所屬的技術(shù)人員能夠理解，本技術(shù)的各個(gè)方面可以實(shí)現(xiàn)為系統(tǒng)、方法或程序產(chǎn)品。因此，本技術(shù)的各個(gè)方面可以具體實(shí)現(xiàn)為以下形式，即：完全的硬件實(shí)施方式、完全的軟件實(shí)施方式(包括固件、微代碼等)，或硬件和軟件方面結(jié)合的實(shí)施方式，這里可以統(tǒng)稱為“電路”、“模塊”或“系統(tǒng)”。下面參照?qǐng)D4來(lái)描述根據(jù)本技術(shù)的這種實(shí)施方式的電子設(shè)備300。圖4顯示的電子設(shè)備300僅僅是一個(gè)示例，不應(yīng)對(duì)本技術(shù)實(shí)施例的功能和使用范圍帶來(lái)任何限制。如圖4所示，電子設(shè)備300以通用計(jì)算設(shè)備的形式表現(xiàn)。電子設(shè)備300的組件可以包括但不限于：上述至少一個(gè)處理單元310、上述至少一個(gè)存儲(chǔ)單元320、連接不同系統(tǒng)組件(包括存儲(chǔ)單元320和處理單元310)的總線330。其中，所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)有程序代碼，所述程序代碼可以被所述處理單元310執(zhí)行，使得所述處理單元310執(zhí)行本說(shuō)明書上述“實(shí)施例方法”部分中描述的根據(jù)本技術(shù)各種示例性實(shí)施方式的步驟。存儲(chǔ)單元320可以包括易失性存儲(chǔ)單元形式的可讀介質(zhì)，例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元(ram)321和/或高速緩存存儲(chǔ)單元322，還可以進(jìn)一步包括只讀存儲(chǔ)單元(rom)323。存儲(chǔ)單元320還可以包括具有一組(至少一個(gè))程序模塊325的程序/實(shí)用工具324，這樣的程序模塊325包括但不限于：操作系統(tǒng)、一個(gè)或者多個(gè)應(yīng)用程序、其它程序模塊以及程序數(shù)據(jù)，這些示例中的每一個(gè)或某種組合中可能包括網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的實(shí)現(xiàn)。總線330可以為表示幾類總線結(jié)構(gòu)中的一種或多種，包括存儲(chǔ)單元總線或者存儲(chǔ)單元控制器、外圍總線、圖形加速端口、處理單元或者使用多種總線結(jié)構(gòu)中的任意總線結(jié)構(gòu)的局域總線。電子設(shè)備300也可以與一個(gè)或多個(gè)外部設(shè)備400(例如鍵盤、指向設(shè)備、藍(lán)牙設(shè)備等)通信，還可與一個(gè)或者多個(gè)使得用戶能與該電子設(shè)備300交互的設(shè)備通信，和/或與使得該電子設(shè)備300能與一個(gè)或多個(gè)其它計(jì)算設(shè)備進(jìn)行通信的任何設(shè)備(例如路由器、調(diào)制解調(diào)器等等)通信。這種通信可以通過(guò)輸入/輸出(i/o)接口350進(jìn)行。并且，電子設(shè)備300還可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)適配器360與一個(gè)或者多個(gè)網(wǎng)絡(luò)(例如局域網(wǎng)(lan)，廣域網(wǎng)(wan)和/或公共網(wǎng)絡(luò)，例如因特網(wǎng))通信。如圖4所示，網(wǎng)絡(luò)適配器360通過(guò)總線330與電子設(shè)備300的其它模塊通信。應(yīng)當(dāng)明白，盡管圖中未示出，可以結(jié)合電子設(shè)備300使用其它硬件和/或軟件模塊，包括但不限于：微代碼、設(shè)備驅(qū)動(dòng)器、冗余處理單元、外部磁盤驅(qū)動(dòng)陣列、raid系統(tǒng)、磁帶驅(qū)動(dòng)器以及數(shù)據(jù)備份存儲(chǔ)系統(tǒng)等。本文中所描述的功能可在硬件、由處理器執(zhí)行的軟件、固件或其任何組合中實(shí)施。如果在由處理器執(zhí)行的軟件中實(shí)施，那么可將功能作為一或多個(gè)指令或代碼存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀媒體上或經(jīng)由計(jì)算機(jī)可讀媒體予以傳輸。其它實(shí)例及實(shí)施方案在本技術(shù)及所附權(quán)利要求書的范圍及精神內(nèi)。舉例來(lái)說(shuō)，歸因于軟件的性質(zhì)，上文所描述的功能可使用由處理器、硬件、固件、硬連線或這些中的任何者的組合執(zhí)行的軟件實(shí)施。此外，各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。在本技術(shù)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的技術(shù)內(nèi)容，可通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。其中，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，可以為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口，單元或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為控制裝置的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本技術(shù)的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可為個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本技術(shù)各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：u盤、只讀存儲(chǔ)器(rom，read-only?memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram，random?access?memory)、移動(dòng)硬盤、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。以上所述僅為本技術(shù)的實(shí)施例而已，并不用于限制本技術(shù)，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本技術(shù)可以有各種更改和變化。凡在本技術(shù)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本技術(shù)的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。

