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通過(guò)高溫浸涂制造帶狀金屬?gòu)?fù)合材料的方法

文檔序號(hào):3397853閱讀:157來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:通過(guò)高溫浸涂制造帶狀金屬?gòu)?fù)合材料的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種通過(guò)金屬基帶的高溫浸涂制造帶狀金屬?gòu)?fù)合材料的方法,伴隨基帶的移動(dòng),在它的表面上由熔融金屬涂層材料通過(guò)凝固結(jié)晶出一薄的該涂層材料層。其中,該涂層材料與基帶材料不同。本發(fā)明還涉及實(shí)施該方法的裝置及用該方法制造的產(chǎn)品。
由歐洲EP 0 467 749 B1公開(kāi)過(guò)一種用鋁對(duì)鐵氧體不銹鋼帶進(jìn)行浸涂的方法。其中,基帶在不同溫度下,在非氧化氣氛中以不同步驟被加熱,直到基帶最終浸在涂層池內(nèi)。
此外,由歐洲EP 0 397 952 B1公開(kāi)過(guò)一種用鋁對(duì)不銹鋼帶進(jìn)行連續(xù)熱浸涂的方法。其中,基帶在一氬氣吹洗的倉(cāng)室內(nèi)在一排勵(lì)磁電流裝置旁通過(guò)。基帶在加熱到浸涂所需溫度的同時(shí)通過(guò)氬氣等離子管放電被清洗,清洗后的基帶被浸入熔融鋁池中。
以上兩種方法中都是用鋁與鋼復(fù)合。
此外由德國(guó)DE 195 45 259 A1公開(kāi)過(guò)一種制造薄的金屬帶的方法和裝置。其中,金屬帶垂直通過(guò)鋼熔體并在此結(jié)晶出初始金屬帶20-2%的涂層厚度。金屬帶根據(jù)其厚度被預(yù)加熱到室溫至最高900℃之間的某一溫度。用這種方法制造的復(fù)合帶,其所用材料之一為不銹鋼,奧氏體鋼或鐵氧體鋼。
更精確的實(shí)驗(yàn)表明,用目前已公開(kāi)的方法無(wú)法實(shí)現(xiàn)母片與涂層之間復(fù)合的能可靠重復(fù)的期待結(jié)果。
本發(fā)明的目的在于,提供一種方法,一種裝置及一種產(chǎn)品,其中,可以簡(jiǎn)單方式實(shí)現(xiàn)由不同材料組成的復(fù)合材料各個(gè)層的致密,無(wú)缺陷單層復(fù)合。
本發(fā)明將通過(guò)以下方式達(dá)到上述目的,基帶通過(guò)熔融涂層材料之前其表面被預(yù)加熱并通過(guò)化學(xué)元素的沉積或注入被這樣預(yù)處理,即在通過(guò)涂層材料期間,在基帶的預(yù)處理表面與在基帶表面上結(jié)晶出的殼層之間通過(guò)擴(kuò)散形成一個(gè)由梯度材料組成的結(jié)合區(qū),該梯度材料的液相線溫度至少在結(jié)合區(qū)部分內(nèi)低于基帶材料及涂層材料的液相線溫度。
在基帶浸入金屬熔體之后,在其表面上由于出現(xiàn)過(guò)冷及良好的異晶核條件而在短時(shí)間內(nèi)形成冷硬殼層,它最初尚未與基帶形成結(jié)合。通過(guò)浸滲過(guò)程期間和之后的擴(kuò)散過(guò)程在殼層與基帶之間的結(jié)合區(qū)內(nèi)產(chǎn)生濃縮過(guò)程,這導(dǎo)致局部形成具有確定化學(xué)成份的合金。在結(jié)合區(qū)內(nèi)形成具有不同化學(xué)成份的梯度材料。局部濃縮引起處在基帶及涂層材料的液相線溫度以下的結(jié)合區(qū)部分內(nèi)的液相線溫度的下降(Wensel和Roeser計(jì)算)。由于液相線溫度下降,通常引起更強(qiáng)烈的固相線溫度下降。因此,盡管基帶材料和涂層材料為固態(tài),但在結(jié)合區(qū)內(nèi)存在液相部分。該液相組分確保了基體材料與涂層材料之間的焊接。
