本發(fā)明涉及顯示產(chǎn)品的制作領(lǐng)域，具體涉及一種押元結(jié)構(gòu)和基板承載裝置。

背景技術(shù)：

在顯示產(chǎn)品的制作過程中，通常采用采用磁控濺射的方式在基板上鍍膜。在磁控濺射的過程中，基板固定在基板承載裝置上，靶材與所述基板相對(duì)設(shè)置。其中，所述基板承載裝置包括押元結(jié)構(gòu)、托盤、支撐柱，支撐柱穿過托盤以支撐基板，押元結(jié)構(gòu)環(huán)繞基板設(shè)置，以對(duì)基板進(jìn)行夾持固定。押元結(jié)構(gòu)對(duì)基板的施力直接影響著基板的平整度，從而影響了鍍膜的均一性，影響產(chǎn)品品質(zhì)。

另外，對(duì)于尺寸較大的基板，濺射的靶材一般采用多條相對(duì)獨(dú)立靶材拼接的方式設(shè)計(jì)，靶材之間存在間隙。在濺射成膜時(shí)，基板上與靶材相對(duì)的位置形成的膜層較厚，而與靶材之間的間隙相對(duì)的位置形成的膜層較薄，從而也會(huì)影響鍍膜的均一性。

因此，如何提高濺射鍍膜的均一性成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種押元結(jié)構(gòu)和基板承載裝置，以提高成膜的均一性。

為了解決上述技術(shù)問題之一，本發(fā)明提供一種押元結(jié)構(gòu)，用于夾持基板，所述基板包括相對(duì)設(shè)置的上表面和下表面以及連接在所述上表面和所述下表面之間的側(cè)面，所述押元結(jié)構(gòu)包括多個(gè)夾持部，多個(gè)所述夾持部用于環(huán)繞被夾持的基板設(shè)置并與該被夾持的基板的側(cè)面相對(duì)，所述押元結(jié)構(gòu)還包括第一驅(qū)動(dòng)模塊，該第一驅(qū)動(dòng)模塊用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)所述夾持部朝向或遠(yuǎn)離所述被夾持的基板移動(dòng)。

優(yōu)選地，所述夾持部用于朝向所述被夾持的基板的一側(cè)設(shè)置有第一壓力檢測(cè)層，該第一壓力檢測(cè)層用于檢測(cè)所述夾持部與所述被夾持的基板之間的壓力；

所述第一驅(qū)動(dòng)模塊用于根據(jù)所述第一壓力檢測(cè)層檢測(cè)到的壓力驅(qū)動(dòng)所述夾持部朝向或遠(yuǎn)離所述被夾持的基板移動(dòng)，以使每個(gè)所述第一壓力檢測(cè)層檢測(cè)到的壓力均處于相應(yīng)的預(yù)定壓力范圍內(nèi)。

優(yōu)選地，所述押元結(jié)構(gòu)還包括彎曲度檢測(cè)器件，所述彎曲度檢測(cè)器件用于檢測(cè)所述被夾持的基板的彎曲度；

所述第一驅(qū)動(dòng)模塊還用于根據(jù)所述彎曲度檢測(cè)器件檢測(cè)到的彎曲度驅(qū)動(dòng)所述夾持部移動(dòng)，直至所述彎曲度檢測(cè)器件檢測(cè)到的彎曲度處于預(yù)定彎曲度范圍內(nèi)。

優(yōu)選地，所述押元結(jié)構(gòu)還包括支架，該支架設(shè)置在所述夾持部下方，

所述第一驅(qū)動(dòng)模塊包括第一控制器和與所述夾持部一一對(duì)應(yīng)的第一磁性組件，所述第一磁性組件包括磁極相對(duì)設(shè)置的第一磁體和第二磁體，其中，

所述第一磁體固定設(shè)置在所述支架上；所述第二磁體位于所述夾持部下方，且所述第二磁體與所述夾持部保持相對(duì)固定并能夠與所述支架發(fā)生相對(duì)移動(dòng)；所述第一磁體和所述第二磁體中至少一者的磁性大小可調(diào)，所述第一控制器用于調(diào)節(jié)所述第一磁體和所述第二磁體中磁性可調(diào)的一者或兩者的磁性大小。

