專利名稱：生長非常均勻的碳化硅外延層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及外延生長碳化硅，具體涉及在合適基體上制造非常均勻碳化硅外延層的化學(xué)氣相沉積方法。
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及生長碳化硅外延層。作為半導(dǎo)體材料，碳化硅由于能夠用于高能量、高頻率和高溫電子器件而特別優(yōu)越。碳化硅有特別高的熱導(dǎo)，并且在其擊穿前經(jīng)得起高電場(chǎng)和高電流密度兩者。碳化硅的寬帶隙使得它即便在高溫依然是低泄漏電流。出于這些和其他原因，碳化硅特別合乎功率器件的要求，亦即可設(shè)計(jì)它們?cè)谙喈?dāng)高的電壓下運(yùn)行。
然而碳化硅卻是難以制造的材料。生長工藝要在相當(dāng)高的溫度下進(jìn)行，對(duì)于外延生長至少大約1500℃以上，對(duì)于升華生長則要接近2200℃。另外，形成碳化硅可超過150種多型，其中大多數(shù)僅以很小的熱力學(xué)差別來區(qū)分。結(jié)果，無論是外延層還是整體晶體，碳化硅晶體的生長都是一種附有挑戰(zhàn)的工藝。還有，碳化硅特別堅(jiān)硬(工業(yè)上常常用作磨料)，這就造成難于將它加工和成形至合適的半導(dǎo)體器件。
盡管如此，近十年來，碳化硅的生長技術(shù)仍然取得很大進(jìn)展并有所反映，例如US 4912063、4912064、Re.34861、4981551、5200022和5459107等，所有這些專利都轉(zhuǎn)讓或獨(dú)家許可給本發(fā)明受讓人。與本發(fā)明共同轉(zhuǎn)讓的這些及其他專利在碳化硅生長技術(shù)和其后由碳化硅制造合適的半導(dǎo)體器件方面引起世界范圍的興趣。
一種特定的生長技術(shù)叫作“化學(xué)氣相沉積”或“CVD”。在這種方法中，將原料氣體(諸如對(duì)碳化硅時(shí)的硅烷SiH4和丙烷C3H8)引入加熱的反應(yīng)艙室，該艙室還包括原料氣體在其表面反應(yīng)形成外延層的基體。為了有助于控制生長反應(yīng)的速度，一般都引入帶有載氣的原料氣體，與載氣一起構(gòu)成最大容積的氣流。
碳化硅的化學(xué)氣相沉積(CVD)都要精選一些項(xiàng)目如溫度分布，氣體速度，氣體濃度，化學(xué)性質(zhì)和壓力。為制造特定外延層(epilayers)對(duì)使用條件的選擇常常包括許多因素，例如所要求的生長速度、反應(yīng)溫度、作業(yè)時(shí)間、氣體容積、設(shè)備成本，摻雜均勻性以及層厚度。
特別是同其他因素相匹敵的均勻?qū)雍穸?，它能在隨后由外延層制造的半導(dǎo)體器件中趨于提供更加一致的性能。相反，失去均勻性的薄層趨于損傷器件性能，甚至?xí)惯@些薄層不適合制造器件。
然而在傳統(tǒng)CVD方法中，會(huì)發(fā)生公知的“消耗”現(xiàn)象，就是原料氣體和載氣通過反應(yīng)艙室時(shí)原料氣體濃度的損失。具體言之，傳統(tǒng)CVD體系中，原料和載氣平行于基體和外延層表面流動(dòng)。由于原料氣體反應(yīng)形成外延層，它們的濃度在氣體入口或反應(yīng)器“上流”端部最高而在“下流”端部最低。那么，由于在原料氣體通過反應(yīng)器的旅行期間原料氣體的濃度要降低，就會(huì)使外延層趨于在上流端部更厚而在下流端部更薄。如上所述，這種均勻性的損失會(huì)對(duì)許多情況不利，特別是在要求較厚的外延層或者在某些特定器件或器件結(jié)構(gòu)中要求外延層較厚的情況下就特別麻煩。
