本技術(shù)涉及氮化硅陶瓷球加工,尤其是涉及一種陶瓷球加工裝置。
背景技術(shù):
1、隨著氮化硅陶瓷球在高端制造產(chǎn)業(yè)和高精尖行業(yè)中的應(yīng)用對(duì)其性能也提出了更高的要求,陶瓷球作為陶瓷軸承的關(guān)鍵組件,其批直徑變動(dòng)量對(duì)陶瓷軸承的使用性能具有重要的影響。
2、陶瓷球的研磨方式對(duì)陶瓷球批直徑變動(dòng)量起著重要的作用,進(jìn)而影響陶瓷球的精密程度。陶瓷球在研磨過(guò)程中,由于研磨盤(pán)自?xún)?nèi)向外的每一條研磨溝道周長(zhǎng)不同,研磨盤(pán)每旋轉(zhuǎn)一周,不同溝道中的陶瓷球所經(jīng)過(guò)的路程均不相同。如在一個(gè)完整的研磨周期內(nèi),在一個(gè)或相鄰的幾個(gè)溝道內(nèi)進(jìn)行研磨的頻率也會(huì)較高,最終會(huì)導(dǎo)致整批陶瓷球中,內(nèi)外陶瓷球的批直徑變動(dòng)量以及尺寸公差較大。因此設(shè)計(jì)合理的陶瓷球加工用裝置,使內(nèi)外陶瓷球在每旋轉(zhuǎn)一周后,通過(guò)裝置作用,可及時(shí)調(diào)整和變換內(nèi)外溝道,這對(duì)提高陶瓷球批直徑變動(dòng)量具有重要意義。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本實(shí)用新型提供一種陶瓷球加工裝置,尤其是適用于高精度氮化硅陶瓷球加工,以解決現(xiàn)有技術(shù)中陶瓷球在加工過(guò)程中始終沿其初始的同一個(gè)研磨溝道研磨而導(dǎo)致其批直徑變動(dòng)量尺寸較大的技術(shù)問(wèn)題。
2、為解決至少一個(gè)上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
3、一種陶瓷球加工裝置,具有:
4、箱體,其下端面與下研磨盤(pán)接觸,且其底部被構(gòu)造為朝外延伸的弧形面;
5、通孔道,其被構(gòu)置在所述箱體側(cè)面上,所有所述通孔道傾斜地貫穿所述箱體設(shè)置;
6、加工時(shí),排布于下研磨盤(pán)溝道內(nèi)的陶瓷球被所述弧形面托起后可沿所述通孔道穿過(guò)所述箱體,滾落至與其上一周期所在溝道相異的其它溝道內(nèi)繼續(xù)研磨。
7、進(jìn)一步的,所述箱體為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu),其長(zhǎng)度橫跨下研磨盤(pán)的環(huán)徑寬度設(shè)置;且兩側(cè)的長(zhǎng)度側(cè)壁面上均配設(shè)有所述弧形面;
8、優(yōu)選地,所述箱體長(zhǎng)度方向的內(nèi)端面和外端面被構(gòu)造為弧面結(jié)構(gòu),其與下研磨盤(pán)的外徑相適配。
9、進(jìn)一步的,在所述箱體的側(cè)壁面上,沿其高度方向上構(gòu)置有若干排所述通孔道,且每排中的所述通孔道均被構(gòu)置在同一水平面上。
10、進(jìn)一步的,每排中的所有所述通孔道同向且均勻地間隔傾斜配置;
11、優(yōu)選地,相鄰兩排所述通孔道沿所述箱體的高度方向上下錯(cuò)位配置且互為異側(cè);
12、優(yōu)選地,所述通孔道的傾斜范圍為40-50°,且所有所述通孔道的傾斜角度均相同。
13、進(jìn)一步的,相鄰兩排的所述通孔道交叉傾斜構(gòu)置;且每排所述通孔道的寬度是所述箱體長(zhǎng)度尺寸的1/2-3/4。
14、進(jìn)一步的,在所述箱體的側(cè)壁面上,沿其高度方向還構(gòu)置有若干排凸起柱,所述凸起柱沿所述箱體的長(zhǎng)度方向設(shè)置,并與所述通孔道并排配置。
15、進(jìn)一步的,所述凸起柱被構(gòu)造在每排所述通孔道所在平面中的同一側(cè),并凸置于所述箱體的側(cè)壁面構(gòu)置;
16、優(yōu)選地,所述凸起柱配設(shè)在所述箱體的單側(cè)壁面或雙側(cè)壁面。
17、進(jìn)一步的,所述凸起柱的橫截面被構(gòu)造為半圓形結(jié)構(gòu);且所有所述凸起柱的結(jié)構(gòu)均相同;
18、優(yōu)選地,所述凸起柱與上下每排所述通孔道之間的高度間距為陶瓷球直徑的0.5-1倍;
19、進(jìn)一步的,所述弧形面的弧度為π/4-π/2;
20、優(yōu)選地,所述通孔道的直徑為陶瓷球直徑的1.2-1.5倍;
21、優(yōu)選地,每排所述通孔道之間的水平間距為陶瓷球直徑的0.5-0.8倍。
22、進(jìn)一步的,在所述箱體的上方還配設(shè)有用于固定其位置的固定板和立柱,所述立柱一端連接在所述箱體的頂部,另一端通過(guò)固定件連接在所述固定板上;
23、所述固定板與所述箱體并行配置,并在所述固定板的兩端還構(gòu)造有固定孔;