上述過(guò)程在圖4中可以清楚看出。在此,局部液相線溫度和固相線溫度的曲線在圖中示出,其中,溫度相對(duì)于位置坐標(biāo)描繪。液相線溫度T液和固相線溫度T固曲線表明在結(jié)合區(qū)內(nèi)有液相存在,而同時(shí)基體材料(基帶)和涂層材料為固態(tài)。
值得注意的是,為可靠結(jié)合,基帶不能太冷,而另一方面溫度不能選擇太高,以至基帶在熔池內(nèi)被熔化或強(qiáng)度損失太多而在傳送期間斷開(kāi)。另人驚奇的是,基帶芯可保持在適合的溫度,而液相線溫度在所希望的緊密結(jié)合情況下至少在帶表面可降低,以便因此使液體中的擴(kuò)散相混合成為可能。
在本發(fā)明的具有優(yōu)點(diǎn)的擴(kuò)展形式中,采用了有助于在結(jié)合區(qū)形成擴(kuò)散相合金的不同介質(zhì)。這些介質(zhì)可與基帶一起給料,不過(guò)也可以共同或單獨(dú)地涂覆在帶外面,按照本發(fā)明,基帶為其表面作準(zhǔn)備而通過(guò)含有至少部分進(jìn)入表面內(nèi)的相應(yīng)化學(xué)元素的介質(zhì)。
按照本發(fā)明特征,介質(zhì)可以是像氮,氫,一氧化碳,氨或二氧化碳這樣的氣體或按照本發(fā)明的另一特征是像硫酸,液氨或液氮這樣的液體。介質(zhì)也可是像氰鹽,碳酸鹽或赤血鹽這樣的固體。
按照本發(fā)明的最適合特征,基帶由表面區(qū)內(nèi)的碳含量大于20ppm或氮含量大于20ppm的鋼組成。
基帶在熔融涂層材料內(nèi)的傳送速度和/或其浸滲深度或長(zhǎng)度以這種方式調(diào)節(jié),即最小浸滲時(shí)間保持在50msec,同時(shí),總浸滲時(shí)間向上由所希望的涂層厚度和上面已描述的基帶熔化危險(xiǎn)限制。
按照本發(fā)明方法的另一形式特征,基帶表面在浸入熔融涂層材料之前被打毛。
作為可能工藝步驟的優(yōu)先選擇,基帶為含碳鋼,它至少在其表面被預(yù)熱到T預(yù)大于900℃的溫度。涂層材料最好是高合金鋼,尤其是鉻合金鋼。
按照本發(fā)明方法制造帶狀金屬?gòu)?fù)合材料的裝置,它由一個(gè)容納熔融涂層材料的熔煉池及一個(gè)置于熔煉池前的基帶預(yù)加熱裝置組成,基帶可借助設(shè)在入口側(cè)和出口側(cè)的輥對(duì)最好垂直于傳送方向通過(guò)該熔煉池,在此,按照本發(fā)明,預(yù)加熱裝置設(shè)在一個(gè)置于熔煉池前的入口區(qū)內(nèi)的,包圍基帶的倉(cāng)室內(nèi),來(lái)自一個(gè)介質(zhì)供應(yīng)源的介質(zhì)可借助至少一個(gè)通入倉(cāng)室的管道送入該倉(cāng)室內(nèi)。
基帶所通過(guò)的熔煉池的形狀可任意選擇。在此可采用帶有轉(zhuǎn)向輥的浸滲槽或底側(cè)基帶通過(guò)口的槽,其中,在后一種情況下,基帶垂直通過(guò)鑄槽。上述槽具有以下優(yōu)點(diǎn),即可以高可靠性依據(jù)帶溫度保持參數(shù)浸入長(zhǎng)度和帶速,因?yàn)槿蹮挸貎?nèi)的熔池高度可簡(jiǎn)單且適合作業(yè)地調(diào)整。