在其他半導(dǎo)體材料(如硅)的生長技術(shù)中，表現(xiàn)的問題可通過直接的技術(shù)諸如旋轉(zhuǎn)其上將生長外延層的基體(通常是硅片)來解決。然而這種技術(shù)生長碳化硅外延層時(shí)要在更高溫度下進(jìn)行，則變得更加復(fù)雜更加困難。碳化硅生長方法使用的基座一般必須由高純石墨附高純碳化硅涂層來形成。當(dāng)這種材料形成運(yùn)動(dòng)部件時(shí)，它們趨于更加復(fù)雜并且趨于產(chǎn)生因碳化硅研磨特性而帶來的粉塵。因此，對(duì)碳化硅而言，這種機(jī)械的和與運(yùn)動(dòng)有關(guān)的解決方案一般不能令人滿意，所以，迫切需要一種能產(chǎn)生更加均勻外延層的碳化硅外延生長的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，而且還不能對(duì)方法帶來額外的雜質(zhì)或機(jī)械或化學(xué)復(fù)雜性。
發(fā)明目的和概述因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種得到更均勻碳化硅外延層的方法。通過能增強(qiáng)碳化硅外延層均勻性并且特別能用來得到更厚外延層的一種改良化學(xué)氣相沉積方法而實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的。該方法包括將反應(yīng)器加熱到碳化硅原料氣體在反應(yīng)器內(nèi)基體上形成外延層的溫度；然后讓原料氣體和載氣流過加熱的反應(yīng)器在基體上形成碳化硅外延層，同時(shí)載氣包括氫氣和第二種氣體的混和氣，其中第二種氣體的熱導(dǎo)要低于氫氣熱導(dǎo)，使得原料氣體在通過反應(yīng)器時(shí)它的消耗比使用單一氫氣作載氣時(shí)的更低。在特定實(shí)施方案中，還優(yōu)選第二種氣體對(duì)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)呈化學(xué)惰性。
本發(fā)明另一個(gè)目的包括厚度高度均勻的碳化硅外延層，其證據(jù)是沿橫截面的標(biāo)準(zhǔn)厚度偏差。
根據(jù)以下結(jié)合附圖的發(fā)明詳述將使本發(fā)明的前述和其他目的和優(yōu)點(diǎn)以及實(shí)現(xiàn)方式更加清楚。


圖1概要說明本發(fā)明使用的作示例的化學(xué)氣相沉積體系；圖2和3曲線是現(xiàn)有技術(shù)的硅片厚度與自生長外延層上流端部起的距離之關(guān)系；圖4曲線是本發(fā)明方法的硅片厚度與自生長外延層上流端部起的距離之關(guān)系；圖5曲線是用本發(fā)明方法在單一反應(yīng)器中于三個(gè)相鄰的硅片上生長外延層時(shí)硅片厚度與自上流端部距離之關(guān)系；圖6照片是用掃描電鏡(“SEM”)對(duì)帶有本發(fā)明生長外延層的基體剖開橫截面照相得到。
發(fā)明詳述本發(fā)明是一種改良的化學(xué)氣相沉積方法，該方法增加碳化硅外延層的均勻性并能得到特別有用的更厚的外延層。綜觀該方法，本發(fā)明包括將反應(yīng)器加熱到碳化硅原料氣體在反應(yīng)器內(nèi)基體上形成外延層的溫度；然后讓原料氣體和載氣流過加熱的反應(yīng)器在基體上形成碳化硅外延層，同時(shí)載氣包括氫氣和第二種氣體的混和氣，其中第二種氣體的熱導(dǎo)要低于氫氣熱導(dǎo)，使得原料氣體在通過反應(yīng)器時(shí)它的消耗比使用單一氫氣作載氣時(shí)的更低。在特定實(shí)施方案中，還優(yōu)選第二種氣體對(duì)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)呈現(xiàn)化學(xué)惰性。
在優(yōu)選實(shí)施方案中，第二種氣體包括氬氣。氬氣對(duì)本發(fā)明有許多優(yōu)點(diǎn)。特別是氬氣的熱導(dǎo)明顯低于氫氣熱導(dǎo)。氬氣的存在就減輕了原料氣體的熱導(dǎo)，隨之減緩了原料氣體通過反應(yīng)器時(shí)消耗的速率。氬氣的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是“高貴”氣體，意指它在任何大多數(shù)情況下趨于避免同其他元素或化合物反應(yīng)。因此，氬氣對(duì)外延層生長基體，對(duì)正在生長的外延層或者對(duì)體系中的其他氣體都可避免任何不合要求的影響。然而應(yīng)當(dāng)了解，第二種載氣并不限于氬氣，而可進(jìn)行功能性選擇，只要(1)載氣的熱導(dǎo)適度和(2)能避免與原料氣體、基體或外延層起不合要求的反應(yīng)。