背景技術(shù)：

1、高純鎵結(jié)晶法是一種用于提純金屬鎵的重要工藝，雜質(zhì)元素在金屬鎵固態(tài)和液態(tài)中的溶解度存在差異，因此，通過(guò)多次結(jié)晶過(guò)程，以降低雜質(zhì)含量，從而提高鎵的純度。

2、目前，在結(jié)晶過(guò)程中，主要通過(guò)人工觀察和判斷液態(tài)金屬鎵的剩余質(zhì)量，根據(jù)剩余質(zhì)量對(duì)溫度場(chǎng)進(jìn)行人工調(diào)整，從而控制結(jié)晶率和結(jié)晶速度，但是，一方面，人工判斷得到的剩余質(zhì)量的準(zhǔn)確性較差，導(dǎo)致結(jié)晶率和結(jié)晶速度的控制效果較差，另一方面，人工參與次數(shù)較多，導(dǎo)致生產(chǎn)效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的實(shí)施例提供了一種高純鎵的提純系統(tǒng)及方法，可以對(duì)結(jié)晶速度進(jìn)行自動(dòng)控制。

2、本技術(shù)的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過(guò)本技術(shù)的實(shí)踐而習(xí)得。

3、根據(jù)本技術(shù)的第一方面，提供了一種高純鎵結(jié)晶控制方法，應(yīng)用于結(jié)晶槽，所述結(jié)晶槽用于對(duì)液體金屬鎵進(jìn)行結(jié)晶，所述方法包括：

4、獲取所述結(jié)晶槽內(nèi)底部的當(dāng)前壓力；

5、根據(jù)所述當(dāng)前壓力確定所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵的當(dāng)前質(zhì)量；

6、根據(jù)所述當(dāng)前質(zhì)量，確定所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵在當(dāng)前時(shí)間段內(nèi)的質(zhì)量減少量，根據(jù)所述質(zhì)量減少量確定所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵的當(dāng)前結(jié)晶速度；

7、判斷所述當(dāng)前結(jié)晶速度是否等于預(yù)設(shè)結(jié)晶速度，若否，則根據(jù)所述當(dāng)前結(jié)晶速度和所述預(yù)設(shè)結(jié)晶速度的大小關(guān)系，對(duì)所述結(jié)晶槽的溫度場(chǎng)進(jìn)行控制。

8、在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，基于前述方案，所述根據(jù)所述當(dāng)前壓力確定所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵的當(dāng)前質(zhì)量，包括：

9、根據(jù)目標(biāo)關(guān)系和所述當(dāng)前壓力，確定所述當(dāng)前質(zhì)量，其中，所述目標(biāo)關(guān)系為所述結(jié)晶槽內(nèi)的液體金屬鎵的質(zhì)量和所述結(jié)晶槽內(nèi)底部的壓力的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

10、在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，基于前述方案，在所述根據(jù)目標(biāo)關(guān)系和所述當(dāng)前壓力，確定所述當(dāng)前質(zhì)量之前，還包括：

11、在所述結(jié)晶槽對(duì)液體金屬鎵進(jìn)行結(jié)晶的過(guò)程中，檢測(cè)至少三個(gè)時(shí)間點(diǎn)的樣本數(shù)據(jù)對(duì)，所述樣本數(shù)據(jù)對(duì)包括所述結(jié)晶槽內(nèi)底部的壓力樣本值和所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵的質(zhì)量樣本值；

12、根據(jù)所述至少三個(gè)時(shí)間點(diǎn)的樣本數(shù)據(jù)對(duì)，確定所述目標(biāo)關(guān)系。

13、在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，基于前述方案，所述結(jié)晶槽的底部設(shè)置有出料管，對(duì)結(jié)晶槽內(nèi)的液體金屬鎵進(jìn)行結(jié)晶時(shí)，所述出料管處于關(guān)閉狀態(tài)，所述獲取所述結(jié)晶槽內(nèi)底部的當(dāng)前壓力，包括：

14、在對(duì)所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵進(jìn)行結(jié)晶的過(guò)程中，調(diào)整所述出料管至關(guān)閉狀態(tài)，并按照第一預(yù)設(shè)溫度對(duì)所述出料管進(jìn)行加熱，其中，所述第一預(yù)設(shè)溫度大于30℃；

15、在所述出料管的預(yù)設(shè)位置，檢測(cè)得到所述出料管內(nèi)的液體金屬鎵的第一壓力；

16、根據(jù)所述第一壓力和預(yù)設(shè)壓力的差值，確定所述當(dāng)前壓力，其中，所述預(yù)設(shè)壓力為所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵的液面和所述出料管的位于所述結(jié)晶槽內(nèi)的端部平齊時(shí)，在所述出料管的預(yù)設(shè)位置檢測(cè)到的壓力。