優(yōu)選地，所述押元結(jié)構(gòu)還包括與所述夾持部一一對(duì)應(yīng)相連的支撐部，所述支撐部包括用于與所述被夾持的基板的下表面接觸的支撐面，所述支撐面上設(shè)置有第二壓力檢測(cè)層，所述第二壓力檢測(cè)層用于檢測(cè)所述支撐部與所述被夾持的基板之間的壓力；

所述押元結(jié)構(gòu)還包括第二驅(qū)動(dòng)模塊，該第二驅(qū)動(dòng)模塊用于根據(jù)所述第二壓力檢測(cè)層檢測(cè)到的壓力驅(qū)動(dòng)所述支撐部沿所述被夾持的基板的厚度方向移動(dòng)，直至任意兩個(gè)所述第二壓力檢測(cè)層檢測(cè)到的壓力之差均不大于預(yù)定壓力差。

優(yōu)選地，所述第二驅(qū)動(dòng)模塊包括第二控制器和與所述支撐部一一對(duì)應(yīng)的第二磁性組件，所述第二磁性組件包括磁極相對(duì)設(shè)置的第三磁體和第四磁體，其中，

所述第三磁體固定設(shè)置在所述支架上；所述第四磁體位于所述支撐部下方，且所述第四磁體與所述支撐部保持相對(duì)固定并能夠與所述支架發(fā)生相對(duì)移動(dòng)；所述第三磁體和所述第四磁體中至少一者的磁性大小可調(diào)，所述第二控制器用于調(diào)節(jié)所述第三磁體和所述第四磁體中磁性可調(diào)的一者或兩者的磁性大小。

優(yōu)選地，所述支架包括直立部和水平部，所述直立部與所述水平部呈十字形交叉設(shè)置，所述直立部的頂端和底端均設(shè)置有所述第一磁體，所述水平部的靠近和遠(yuǎn)離所述被夾持基板所在區(qū)域的兩端均設(shè)置有所述第三磁體。

優(yōu)選地，所述第一壓力檢測(cè)層和所述第二壓力檢測(cè)層的材料均包括碳納米管導(dǎo)電橡膠。

優(yōu)選地，所述第一壓力檢測(cè)層與所述夾持部之間還設(shè)置有第一電致伸縮層，所述第一驅(qū)動(dòng)模塊還用于在控制所述夾持部移動(dòng)的同時(shí)，控制所述第一電致伸縮層沿所述夾持部的移動(dòng)方向伸縮；

所述第二壓力檢測(cè)層與所述支撐部之間還設(shè)置有第二電致伸縮層，所述第二驅(qū)動(dòng)模塊還用于在控制所述支撐部升降的同時(shí)，控制所述第二電致伸縮部沿所述支撐部的移動(dòng)方向伸縮。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種基板承載裝置，包括托盤和多個(gè)支撐柱，所述托盤包括基板承載區(qū)，所述支撐柱位于所述基板承載區(qū)并穿過所述托盤；所述基板承載裝置還包括本發(fā)明提供的上述押元結(jié)構(gòu)，所述押元結(jié)構(gòu)的多個(gè)夾持部環(huán)繞所述基板承載區(qū)設(shè)置。

在本發(fā)明中，由于第一驅(qū)動(dòng)模塊可以驅(qū)動(dòng)夾持部移動(dòng)，因此，在濺射過程中，通過將夾持部朝向或遠(yuǎn)離被夾持的基板移動(dòng)，可以調(diào)節(jié)押元結(jié)構(gòu)對(duì)基板的夾持力，從而調(diào)節(jié)被夾持的基板的平整度。在實(shí)際應(yīng)用中，可以將夾持部對(duì)基板的壓力調(diào)節(jié)至合適的范圍，使得押元結(jié)構(gòu)既能夠穩(wěn)定地夾持基板，又可以提高基板的平整度，進(jìn)而提高成膜的均一性。另外，在濺射過程中，通過驅(qū)動(dòng)夾持部移動(dòng)來驅(qū)動(dòng)基板移動(dòng)，以使得基板上原本對(duì)應(yīng)于靶材之間間隙的部分可以移動(dòng)至與靶材相對(duì)，從而也可以提高成膜的均一性。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中夾持有基板的押元結(jié)構(gòu)的俯視圖；

