本發(fā)明的技術(shù)方案涉及阻尼材料的制造，具體地說(shuō)是tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的制備方法。

背景技術(shù)：

隨著社會(huì)的發(fā)展，機(jī)械設(shè)備趨于高速、高效和自動(dòng)化，隨之引起的振動(dòng)、噪聲和疲勞斷裂問(wèn)題亦越來(lái)越突出。振動(dòng)和噪聲限制機(jī)械設(shè)備性能的提高，嚴(yán)重破壞機(jī)械設(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性，并污染環(huán)境，危害人們的身心健康，因此減振降噪，改善人機(jī)工作環(huán)境是一個(gè)亟待解決的關(guān)鍵問(wèn)題。為此，人們研究并開發(fā)出了多種解決工程中振動(dòng)和噪聲問(wèn)題的方法和技術(shù)措施，其中阻尼技術(shù)是控制結(jié)構(gòu)共振和噪聲的最有效的方法。阻尼材料的開發(fā)就是從材料角度實(shí)現(xiàn)上述功能的重要措施之一。

由cu原子部分替代近等原子比niti合金中的ni原子而制成的tinicu合金是一類綜合性能優(yōu)異的新型的形狀記憶合金。與niti合金相比，該類合金除同樣具有優(yōu)良的形狀記憶效應(yīng)及阻尼性能外，更具有穩(wěn)定的馬氏體轉(zhuǎn)變溫度、高的抗腐蝕性能、強(qiáng)的抑制ni4ti3相析出的能力以及低的生產(chǎn)成本。該類合金未來(lái)的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)O其廣泛，包括電子、機(jī)械、宇航、運(yùn)輸、建筑、化學(xué)、醫(yī)療、能源、家電以及日常生活用品等，幾乎涉及產(chǎn)業(yè)界的所有領(lǐng)域。

由于現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展是以構(gòu)件設(shè)計(jì)輕量化、高強(qiáng)度化、運(yùn)行高速化為特點(diǎn)，因此為拓寬使用范圍，高阻尼材料還必須兼有低的密度和高的力學(xué)性能。文獻(xiàn)(hongjiejiang,changboke,shanshancao,etal.phasetransformationanddampingbehavioroflightweightporousniticualloysfabricatedbypowdermetallurgyprocess,trans.nonferrousmet.soc.china,2013,23:2029-2036)披露了一種多孔tinicu形狀記憶合金的制備方法，其利用孔洞效應(yīng)成功實(shí)現(xiàn)了材料的輕量化及高阻尼化。然而，利用該文獻(xiàn)所披露的工藝制得的多孔niticu形狀記憶合金的孔隙率、孔徑、孔型均難以精確控制，且孔隙的存在會(huì)嚴(yán)重削弱niticu形狀記憶合金的力學(xué)性能，即難以滿足上述高強(qiáng)度化的需求。因此，在多孔形狀記憶合金的孔洞中填充第二相以提高其力學(xué)性能，是發(fā)展綜合性能優(yōu)異的高阻尼材料的必由之路。cn102808101a披露了多孔銅基形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的制備方法，是一種在多孔cu基形狀記憶合金中填充高分子的方法，利用該方法進(jìn)一步提高了多孔形狀記憶合金的阻尼性能，同時(shí)亦在一定程度上克服了多孔形狀記憶合金在外加載荷下易在孔壁邊緣產(chǎn)生應(yīng)力集中或微裂紋的缺點(diǎn)，然而由于高分子材料的力學(xué)性能本身較差，其對(duì)上述多孔cu基形狀記憶合金力學(xué)性能的提高仍然有限。cn101407867a披露了一種向多孔niti合金中引入mg或mg合金的方法，其制得的產(chǎn)品比普通多孔niti合金具有更高的強(qiáng)度與阻尼能力。然而直接采用cn101407867a所披露的方法并不能實(shí)現(xiàn)mg對(duì)tinicu合金的填充，因?yàn)閠inicu合金與niti合金在性質(zhì)上并不相同，tinicu合金中的cu相在高溫下極易與mg反應(yīng)，若直接采用cn101407867a的方法，所得復(fù)合體系由于cu與mg間的過(guò)量反應(yīng)，填充相及基體相均會(huì)遭到嚴(yán)重破壞而不可能形成實(shí)用的材料。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的制備方法，通過(guò)制備多孔tinicu形狀記憶合金并在其孔洞中填充金屬mg制得tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即mg/tinicu，克服了現(xiàn)有的多孔tinicu形狀記憶合金制備方法中孔隙率和孔徑及孔型均難以控制、現(xiàn)有的將mg引入多孔合金中的技術(shù)不可用于mg對(duì)多孔tinicu合金的填充、以及合金產(chǎn)品的阻尼性能及其他力學(xué)性能尚需提高的缺陷。