17、在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，基于前述方案，所述結(jié)晶槽的溫度場(chǎng)包括位于所述結(jié)晶槽外的冷卻溫度場(chǎng)，所述冷卻溫度場(chǎng)小于28℃，所述根據(jù)所述當(dāng)前結(jié)晶速度和所述預(yù)設(shè)結(jié)晶速度的大小關(guān)系，對(duì)所述結(jié)晶槽的溫度場(chǎng)進(jìn)行控制，包括：

18、若所述當(dāng)前結(jié)晶速度大于所述預(yù)設(shè)結(jié)晶速度，則增大所述冷卻溫度場(chǎng)的溫度；

19、若所述當(dāng)前結(jié)晶速度小于所述預(yù)設(shè)結(jié)晶速度，則減小所述冷卻溫度場(chǎng)的溫度。

20、在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，基于前述方案，在所述根據(jù)所述當(dāng)前壓力確定所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵的當(dāng)前質(zhì)量之后，還包括：

21、根據(jù)所述當(dāng)前質(zhì)量和預(yù)設(shè)質(zhì)量，確定當(dāng)前結(jié)晶率，所述預(yù)設(shè)質(zhì)量為所述結(jié)晶槽內(nèi)的液體金屬鎵未結(jié)晶時(shí)的質(zhì)量；

22、判斷所述當(dāng)前結(jié)晶率是否等于預(yù)設(shè)結(jié)晶率，若是，則停止對(duì)所述結(jié)晶槽內(nèi)的液體金屬鎵進(jìn)行結(jié)晶。

23、根據(jù)本技術(shù)的第二方面，提供了一種高純鎵控制裝置，包括：

24、檢測(cè)組件，用于檢測(cè)所述結(jié)晶槽內(nèi)底部的當(dāng)前壓力；

25、控制器，用于獲取所述結(jié)晶槽內(nèi)底部的當(dāng)前壓力，并根據(jù)所述當(dāng)前壓力確定所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵的當(dāng)前質(zhì)量，根據(jù)所述當(dāng)前質(zhì)量，確定所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵在當(dāng)前時(shí)間段內(nèi)的質(zhì)量減少量，根據(jù)所述質(zhì)量減少量確定所述結(jié)晶槽內(nèi)液體金屬鎵的當(dāng)前結(jié)晶速度，調(diào)整單元，判斷所述當(dāng)前結(jié)晶速度是否等于預(yù)設(shè)結(jié)晶速度，若否，則根據(jù)所述當(dāng)前結(jié)晶速度和所述預(yù)設(shè)結(jié)晶速度的大小關(guān)系，對(duì)所述結(jié)晶槽的溫度場(chǎng)進(jìn)行控制。

26、根據(jù)本技術(shù)的第三方面，提供了一種高純鎵結(jié)晶系統(tǒng)，包括：

27、本技術(shù)第二方面任一實(shí)施例所述的一種高純鎵結(jié)晶控制裝置；

28、結(jié)晶槽，用于對(duì)液體金屬鎵進(jìn)行結(jié)晶；

29、攪拌組件，包括封閉的盛放第一液體介質(zhì)的空心殼體、驅(qū)動(dòng)所述空心殼體在所述結(jié)晶槽內(nèi)升降的驅(qū)動(dòng)件、將所述第一液體介質(zhì)加熱到第二預(yù)設(shè)溫度以上的第一加熱件，其中，所述第一加熱件連接所述控制器，所述第二預(yù)設(shè)溫度為30℃；

30、外溫組件，包括設(shè)置于所述結(jié)晶槽外的外殼，所述外殼和所述結(jié)晶槽之間形成封閉的用于盛放第二液體介質(zhì)的腔室，所述腔室上設(shè)有將所述第二液體介質(zhì)冷卻到第三預(yù)設(shè)溫度以下的冷卻件，其中，所述冷卻件連接所述控制器，所述第三預(yù)設(shè)溫度為28℃。

31、根據(jù)本技術(shù)的第四方面，提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序包括可執(zhí)行指令，當(dāng)該可執(zhí)行指令被處理器執(zhí)行時(shí)，實(shí)現(xiàn)本技術(shù)第一方面任一實(shí)施例所述的方法。

32、根據(jù)本技術(shù)的第五方面，提供了一種電子設(shè)備，包括：一個(gè)或多個(gè)處理器；存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)所述處理器的可執(zhí)行指令，當(dāng)所述可執(zhí)行指令被所述一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)，使得所述一個(gè)或多個(gè)處理器實(shí)現(xiàn)本技術(shù)第一方面任一實(shí)施例所述的方法。

33、本技術(shù)的有益效果如下：

34、根據(jù)當(dāng)前壓力可以確定當(dāng)前結(jié)晶速度，在當(dāng)前結(jié)晶速度不等于預(yù)設(shè)結(jié)晶速度時(shí)，根據(jù)所述當(dāng)前結(jié)晶速度和所述預(yù)設(shè)結(jié)晶速度的大小關(guān)系，對(duì)所述結(jié)晶槽的溫度場(chǎng)進(jìn)行控制，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)結(jié)晶速度的自動(dòng)控制。

35、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本技術(shù)。