在優(yōu)選實(shí)施方案中，載氣是用大量氫氣和少量第二種載氣混和而成。在最優(yōu)選的實(shí)施方案中，氬氣和氫氣形成混和氣體，混和氣體優(yōu)選至少75vol％(體積)的氫氣流量，而最優(yōu)選至多大約90vol％的氫氣流量。另外，混和氣體并非必須限于氫氣和較低熱導(dǎo)的氣體。如果需要，也可存在另一種氣體(如氦氣)，條件是全部混和氣體要滿足前述功能性限制條件。
應(yīng)當(dāng)了解，本文體積流量意指基于每分鐘流過的體積，由化學(xué)氣相沉積中使用的一般測(cè)量氣體量的方法測(cè)定。
在加熱的反應(yīng)器內(nèi)，溫度應(yīng)當(dāng)足夠高到能使碳化硅外延層生長，但又要低于氫氣載氣趨于刻蝕碳化硅的溫度。體系溫度優(yōu)選保持在低于大約1800℃，最優(yōu)選在1500-1650℃之間。超過1800℃溫度時(shí)，趨于發(fā)生不同類型的反應(yīng)；例如見Kordina等人的文章，碳化硅″熱壁″CVD和HTCVD的生長，Phys.Stat.501(B)202，321(1997)。
發(fā)現(xiàn)本發(fā)明在原料和載氣直接流過碳化硅基體時(shí)特別有用，最優(yōu)選的一種基體選擇選自4H和6H多型，并且流過反應(yīng)器時(shí)直接平行于外延生長表面。
圖1是示范性用于本發(fā)明的反應(yīng)體系示意圖。這種化學(xué)氣相沉積體系的基本結(jié)構(gòu)和配置一般為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，而且無需過多試驗(yàn)就能用來實(shí)施本發(fā)明。
圖1中，整個(gè)CVD體系記作10。該體系包括反應(yīng)器艙室11，其中含有基座12?；?2一般用反應(yīng)器外部電極13進(jìn)行感應(yīng)技術(shù)(如射頻)加熱?；w14置于基座12上使來自電極13的射頻輻射加熱基座12?；偌訜峄w13。
體系包括圖標(biāo)分別為15和16的原料氣體和載氣供給器。有一種記作17的適當(dāng)通道或管路系列直接連接反應(yīng)器11并流過反應(yīng)器，由曲線20表示。應(yīng)當(dāng)了解，曲線20僅僅只是簡(jiǎn)單說明和示意的目的，絕非表示氣體在化學(xué)氣相沉積體系中的確切流動(dòng)圖案。然后，氣體通過類似一套管路或通道21在反應(yīng)器下流端部流出。
大量對(duì)比實(shí)施例充分說明本發(fā)明優(yōu)越性并概括在表1和圖2-5中。收集的所有數(shù)據(jù)來自Cree Research，Inc.進(jìn)行的試驗(yàn)，位于Durham，North Carolina，本發(fā)明的受讓人。如上所述，用現(xiàn)有技術(shù)(氫氣作單一載氣)和本發(fā)明(氫氣和氬氣的混和氣體作載氣)兩種方法在碳化硅基體上生長碳化硅外延層。每種情況都用硅烷和丙烷作原料氣體，條件是其流速明顯小于載氣流速。表1

用掃描電鏡(SEM)測(cè)量試樣。硅片沿流動(dòng)方向剖開。然后將它們放在SEM邊緣上。由于薄層比基體的摻雜低許多，則能觀察到薄層和基體之間的對(duì)比度(圖6)。因此能測(cè)量薄層厚度。如圖2-5所示，沿剖開邊緣對(duì)幾個(gè)等距點(diǎn)以此方式進(jìn)行測(cè)量，就能計(jì)算厚度的均勻性。也有許多其他方法測(cè)量厚度均勻性，此處不再贅述。然而為了再現(xiàn)表1所示均勻性，一般對(duì)所有(測(cè)量)技術(shù)都要將結(jié)合“外延-冠”(例如緊靠硅片圓周2mm)的數(shù)據(jù)點(diǎn)去掉。