24、優(yōu)選地,在所述固定板的上端面還配設(shè)有標(biāo)識(shí)臺(tái)。
25、采用本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的一種陶瓷球加工裝置,可使處于同一下研磨盤(pán)中的陶瓷球,在每旋轉(zhuǎn)一周后,及時(shí)調(diào)整或變換內(nèi)外溝道,從而使陶瓷球在一個(gè)研磨周期內(nèi),最大限度地縮小各陶瓷球加工路程的差異化,可經(jīng)過(guò)相同的加工路程,進(jìn)而可降低陶瓷球的批直徑變動(dòng)量,以提高整批陶瓷球表面研磨的均勻性和加工精度。
1.一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,具有:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,所述箱體為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu),其長(zhǎng)度橫跨下研磨盤(pán)的環(huán)徑寬度設(shè)置;且兩側(cè)的長(zhǎng)度側(cè)壁面上均配設(shè)有所述弧形面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,所述箱體長(zhǎng)度方向的內(nèi)端面和外端面被構(gòu)造為弧面結(jié)構(gòu),其與下研磨盤(pán)的外徑相適配。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,在所述箱體的側(cè)壁面上,沿其高度方向上構(gòu)置有若干排所述通孔道,且每排中的所述通孔道均被構(gòu)置在同一水平面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,每排中的所有所述通孔道同向且均勻地間隔傾斜配置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,相鄰兩排所述通孔道沿所述箱體的高度方向,上下錯(cuò)位配置且互為異側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,所述通孔道的傾斜范圍為40-50°,且所有所述通孔道的傾斜角度均相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,相鄰兩排的所述通孔道交叉傾斜構(gòu)置;且每排所述通孔道的寬度是所述箱體長(zhǎng)度尺寸的1/2-3/4。
9.根據(jù)權(quán)利要求5-6、8任一項(xiàng)所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,在所述箱體的側(cè)壁面上,沿其高度方向還構(gòu)置有若干排凸起柱,所述凸起柱沿所述箱體的長(zhǎng)度方向設(shè)置,并與所述通孔道并排配置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,所述凸起柱被構(gòu)造在每排所述通孔道所在平面中的同一側(cè),并凸置于所述箱體的側(cè)壁面構(gòu)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,所述凸起柱配設(shè)在所述箱體的單側(cè)壁面或雙側(cè)壁面。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,所述凸起柱的橫截面被構(gòu)造為半圓形結(jié)構(gòu);且所有所述凸起柱的結(jié)構(gòu)均相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,所述凸起柱與上下每排所述通孔道之間的高度間距為陶瓷球直徑的0.5-1倍。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-3、5-6、8、10-11、13任一項(xiàng)所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,所述弧形面的弧度為π/4-π/2;
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,在所述箱體的上方還配設(shè)有用于固定其位置的固定板和立柱,所述立柱一端連接在所述箱體的頂部,另一端通過(guò)固定件連接在所述固定板上;
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的一種陶瓷球加工裝置,其特征在于,在所述固定板的上端面還配設(shè)有標(biāo)識(shí)臺(tái)。