本發(fā)明涉及磁控濺射工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種磁控濺射臺(tái)以及磁控濺射裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(英文全稱(chēng)：Organic Light Emitting Diode，英文簡(jiǎn)稱(chēng)：OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點(diǎn)而越來(lái)越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。

對(duì)于大尺寸的OLED顯示器而言，當(dāng)該顯示器中的OLED器件為頂發(fā)射型時(shí)，可以采用透明導(dǎo)電材料作為OLED器件的陰極。構(gòu)成該透明導(dǎo)電層的材料可以為IZO(英文全稱(chēng)：Indium Zinc Oxide，中文全稱(chēng)：銦氧化鋅)或者IGZO(英文全稱(chēng)：Indium Gallium Zinc Oxide，中文全稱(chēng)：銦鎵鋅氧化物)為等。具體的，當(dāng)采用上述透明導(dǎo)電材料是，可以采用磁控濺射工藝形成OLED器件的陰極。

然而，當(dāng)采用磁控濺射工藝制備OLED器件的陰極時(shí)，如果待成膜基片與掩膜板之間的距離較遠(yuǎn)，將會(huì)導(dǎo)致Shadow(薄膜圖案化陰影)的出現(xiàn)。或者，如果待成膜基片與掩膜板之間的距離較近，待成膜基片會(huì)受到掩膜板較大的擠壓力，容易導(dǎo)致待成膜基片發(fā)生破損。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了對(duì)待成膜基片與掩膜板之間的距離進(jìn)行調(diào)整，通常會(huì)對(duì)掩膜板與支撐該掩膜板的掩膜板支撐架之間的墊片數(shù)量進(jìn)行調(diào)整。然而，由于墊片的尺寸規(guī)格有限，因此很難使得調(diào)節(jié)后的間距達(dá)到理想值，從而降低了待成膜基片與掩膜板之間距離的調(diào)整精度。此外，在調(diào)整的過(guò)程中反復(fù)增減墊片，會(huì)導(dǎo)致調(diào)節(jié)過(guò)程繁瑣，降低了生產(chǎn)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種磁控濺射臺(tái)以及磁控濺射裝置，避免僅通過(guò)調(diào)整掩膜板與支撐該掩膜板的支撐架之間的墊片數(shù)量，導(dǎo)致待成膜基片與掩膜板之間距離的調(diào)整精度較低的問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種磁控濺射臺(tái)，包括掩膜板、升降機(jī)構(gòu)以及待成膜基片；所述待成膜基片位于所述升降機(jī)構(gòu)的承載面上，且所述掩膜板位于所述待成膜基片背離所述升降機(jī)構(gòu)的一側(cè)；所述升降機(jī)構(gòu)用于根據(jù)升降指令上升或下降，以對(duì)所述待成膜基片和所述掩膜板之間的距離進(jìn)行調(diào)整。

優(yōu)選的，所述升降機(jī)構(gòu)包括多個(gè)均勻分布的升降組件；所述升降組件包括升降桿，以及與所述升降桿相連接的驅(qū)動(dòng)器，所述驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)所述升降桿運(yùn)動(dòng)。

優(yōu)選的，所述升降組件還包括設(shè)置于所述升降桿靠近所述待成膜基片一側(cè)的壓力感應(yīng)部；所述壓力感應(yīng)部與所述升降桿相連接，用于對(duì)升降桿的支撐力進(jìn)行采集。

優(yōu)選的，所述驅(qū)動(dòng)器還與所述壓力感應(yīng)部相連接，所述驅(qū)動(dòng)器包括處理單元、驅(qū)動(dòng)控制單元以及執(zhí)行單元；所述處理單元與所述壓力感應(yīng)部相連接，用于根據(jù)所述壓力感應(yīng)部的采集結(jié)果計(jì)算出所述升降桿的位移補(bǔ)償值；所述驅(qū)動(dòng)控制單元與所述處理單元相連接，用于根據(jù)所述位移補(bǔ)償值生成所述升降指令；其中所述升降指令與所述位移補(bǔ)償值相匹配；所述執(zhí)行單元與所述驅(qū)動(dòng)控制單元和所述升降桿相連接，用于根據(jù)所述升降指令控制所述升降桿的位移。

優(yōu)選的，所述升降組件還包括連接所述升降桿和所述壓力感應(yīng)部的緩沖部；所述緩沖部用于在所述升降桿上升或下降的過(guò)程中，對(duì)所述升降桿施加至所述壓力感應(yīng)部件的作用力進(jìn)行緩沖。