圖2是圖1沿aa線的剖視圖；

圖3是濺射過程中利用押元結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)基板平整性的方法流程圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例中承載有基板的基板承載結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖5是基板承載結(jié)構(gòu)中的托盤、基座和支撐柱的俯視圖。

其中，附圖標(biāo)記為：

10、夾持部；11、支撐部；121、第一壓力檢測(cè)層；122、第二壓力檢測(cè)層；131、第一電致伸縮層；132、第二電致伸縮層；14、支架；141、基礎(chǔ)部；142、直立部；143、水平部；15、絕緣間隔部；161-162、磁體安裝部；171、第一磁體；172、第二磁體；173、第三磁體；174、第四磁體；18、紅外傳感器；20、基板；30、托盤；40、支撐柱；50、基座。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

作為本發(fā)明的一方面，提供一種押元結(jié)構(gòu)，用于夾持基板，所述基板包括相對(duì)設(shè)置的上表面和下表面以及連接在所述上表面和所述下表面之間的側(cè)面。圖1為夾持有基板的押元結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2為圖1沿aa線的剖視圖，結(jié)合如圖1和圖2所示，所述押元結(jié)構(gòu)包括多個(gè)夾持部10和第一驅(qū)動(dòng)模塊，多個(gè)夾持部10用于環(huán)繞被夾持的基板20設(shè)置并與該被夾持的基板20的側(cè)面相對(duì)。第一驅(qū)動(dòng)模塊用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)夾持部10朝向或遠(yuǎn)離被夾持的基板20移動(dòng)。

所述押元結(jié)構(gòu)尤其適用于磁控濺射設(shè)備中。由于第一驅(qū)動(dòng)模塊可以驅(qū)動(dòng)夾持部10移動(dòng)，因此，在濺射過程中，通過將夾持部10朝向或遠(yuǎn)離被夾持的基板20移動(dòng)，可以調(diào)節(jié)押元結(jié)構(gòu)對(duì)基板20的夾持力，從而調(diào)節(jié)被夾持的基板20的平整度。在實(shí)際應(yīng)用中，可以將夾持部10對(duì)基板20的壓力調(diào)節(jié)至合適的范圍，使得押元結(jié)構(gòu)既能夠穩(wěn)定地夾持基板20，又可以提高基板20的平整度，進(jìn)而提高成膜的均一性。另外，在濺射過程中，通過驅(qū)動(dòng)基板20一側(cè)的夾持部10靠近基板20移動(dòng)，對(duì)側(cè)的夾持部10遠(yuǎn)離基板20移動(dòng)，從而來驅(qū)動(dòng)基板20移動(dòng)，以使得基板20上原本對(duì)應(yīng)于靶材之間間隙的部分可以有機(jī)會(huì)與靶材相對(duì)，從而也可以提高成膜的均一性。

其中，夾持部10可以采用al2o3/al復(fù)合材料，al2o3作為陶瓷增強(qiáng)相，al為金屬基體。其中，al為非鐵磁性材料，不會(huì)對(duì)磁控濺射的磁場(chǎng)造成影響。而由于金屬陶瓷復(fù)合材料是由延性的金屬相和脆性的陶瓷相組成的一種典型的粒子增強(qiáng)材料，除了具有耐高溫，高強(qiáng)度，高硬度，耐磨性好等特征外，還具有很好的韌性，因此，可以延長(zhǎng)夾持部10的使用壽命。

