或照相機視窗來取代現(xiàn)有的儀表盤或照相機視窗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種表面帶多層鍍膜層的殺菌防炫增透的耐磨儀表盤或照相機視窗及其制備方法。
[0007]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種殺菌防炫增透的耐磨儀表盤或照相機視窗，包括基片，所述基片的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層和第六膜層;所述第一膜層和第三膜層均為五氧化三鈦層，厚度均為1-1OOnm;所述第二膜層和第四膜層均為二氧化硅層，厚度均為50-100nm;所述第五膜層為納米銀層，第五膜層的厚度為5_20nm;所述第六膜層為高硬度層，厚度為10_50nmo
[0008]所述的五氧化三鈦層的膜材為五氧化三鈦，并由電子槍蒸鍍成型，二氧化硅層的膜材為二氧化硅，并由電子槍蒸鍍成型。
[0009]所述納米銀層的膜材為銀的氧化物，并使用電子槍蒸鍍成型。
[0010]所述銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag203。
[0011 ]所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并由電子槍蒸鍍成型。
[0012]所述基片由樹脂或玻璃成型。
[0013]本發(fā)明公開一種殺菌防炫增透的耐磨儀表盤或照相機視窗的制備方法，在所述基片由樹脂成型時，所述制備方法具體包括以下步驟:
1)對基片進(jìn)行清洗、干燥；
2)對基片的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層: 將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于基片的外表面，同時控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時控制第三膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第三膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第三膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
D、鍍第四膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時控制第四膜層蒸鍍的速率為7A/S，第四膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第四膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
E、鍍第五膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材銀的氧化物，銀的氧化物蒸發(fā)后分解，以納米銀形式在步驟D中第四膜層的表面形成薄層，同時控制第五膜層蒸鍍的速率為1A/S，第五膜層最終形成后的厚度為5-20nm;
F、鍍第六膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第六膜層的膜材，第六膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟E中第五膜層的表面，同時控制第六膜層蒸鍍的速率為7A/S，第六膜層最終形成后的厚度為10-50nm;其中，所述第六膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅高硬度晶體或者一氧化硅高硬度晶體，形成高硬度層。
[0014]所述的步驟I)中對基片進(jìn)行清洗、干燥的具體步驟如下:將基片放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基片的外表面2-3分鐘進(jìn)行清洗。
[0015]本發(fā)明公開一種殺菌防炫增透的耐磨儀表盤或照相機視窗的制備方法，在所述基片由玻璃成型時，所述制備方法具體包括以下步驟:
1)對基片進(jìn)行清洗、干燥；
2)對基片的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于基片的外表面，同時控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時控制第三膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第三膜層最終形成后的厚度為1-1OOnm;其中，所述第三膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；
D、鍍第四膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時控制第四膜層蒸鍍的速率為7A/S，第四膜層最終形成后的厚度為50-100nm;其中，所述第四膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；
E、鍍第五膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時保持真空