在用來(lái)按本發(fā)明方法制造復(fù)合材料金屬帶的尤其簡(jiǎn)單和緊密的裝置中,基帶直接從非氧化環(huán)境被送入熔池。這可通過(guò)一個(gè)倉(cāng)室實(shí)現(xiàn),該倉(cāng)室一部分伸入熔體并對(duì)于帶底口的熔煉池而言通過(guò)直接安置在熔煉池底下面實(shí)現(xiàn)。
當(dāng)采用已具有合金成分的基帶時(shí),一個(gè)預(yù)加熱裝置和一個(gè)氣體,尤其惰性氣體可通過(guò)其進(jìn)入倉(cāng)室內(nèi)腔的介質(zhì)管道就夠了。
只要需在基帶表面附加固體或液體介質(zhì)或僅僅氣體介質(zhì),如氮,氫,一氧化碳或二氧化碳時(shí),在管道處或設(shè)置通風(fēng)嘴,氣體介質(zhì)通過(guò)它可吹入倉(cāng)室內(nèi)腔和/或到達(dá)基帶表面;或在管道處設(shè)置噴嘴,液體介質(zhì),如硫酸,液氨或液氮可通過(guò)它噴在基帶表面上。
也可采用降低基帶液相線溫度的固體或松散料,如氰鹽,碳酸鹽或赤血鹽。當(dāng)采用松散料時(shí),它可通過(guò)管道進(jìn)料并與基帶表面接觸,伴隨帶在導(dǎo)槽旁經(jīng)過(guò)將固體帶出。
按照本發(fā)明,介質(zhì)也可設(shè)置成可再裝料的固體并被擠壓在基帶表面上。該固體材料可成型成塊,它在適當(dāng)壓力下被壓向基帶表面。
在另一具有優(yōu)點(diǎn)的實(shí)施例中,采用了測(cè)量熔體溫度,基帶的溫度及速度的測(cè)量裝置,它通過(guò)處理器控制至少一個(gè)調(diào)節(jié)基帶速度的執(zhí)行元件。
此外,還得讀取池高并配置處理計(jì)算機(jī)。準(zhǔn)確且可靠的池高控制例如通過(guò)低壓室實(shí)現(xiàn)。
基帶尤其可通過(guò)對(duì)合金元素,C或其它晶界合金元素,如N的含量的影響措施這樣調(diào)整,即局部液相線溫度下降導(dǎo)致,結(jié)合層具有齒狀結(jié)合線,該齒合線固定地強(qiáng)化了已有金屬緊密結(jié)合。
圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例,

圖1帶底部輸送口的熔煉池,圖2帶有氣體或液體介質(zhì)的通道的熔煉池圖3帶有固體介質(zhì)的通道的熔煉池圖4局部液相線溫度和固相線溫度的示意曲線圖1中用11代表熔煉池,其中,基帶21通過(guò)一個(gè)底口13進(jìn)入熔體S。在熔煉池11的底板下面設(shè)有一個(gè)倉(cāng)室61,一個(gè)預(yù)加熱裝置41設(shè)在該倉(cāng)室內(nèi),并有一個(gè)與介質(zhì)源52相連的介質(zhì)通道51通入其中?;鶐?1借助輸送棍對(duì)31通過(guò)底口13被送入熔煉池11,被涂層的基帶22通過(guò)一個(gè)設(shè)在熔煉池11的開(kāi)口12上的輸出輥對(duì)32從熔煉池11中脫離并傳走。
圖1中所示的熔煉池也可設(shè)置成其它形式的,例如浸滲池,基帶從上面導(dǎo)入并繞一個(gè)設(shè)在熔池內(nèi)的輥轉(zhuǎn)向后向上傳出。
圖2中相同的部分用相同符號(hào)表示。作為圖1中已示元件的補(bǔ)充,圖2示出了一個(gè)氣體或液體介質(zhì)的介質(zhì)管道51,它可借助介質(zhì)傳送器54從介質(zhì)源52導(dǎo)入倉(cāng)室61。對(duì)于氣體介質(zhì)而言,采用通風(fēng)嘴53;而對(duì)于液體介質(zhì)而言,采用噴嘴55。