本發(fā)明解決該技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的制備方法，通過(guò)制備多孔tinicu形狀記憶合金并在其孔洞中填充金屬mg制得tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即mg/tinicu，具體步驟如下：

第一步，原料的配置：

稱取需要量的鈦粉、鎳粉和銅粉，按照ni、ti、cu原子百分比分別為29～31％、50％、19～21％進(jìn)行配料混合，然后將混合粉置于不銹鋼球磨罐中，注滿無(wú)水乙醇后密封，在行星式球磨機(jī)上球磨5～7小時(shí)，球磨中采用的球料比為10∶1，球磨機(jī)的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分鐘，之后，將球磨好的tinicu混合粉取出并置于濾紙上靜置3～5分鐘，完成原料的配置，待用；

第二步，多孔tinicu形狀記憶合金的制備：

將第一步配置的tinicu混合粉與平均粒徑為0.4～1.0mm的去結(jié)晶水nacl顆粒均勻混合，去結(jié)晶水nacl顆粒的用量為其占混合粉與去結(jié)晶水nacl顆?；旌衔锏捏w積百分比的60～80％，將該混合物在混料機(jī)中混合30～60min后裝入內(nèi)壁涂覆硬脂酸鋅的不銹鋼模具中，單向加壓300～360mpa制得生坯，之后將該生坯裝入氧化鋁坩堝，并置于管式真空燒結(jié)爐中，待爐內(nèi)真空抽至5～10pa后，以4～8℃/分鐘的速率加熱至770～790℃，保溫1～2小時(shí)后，再以8～15℃/分鐘的速率加熱至940～1000℃，保溫2～3小時(shí)后隨爐冷卻至室溫，將燒結(jié)體從爐內(nèi)取出，置于超聲波水浴中清洗20～30分鐘后烘干，制得多孔tinicu形狀記憶合金成品；

第三步，tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品的制備：

將第二步制備得的多孔tinicu形狀記憶合金成品切去上下表層后置于丙酮中，超聲清洗50～60分鐘，烘干，然后取同等體積的塊狀純mg置于其頂部，用氧化鋁陶瓷片分別于上下兩面夾持后再用mo絲整體捆綁，然后將此整體捆綁的體系裝入氧化鋁坩堝，并將該坩堝置于管式真空燒結(jié)爐的爐管中，待爐內(nèi)真空抽至5pa后充入高純氬氣然后再次將真空抽至5pa，如此操作重復(fù)2～4次后以4～8℃/分鐘的速率加熱至675～710℃，保溫18～22分鐘，使純mg熔融并滲入多孔tinicu形狀記憶合金的孔隙之中，然后將爐管移出管式真空燒結(jié)爐的爐膛，冷卻至室溫，由此制得tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即mg/tinicu成品。

上述tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的制備方法，所述制得的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品中純mg的體積分?jǐn)?shù)為60～80％，純mg粒徑為0.4～1.0mm。

上述tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的制備方法，其中所用原料均為商購(gòu)獲得，工藝和設(shè)備均為本技術(shù)領(lǐng)域公知的。

本發(fā)明的有益效果是：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有的突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著進(jìn)步如下：

(1)本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)cn101407867a相比，具有突出的實(shí)質(zhì)性的特點(diǎn)是：首先兩者的基體材料并不相同。現(xiàn)有技術(shù)cn101407867a所采用的基體為多孔niti合金，其孔隙率為20～40％。而本發(fā)明所采用的基體材料為多孔tinicu合金，其孔隙率為60～80％，且由于兩者孔的形成機(jī)理不同，所以孔徑及孔型亦完全不同，從而高溫下mg熔體滲入過(guò)程并不相同；其次，兩者工藝條件不同。本發(fā)明中為了避免cu與mg的過(guò)量反應(yīng)而專門針對(duì)多孔tinicu合金的更大的孔隙率、更寬的滲入通道等結(jié)構(gòu)特征通過(guò)大量艱苦實(shí)驗(yàn)而采用了較低的熔滲溫度、顯著縮短的熔滲時(shí)間，同時(shí)熔滲后為了能夠使得mg盡快冷凝而創(chuàng)造性的將該體系通過(guò)爐管整體抽出爐膛進(jìn)行冷卻，并采用了對(duì)熔滲及避免反應(yīng)更有利的真空環(huán)境。因此，本發(fā)明所用mg的熔滲技術(shù)是本發(fā)明人針對(duì)不同的原材料而專門設(shè)計(jì)的工藝方法，絕非可以通過(guò)有限的實(shí)驗(yàn)就可輕而易舉實(shí)現(xiàn)的，具有創(chuàng)造性；再次，本發(fā)明所制得的mg/tinicu較之cn101407867a技術(shù)所制得材料具有更高的阻尼性能，這說(shuō)明本發(fā)明由于采用了實(shí)質(zhì)改進(jìn)的全新工藝條件，比cn101407867a有了顯著的進(jìn)步。

