本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及有機材料蒸鍍用掩膜板。

背景技術(shù)：

目前，現(xiàn)有的oled(organiclightemittingdiode，有機發(fā)光二極管)顯示面板中，通常采用真空蒸鍍工藝來形成各功能層。在蒸鍍過程中，一般需要使用掩膜板。掩膜板的作用是通過開孔區(qū)將材料蒸鍍至相應(yīng)的位置，以形成對應(yīng)的功能層。

具體地，如圖1所示，坩堝11內(nèi)添置有待蒸鍍的oled材料。在真空度小于10^-5pa的環(huán)境下，坩堝11緩慢升溫。當溫度達到oled材料的升華溫度以后，oled材料慢慢變成氣態(tài)升華上來，如圖1中所示的氣態(tài)oled材料12。氣態(tài)oled材料12穿過掩膜板13的開孔。氣態(tài)分子在基板14的表面沉積，并降溫凝結(jié)成固態(tài)分子。oled材料分子在基板14上不斷堆積，最終慢慢形成相應(yīng)功能的薄膜層。

然而，現(xiàn)有的掩膜板一般是將掩膜焊接在金屬框架上。金屬框架往往為實心結(jié)構(gòu)。在蒸鍍過程中，oled材料會附著在掩膜板上。為了避免這些附著的材料成為后續(xù)蒸鍍時的異物，也避免影響蒸鍍精度，因此需要對掩膜板進行清洗。但是這些附著材料很難清洗干凈，尤其是焊接區(qū)域的縫隙中附著的材料。因此需要一種可以加熱的掩膜板，來改善其清洗效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，本申請?zhí)峁┝艘环N改進的有機材料蒸鍍用掩膜板，來解決以上背景技術(shù)部分提到的技術(shù)問題。

本申請實施例提供了一種有機材料蒸鍍用掩膜板，該掩膜板包括框架和固定于框架上的至少一個掩膜；框架形成一封閉的開口，每一掩膜至少覆蓋部分開口，并與框架焊接固定；框架為中空結(jié)構(gòu)，框架的中空結(jié)構(gòu)中設(shè)置有加熱裝置，用于提高框架的溫度。

在一些實施例中，框架為整體式結(jié)構(gòu)。

在一些實施例中，框架為組合式結(jié)構(gòu)。

在一些實施例中，框架包括上半部和下半部，上半部中朝向下半部的表面形成有第一凹槽，下半部中朝向上半部的表面形成有第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽相配合形成中空結(jié)構(gòu)。

在一些實施例中，框架包括上半部和下半部，上半部中朝向下半部的表面形成有凹槽，下半部中朝向上半部的表面形成有凸塊，凹槽和凸塊相配合形成中空結(jié)構(gòu)。

在一些實施例中，框架的內(nèi)表面和外表面的橫截面形狀包括多邊形或圓形，其中，內(nèi)表面為框架中形成中空結(jié)構(gòu)的表面，外表面為框架中與內(nèi)表面相對的表面。

在一些實施例中，加熱裝置包括電熱絲或電熱管；框架上設(shè)置有密封接口，用于向加熱裝置傳輸電力。

在一些實施例中，加熱裝置為金屬線圈，用于在磁場作用下產(chǎn)生熱量。

在一些實施例中，框架的材料為金屬材料，其中，金屬材料在0℃-350℃之間的熱膨脹系數(shù)不大于2.0×10^-6/℃，包括不銹鋼。

在一些實施例中，框架的材料為非金屬材料，且在框架的外表面中，與掩膜焊接固定的表面鍍有金屬膜層。

在一些實施例中，非金屬材料在0℃-350℃之間的熱膨脹系數(shù)不大于2.0×10^-6/℃，包括玻璃或陶瓷；用于形成金屬膜層的金屬材料在0℃-350℃之間的熱膨脹系數(shù)不大于2.0×10^-6/℃。

本申請實施例提供的有機材料蒸鍍用掩膜板，通過將用于固定掩膜的框架設(shè)計為中空結(jié)構(gòu)，并在中空結(jié)構(gòu)中設(shè)置加熱裝置。這樣在對掩膜板進行清洗時，可以通過加熱裝置進行加熱，以提高框架的溫度。這樣有助于附著在框架上的各種有機材料的加速溶解，尤其是焊接區(qū)域的縫隙中的有機材料，進而可以改善清洗效果。同時也有利于延長掩膜板的使用壽命，從而降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：