優(yōu)選的，所述執(zhí)行單元為旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述升降桿為絲杠；所述升降機(jī)構(gòu)還包括固定安裝的固定板；所述固定板與所述待成膜基片平行；每一個(gè)所述絲杠穿過(guò)所述固定板，并與所述固定板相配合以構(gòu)成絲杠螺母副；所述升降組件還包括安裝于所述固定板上的導(dǎo)軌，所述導(dǎo)軌的延伸方向與所述絲杠的延伸方向一致，所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)的機(jī)殼安裝于所述導(dǎo)軌上，所述絲杠在上升或下降的過(guò)程中帶動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)沿所述導(dǎo)軌運(yùn)動(dòng)。

優(yōu)選的，所述執(zhí)行單元為液壓缸，所述升降桿與所述液壓缸的活塞桿相連接。

優(yōu)選的，所述壓力感應(yīng)部包括封裝蓋、滾珠、杠桿支架以及安裝于所述杠桿支架上的多個(gè)傾斜設(shè)置的杠桿；所述多個(gè)杠桿設(shè)置于所述滾珠周邊，每一個(gè)所述杠桿的一端與所述滾珠相接觸；所述封裝蓋上設(shè)置有用于露出所述滾珠的開(kāi)孔，以使得所述滾珠與所述待成膜基片相接觸；所述壓力感應(yīng)部還包括安裝于所述封裝蓋背離所述待成膜基片一側(cè)的多個(gè)壓電感應(yīng)器，所述壓電感應(yīng)器與所述杠桿一一對(duì)應(yīng)，且所述壓電感應(yīng)器設(shè)置于所述杠桿的另一端。

優(yōu)選的，所述緩沖部包括套筒以及彈簧；所述彈簧的一端與所述套筒相連接，另一端與所述升降桿相連接；所述套筒扣合與所述升降桿上，且所述套筒背離所述升降桿的一端與所述壓力感應(yīng)部相連接。

本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種磁控濺射裝置，包括如上所述的任意一種磁控濺射臺(tái)；所述磁控濺射裝置還包括磁控濺射腔室，所述磁控濺射臺(tái)位于所述磁控濺射腔室內(nèi)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁控濺射臺(tái)以及磁控濺射裝置，該磁控濺射臺(tái)包括掩膜板、升降機(jī)構(gòu)以及待成膜基片。其中，待成膜基片位于升降機(jī)構(gòu)的承載面上，且掩膜板位于待成膜基片背離升降機(jī)構(gòu)的一側(cè)。該升降機(jī)構(gòu)用于根據(jù)升降指令上升或下降，以對(duì)待成膜基片和掩膜板之間的距離進(jìn)行調(diào)整。這樣一來(lái)，該升降機(jī)構(gòu)在上升或下降的過(guò)程中可以對(duì)掩膜板與待成膜基片之間的距離進(jìn)行微調(diào)，從而提高待成膜基片與掩膜板之間距離的調(diào)整精度，且避免多次通過(guò)調(diào)整掩膜板與掩膜板支撐架之間的墊片數(shù)量導(dǎo)致調(diào)節(jié)過(guò)程繁瑣的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種磁控濺射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖1中磁控濺射臺(tái)的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖1中磁控濺射臺(tái)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4中壓力感應(yīng)部的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為圖5中壓力感應(yīng)部的俯視圖；

圖7為圖1中磁控濺射臺(tái)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為圖1中磁控濺射臺(tái)的又一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為圖1中升降組件的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為圖9中各個(gè)部件的分解示意圖。

附圖標(biāo)記：

01-磁控濺射臺(tái)；02-磁控濺射腔室；10-掩膜板；101-開(kāi)口區(qū)域；102-遮擋區(qū)域；11-掩膜板支撐架；12-靶材；13-磁控管；14-調(diào)整墊片；20-升降機(jī)構(gòu)；21-升降組件；210-升降桿；211-驅(qū)動(dòng)器；2110-處理單元；2111-驅(qū)動(dòng)控制單元；2112-執(zhí)行單元；2113-操作單元；212-壓力感應(yīng)部；2120-封裝蓋；2121-滾珠；2122-杠桿支架；2123-杠桿；2124-壓電感應(yīng)器；213-固定板；214-；215-緩沖部；2151-套筒；2152-彈簧；30-待成膜基片。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種如圖1所示的磁控濺射臺(tái)01。該磁控濺射臺(tái)01包括掩膜板10、升降機(jī)構(gòu)20以及待成膜基片30。其中，該掩膜板10如圖2所示，具有間隔設(shè)置的開(kāi)口區(qū)域101和遮擋區(qū)域102。