(2)本發(fā)明將tinicu形狀記憶合金多孔化并進(jìn)一步與具有優(yōu)良阻尼能力且密度較低的純mg復(fù)合，利用孔洞效應(yīng)及多重阻尼源高效疊加的原理顯著提高了tinicu形狀記憶合金的阻尼能力、降低了tinicu形狀記憶合金的密度。同時(shí)，金屬mg填充于多孔tinicu形狀記憶合金的孔洞之中，可有效彌補(bǔ)孔隙的存在對(duì)tinicu形狀記憶合金力學(xué)性能的削弱作用，從而使得tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料保持了優(yōu)良的力學(xué)性能。因而，本發(fā)明所制得的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料可以滿足現(xiàn)代工業(yè)發(fā)展對(duì)于輕質(zhì)、高強(qiáng)和高阻尼材料應(yīng)用的需求。

(3)本發(fā)明采用純mg對(duì)多孔tinicu形狀記憶合金進(jìn)行填充，可顯著降低多孔tinicu形狀記憶合金與空氣的接觸面積，從而有效提高了其抗腐蝕性能。與高分子填充多孔形狀記憶合金材料相比，本發(fā)明制備的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料除了具有更高的力學(xué)性能外，同時(shí)有著更寬的工作溫度范圍。

(4)本發(fā)明利用nacl為造孔劑所制得的多孔tinicu形狀記憶合金的孔隙率、孔徑、孔型均可控，從而可以彌補(bǔ)現(xiàn)有多孔tinicu形狀記憶合金制備工藝的不足。

(5)本發(fā)明采用的低溫和短時(shí)熔滲，以及熔滲后的快速冷卻工藝可有效降低mg2cu相的生成量，從而保證了tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料優(yōu)良的綜合性能。

(6)本發(fā)明工藝適應(yīng)性好、成本低、無(wú)污染和操作簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1為實(shí)施例3制備的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的掃描電鏡照片；

圖2為dsc分析曲線，其中：

圖2(a)為實(shí)施例2制備的多孔tinicu形狀記憶合金的dsc分析曲線；

圖2(b)為實(shí)施例3制備的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的dsc分析曲線；

圖3為實(shí)施例2制備的多孔tinicu形狀記憶合金及實(shí)施例3制備的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的準(zhǔn)靜態(tài)壓縮應(yīng)力-應(yīng)變曲線。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

第一步，原料的配置：

稱取需要量的鈦粉、鎳粉和銅粉，按照ni、ti、cu原子百分比分別為29％、50％、21％進(jìn)行配料混合，然后將混合粉置于不銹鋼球磨罐中，注滿無(wú)水乙醇后密封，在行星式球磨機(jī)上球磨5小時(shí)，球磨中采用的球料比為10∶1，球磨機(jī)的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分鐘，之后，將球磨好的tinicu混合粉取出并置于濾紙上靜置3分鐘，完成原料的配置，待用；

第二步，多孔tinicu形狀記憶合金的制備：

將第一步制得的混合粉與平均粒徑為0.4mm的去結(jié)晶水nacl顆粒均勻混合，去結(jié)晶水nacl顆粒的用量為其占混合粉與去結(jié)晶水nacl顆粒混合物體積百分比的60％，將該混合物在混料機(jī)中混合30min后裝入內(nèi)壁涂覆硬脂酸鋅的不銹鋼模具中，單向加壓300mpa制得生坯，之后將生坯裝入氧化鋁坩堝，并置于管式真空燒結(jié)爐中，待爐內(nèi)真空抽至5pa后，以4℃/分鐘的速率加熱至770℃，保溫1小時(shí)后再以8℃/分鐘的速率加熱至940℃，保溫2小時(shí)后隨爐冷卻至室溫，將燒結(jié)體于爐內(nèi)取出并置于超聲波水浴中清洗20分鐘后烘干，制得多孔tinicu形狀記憶合金成品；

