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用于oled蒸發(fā)源的坩堝及其制造方法

文檔序號:9364189閱讀:1374來源:國知局
用于oled蒸發(fā)源的坩堝及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種用于OLED蒸發(fā)源的坩禍及其制造方法。
【背景技術】
[0002]隨著人們對更高品質的顯示產品的追求,OLED成為了最具潛力的替代LCD液晶顯示的新興技術,OLED技術正處于快速發(fā)展的階段。國內外普遍采用有機材料蒸鍍的方式生產OLED顯示產品,RGB像素的色偏、效率等取決于蒸鍍膜層均勻性等特性,而在蒸鍍過程中,用于蒸發(fā)源的坩禍作為蒸鍍中的重要部件,直接決定著蒸鍍膜層的均勻性。
[0003]然而,現(xiàn)有技術中用于OLED蒸發(fā)源的坩禍為平底結構,加之有機材料本身粘性較大和液化后表面張力作用,導致有機材料在坩禍中的分布不均勻。蒸鍍過程中會出現(xiàn)部分露底,影響有機材料蒸鍍的均勻性。
[0004]有鑒于此,確有需要提供一種能夠至少部分地解決上述問題的新的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍及其制造方法。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的旨在解決現(xiàn)有技術中存在的上述問題和缺陷的至少一個方面。
[0006]根據本發(fā)明的一個方面,提供了一種用于OLED蒸發(fā)源的坩禍,所述坩禍包括主體和設置在主體上的內板,其中:
[0007]在垂直于主體的長度方向的橫截面中,所述主體的底部從下至上逐漸變大。
[0008]在一個示例中,在垂直于主體的長度方向的橫截面中所述主體的底部設置成V形、U形或者它們的組合的形狀。
[0009]在一個示例中,在所述橫截面中所述主體的底部設置成單個V形、兩個相連的V形或更多個相連的V形。
[0010]在一個示例中,在所述橫截面中所述主體的底部設置成單個U形、兩個相連的U形或更多個相連的U形。
[0011]在一個示例中,在所述橫截面中所述主體的底部設置成相連的V形和U形的組合形狀。
[0012]在一個示例中,所述內板被設置成在所述橫截面中具有與所述主體的底部相匹配的形狀。
[0013]在一個示例中,所述內板上設置有成預定排布形式的多個孔,使得在坩禍內的蒸發(fā)材料能夠穿過所述孔沉積在放置在所述坩禍上或上方的OLED器件的基板上。
[0014]在一個示例中,所述內板上的孔在垂直于主體的高度方向的水平面上的投影中是均勻分布的。
[0015]在一個示例中,以主體的長度方向為X坐標軸,以主體的寬度方向為Y坐標軸,以主體的高度方向為Z坐標軸建立的坐標系中,所述內板的孔在XY平面上的投影中是均勻分布的。
[0016]在一個示例中,在所述XY平面上的投影中,在Y軸方向上設置以第一間距彼此間隔開的多排孔,在每一排孔中的多個孔沿X軸方向延伸并且相鄰的兩個孔以第二間距彼此間隔開。
[0017]在一個示例中,所述第一間距等于第二間距。
[0018]在一個示例中,相鄰的兩排孔中的孔彼此對準。
[0019]在一個示例中,在相鄰的兩排孔中的孔不彼此對準時,將其中的一排孔中的每個孔與另一排孔中的與之相鄰的兩個孔的連接直線的中心對準。
[0020]在一個示例中,中間部,所述中間部上設置有所述孔。
[0021 ] 在一個示例中,所述內板還包括位于中間部兩側的側部,所述側部用于蓋設在主體的頂部上。
[0022]根據本發(fā)明的另一方面,提供了一種制造根據權利要求1所述的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍的方法,包括以下步驟:
[0023]提供一具有主體的坩禍,在垂直于主體的長度方向的橫截面中,所述主體的底部從下至上逐漸變大;
[0024]將內板蓋設在坩禍的主體的上端上。
[0025]本發(fā)明的實施例通過對坩禍結構(具體是坩禍底部的結構)改善或優(yōu)化,可以提高蒸鍍的均勻性和材料使用率及由于基底用量過少對蒸鍍膜層均勻性的影響,使蒸鍍膜層的性能大大提尚。
【附圖說明】
[0026]本發(fā)明的這些和/或其他方面和優(yōu)點從下面結合附圖對優(yōu)選實施例的描述中將變得明顯和容易理解,其中:
[0027]圖1a和Ib是現(xiàn)有技術中的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍的垂直于寬度方向的橫截面的示意圖和垂直于長度方向的橫截面的示意圖;
[0028]圖2a和2b是根據本發(fā)明的第一實施例的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍的垂直于長度方向的橫截面的示意圖和坩禍的內板的俯視圖;