進(jìn)一步地，如圖1和圖2所示，夾持部10用于朝向被夾持的基板20的一側(cè)設(shè)置有第一壓力檢測(cè)層121，該第一壓力檢測(cè)層121用于檢測(cè)夾持部10與被夾持的基板20之間的壓力。所述第一驅(qū)動(dòng)模塊用于根據(jù)第一壓力檢測(cè)層121檢測(cè)到的壓力驅(qū)動(dòng)夾持部10朝向或遠(yuǎn)離被夾持的基板20移動(dòng)，以使每個(gè)第一壓力檢測(cè)層121檢測(cè)到的壓力均處于相應(yīng)的預(yù)定壓力范圍內(nèi)。

其中，所述預(yù)定壓力范圍可以提前根據(jù)被夾持的基板20彎曲度較小時(shí)，第一壓力檢測(cè)層121檢測(cè)到的壓力進(jìn)行設(shè)置。由于基板20的平整度與基板20受到的夾持力有很大關(guān)系，因此，在濺射時(shí)，通過驅(qū)動(dòng)夾持部10移動(dòng)，使得夾持部10與被夾持的基板20之間的壓力在預(yù)定壓力范圍內(nèi)，從而可以使得被夾持的基板20處于較為平整的狀態(tài)。

需要說明的是，磁控濺射可以分為兩種方式：第一種是在基板水平的狀態(tài)下進(jìn)行濺射(本發(fā)明中稱之為水平濺射)；第二種是在基板豎直的情況下進(jìn)行濺射(本發(fā)明中稱之為豎直濺射)。當(dāng)采用第一種水平濺射的方式時(shí)，若被夾持的基板20較為平整，那么每個(gè)夾持部10與被夾持的基板20之間的壓力是一致的，即，在預(yù)先設(shè)置預(yù)定壓力范圍時(shí)，每個(gè)夾持部10均對(duì)應(yīng)同一個(gè)預(yù)定壓力范圍。當(dāng)采用第二種豎直濺射的方式時(shí)，整個(gè)押元結(jié)構(gòu)與基板20一起翻轉(zhuǎn)90°，若被夾持的基板20較為平整的狀態(tài)，那么位于基板20同一側(cè)的夾持部10與基板20之間的壓力一致，任意相鄰兩側(cè)的夾持部10與被夾持的基板20之間的壓力并不一定相同，因此，在預(yù)先設(shè)置預(yù)定壓力范圍時(shí)，所有夾持部10對(duì)應(yīng)的預(yù)定壓力范圍并不完全一致。

進(jìn)一步地，所述押元結(jié)構(gòu)還包括彎曲度檢測(cè)器件，彎曲度檢測(cè)器件用于檢測(cè)被夾持的基板20的彎曲度。所述第一驅(qū)動(dòng)模塊還用于根據(jù)彎曲度檢測(cè)器件檢測(cè)到的彎曲度驅(qū)動(dòng)夾持部10移動(dòng)，直至彎曲度檢測(cè)器件檢測(cè)到的彎曲度處于預(yù)定彎曲度范圍內(nèi)。

在實(shí)際應(yīng)用中，有可能會(huì)出現(xiàn)即使每個(gè)第一壓力檢測(cè)層121檢測(cè)到的壓力均達(dá)到了相應(yīng)地預(yù)定壓力范圍，但被夾持的基板20仍存在一定的不平整問題，而通過彎曲度的檢測(cè)，能夠進(jìn)一步保證基板20的平整性。

所述彎曲度為基板20彎曲的程度，其與基板20上向一側(cè)凸出或凹陷的高度相關(guān)。所述彎曲度檢測(cè)器件可以包括多個(gè)紅外傳感器18，紅外傳感器18的發(fā)射端和接收端相對(duì)設(shè)置在被夾持的基板20的兩側(cè)，通過紅外信號(hào)的發(fā)射和接收來判斷基板20是否有凸起或凹陷的高度是否在一定范圍內(nèi)，從而判斷基板20的彎曲度是否在預(yù)定彎曲度范圍內(nèi)。

進(jìn)一步地，如圖1和圖2所示，所述押元結(jié)構(gòu)還包括支架14，該支架14設(shè)置在所述夾持部10下方。支架14在水平面上的投影可以為框形。