在圖2中,作為預(yù)加熱裝置設(shè)有一個(gè)燃燒器43,它可沿帶傳送方向設(shè)在噴嘴或通風(fēng)嘴53,55的后面(圖中右側(cè))或其前面(圖中左側(cè))。
圖2中82代表一個(gè)噴砂器,利用它,噴射介質(zhì)通過(guò)噴射嘴84噴到基帶表面上。在此,噴射介質(zhì)儲(chǔ)存在容器85內(nèi)并通過(guò)泵86傳送。
熔煉池11的上開(kāi)口12由一個(gè)包圍傳出輥32及一個(gè)卷取裝置23的頂蓋63覆蓋。
熔體S幾乎不流動(dòng)地加到熔煉池底部區(qū)域,在此采用了一個(gè)與真空泵78連通的低壓分流器77。
經(jīng)過(guò)一個(gè)其底口72可由一塞棒74封閉的鋼水包71,熔體借助一個(gè)浸鑄管73可導(dǎo)入低壓分流器77的容納池76內(nèi)。
圖2中示意出了一個(gè)作為測(cè)量和控制裝置的處理器94,它與測(cè)量熔體溫度的溫度測(cè)量元件91,測(cè)量基帶21溫度的測(cè)溫元件92,測(cè)量帶速93和測(cè)量池高97的測(cè)量元件相連。
處理器94借助執(zhí)行元件95控制帶速并并借助執(zhí)行元件96控制塞棒74及控制熔煉池11內(nèi)熔體S的池高工作。
圖3示出了帶有基帶21從中通過(guò)的底口13的另一種熔煉池11。在熔煉池11的底部區(qū)域外設(shè)有一個(gè)倉(cāng)室61,其里面設(shè)有一個(gè)燃燒器43或感應(yīng)加熱器42形式的預(yù)加熱裝置。倉(cāng)室61的內(nèi)腔62通過(guò)介質(zhì)管道51與氣體介質(zhì)源52.1相連。
此外,內(nèi)腔62由一個(gè)作為熔煉池11底部區(qū)域抗熱件的水平分離壁64與一固體介質(zhì)通道隔開(kāi)。基帶21右側(cè)設(shè)有一個(gè)導(dǎo)槽57,它通過(guò)一個(gè)蝸桿59與一個(gè)存有松散料的容器56相連。
基帶21左側(cè)采用的固體B在介質(zhì)源52.2上方被擠壓在基帶21表面上。
熔煉池11的上開(kāi)口12如在圖2所示實(shí)施例中一樣由與惰性氣體源58相連的頂蓋63覆蓋。頂蓋63的大小應(yīng)蓋住一預(yù)先確定距離上的已涂層基帶22的傳送路程。
頂蓋63外面示意出一個(gè)軋機(jī)機(jī)座33,可利用它進(jìn)行熱變形。
圖3中,材料輸入通過(guò)一個(gè)鋼水包71完成。該鋼水包71具有一個(gè)底口72,此處設(shè)有一個(gè)可由一塞棒75封閉的浸入熔體S的浸鑄管73。
項(xiàng)目表熔池;11.熔煉池12.上開(kāi)口13.底口基帶;21.基帶22.已涂層基帶23.卷取裝置附加裝置;31.傳入輥對(duì)32.傳出輥對(duì)33.軋機(jī)機(jī)座41.預(yù)加熱裝置42.感應(yīng)加熱43.燃燒器介質(zhì)51.介質(zhì)管道52.介質(zhì)源52.1.氣體介質(zhì)源52.2.固體介質(zhì)源53.通風(fēng)嘴54.介質(zhì)輸送器55.噴嘴56.槽57.導(dǎo)槽58.氣源59.蝸桿頂蓋61.倉(cāng)室62.內(nèi)腔63.頂蓋64.分離壁料輸送管道71.鋼水包72.底口73.浸鑄管74.塞柱75.塞棒76.容納池77.低壓分流器78.真空泵打毛81.打毛構(gòu)件82.噴砂器83.刷子84.噴嘴85.槽86.泵測(cè)量及控制裝置91.熔體溫度92.基帶溫度93.速度94.處理器95.速度執(zhí)行元件96.塞棒執(zhí)行元件97.熔體池高測(cè)量裝置S熔體B固體R松散料
權(quán)利要求