具體的，該待成膜基片30位于升降機(jī)構(gòu)20的承載面上。其中，該升降機(jī)構(gòu)20的承載面是指升降機(jī)構(gòu)20用于承載待成膜基片30的表面，即與該待成膜基片30相接觸的表面。

此外，掩膜板10位于待成膜基片30背離升降機(jī)構(gòu)20的一側(cè)。該升降機(jī)構(gòu)20用于根據(jù)升降指令沿如圖1所示的箭頭方向上升或下降，以對(duì)待成膜基片30和掩膜板10之間的距離H1進(jìn)行調(diào)整。

需要說(shuō)明的是，上述磁控濺射臺(tái)01設(shè)置于封閉的磁控濺射腔室02內(nèi)。在進(jìn)行磁控濺射工藝時(shí)，磁控濺射腔室02內(nèi)處于真空的狀態(tài)，此時(shí)，向磁控濺射腔室02內(nèi)充入啟輝氣體，并通過(guò)磁控管13產(chǎn)生磁場(chǎng)。該啟輝氣體為惰性氣體，例如氬氣、氦氣等?；谳x光放電原理，使得啟輝氣體產(chǎn)生氣體正離子C1。該氣體正離子C1撞擊靶材12，使得固定原子C2從靶材12表面射出，并通過(guò)掩膜板10的開(kāi)口區(qū)域101沉積于待成膜基片30上，以形成圖案化的薄膜層。

在此情況下，一方面，為了避免待成膜基片30與靶材12之間的距離H2太小，從而使得沉積于待成膜基片30的固定原子C2動(dòng)能較大，對(duì)已形成于待成膜基片30上的薄膜層，例如OLED器件中的有機(jī)材料功能層造成損壞。可通過(guò)上述升降機(jī)構(gòu)20沿垂直于地面的方向下降，從而帶動(dòng)待成膜基片30下降，以增大待成膜基片30與靶材12之間的距離H2。這樣一來(lái)，能夠增加從靶材12表面射出固定原子C2與啟輝氣體的碰撞次數(shù)，從而降低了上述固定原子C2在沉積于待成膜基片30表面時(shí)的動(dòng)能，進(jìn)而可以降低對(duì)已形成于待成膜基片30上的薄膜層的損壞程度。其中，上述OLED器件的有機(jī)材料功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層等。

另一方面，當(dāng)通過(guò)升降機(jī)構(gòu)20將待成膜基片30與靶材12之間的距離H2調(diào)整好后，將會(huì)增大待成膜基片30與掩膜板10之間的間距H1。在此情況下，可以先通過(guò)減小掩膜板10和用于支撐掩膜板10的掩膜板支撐架11之間的墊片14的數(shù)量，以對(duì)待成膜基片30與掩膜板10之間的間距H1進(jìn)行粗調(diào)。當(dāng)通過(guò)調(diào)整墊片14的數(shù)量不能夠達(dá)到理想間距時(shí)，可以通過(guò)上述升降機(jī)構(gòu)20沿垂直于地面的方向上升，從而帶動(dòng)待成膜基片30上升，以使得待成膜基片30與掩膜板10之間的間距H1逐漸減小，最終達(dá)到上述理想間距。

其中，該理想間距需要使得待成膜基片30與掩膜板10緊貼的同時(shí)，確保掩膜板10不會(huì)對(duì)待成膜基片30施加過(guò)大的壓力，從而導(dǎo)致待成膜基片30破損或者掩膜板10發(fā)生變形。這樣一來(lái)，通過(guò)升降機(jī)構(gòu)20能夠?qū)Υ赡せ?0與掩膜板10之間的間距H1進(jìn)行微調(diào)，以盡可能減小上述間距H1，從而可以降低固定原子C2穿過(guò)掩膜板10的開(kāi)口區(qū)域101后落入成膜基片30與掩膜板10的間隙中形成Shadow的幾率，以達(dá)到降低有上述Shadow導(dǎo)致器件短路不良產(chǎn)生的幾率。