所述第一驅(qū)動(dòng)模塊包括第一控制器(未示出)和與夾持部10一一對(duì)應(yīng)的第一磁性組件，所述第一磁性組件包括磁極相對(duì)設(shè)置的第一磁體171和第二磁體172。其中，第一磁體171固定設(shè)置在支架14上；第二磁體172位于夾持部10下方，且第二磁體172與夾持部10保持相對(duì)固定并能夠與支架14發(fā)生相對(duì)移動(dòng)；第一磁體171和第二磁體172中至少一者的磁性大小可調(diào)，所述第一控制器用于調(diào)節(jié)第一磁體171和第二磁體172中磁性可調(diào)的一者或兩者的磁性大小，從而調(diào)節(jié)第一磁體171與第二磁體172之間的相互作用力(當(dāng)?shù)谝淮朋w171和第二磁體172相對(duì)的兩端磁性相同時(shí)，所述相互作用力為排斥力；當(dāng)?shù)谝淮朋w171和第二磁體172相對(duì)的兩端磁性相反時(shí)，所述相互作用力為吸引力)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)夾持部10移動(dòng)。

在驅(qū)動(dòng)夾持部10移動(dòng)時(shí)，通常只需要移動(dòng)幾毫米，而本發(fā)明采用磁性驅(qū)動(dòng)的方式與采用電機(jī)驅(qū)動(dòng)的方式相比，更能夠?qū)崿F(xiàn)在小范圍內(nèi)的準(zhǔn)確控制，防止損傷基板20。

在本發(fā)明中，第一磁體171為永磁體，第二磁體172為電磁體。為了實(shí)現(xiàn)第二磁體172與夾持部10保持相對(duì)固定，且能夠與支架14發(fā)生相對(duì)移動(dòng)，如圖2所示，在夾持部10與支架14之間設(shè)置絕緣間隔部15，夾持部10固定設(shè)置在絕緣間隔部15上表面，絕緣間隔部15下表面固定設(shè)置有磁體安裝部(如圖2中的161和162)，第二磁體172設(shè)置在磁體安裝部161/162上。絕緣間隔部15的設(shè)置可以有效避免使用過程中因支架14上吸附金屬層而導(dǎo)致的夾持部10與支架14導(dǎo)通。絕緣間隔部15具體可以采用絕緣樹脂材料，例如，酚醛樹脂或聚四氟乙烯樹脂等。

為了便于驅(qū)動(dòng)夾持部10移動(dòng)，可以在支架14的內(nèi)側(cè)(即，朝向被夾持的基板20所在區(qū)域的一側(cè))和外側(cè)(即，背離被夾持的基板20所在區(qū)域的一側(cè))均設(shè)置第二磁體172，每個(gè)第二磁體172均對(duì)應(yīng)一個(gè)第一磁體171。對(duì)于第一磁體171和第二磁體172相對(duì)的兩端磁性相同的情況，當(dāng)支架14內(nèi)側(cè)的第一磁體171與第二磁體172之間的排斥力大于支架14外側(cè)的第一磁體171與第二磁體172之間的排斥力時(shí)，夾持部10朝向被夾持的基板20移動(dòng)，從而增加二者之間的壓力。對(duì)于第一磁體171和第二磁體172相對(duì)的兩端磁性相反的情況，當(dāng)支架14內(nèi)側(cè)的第一磁體171與第二磁體172之間的吸引力大于支架14外側(cè)的第一磁體171與第二磁體172之間的吸引力時(shí)，夾持部10背離被夾持的基板20移動(dòng)，從而減小二者之間的壓力。當(dāng)然，也可以如圖2中所示，使第一磁體171嵌入支架14中，使得支架14兩側(cè)的兩個(gè)第二磁體172分別與同一個(gè)第一磁體171的兩端相對(duì)。