1.通過(guò)金屬基帶的高溫浸涂制造帶狀金屬?gòu)?fù)合材料的方法,當(dāng)基帶通過(guò)熔融金屬涂層材料時(shí)在其表面通過(guò)凝固結(jié)晶出與基帶材料不同的一薄涂層材料層,其特征是,基帶通過(guò)熔融金屬涂層材料之前其表面被預(yù)加熱并通過(guò)化學(xué)元素的沉積或注入被這樣預(yù)處理,即在通過(guò)涂層材料期間,在基帶的預(yù)處理表面與在基帶表面上結(jié)晶出的殼層之間通過(guò)擴(kuò)散形成一個(gè)由梯度材料組成的結(jié)合區(qū),該梯度材料的液相線溫度至少在結(jié)合區(qū)部分內(nèi)低于基帶材料及涂層材料的液相線溫度。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,基帶為其表面做準(zhǔn)備要從含有至少部分進(jìn)入表面的相應(yīng)化學(xué)元素的介質(zhì)中通過(guò)。
3.按照權(quán)利要求2所述的方法,其特征是,介質(zhì)為例如氮,氫,一氧化碳,氨或二氧化碳這樣的氣體。
4.按照權(quán)利要求2所述的方法,其特征是,介質(zhì)為例如硫酸,液氨或液氮這樣的液體。
5.按照權(quán)利要求2所述的方法,其特征是,介質(zhì)為例如氰鹽,碳酸鹽或赤血鹽這樣的固體。
6.按照權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,基帶由鋼組成,其表面碳含量大于20ppm。
7.按照權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,基帶由鋼組成,其表面氮含量大于20ppm。
8.按照權(quán)利要求2至5之任一項(xiàng)所述的方法,其特征是,基帶的傳送速度和/或它在熔融涂層材料內(nèi)的浸滲深度以如下方式控制,即最小浸滲時(shí)間為50msec。
9.按照上述權(quán)利要求之至少一項(xiàng)所述的方法,其特征是,基帶在浸入熔融涂層材料之前其表面被打毛。
10.按照上述權(quán)利要求之至少一項(xiàng)所述的方法,其特征是,基帶為含碳鋼,它至少在表面被預(yù)加熱到900℃以上。
11.按照上述權(quán)利要求之至少一項(xiàng)所述的方法,其特征是,涂層材料為高合金化鋼,尤其是鉻合金鋼。
12.按照權(quán)利要求1至11所述方法通過(guò)金屬基帶的高溫浸涂制造帶狀金屬?gòu)?fù)合材料的裝置,它由一個(gè)用于容納熔融態(tài)涂層材料的熔煉池及一個(gè)設(shè)在熔煉池前的基帶預(yù)加熱裝置組成,基帶可最好沿垂直于傳送方向借助設(shè)在入口側(cè)和出口側(cè)的對(duì)輥通過(guò)熔煉池,其特征是,預(yù)加熱裝置(41)設(shè)在一個(gè)置于熔煉池(11)前的入口區(qū)內(nèi)的、包圍基帶(21)的倉(cāng)室(61)內(nèi),來(lái)自一個(gè)介質(zhì)源(52)的介質(zhì)可借助至少一個(gè)通入倉(cāng)室的管道(51)送入倉(cāng)室內(nèi)。
13.按照權(quán)利要求12所述的裝置,其特征是,在管道(51)上設(shè)有通風(fēng)嘴(53),氣體介質(zhì)通過(guò)它可吹入倉(cāng)室(61)的內(nèi)腔(62)和/或基帶(21)表面上。
14.按照權(quán)利要求12所述的裝置,其特征是,管道(51)上設(shè)有噴嘴(55),液體介質(zhì)可通過(guò)它噴在基帶(21)表面上。