圖1是oled材料真空蒸鍍過程的示意圖；

圖2是本申請?zhí)峁┑难谀ぐ宓囊粋€實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；整體

圖3是圖2所示的掩膜板的一個實施例的剖視結(jié)構(gòu)圖；

圖4是框架的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是框架的又一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是框架的再一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是框架的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本申請的原理和特征作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細說明本申請。

請參見圖2，其示出了本申請?zhí)峁┑难谀ぐ宓囊粋€實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例中的有機材料蒸鍍用掩膜板可以包括框架和固定于框架上的至少一個掩膜?？蚣苄纬梢环忾]的開口。每一掩膜至少覆蓋部分開口，并與框架焊接固定?？蚣転橹锌战Y(jié)構(gòu)，框架的中空結(jié)構(gòu)中設(shè)置有加熱裝置，用于提高框架的溫度。

如圖2所示，掩膜板包括框架21、掩膜22和掩膜23。框架21主要起到固定支撐作用?？蚣?1可以包括四個邊框。四個邊框依次首尾相連，從而形成矩形的封閉開口，如圖2中粗實線所圍成的區(qū)域。掩膜22和掩膜23均與框架21焊接固定，所以在框架21兩側(cè)形成有多個焊接點24。掩膜22可以覆蓋開口的上半部分，掩膜23則可以覆蓋開口的下半部分。同時，掩膜22和掩膜23上可以形成有多個開孔，如圖2中的開孔221和開孔231。這樣在進行有機材料蒸鍍時，有機材料的氣體分子可以穿過開孔221和開孔231，從而在基板對應(yīng)于開孔221和開孔231的位置上凝結(jié)堆積，進而形成有機膜層。

可以理解的是，在蒸鍍過程中，有機材料也會附著在掩膜板的框架21、掩膜22和掩膜23上。但不同工序之間的有機材料往往是不同的，所以前一工序附著的有機材料對于下一工序來說，很可能屬于不必要的材料，有時甚至會成為后續(xù)蒸鍍工序的異物。而且隨著有機材料的附著量不斷增加，會影響掩膜22和掩膜23上的開孔221和開孔231的尺寸，進而影響蒸鍍后的有機膜層的位置和尺寸精度等。因此需要將掩膜板上的有機材料盡可能清洗干凈。

為了改善掩膜板的清洗效果，本實施例中的框架21可以為中空結(jié)構(gòu)，具體可以參見圖3，其示出了圖2所示的掩膜板沿n-n＇的剖視結(jié)構(gòu)圖。如圖3所示，中空結(jié)構(gòu)是指框架21的內(nèi)部為空心。此時在中空結(jié)構(gòu)中可以設(shè)置有加熱裝置25。這樣在清洗掩膜板時，可以利用加熱裝置25進行加熱，以提高框架21的溫度，從而加速附著在掩膜板上的有機材料的溶解，進而將掩膜板清洗的更加干凈，尤其是可以改善焊接點24周圍的清洗效果。因為焊接點處的表面粗糙度較大，容易堆積較多的有機材料，且焊縫中的有機材料不易清洗。而且通過加熱裝置的加熱，可以使掩膜板的清洗工作更加容易，有利于縮短清洗時間，提高生產(chǎn)效率。同時可以延長掩膜板的使用壽命，減低生產(chǎn)成本。

需要說明的是，圖2中掩膜的數(shù)量、焊接點的位置和數(shù)量僅僅是示意性的。例如掩膜板可以僅包含一個掩膜，此掩膜的完全覆蓋框架所形成的開口。并且掩膜與框架的四邊焊接固定。此外，框架和加熱裝置的形狀和材質(zhì)在本申請中并不限制。但在設(shè)計時要考慮框架的承載支撐以及加熱裝置的溫度范圍。

