一種坩堝用加熱裝置、坩堝和蒸發(fā)源的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種坩堝用加熱裝置、坩堝和蒸發(fā)源，該坩堝用加熱裝置包括用于容納所述坩堝的容納腔，以及設置于所述容納腔內(nèi)的中部加熱器，用于為位于所述坩堝中部的蒸鍍材料進行加熱。本發(fā)明中，可以通過加熱裝置的位于坩堝外圍的側(cè)面加熱器對位于坩堝周邊的蒸鍍材料進行加熱，并通過加熱裝置的中部加熱器對位于坩堝中部的蒸鍍材料進行加熱，從而避免了坩堝中間材料和周邊材料受熱不均的現(xiàn)象，提高了蒸鍍溫度的均一性，從而可以提高蒸鍍材料的純度和蒸鍍所得膜層的性能。
【專利說明】一種坩堝用加熱裝置、坩堝和蒸發(fā)源

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及蒸鍍【技術領域】，尤其涉及一種坩堝用加熱裝置、坩堝和蒸發(fā)源。

【背景技術】
[0002]在OLED (有機發(fā)光二極管)有機層蒸鍍過程中，常常將有機材料放置于蒸發(fā)源(source)中，通過對坩堝加熱，使材料蒸發(fā)，蒸發(fā)的材料沉積在基板上成膜。
[0003]請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術中的蒸發(fā)源的一結(jié)構示意圖，該蒸發(fā)源在蒸鍍過程中主要運用圓柱狀坩堝101，在坩堝101中填充蒸鍍材料，并使用設置于坩堝101外圍的加熱器102對坩堝101進行加熱，使坩堝101中的材料蒸發(fā)，這種結(jié)構中，由于加熱器102分布在坩堝101的外圍，經(jīng)常出現(xiàn)的問題是位于坩堝101側(cè)壁附近的材料受熱溫度高，位于坩堝101中間的材料由于與加熱器102相距較遠，受熱溫度低，從而很難控制蒸鍍材料受熱的溫度均一性，造成材料的純度和蒸鍍膜層的性質(zhì)的降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種坩堝用加熱裝置、坩堝和蒸發(fā)源，以解決現(xiàn)有的蒸發(fā)源對蒸鍍材料加熱不均的問題。
[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種坩堝用加熱裝置，包括用于容納所述坩堝的容納腔，以及設置于所述容納腔內(nèi)的中部加熱器，中部加熱器用于為位于所述坩堝中部的蒸鍍材料進行加熱。
[0006]優(yōu)選地，所述容納腔由底壁和側(cè)壁圍成，所述中部加熱器設置于所述底壁內(nèi)側(cè)的中部。
[0007]優(yōu)選地，所述中部加熱器為桿狀。
[0008]優(yōu)選地，所述中部加熱器包括加熱溫度可分別控制的上加熱部和下加熱部。
[0009]優(yōu)選地，所述加熱裝置還包括緊貼所述側(cè)壁外側(cè)設置的側(cè)面加熱器，所述側(cè)面加熱器包括加熱溫度可分別控制的上加熱部和下加熱部。
[0010]本發(fā)明還提供一種坩堝，包括用于盛放蒸鍍材料的坩堝主體腔，以及用于容置中部加熱器的容置結(jié)構，以便為位于所述坩堝主體腔中部的蒸鍍材料進行加熱。
[0011]優(yōu)選地，所述坩堝主體腔由底壁和側(cè)壁圍成，所述容置結(jié)構由所述底壁的中部向坩堝主體腔內(nèi)凹陷而成。
[0012]本發(fā)明還提供一種蒸發(fā)源，包括坩堝和用于為所述坩堝加熱的加熱裝置，、所述加熱裝置為上述加熱裝置，所述坩堝為上述坩堝。
[0013]優(yōu)選地，所述蒸發(fā)源用于發(fā)光二極管器件的蒸鍍。
[0014]本發(fā)明的上述技術方案的有益效果如下:
[0015]通過加熱裝置的位于坩堝外圍的側(cè)面加熱器對位于坩堝周邊的蒸鍍材料進行加熱，并通過加熱裝置的中部加熱器對位于坩堝中部的蒸鍍材料進行加熱，從而避免了坩堝中間材料和周邊材料受熱不均的現(xiàn)象，提高了蒸鍍溫度的均一性，從而可以提高蒸鍍材料的純度和蒸鍍所得膜層的性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有技術中的蒸發(fā)源的一結(jié)構示意圖；
