本公開涉及半導(dǎo)體或光伏材料加工，具體涉及一種反應(yīng)爐。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體或光伏材料的加工中，pecvd、lpcvd、apcvd、擴散爐等是常見的加工設(shè)備。這些設(shè)備根據(jù)具體的工藝需求，通過調(diào)整反應(yīng)條件、氣體種類和流量等參數(shù)，實現(xiàn)對材料性能的精準(zhǔn)調(diào)控。

2、然而，在傳統(tǒng)的加工設(shè)備中，工藝進氣孔較為集中，容易產(chǎn)生相互干擾，導(dǎo)致腔體內(nèi)的氣場分布不均勻。這種不均勻的氣場分布會直接影響待加工材料上的鍍膜均勻性，進而影響材料的性能和使用效果。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開實施例提供了一種反應(yīng)爐，解決了傳統(tǒng)的加工設(shè)備中，工藝進氣孔較為集中，相互容易產(chǎn)生干擾，導(dǎo)致腔體內(nèi)的氣場分布不均勻的問題。

2、本公開的實施例提供了一種反應(yīng)爐，包括：爐體，具有沿反應(yīng)腔；至少兩個進氣氣路，伸入反應(yīng)腔，每個進氣氣路設(shè)置有至少一個出氣口，一個進氣氣路的出氣口與另一個進氣氣路的出氣口的間距大于100mm。

3、在一些實施例中，反應(yīng)腔沿第一方向延伸，至少兩個進氣氣路包括：至少一個第一進氣氣路，第一進氣氣路具有沿第一方向間隔設(shè)置的多個出氣結(jié)構(gòu)，每個出氣結(jié)構(gòu)包括至少一個出氣口。

4、在一些實施例中，第一進氣氣路的數(shù)量為多個，一個第一進氣氣路的出氣口與另一個第一進氣氣路的出氣口的間距大于100mm。

5、在一些實施例中，反應(yīng)腔為對稱結(jié)構(gòu)；其中，第一進氣氣路的數(shù)量為兩個，兩個第一進氣氣路設(shè)置于反應(yīng)腔的相對的內(nèi)壁，且關(guān)于反應(yīng)腔的對稱面對稱設(shè)置；或，第一進氣氣路的數(shù)量為多個，多個第一進氣氣路沿反應(yīng)腔的內(nèi)壁周向排列。

6、在一些實施例中，出氣結(jié)構(gòu)包括多個出氣口，多個出氣口包括第一出氣口和第二出氣口，第一出氣口的朝向與第二出氣口的朝向交叉。

7、在一些實施例中，第一出氣口的朝向和第二出氣口的朝向之間的夾角介于120°至180°之間。

8、在一些實施例中，反應(yīng)腔沿第一方向延伸，至少兩個進氣氣路包括：第二進氣氣路，第二進氣氣路設(shè)置于爐體在第一方向上的第一端，第二進氣氣路設(shè)置有至少一個第三出氣口，第三出氣口與出氣結(jié)構(gòu)的間距大于100mm。

9、在一些實施例中，第三出氣口與出氣結(jié)構(gòu)的間距介于200mm至300mm之間。

10、在一些實施例中，還包括：排氣氣路，設(shè)置于爐體在第一方向上的第二端；其中，反應(yīng)腔具有靠近第二進氣氣路的第一區(qū)域、靠近排氣氣路的第二區(qū)域，以及位于第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的中部區(qū)域；其中，位于第一區(qū)域或第二區(qū)域的相鄰的出氣結(jié)構(gòu)的間距大于位于中部區(qū)域的相鄰的出氣結(jié)構(gòu)的間距。

11、在一些實施例中，位于第一區(qū)域的相鄰的出氣結(jié)構(gòu)的間距小于位于第二區(qū)域的相鄰的出氣結(jié)構(gòu)的間距。

12、在一些實施例中，反應(yīng)腔被配置為容納舟結(jié)構(gòu)，舟結(jié)構(gòu)被配置為承載片狀材料，在舟結(jié)構(gòu)被放置于反應(yīng)腔的情況下，片狀材料被放置于反應(yīng)腔內(nèi)的第一預(yù)設(shè)位置；其中，至少一個出氣結(jié)構(gòu)設(shè)置于第二預(yù)設(shè)位置，在垂直于第一方向的垂直方向上，第一預(yù)設(shè)位置在第一進氣氣路上的投影與第二預(yù)設(shè)位置交疊。

13、在一些實施例中，反應(yīng)爐包括第一爐門，第一爐門設(shè)置于爐體的一端。

14、本公開的實施例提供的一種反應(yīng)爐，其進氣氣路之間的出氣口的間距大于100mm，能夠有效避免不同進氣氣路的出氣口供應(yīng)的氣體相互干擾，有效提高了反應(yīng)腔內(nèi)氣場的均勻性，有利于提高待加工材料上鍍膜的質(zhì)量。

技術(shù)特征：

1.一種反應(yīng)爐，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)爐，其特征在于，所述反應(yīng)腔沿第一方向延伸，所述至少兩個進氣氣路包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)爐，其特征在于，所述第一進氣氣路的數(shù)量為多個，一個所述第一進氣氣路的所述出氣口與另一個所述第一進氣氣路的所述出氣口的間距大于100mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)爐，其特征在于，所述反應(yīng)腔為對稱結(jié)構(gòu)；

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一項所述的反應(yīng)爐，其特征在于，所述出氣結(jié)構(gòu)包括多個所述出氣口，多個所述出氣口包括第一出氣口和第二出氣口，所述第一出氣口的朝向與所述第二出氣口的朝向交叉。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的反應(yīng)爐，其特征在于，所述第一出氣口的朝向和所述第二出氣口的朝向之間的夾角介于120°至180°之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一項所述的反應(yīng)爐，其特征在于，所述至少兩個進氣氣路包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)爐，其特征在于，所述第三出氣口與相鄰的所述出氣結(jié)構(gòu)的間距介于200mm至300mm之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)爐，其特征在于，還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的反應(yīng)爐，其特征在于，位于所述第一區(qū)域的相鄰的所述出氣結(jié)構(gòu)的間距小于位于所述第二區(qū)域的相鄰的所述出氣結(jié)構(gòu)的間距。

11.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一項所述的反應(yīng)爐，其特征在于，所述反應(yīng)腔被配置為容納舟結(jié)構(gòu)，所述舟結(jié)構(gòu)被配置為承載片狀材料，在所述舟結(jié)構(gòu)被放置于所述反應(yīng)腔的情況下，所述片狀材料被放置于所述反應(yīng)腔內(nèi)的第一預(yù)設(shè)位置；

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)爐，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及半導(dǎo)體或光伏材料加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種反應(yīng)爐，解決了傳統(tǒng)的加工設(shè)備中，工藝進氣孔較為集中，容易產(chǎn)生相互干擾，導(dǎo)致腔體內(nèi)的氣場分布不均勻的問題。本公開的實施例提供的一種反應(yīng)爐，其進氣氣路之間的出氣口的間距大于100mm，能夠有效避免不同進氣氣路的出氣口供應(yīng)的氣體相互干擾，有效提高了反應(yīng)腔內(nèi)氣場的均勻性，有利于提高待加工材料上鍍膜的質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：祁文杰,盧秋霞,林佳繼
受保護的技術(shù)使用者：拉普拉斯（西安）科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：20240424
技術(shù)公布日：2024/12/19