在本實施例的一些可選地實現(xiàn)方式中，框架可以為整體式結(jié)構(gòu)。整體式結(jié)構(gòu)是指框架是由一個中空組件構(gòu)成的。而框架的邊框是通過對該中空組件進行彎折所形成的。此時的框架在首尾連接處形成一焊縫。而圖2中所示的框架21在四個邊框的連接處均形成一焊縫。即框架21是由四個中空組件拼接構(gòu)成的。也就是說，框架也可以為組合式結(jié)構(gòu)。組合式結(jié)構(gòu)是指框架是由多個組件構(gòu)成的。具體可以參見圖4和圖5，其分別示出了組合式結(jié)構(gòu)的框架的兩個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖4所示，框架可以包括上半部211和下半部212。上半部211中朝向下半部212的表面形成有第一凹槽a。且下半部212中朝向上半部211的表面形成有第二凹槽b。第一凹槽a和第二凹槽b相配合形成中空結(jié)構(gòu)。

在這里，掩膜可以與上半部211固定，即掩膜焊接在上半部211中背離下半部212的表面上。此時，加熱裝置可以設(shè)置于第二凹槽b中。這樣當需要更換掩膜板時，可以僅更換框架中與掩膜焊接固定的上半部211，從而節(jié)省加熱裝置和框架的下半部212，降低生產(chǎn)成本。作為示例，掩膜也可以與下半部212固定，而加熱裝置則可以設(shè)置于第一凹槽a中。另外，由于掩膜和加熱裝置分別設(shè)置在框架的不同組件上，所以便于框架的加工和組裝。

從圖4中可知，下半部212可以部分嵌入第一凹槽a中，從而使第一凹槽a和第二凹槽b相配合形成中空結(jié)構(gòu)。當然，在下半部212完全嵌入到第一凹槽a中時，即下半部212中背離上半部211的表面與上半部211中形成有第一凹槽a的表面處于同一水平面，同樣可以使第一凹槽a和第二凹槽b相配合形成中空結(jié)構(gòu)。作為示例，也可以將上半部211的至少部分嵌入第二凹槽b中，以形成中空結(jié)構(gòu)。形成中空結(jié)構(gòu)的具體方式在本申請中并不限制。另外，上半部211和下半部212可以通過多種方式進行固定，例如緊密配合(過盈或過渡配合)、焊接或螺釘?shù)??？梢岳斫獾氖牵ㄟ^緊密配合或焊接的方式，還可以有效地防止有機材料經(jīng)上半部與下半部之間的縫隙進入框架的內(nèi)部，增加清洗難度。

繼續(xù)參見圖5，與圖4所示的框架相同的是，圖5中的框架同樣可以包括上半部211和下半部212。而且上半部211中朝向下半部212的表面也形成有凹槽c。

與圖4所示的框架不同的是，圖5中的框架的下半部212中朝向上半部211的表面形成有凸塊d。此時，凹槽c和凸塊d相配合形成中空結(jié)構(gòu)。如圖5所示，凸塊d嵌入至凹槽c中以形成中空結(jié)構(gòu)。且上半部211的兩側(cè)壁之間的寬度與下半部212的兩側(cè)壁之間的寬度相同。此時，凸塊d還可以對經(jīng)上半部211與下半部212之間的縫隙進入框架內(nèi)部的有機材料氣體起到一定的阻擋作用。在這里，掩膜可以(但不限于)與下半部212固定，加熱裝置則可以(但不限于)設(shè)置于凹槽c中。

從圖2-圖5中所示的框架可知，框架的內(nèi)表面和外表面的橫截面形狀可以包括但不限于多邊形或圓形。其中，內(nèi)表面為框架中形成中空結(jié)構(gòu)的表面。外表面為框架中與內(nèi)表面相對的表面?？梢岳斫獾氖?，當框架為組合式結(jié)構(gòu)時，這里所說的內(nèi)表面的橫截面形狀是指最終組合形成的中空結(jié)構(gòu)的橫截面形狀可以近似為多邊形或圓形等。而用于組合該中空結(jié)構(gòu)的表面的形狀，例如上述實施例中的第一凹槽和第二凹槽的表面形狀通?？梢詾榉欠忾]形狀，如折線或曲線等。同理，當框架為組合式結(jié)構(gòu)時，外表面的橫截面形狀也是指最終組合形成的框架的外表面的橫截面形狀可以近似為多邊形或圓形等。