[0017]圖2為本發(fā)明一實施例的坩堝用加熱裝置的結(jié)構示意圖；
[0018]圖3為本發(fā)明一實施例的坩堝用加熱裝置的截面圖；
[0019]圖4為本發(fā)明另一實施例的坩堝用加熱裝置的截面圖；
[0020]圖5為本發(fā)明另一實施例的坩堝用加熱裝置的結(jié)構示意圖；
[0021]圖6為本發(fā)明又一實施例的坩堝用加熱裝置的蓋板的結(jié)構示意圖；
[0022]圖7為本發(fā)明實施例的坩堝的結(jié)構示意圖；
[0023]圖8為本發(fā)明實施例的蒸發(fā)源的結(jié)構示意圖。

【具體實施方式】
[0024]為使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0025]為解決現(xiàn)有的蒸發(fā)源對蒸鍍材料加熱不均的問題，請參考圖2，本發(fā)明實施例提供一種坩堝用加熱裝置，該坩堝用加熱裝置包括用于容納坩堝的容納腔201，以及設置于所述容納腔201內(nèi)的中部加熱器202，該中部加熱器202用于為位于所述坩堝中部的蒸鍍材料進行加熱。
[0026]本實施例中，所述容納腔201由底壁203和側(cè)壁204圍成，與底壁相對的位置開設有用于安裝坩堝的開口，所述中部加熱器202設置于所述底壁203內(nèi)側(cè)的中部。
[0027]請參考圖3，所述加熱裝置可以為圓柱體，所述加熱裝置的底壁的截面為一圓形，所述中部加熱器202位于所述圓形的中心。請參考圖4，所述加熱裝置還可以為長方體，所述加熱裝置的底壁的界面為一矩形，所述中部加熱器202位于所述矩形的對角線的交點上。當然，在本發(fā)明的其他實施例中，加熱裝置還可以為其他形狀，在此不再一一舉例說明。
[0028]本發(fā)明實施例中，所述中部加熱器202為桿狀，包括加熱溫度可分別控制的上加熱部2021和下加熱部2022，其中，在進行加熱蒸鍍時，使得上加熱部2021的溫度較高，主要用于加熱蒸鍍，下加熱部2022的溫度較低，主要用于預設蒸鍍材料。
[0029]本發(fā)明實施例中，所述加熱裝置僅包括一中部加熱器，請參考圖5，在本發(fā)明的其他實施例中，加熱裝置還可以包括多個中部加熱器202。
[0030]除了上述中部加熱器202之外，所述加熱裝置還包括緊貼側(cè)壁204外側(cè)設置的側(cè)面加熱器205，優(yōu)選地，所述側(cè)面加熱器205包括加熱溫度可分別控制的上加熱部2051和下加熱部2052，在加熱時，所述側(cè)面加熱器205的上加熱部2051的加熱溫度與中部加熱器202的上加熱部2021的溫度保持一致，所述側(cè)面加熱器205的下加熱部2052的加熱溫度與中部加熱器202的下加熱部2022的溫度保持一致。
[0031]上述實施例中，中部加熱器202位于加熱裝置的底壁203的中部，在本發(fā)明的其他實施例中，也不排除將中部加熱器202設置于側(cè)壁204上的可能?；蛘撸垍⒖紙D6，所述加熱裝置還可以包括一蓋板206，用于蓋在坩堝的開口上方，并且將中部加熱器202設置于所述蓋板206的中部，當然，所述蓋板206上還必須包括出氣孔(圖未示出)，在對坩堝加熱時，固態(tài)的蒸鍍材料轉(zhuǎn)化成氣態(tài)后可通過該氣孔噴出。同樣的，設置于蓋板206上的中部加熱器202的個數(shù)也不限于一個。
[0032]通過上述實施例提供的坩堝用加熱裝置，可以通過位于坩堝外圍的側(cè)面加熱器對位于坩堝周邊的蒸鍍材料進行加熱,并通過中部加熱器對位于坩堝中部的蒸鍍材料進行加熱，從而避免了坩堝中間材料和周邊材料受熱不均的現(xiàn)象，提高了蒸鍍溫度的均一性，從而可以提高蒸鍍材料的純度和蒸鍍所得膜層的性能。
[0033]請參考圖7，本發(fā)明實施例還提供一種坩堝，包括用于盛放蒸鍍材料的坩堝主體腔301，以及用于容置中部加熱器的容置結(jié)構302，以便為位于所述坩堝主體腔301中部的蒸鍍材料進行加熱。