第三步，tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品的制備：

將第二步制備得的多孔tinicu形狀記憶合金成品切去上下表層后置于丙酮中，超聲清洗50分鐘，烘干，然后取同等體積的塊狀純mg置于其頂部，用氧化鋁陶瓷片分別于上下兩面夾持后再用mo絲整體捆綁，然后將此整體捆綁的體系裝入氧化鋁坩堝，并將該坩堝置于管式真空燒結(jié)爐的爐管中，待爐內(nèi)真空抽至5pa后充入高純氬氣然后再次將真空抽至5pa，如此操作重復(fù)2次后以4℃/分鐘的速率加熱至675℃，保溫18分鐘，使純mg熔融并滲入多孔tinicu形狀記憶合金的孔隙之中，然后將爐管移出管式真空燒結(jié)爐的爐膛，冷卻至室溫，由此制得tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品，所制得的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品中純mg的體積分?jǐn)?shù)為60％，純mg粒徑為0.4mm。

實(shí)施例2

本實(shí)施例是實(shí)施例3的對(duì)比實(shí)施例。

第一步，原料的配置

稱取需要量的鈦粉、鎳粉和銅粉，按照ni、ti、cu原子百分比分別為30％、50％、20％進(jìn)行配料，然后將混合粉置于不銹鋼球磨罐中，注滿無(wú)水乙醇后密封，在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí)，球磨中采用的球料比為10∶1，球磨機(jī)的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分鐘，之后，將混合粉取出并置于濾紙上靜置4分鐘，待用；

第二步，多孔tinicu形狀記憶合金的制備：

將第一步制得的混合粉與平均粒徑為0.8mm的去結(jié)晶水nacl顆粒均勻混合，去結(jié)晶水nacl顆粒的用量為其占混合粉與去結(jié)晶水nacl顆?；旌衔矬w積百分比的70％，將該混合物在混料機(jī)中混合40min后裝入內(nèi)壁涂覆硬脂酸鋅的不銹鋼模具中，單向加壓350mpa制得生坯，之后將生坯裝入氧化鋁坩堝，并置于管式真空燒結(jié)爐中，待爐內(nèi)真空抽至8pa后，以5℃/分鐘的速率加熱至780℃，保溫1小時(shí)后再以10℃/分鐘的速率加熱至950℃，保溫2小時(shí)后隨爐冷卻至室溫，將燒結(jié)體于爐內(nèi)取出并置于超聲波水浴中清洗25分鐘后烘干，制備得多孔tinicu形狀記憶合金成品。

實(shí)施例3

第一步、第二步同實(shí)施例2；

第三步，tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品的制備：

將第二步制備得的多孔tinicu形狀記憶合金成品切去上下表層后置于丙酮中，超聲清洗50分鐘，烘干，然后取同等體積的塊狀純mg置于其頂部，用氧化鋁陶瓷片分別于上下兩面夾持后再用mo絲整體捆綁，然后將此整體捆綁的體系裝入氧化鋁坩堝，并將該坩堝置于管式真空燒結(jié)爐的爐管中，待爐內(nèi)真空抽至5pa后充入高純氬氣然后再次將真空抽至5pa，如此操作重復(fù)3次后以5℃/分鐘的速率加熱至700℃，保溫20分鐘，使純mg熔融并滲入多孔tinicu形狀記憶合金的孔隙之中，然后將爐管移出管式真空燒結(jié)爐的爐膛，冷卻至室溫，由此制得tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品，所制得的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品中純mg的體積分?jǐn)?shù)為70％，純mg粒徑為0.8mm。

圖1為實(shí)施例3制備的在其孔洞中填充金屬mg的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即mg/tinicu的掃描電鏡照片。由圖1可見，完全填充的金屬mg復(fù)制了造孔劑nacl顆粒狀的形貌，其在tinicu形狀記憶合金基體中分布得十分均勻，且相互之間具有連通性。由圖1同時(shí)可以看出，由于本發(fā)明采用了低溫、高速熔滲及熔滲后迅速冷卻的工藝，在mg中只形成了微量的網(wǎng)狀mg2cu相，有效彌補(bǔ)了孔隙的存在對(duì)tinicu形狀記憶合金力學(xué)性能的削弱作用，從而使得tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料保持了優(yōu)良的力學(xué)性能。