需要說明的是，本發(fā)明中所述“上方”、“下方”是指圖2中(即被夾持的基板20處于水平狀態(tài)時(shí))的上方和下方。

進(jìn)一步地，所述押元結(jié)構(gòu)還包括與夾持部10一一對(duì)應(yīng)相連的支撐部11，支撐部11包括與被夾持的基板20的下表面接觸的支撐面，所述支撐面上設(shè)置有第二壓力檢測(cè)層122，第二壓力檢測(cè)層122用于檢測(cè)支撐部11與被夾持的基板20之間的壓力。所述押元結(jié)構(gòu)還包括第二驅(qū)動(dòng)模塊，該第二驅(qū)動(dòng)模塊用于根據(jù)第二壓力檢測(cè)層122檢測(cè)到的壓力驅(qū)動(dòng)支撐部11沿被夾持的基板20的厚度方向移動(dòng)，直至任意兩個(gè)第二壓力檢測(cè)層122檢測(cè)到的壓力均不大于預(yù)定壓力差。

如圖2所示，夾持部10和支撐部11構(gòu)成“l(fā)”型結(jié)構(gòu)，且二者可以一體成型。當(dāng)被夾持的基板20處于水平狀態(tài)時(shí)(即，進(jìn)行水平濺射的過程中或進(jìn)行豎直濺射之前)采用水平濺射方式對(duì)被夾持的基板20進(jìn)行磁控濺射時(shí)，支撐部11對(duì)被夾持的基板20進(jìn)行支撐?？梢岳斫?，當(dāng)被夾持的基板20處于平整狀態(tài)時(shí)，各個(gè)第二壓力檢測(cè)層122檢測(cè)到的壓力基本上是相等的。為了進(jìn)一步保證被夾持的基板20的平整性，可以將所述預(yù)定壓力差設(shè)置為一個(gè)較小的值，并通過第二驅(qū)動(dòng)模塊控制支撐部11移動(dòng)(被夾持的基板20處于水平狀態(tài)時(shí)，支撐部11的移動(dòng)表現(xiàn)為升降)，使得各個(gè)第二壓力檢測(cè)層122檢測(cè)到的壓力基本相等，即壓力之差不大于較小的預(yù)定壓力差，從而進(jìn)一步保證被夾持的基板20的平整性，并提高對(duì)被夾持的基板20支撐的穩(wěn)定性。同樣，被夾持的基板20處于豎直狀態(tài)的情況下(即進(jìn)行豎直濺射的過程中)，當(dāng)各個(gè)支撐部11被夾持的基板20之間的壓力一致時(shí)，也可以進(jìn)一步提高被夾持的基板20的平整度，保證被夾持的基板20的穩(wěn)定性。

所述第二驅(qū)動(dòng)模塊具體可以包括第二控制器和與支撐部11一一對(duì)應(yīng)的第二磁性組件，所述第二磁性組件包括磁極相對(duì)設(shè)置的第三磁體173和第四磁體174。其中，第三磁體173固定設(shè)置在支架14上；第四磁體174位于支撐部11下方，且第四磁體174與支撐部11保持相對(duì)固定并能夠與支架14發(fā)生相對(duì)移動(dòng)；第三磁體173和第四磁體174中至少一者的磁性大小可調(diào)，所述第二控制器用于調(diào)節(jié)第三磁體173和第四磁體174中磁性可調(diào)的一者或兩者的磁性大小。其中，第三磁體173可以為永磁體，第四磁體174可以為電磁體。第二驅(qū)動(dòng)模塊利用磁力驅(qū)動(dòng)支撐部11移動(dòng)的原理與所述第一驅(qū)動(dòng)模塊的驅(qū)動(dòng)原理類似，這里不再贅述。

如圖2所示，支架14沿垂直于該支架14延伸方向的剖面為“土”字形，具體地，支架14包括基礎(chǔ)部141、直立部142和水平部143。直立部142固定在基礎(chǔ)部141上；直立部142和水平部143呈十字交叉設(shè)置。直立部142的頂端和底端均設(shè)置有第一磁體171，水平部143的靠近和遠(yuǎn)離被夾持的基板20所在區(qū)域的兩端均設(shè)置有第三磁體173。