在越過所得硅片直徑10-15個(gè)位點(diǎn)之間測(cè)量所得外延層的厚度。然后對(duì)每個(gè)硅片測(cè)量平均厚度(亦即統(tǒng)計(jì)學(xué)平均值)，標(biāo)準(zhǔn)偏差和百分比偏差(表達(dá)為平均厚度的百分比的標(biāo)準(zhǔn)偏差)。為了防止邊緣效應(yīng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)或本發(fā)明的結(jié)果產(chǎn)生不利影響，計(jì)算前應(yīng)從總數(shù)去掉一個(gè)或兩個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)。
應(yīng)當(dāng)了解，并非因人為地增強(qiáng)結(jié)果而任意去掉這些數(shù)據(jù)點(diǎn)。作為替代，為了避免包括“外延-冠”而去掉硅片邊緣的一個(gè)或兩個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，外延-冠通常在外延生長中發(fā)現(xiàn)并且一般與消耗作用無關(guān)。
如圖2，3和4所示，本發(fā)明在外延層厚度均勻性方面提供明顯的改良。例如，用氫氣作單一載氣時(shí)(圖2和3)，去掉外延冠測(cè)量的數(shù)據(jù)點(diǎn)后百分比偏差是5.66％和2.66％。然而用本發(fā)明時(shí)，與單一氫氣得到5.66％的同樣流速情況下百分比偏差為2.34％。在沿氣體流動(dòng)方向使用幾個(gè)依次排列的硅片時(shí)，本發(fā)明的優(yōu)越效果更加顯著。圖5說明這種效果，并表明同樣條件下生長三個(gè)硅片與一個(gè)硅片時(shí)的均勻性并肩比美。
圖2說明現(xiàn)有技術(shù)用氫氣作單一載氣且流速為44l/min時(shí)邊緣厚度的變化。圖3說明用氫氣作單一載氣流速為60l/min時(shí)邊緣厚度的變化。圖5特別說明用多個(gè)硅片生長體系時(shí)本發(fā)明的優(yōu)越性。如圖5所示，試驗(yàn)本發(fā)明方法越過三個(gè)硅片的偏差同現(xiàn)有技術(shù)越過一個(gè)硅片的偏差(如圖3所示)類似。
因此，本發(fā)明另一方面包括碳化硅外延層，當(dāng)外延冠測(cè)量的數(shù)據(jù)點(diǎn)從總數(shù)中去掉時(shí)其帶有沿橫截面的厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差低于3％。在優(yōu)選實(shí)施方案中，當(dāng)外延冠的兩個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)從總數(shù)中去掉時(shí)其標(biāo)準(zhǔn)偏差低于2％，在最優(yōu)選的實(shí)施方案中，標(biāo)準(zhǔn)偏差低于1％。
當(dāng)然應(yīng)了解，術(shù)語外延層隱含基體的存在，在優(yōu)選實(shí)施方案中，基體是選自4H和6H多型碳化硅的碳化硅單晶基體。
本文所用術(shù)語“平均值”，“標(biāo)準(zhǔn)偏差”，“試樣”和“總數(shù)”皆為其常規(guī)含義。這些數(shù)值和定義皆為統(tǒng)計(jì)學(xué)領(lǐng)域所熟知，因此其定義和計(jì)算方式不再詳細(xì)討論。
氫氣和氬氣混和氣體作載氣超過純氬氣作載氣，因?yàn)闅鍤庀喈?dāng)難于純化并且昂貴，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)觀察的基礎(chǔ)，它似乎是傷害材料質(zhì)量而氫氣似乎純化生長材料。要說不同，氫氣作載氣表現(xiàn)出具有某些除氣性能。由于它的低熱導(dǎo)，純氬氣作載氣還將趨于延緩生長速度使其背離一般所要求的條件。
