技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種RB?SiC光學(xué)元件拋光工藝加工方法，該方法首先利用電感耦合等離子體拋光技術(shù)實現(xiàn)RB?SiC光學(xué)元件的精磨拋光，之后利用射頻磁控濺射表面平坦化技術(shù)在光學(xué)表面沉積納米級平坦化層、最后利用離子束拋光修形技術(shù)輔助自由基微波等離子體拋光技術(shù)實現(xiàn)光學(xué)元件超光滑表面加工。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明利用等離子體拋光技術(shù)替代傳統(tǒng)的光學(xué)加工方法，結(jié)合納米級的平坦化層制備技術(shù)和離子束修形拋光技術(shù)，極大地縮短了中大口徑RB?SiC元件的加工周期，構(gòu)建了以高效率、高精度和低損耗的特點RB?SiC光學(xué)元件拋光加工新方法。

技術(shù)研發(fā)人員：惠迎雪;劉衛(wèi)國;張進;周順;徐均琪;趙楊勇;熊濤;房沫岑
受保護的技術(shù)使用者：西安工業(yè)大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.31
技術(shù)公布日：2017.08.18