本發(fā)明將支架14設(shè)置為圖2中的形狀，并在直立部142的頂、底兩端設(shè)置第一磁體171，能夠在驅(qū)動(dòng)夾持部10移動(dòng)時(shí)，直立部142上下受力分布更均勻，從而保證夾持部10的穩(wěn)定移動(dòng)；同樣，在水平部143的左右兩端均設(shè)置第三磁體173，能夠在驅(qū)動(dòng)支撐部11移動(dòng)時(shí)，水平部143的左右部分受力更均勻，從而保證支撐部11的穩(wěn)定移動(dòng)。

另外，直立部142的內(nèi)外兩側(cè)均設(shè)置有兩個(gè)磁體安裝部(如圖2中的161和162)，每個(gè)磁體安裝部161/162上均設(shè)置有第二磁體172和第四磁體174。具體地，如圖2所示，直立部142的頂端和底端均嵌入第一磁體171，同一個(gè)第一磁體171的兩個(gè)磁極分別與直立部142兩側(cè)的兩個(gè)磁體安裝部161和162上的第二磁體172的磁極相對(duì)。第三磁體173位于水平部143上側(cè)，每個(gè)第三磁體173與其上方的第四磁體174磁極相對(duì)。另外，基礎(chǔ)部141上也可以設(shè)置有第三磁體173，該第三磁體173上方設(shè)置有第四磁體174。需要說明的是，各個(gè)磁體的數(shù)量不限于此，可以根據(jù)實(shí)際情況適當(dāng)增減，例如，直立部142頂端的內(nèi)外兩側(cè)和直立部142，底端的內(nèi)外兩側(cè)均設(shè)置有第一磁體171，兩個(gè)第一磁體171分別與直立部142兩側(cè)的兩個(gè)磁體安裝部161和162上的第二磁體172相對(duì)應(yīng)；同樣，水平部143左端的上下兩側(cè)和右端的上下兩側(cè)可以均設(shè)置有第三磁體173，每個(gè)第三磁體173均與一個(gè)第四磁體174磁極相對(duì)。

更進(jìn)一步地，如圖2所示，第一壓力檢測(cè)層121與夾持部10之間還設(shè)置有第一電致伸縮層131，所述第一驅(qū)動(dòng)模塊還用于在控制夾持部10移動(dòng)的同時(shí)，控制第一電致伸縮層131沿夾持部10的移動(dòng)方向伸縮。第二壓力檢測(cè)層122與支撐部11之間還設(shè)置有第二電致伸縮層132，所述第二驅(qū)動(dòng)模塊還用于在控制支撐部11升降的同時(shí)，控制第二電致伸縮層132沿支撐部11的移動(dòng)方向伸縮。第一驅(qū)動(dòng)模塊通過同時(shí)驅(qū)動(dòng)夾持部10移動(dòng)以及控制第一電致伸縮層131的伸縮來調(diào)節(jié)被夾持的基板20與夾持部10之間的壓力；第二驅(qū)動(dòng)模塊通過同時(shí)驅(qū)動(dòng)支撐部11移動(dòng)以及第二電致伸縮層132的伸縮來調(diào)節(jié)被夾持的基板20與支撐部11之間的壓力。其中，夾持部10和支撐部11進(jìn)行移動(dòng)時(shí)，可在毫米級(jí)別內(nèi)移動(dòng)(可看作粗調(diào)節(jié))；而第一電致伸縮層131和第二電致伸縮層132的伸縮則是在更小的微米級(jí)別內(nèi)伸縮(可看作精調(diào)節(jié))，這種通過粗調(diào)節(jié)加精調(diào)節(jié)的方式可以實(shí)現(xiàn)更精確驅(qū)動(dòng)。

在本發(fā)明中，第一壓力檢測(cè)層121和第二壓力檢測(cè)層122的材料均包括碳納米管導(dǎo)電橡膠，從而準(zhǔn)確地檢測(cè)壓力，并起到一定的緩沖作用，從而防止被夾持的基板20受到損傷。第一電致伸縮層131和第二電致伸縮層132均可以采用壓電陶瓷材料制成。