[0034]本實施例中，所述坩堝主體腔301由底壁303和側(cè)壁304圍成，所述容置結(jié)構302由所述底壁303的中部向坩堝主體腔301內(nèi)凹陷而成。
[0035]本發(fā)明實施例的坩堝與上述實施例中的加熱裝置可配合使用，當然，坩堝的結(jié)構也與上述實施例中的加熱裝置的結(jié)構相互配合，例如，加熱裝置包括多個中部加熱器時，坩堝也包括多個用于容置中部加熱器的容置結(jié)構302。
[0036]此外，請參考圖7，本發(fā)明實施例的坩堝還包括由側(cè)壁延伸而成的搭接支架305，當坩堝安裝于加熱裝置中時，該搭接支架305搭接至加熱裝置的側(cè)壁的頂部。
[0037]請參考圖8，本發(fā)明實施例還提供一種蒸發(fā)源，包括坩堝300和用于為所述坩堝加熱的加熱裝置200，所述加熱裝置為上述實施例所述的加熱裝置，所述坩堝為上述實施例所述的坩堝。
[0038]所述蒸發(fā)源可用于發(fā)光二極管器件的蒸鍍。
[0039]所述蒸發(fā)源可以為點蒸發(fā)源。
[0040]本發(fā)明實施例中的蒸發(fā)源的工作過程如下:
[0041]I)將坩堝300安裝在加熱裝置200上，在并在坩堝300中添加蒸鍍材料；
[0042]2)蒸鍍時，加熱裝置200對坩堝加熱，其中，加熱裝置200的側(cè)面加熱器對位于坩堝300周邊的蒸鍍材料進行加熱，加熱裝置200的中部加熱器對位于坩堝300中部的材料進行加熱，以提高蒸鍍溫度的均一性。且，側(cè)面加熱器和中部加熱器均包括上加熱部和下加熱部，使得上加熱部的溫度較高，用于加熱蒸鍍，下加熱部的溫度較低，用于對蒸鍍材料預熱，且使得側(cè)面加熱器的上加熱部與中部加熱器的上加熱部的溫度保持一致，側(cè)面加熱器的下加熱部與中部加熱器的下加熱部的溫度保持一致，以進一步提高蒸鍍溫度的均一性。
[0043]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種坩堝用加熱裝置，包括用于容納所述坩堝的容納腔，其特征在于，還包括設置于所述容納腔內(nèi)的中部加熱器，用于為位于所述坩堝中部的蒸鍍材料進行加熱。
2.根據(jù)權利要求1所述的坩堝用加熱裝置，其特征在于，所述容納腔由底壁和側(cè)壁圍成，所述中部加熱器設置于所述底壁內(nèi)側(cè)的中部。
3.根據(jù)權利要求2所述的坩堝用加熱裝置，其特征在于，所述中部加熱器為桿狀。
4.根據(jù)權利要求3所述的坩堝用加熱裝置，其特征在于，所述中部加熱器包括加熱溫度可分別控制的上加熱部和下加熱部。
5.根據(jù)權利要求2所述的坩堝用加熱裝置，其特征在于，所述加熱裝置還包括緊貼所述側(cè)壁外側(cè)設置的側(cè)面加熱器，所述側(cè)面加熱器包括加熱溫度可分別控制的上加熱部和下加熱部。
6.一種坩堝，包括用于盛放蒸鍍材料的坩堝主體腔，其特征在于，還包括用于容置中部加熱器的容置結(jié)構，以便為位于所述坩堝主體腔中部的蒸鍍材料進行加熱。
7.根據(jù)權利要求6所述的坩堝，其特征在于，所述坩堝主體腔由底壁和側(cè)壁圍成，所述容置結(jié)構由所述底壁的中部向坩堝主體腔內(nèi)凹陷而成。
8.一種蒸發(fā)源，包括坩堝和用于為所述坩堝加熱的加熱裝置，其特征在于，所述加熱裝置為權利要求1-5任一項所述的加熱裝置，所述坩堝為權利要求6或7所述的坩堝。
9.如權利要求8所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述蒸發(fā)源用于發(fā)光二極管器件的蒸鍍。
【文檔編號】C23C14/24GK104357797SQ201410646051
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月14日 優(yōu)先權日:2014年11月14日
【發(fā)明者】馬群, 閔天奎, 張朝波, 張毅 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司