15.按照權(quán)利要求12所述的裝置,其特征是,松散的固體物可通過(guò)管道(51,59)進(jìn)入導(dǎo)槽(57),在此,固體物可與基帶(21)表面接觸。
16.按照權(quán)利要求12所述的裝置,其特征是,介質(zhì)作為可再裝料的固體(B)可被擠壓在基帶(21)表面上。
17.按照權(quán)利要求12至16之任一項(xiàng)所述的裝置,其特征是,熔煉池(11)前配有使基帶(21)表面打毛的裝置(81)。
18.按照權(quán)利要求17所述的裝置,其特征是,用于基帶(21)表面打毛的裝置(81)為噴砂器(82)。
19.按照權(quán)利要求17所述的裝置,其特征是,用于基帶(21)表面打毛的裝置(81)為刷子等類似物。
20.按照權(quán)利要求12至19之任一項(xiàng)所述的裝置,其特征是,設(shè)有用來(lái)測(cè)得熔體溫度,基帶(21)的溫度及速度的測(cè)量裝置,它借助一個(gè)處理器(94)控制至少一個(gè)調(diào)節(jié)基帶速度的執(zhí)行元件(95)。
21.按照權(quán)利要求12所述的裝置,其特征是,熔煉池(11)由一個(gè)頂蓋(63)覆蓋,它與提供惰性氣體的供氣源(58)相連,它包圍已涂層的基帶,直至其表面完全冷卻。
22.按照權(quán)利要求12至21之任一項(xiàng)所述的裝置,其特征是,熔煉池(11)后面沿基帶(21)抽出方向置有至少一個(gè)軋機(jī)機(jī)座(33)。
23.復(fù)合材料金屬帶,它含有至少一種由不銹鋼組成的材料,其中,在通過(guò)涂層材料的基帶上結(jié)晶出一很薄的層,是按照權(quán)利要求1所述方法并用權(quán)利要求12所述裝置制造的,其特征是,基帶至少一側(cè)涂層的厚度為dA=0.01~0.03×D,其中D為作為母材采用的基帶的厚度。結(jié)合層的厚度;dR=5~150μm;結(jié)合層具有齒狀線,它們使屬于母材與涂層之間的結(jié)合層界面附加固定地結(jié)合,在母材和涂層材料之間形成合金元素的連續(xù)過(guò)渡。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通過(guò)金屬基帶的高溫浸涂制造帶狀金屬?gòu)?fù)合材料的方法和裝置,該裝置由一個(gè)用于容納熔融態(tài)涂層材料的熔煉池及一個(gè)設(shè)在熔煉池前的基帶預(yù)加熱裝置組成,基帶可最好沿豎直傳送方向借助設(shè)在入口側(cè)和出口側(cè)的對(duì)輥通過(guò)熔煉池。其中,預(yù)加熱裝置(41)設(shè)在一個(gè)置于熔煉池(11)前的入口區(qū)內(nèi)的、包圍基帶(21)的倉(cāng)室(61)內(nèi),來(lái)自一個(gè)介質(zhì)供應(yīng)源(52)的介質(zhì)可借助至少一個(gè)通入倉(cāng)室的管道(51)送入倉(cāng)室內(nèi)。
文檔編號(hào)C23C2/00GK1282382SQ98812312
公開(kāi)日2001年1月31日 申請(qǐng)日期1998年12月15日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月19日
發(fā)明者W·布萊克, R·布恩坦, F·福里德?tīng)? O·皮克特, W·里徹爾特, W·施密茲, D·森克, P·斯普林特, U·尤爾勞 申請(qǐng)人:Sms德馬格股份公司, 蒂森克魯伯鋼鐵股份公司
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