技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例提供一種磁控濺射臺以及磁控濺射裝置，涉及磁控濺射工藝技術(shù)領(lǐng)域，能夠避免僅通過調(diào)整掩膜板與支撐該掩膜板的支撐架之間的墊片數(shù)量，導(dǎo)致待成膜基片與掩膜板之間距離的調(diào)整精度較低的問題。該磁控濺射臺包括掩膜板、升降機構(gòu)以及待成膜基片。待成膜基片位于升降機構(gòu)的承載面上，且掩膜板位于待成膜基片背離所述升降機構(gòu)的一側(cè)。升降機構(gòu)用于根據(jù)升降指令上升或下降，以對待成膜基片和掩膜板之間的距離進行調(diào)整。

技術(shù)研發(fā)人員：薛金祥;孫中元;周翔
受保護的技術(shù)使用者：京東方科技集團股份有限公司
文檔號碼：201710002814
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.03
技術(shù)公布日：2017.05.31