選擇氬氣和氫氣混和的比例將取決于諸多因素。然而這些因素皆本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，因此，一旦了解本發(fā)明的概念精神，本領(lǐng)域技術(shù)人員無需過多試驗(yàn)就能選擇好混和氣體。但是作為實(shí)例(非限制性)，氫氣中混和氬氣的量將取決于諸多項(xiàng)條件如熱區(qū)長度，氬氣成本，總氣流，氣體純度和區(qū)域溫度。大多數(shù)情況下，熱區(qū)擴(kuò)展的(距離)越長且預(yù)期或要求的溫度越高時(shí)，為減輕消耗作用氬氣使用的越多。
另外，盡管理論上沒有限制最不希望使用的氬氣量是多少，然而氬氣的價(jià)格(如上所述是昂貴的)實(shí)際存在。
第三個(gè)因素是總氣流。在CVD體系中較低的總氣流通常是有益的，因?yàn)樗鼘p輕真空系統(tǒng)的載荷，要求較少的能量并減少湍流，而且還避免冷卻基座。
氬氣純度代表另一個(gè)因素。由于氬氣不能象氫氣那樣純化，用量?jī)?yōu)選最小化要達(dá)到伴隨雜質(zhì)的相應(yīng)最小化。幸虧因?yàn)闅鍤獾臒釋?dǎo)僅為氫氣熱導(dǎo)的大約十分之一，相當(dāng)小份數(shù)的氬氣就足夠?qū)嵤┍景l(fā)明了。
在生長較厚薄層時(shí)，化學(xué)氣相沉積期間有關(guān)均勻厚度控制的所有問題都將惡化。因此本發(fā)明對(duì)生長較厚薄層提供一種均衡的更顯而易見的改良。還有，由于本發(fā)明只需要混合氣體，就避免了其他降低消耗的體系中的移動(dòng)部件和機(jī)械復(fù)雜性。
在說明書和附圖中討論了本發(fā)明的代表性實(shí)施方案，盡管使用了專門術(shù)語，皆屬一般使用和說明，絕非限制，本發(fā)明范圍列于權(quán)利要求書。
權(quán)利要求
1．一種改良的化學(xué)氣相沉積方法，它增強(qiáng)碳化硅外延層的均勻性并且對(duì)得到較厚外延層特別有用，該方法包括將反應(yīng)器加熱到碳化硅原料氣體在反應(yīng)器內(nèi)基體上形成外延層的溫度；和讓原料氣體和載氣流過加熱的反應(yīng)器在基體上形成碳化硅外延層；其特征在于載氣包括氫氣和第二種氣體的混和氣體，其中第二種氣體的熱導(dǎo)要低于氫氣熱導(dǎo)，使得原料氣體在通過反應(yīng)器時(shí)它的消耗比使用單一氫氣作載氣時(shí)的更低。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第二種載氣包括氬氣。
3．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一種載氣選自氦氣和氦氣與氫氣的混和氣體。
4．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中混和載氣的步驟包括將較大量氫氣與較小量第二種載氣進(jìn)行混和。
5．一種在適當(dāng)基體上通過化學(xué)氣相沉積形成碳化硅外延層的方法，其中碳化硅原料氣體與第一種載氣混和并讓它進(jìn)入溫度加熱到在反應(yīng)器內(nèi)基體上形成碳化硅外延層的反應(yīng)器；其特征在于混和第二種載氣和第一種載氣，其中第二種載氣的熱導(dǎo)低于第一種載氣的熱導(dǎo)，并且其中第二種載氣的存在量能充分調(diào)節(jié)溫度以減少或消除原料氣體在碳化硅于基體上外延生長期間的消耗，但該量要低于讓溫度降低過多并防止原料氣體不反應(yīng)形成外延層。
6．根據(jù)權(quán)利要求1或5的方法，其中第二種載氣對(duì)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)和碳化硅呈化學(xué)惰性。
7．根據(jù)權(quán)利要求1或5的方法，其中原料氣體包括含硅化合物和含碳化合物。
8．根據(jù)權(quán)利要求5的方法，包括將體系加熱到低于大約1800℃溫度。
9．根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中加熱反應(yīng)器的溫度在大約1500-1650℃之間，在其間硅烷和丙烷將在基體上反應(yīng)形成碳化硅外延層。