需要說明的是，一個掩膜板通?？梢酝瑫r對多個顯示面板進行有機材料蒸鍍，所以框架所形成的開口一般(但不限于)為矩形。而掩膜上的開孔與具體蒸鍍的顯示面板的形狀和膜層的形狀有關(guān)，所以開孔的形狀可以為圓形、橢圓形或多邊形等。

此外，本申請中的加熱裝置可以為各種具有加熱功能的組件。例如加熱裝置可以為利用電加熱的加熱裝置，包括電熱絲或電熱管等。此時，由于加熱裝置需要與電源電連接，所以如圖6所示，框架21上可以設(shè)置有接口26，具體設(shè)置位置并不限制。接口26用于向設(shè)置于框架21內(nèi)部的加熱裝置傳輸電力?？梢岳斫獾氖?，為了避免在蒸鍍或清洗過程中，氣體或液體經(jīng)接口26進入框架的內(nèi)部，接口26通常采用密封設(shè)計，以起到防護作用。

在一些應(yīng)用場景中，本申請中的加熱裝置還可以為利用電磁生熱的加熱裝置。此時加熱裝置可以為金屬線圈，用于在磁場作用下產(chǎn)生熱量。具體地，在清洗過程中，可以將掩膜板放置于交變磁場的環(huán)境中，金屬線圈切割交變磁力線而產(chǎn)生交變的電流(即渦流)。渦流可以使金屬線圈中的原子做高速無規(guī)則運動。這樣原子互相碰撞、摩擦而產(chǎn)生熱能，從而提高框架的溫度。

另外，需要說明的是，本申請中的框架的材料可以為金屬材料，也可以為非金屬材料。但需要注意的是，無論框架采用何種材料，其熱膨脹系數(shù)都不能太大。否則在蒸鍍過程中，框架會隨著溫度的升高而產(chǎn)生較大形變，進而影響蒸鍍位置和尺寸精度等。作為示例，若框架的材料為金屬材料，則該金屬材料在0℃-350℃之間的熱膨脹系數(shù)要不大于2.0×10^-6/℃。在這里，由于蒸鍍的溫度通常在200℃-300℃之間，所以金屬材料的熱膨脹系數(shù)可以是在0℃-350℃之間的平均熱膨脹系數(shù)，也可以是在200℃-300℃之間的平均熱膨脹系數(shù)。另外，在蒸鍍或清洗過程中，可能會用到化學溶劑，所以框架所采用的的材料還應(yīng)具有耐腐蝕的特性，有助于延長掩膜板的使用壽命。綜上分析，該金屬材料可以包括不銹鋼，如因瓦合金。因瓦合金也叫不脹鋼，其平均熱膨脹系數(shù)一般為1.5×10^-6/℃，被廣泛用于制做精密測量元件。

作為示例，若框架的材料為非金屬材料，則非金屬材料在0℃-350℃之間的熱膨脹系數(shù)同樣要不大于2.0×10^-6/℃。非金屬材料可以包括(但不限于)玻璃或陶瓷，從而有助于降低生產(chǎn)成本或減小框架的重量。此時，為了保證掩膜與框架的焊接固定，在框架的外表面中，至少與掩膜焊接固定的表面可以鍍有金屬膜層。如圖7所示，在框架21的對向設(shè)置的兩邊框的上表面鍍有金屬膜層27。并且用于形成金屬膜層27的金屬材料在0℃-350℃之間的熱膨脹系數(shù)也要不大于2.0×10^-6/℃。這里的熱膨脹系數(shù)可以是在0℃-350℃之間的平均熱膨脹系數(shù)，也可以是在200℃-300℃之間的平均熱膨脹系數(shù)。但需要注意的是，要采用熱膨脹系數(shù)接近的非金屬材料和金屬膜層來制作框架，這樣可以保證在蒸鍍過程中，非金屬材料和金屬膜層的形變相近，從而避免金屬膜層出現(xiàn)裂紋或脫落等情況，延長框架的使用壽命。

以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解，本申請中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進行互相替換而形成的技術(shù)方案。