[0029]圖3a和3b是根據本發(fā)明的第二實施例的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍的垂直于長度方向的橫截面的示意圖和坩禍的內板的俯視圖;
[0030]圖4a和4b是根據本發(fā)明的第三實施例的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍的沿垂直于長度方向的橫截面的示意圖和坩禍的內板的俯視圖;
[0031]圖5a和5b是根據本發(fā)明的第四實施例的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍的垂直于長度方向的橫截面的示意圖和坩禍的內板的俯視圖;
[0032]圖6是根據本發(fā)明的第五實施例的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍的垂直于長度方向的橫截面的示意圖;
[0033]圖7是根據本發(fā)明的第六實施例的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍的垂直于長度方向的橫截面的示意圖。
【具體實施方式】
[0034]下面通過實施例,并結合附圖1-7,對本發(fā)明的技術方案作進一步具體的說明。在說明書中,相同或相似的附圖標號指示相同或相似的部件。下述參照附圖對本發(fā)明實施方式的說明旨在對本發(fā)明的總體發(fā)明構思進行解釋,而不應當理解為對本發(fā)明的一種限制。
[0035]參見圖1a和lb,其示出了現(xiàn)有技術的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍的垂直于寬度方向的橫截面示意圖和垂直于坩禍的縱長方向或長度方向的橫截面示意圖。具體地,坩禍10包括主體12和設置在主體12上的內板14。如圖所示,主體12的底部設計成平底結構;內板14設置成平板形式,并且其上設置有孔,以使得將材料通過所述孔蒸鍍到設置在內板上或上方的玻璃基底(即用于OLED器件的基底)上。
[0036]當蒸鍍材料的剩余料不充足時,主體12的底部有些地方會出現(xiàn)露底,造成材料蒸鍍到在內板14上方的玻璃基底上的均勻性不好,所以有些時候為了保證基底(base)量,而加入較多的材料,同時造成了材料的浪費。
[0037]圖1a示出了內板14的長度L,圖1b示出了坩禍主體12的寬度W和高度H。
[0038]本發(fā)明的主要構思在于將現(xiàn)有的坩禍底部設置成曲率較小的弧形結構或錐形結構,保證當有機材料較少時,既能夠保證長邊方向(長度方向)上分布的均勻性,也能最大限度地保證短邊方向(寬度方向)上分布的均勻性。這樣,本發(fā)明所提供的新型的坩禍能夠用于有機材料液化后流動性一般的有機材料,相比,現(xiàn)有技術中的坩禍不能用于這樣的液化后流動性不夠好的有機材料。
[0039]對于OLED器件,現(xiàn)在量產成熟的技術都采用真空物理氣相沉積工藝來制備相應的器件。就是將制作好的背板或基底放置于真空腔內利用熱蒸發(fā)的方式將每一層有機材料蒸鍍在背板上形成OLED器件。蒸鍍工藝是生產OLED的一種重要的技術路線,使用蒸鍍工藝,坩禍又是必不可少的治具。坩禍的結構設計對有機材料成膜品質和生產效率有重要影響。通常將有機材料裝入坩禍內,待溫度達到材料蒸發(fā)溫度時,有機材料以氣體的方式逸出到坩禍上方的開口,沉積在背板表面形成致密的蒸鍍薄膜。最后,利用高精度金屬掩膜板上的圖形形成紅綠藍器件。
[0040]在本發(fā)明的一個方面中,提供了一種用于OLED蒸發(fā)源的坩禍,所述坩禍包括主體和設置在主體上的內板,在垂直于主體的長度方向的橫截面中,所述主體的底部從下至上逐漸變大。
[0041]參見圖2a和2b,分別示出了根據本發(fā)明的第一實施例的用于OLED蒸發(fā)源的坩禍的垂直于長度方向的橫截面的示意圖和坩禍的內板的俯視圖。所述坩禍20包括主體22和設置在主體上的內板24。如圖所示,所述主體22的底部26設置成V形結構。相應地,將內板24也設置成V形結構,并且內板24上設置有成預定排布形式的孔244 (參見圖2b),以使得將材料通過所述孔蒸鍍到設置在內板24上方的玻璃基底(未示出)上。
[0042]在此需要說明的是,坩禍的長度方向是指坩禍的長度延伸所在的方向(有時簡稱為長邊方向),相應地,坩禍的寬度方向是指坩禍的寬度延伸所在的方向(有時簡稱為短邊方向)。這樣的定義適用于本發(fā)明的各個實施例,故在下文不再詳述。
[0043]如圖2a所示,主體22的底部26設置成在
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