10．根據(jù)權(quán)利要求1或5的方法，包括讓氣流以平行于外延層生長表面的方向流過反應(yīng)器。
11．一種碳化硅外延層，其特征在于去掉外延冠測(cè)量的數(shù)據(jù)點(diǎn)后沿其橫截面厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差低于3％。
12．權(quán)利要求11的碳化硅外延層，它在單晶碳化硅基體上。
13．根據(jù)權(quán)利要求12的碳化硅外延層，其中所述碳化硅基體選自4H和6H多型碳化硅。
14．權(quán)利要求11的碳化硅外延層，沿其橫截面厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差低于2％。
15．權(quán)利要求11的碳化硅外延層，沿其橫截面厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差低于1％。
16．權(quán)利要求11，14或15的碳化硅外延層，它在單晶碳化硅基體上。
17．一種在多個(gè)基體上通過化學(xué)氣相沉積形成碳化硅外延層的方法，包括混和碳化硅原料氣體與第一種載氣；讓原料氣體進(jìn)入反應(yīng)器，其內(nèi)含有多個(gè)沿氣流通道線性排列的基體并使載氣和原料氣體以上流到下流平行于外延生長表面的方向流過；和加熱反應(yīng)器到原料氣在反應(yīng)器內(nèi)基體上反應(yīng)形成碳化硅外延層的溫度；其特征在于混和第二種載氣和第一種載氣，其中第二種載氣的熱導(dǎo)低于第一種載氣的熱導(dǎo)，并且其中第二種載氣的存在量能充分調(diào)節(jié)溫度以減少或消除原料氣體在碳化硅于基體上外延生長期間的消耗，但該量要低于讓溫度降低過多并防止原料氣體不反應(yīng)形成外延層。
18．根據(jù)權(quán)利要求5或17的方法，其中第一種載氣包括氫氣且第二種載氣包括氬氣。
19．根據(jù)權(quán)利要求5或17的方法，其中混和載氣的步驟包括將較大量第一種載氣與較小量第二種載氣進(jìn)行混和。
20．根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中氫氣和氬氣混和氣體包括75vol％的氫氣流量。
21．根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中氫氣和氬氣混和氣體包括90vol％的氫氣流量。
22．根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中原料氣體包括硅烷和丙烷。
23．根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中反應(yīng)器的溫度加熱到大約1500-1650℃之間。
24．根據(jù)權(quán)利要求1，5或17的方法，包括讓原料氣體和載氣流過選自4H或6H多型的碳化硅基體。
全文摘要
公開一種改良的化學(xué)氣相沉積方法,該方法能增強(qiáng)碳化硅外延層的均勻性并且對(duì)得到較厚外延層特別有用。該方法包括將反應(yīng)器加熱到碳化硅原料氣體在反應(yīng)器內(nèi)基體上形成外延層的溫度;和讓原料氣體和載氣流過加熱的反應(yīng)器在基體上形成碳化硅外延層,同時(shí)載氣包括氫氣和第二種氣體的混和氣體,其中第二種氣體的熱導(dǎo)要低于氫氣熱導(dǎo),使得原料氣體在通過反應(yīng)器時(shí)它的消耗比使用單一氫氣作載氣時(shí)的更低。
文檔編號(hào)C23C16/32GK1282386SQ98812328
公開日2001年1月31日 申請(qǐng)日期1998年12月14日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月17日
發(fā)明者O·C·E·科迪納, K·G·伊爾溫, M·J·派斯雷 申請(qǐng)人:克里公司