圖3為濺射過程中利用押元結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)基板20平整性的方法流程圖，具體包括以下步驟：

s1、第一壓力檢測(cè)層121和第二壓力檢測(cè)層122分別進(jìn)行壓力檢測(cè)。

s2、判斷各個(gè)第一壓力檢測(cè)層121檢測(cè)到的壓力是否處于各自對(duì)應(yīng)的預(yù)定壓力范圍內(nèi)，若否，則進(jìn)行步驟s3；若是，則進(jìn)行步驟s4。

s3、驅(qū)動(dòng)夾持部10朝向或遠(yuǎn)離被夾持的基板20的方向移動(dòng)，直至各個(gè)第一壓力檢測(cè)層121檢測(cè)到的壓力均處于各自對(duì)應(yīng)的預(yù)定壓力范圍內(nèi)時(shí)，進(jìn)行步驟s4。

s4、判斷任意兩個(gè)第二壓力檢測(cè)層122檢測(cè)到的壓力是否均不大于預(yù)定壓力差，若否，則進(jìn)行步驟s5；若是，則進(jìn)行步驟s6。

s5、驅(qū)動(dòng)支撐部11沿被夾持基板20的厚度方向移動(dòng)，直至任意兩個(gè)第二壓力檢測(cè)層122檢測(cè)到的壓力均不大于預(yù)定壓力差時(shí)，進(jìn)行步驟s6。

s6、利用彎曲度檢測(cè)器件檢測(cè)基板20的彎曲度，當(dāng)檢測(cè)到的彎曲度超出預(yù)定彎曲度范圍時(shí)，驅(qū)動(dòng)夾持部10和/或支撐部11移動(dòng)，直至檢測(cè)到的彎曲度位于所述預(yù)定彎曲度范圍。其中，在驅(qū)動(dòng)夾持部10和/或支撐部11移動(dòng)之前，可以先獲取基板20上發(fā)生彎曲的具體位置，從而驅(qū)動(dòng)與彎曲位置相對(duì)應(yīng)的夾持部10和/或支撐部11移動(dòng)。具體地，彎曲度檢測(cè)器件包括多個(gè)紅外傳感器，當(dāng)某一個(gè)紅外傳感器的接收端接收不到其發(fā)射端發(fā)射的信號(hào)時(shí)，則基板20發(fā)生彎曲的位置位于該紅外傳感器的發(fā)射端與接收端之間，此時(shí)，驅(qū)動(dòng)靠近該紅外傳感器發(fā)射端和接收端的夾持部10和/或支撐部11移動(dòng)，直至每個(gè)紅外傳感器的接收端均能夠接收到相應(yīng)發(fā)射端發(fā)射的信號(hào)。

作為本發(fā)明的另一方面，提供一種基板承載裝置，如圖4為承載有基板的基板承載結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖5為托盤、基座和支撐柱的俯視圖，如圖4和圖5所示，基板承載裝置包括上述押元結(jié)構(gòu)以及托盤30和多個(gè)支撐柱40，支撐柱40的底端固定在托盤下方的基座50上。托盤30包括基板承載區(qū)，支撐柱40位于所述基板承載區(qū)并穿過托盤30，以支撐基板20，所述押元結(jié)構(gòu)的多個(gè)夾持部10環(huán)繞所述基板承載區(qū)設(shè)置，以對(duì)基板20進(jìn)行夾持固定。

由于所述押元結(jié)構(gòu)中的夾持部10可以在第一驅(qū)動(dòng)模塊的驅(qū)動(dòng)下移動(dòng)，從而調(diào)節(jié)被夾持的基板20的位置，或者調(diào)節(jié)夾持部10與被夾持的基板20之間的壓力，因此，所述基板20承載裝置在用于磁控濺射時(shí)，可以調(diào)節(jié)基板20的位置使其各個(gè)位置均有機(jī)會(huì)與靶材相對(duì)，并可以通過調(diào)節(jié)夾持部10與被夾持的基板20之間的壓力使被夾持的基板20保持平整，從而可以提高成膜的均一性。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。