圖2為dsc分析曲線，其中，圖2(a)為實(shí)施例2制備的多孔tinicu形狀記憶合金的dsc分析曲線，而圖2(b)為實(shí)施例3制備的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即mg/tinicu的dsc分析曲線。由兩圖比較可見，升、降溫過(guò)程中在dsc曲線上各出現(xiàn)了一個(gè)峰，其分別對(duì)應(yīng)tinicu形狀記憶合金升、降溫過(guò)程中的逆、正馬氏體相變。對(duì)比圖2(a)和圖2(b)看出，mg填充后除了兩峰均輕微向高溫方向移動(dòng)以外，峰高及峰的面積均變化不大，這說(shuō)明與mg復(fù)合后，tinicu形狀記憶合金的馬氏體相變過(guò)程并未受到明顯的抑制，從而保證了其仍會(huì)具有優(yōu)良的形狀記憶及高阻尼特性。tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即mg/tinicu的相變區(qū)間恰好處在室溫附近，鑒于實(shí)際生產(chǎn)中常用的工作溫度范圍，這對(duì)于本發(fā)明制備的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的推廣使用十分有利。

圖3為實(shí)施例2制備的多孔tinicu形狀記憶合金及實(shí)施例3制備的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即mg/tinicu的準(zhǔn)靜態(tài)壓縮應(yīng)力-應(yīng)變曲線。由圖3可見，較之多孔tinicu形狀記憶合金，tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即mg/tinicu的壓縮力學(xué)性能得到了顯著提高。而從表1列出的實(shí)施例2制得的多孔tinicu形狀記憶合金成品及實(shí)施例3制得的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品即mg/tinicu的阻尼值的對(duì)比可以看出，較之多孔tinicu形狀記憶合金在從-20℃至100℃這一寬的溫度范圍內(nèi)，mg/tinicu都表現(xiàn)出了顯著提高的阻尼本領(lǐng)，這充分說(shuō)明本發(fā)明制備的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即mg/tinicu具有了輕質(zhì)、高強(qiáng)、高阻尼的優(yōu)良的綜合性能。

表1.實(shí)施例2制得的多孔tinicu成品與實(shí)施例3制得的mg/tinicu的阻尼值的對(duì)比

實(shí)施例4

第一步，原料的配置

稱取需要量的鈦粉、鎳粉和銅粉，按照ni、ti、cu原子百分比分別為31％、50％、19％進(jìn)行配料，然后將混合粉置于不銹鋼球磨罐中，注滿無(wú)水乙醇后密封，在行星式球磨機(jī)上球磨7小時(shí)，球磨中采用的球料比為10∶1，球磨機(jī)的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分鐘，之后，將混合粉取出并置于濾紙上靜置5分鐘，待用；

第二步，多孔tinicu形狀記憶合金的制備：

將第一步制得的混合粉與平均粒徑為1.0mm的去結(jié)晶水nacl顆粒均勻混合，去結(jié)晶水nacl顆粒的用量為其占混合粉與去結(jié)晶水nacl顆?；旌衔矬w積百分比的80％，將該混合物在混料機(jī)中混合60min后裝入內(nèi)壁涂覆硬脂酸鋅的不銹鋼模具中，單向加壓360mpa制得生坯，之后將生坯裝入氧化鋁坩堝，并置于管式真空燒結(jié)爐中，待爐內(nèi)真空抽至10pa后，以8℃/分鐘的速率加熱至790℃，保溫2小時(shí)后再以15℃/分鐘的速率加熱至1000℃，保溫3小時(shí)后隨爐冷卻至室溫，將燒結(jié)體于爐內(nèi)取出并置于超聲波水浴中清洗30分鐘后烘干，制得多孔tinicu形狀記憶合金成品；

第三步，tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品的制備：

將第二步制備得的多孔tinicu形狀記憶合金成品切去上下表層后置于丙酮中，超聲清洗60分鐘，烘干，然后取同等體積的塊狀純mg置于其頂部，用氧化鋁陶瓷片分別于上下兩面夾持后再用mo絲整體捆綁，然后將此整體捆綁的體系裝入氧化鋁坩堝，并將該坩堝置于管式真空燒結(jié)爐的爐管中，待爐內(nèi)真空抽至5pa后充入高純氬氣然后再次將真空抽至5pa，如此重復(fù)4次后以8℃/分鐘的速率加熱至710℃，保溫22分鐘，使純mg熔融并滲入多孔tinicu形狀記憶合金的孔隙之中，然后將爐管移出管式真空燒結(jié)爐的爐膛，冷卻至室溫，由此制得tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品，所制得的tinicu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料成品中純mg的體積分?jǐn)?shù)為80％，純mg粒徑為1.0mm。

上述實(shí)施例中所用原料均為商購(gòu)獲得，工藝和設(shè)備均為本技術(shù)領(lǐng)域公知的。