需要說(shuō)明的是，上述理想間距可以通過(guò)工作人員的多次調(diào)試得出。此外，為了表面在調(diào)節(jié)的過(guò)程中，使得掩膜板10對(duì)待成膜基片30施加過(guò)大的壓力，造成掩膜板10或待成膜基片30損壞。優(yōu)選的，工作人員還可以設(shè)置調(diào)節(jié)上線，當(dāng)上述間距H1大于或等于上述調(diào)節(jié)上線時(shí)，可以通過(guò)報(bào)警裝置進(jìn)行報(bào)警。

綜上所述，該升降機(jī)構(gòu)20在上升或下降的過(guò)程中可以對(duì)掩膜板10與待成膜基片30之間的距離H1進(jìn)行微調(diào)，從而提高待成膜基片30與掩膜板10之間距離H1的調(diào)整精度，且避免多次通過(guò)調(diào)整掩膜板10與掩膜板支撐架11之間的墊片14數(shù)量導(dǎo)致調(diào)節(jié)過(guò)程繁瑣的問(wèn)題，進(jìn)而可以提高生產(chǎn)效率。

由上述可知，在磁控濺射的過(guò)程中，需要通過(guò)磁控管13產(chǎn)生磁場(chǎng)，而掩膜板10通常由金屬材料制成，因此掩膜板10在上述磁控管13的磁場(chǎng)作用下，會(huì)造成部分變形。例如，如圖3所示，掩膜板10在對(duì)應(yīng)磁控管13的位置F發(fā)生鼓起。

在此情況下，為了通過(guò)升降機(jī)構(gòu)20在上升或下降的過(guò)程中可以對(duì)掩膜板10與待成膜基片30之間的距離H1進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)，使得掩膜板10與待成膜基片30之間的距離H1處處相等。優(yōu)選的，如圖3所示，該升降機(jī)構(gòu)20包括多個(gè)均勻分布的升降組件21。

其中，升降組件21包括升降桿210，以及與升降桿210相連接的驅(qū)動(dòng)器211，該驅(qū)動(dòng)器211用于驅(qū)動(dòng)升降桿210沿垂直于地面的方向上、下運(yùn)動(dòng)。這樣一來(lái)，每一個(gè)升降組件21可以單獨(dú)上升或下降，從而可以在掩膜板10上發(fā)生局部變形位置處，對(duì)該掩膜板10與待成膜基片30之間的距離H1進(jìn)行單獨(dú)調(diào)整。例如，當(dāng)減小上述間距H1時(shí)，對(duì)應(yīng)掩膜板10上發(fā)生鼓起位置處F的升降組件21而言，其上升時(shí)的位移量大于對(duì)應(yīng)其他位置的升降組件21在上升過(guò)程中的位移量，從而使得掩膜板10與待成膜基片30之間的距離H1處處相等。

在此基礎(chǔ)上，由上述可知升降機(jī)構(gòu)20在對(duì)待成膜基片30和掩膜板10之間的距離H1進(jìn)行調(diào)整的過(guò)程中，該升降機(jī)構(gòu)20可以根據(jù)升降指令沿如圖1所示的箭頭方向上升或下降。其中，上述升降指令可以通過(guò)工作人員直接發(fā)出，或者還可以通過(guò)對(duì)升降桿210的支撐力進(jìn)行采集，并根據(jù)采集結(jié)果生成上述升降指令，以達(dá)到自動(dòng)調(diào)節(jié)上述間距H1的目的。

為了實(shí)現(xiàn)對(duì)升降桿210的支撐力的采集，優(yōu)選的，如圖4所示，該升降組件21還包括設(shè)置于所述升降桿210靠近待成膜基片30一側(cè)的壓力感應(yīng)部212。該壓力感應(yīng)部212與升降桿210相連接，用于對(duì)升降桿210的支撐力進(jìn)行采集。

具體的，上述壓力感應(yīng)部212可以為一壓電傳感器，該壓電傳感器的一端與升降桿210相連接，在升降桿210上升的過(guò)程中，壓電傳感器的另一端與待成膜基片30相接觸，隨著升降桿210的繼續(xù)上升，升降桿210與待成膜基片30支架的壓力，即升降桿210向待成膜基片30提供的支撐力不斷變化，從而使得壓電傳感器輸出的電信號(hào)發(fā)生變化，從而達(dá)到對(duì)升降桿210的支撐力進(jìn)行采集的目的。

進(jìn)一步的，為了提高壓力感應(yīng)部212的檢測(cè)精度，本發(fā)明還提供對(duì)了一種壓力感應(yīng)部212的結(jié)構(gòu)，具體的如圖5所示，該壓力感應(yīng)部212包括封裝蓋2120、滾珠2121、杠桿支架2122以及安裝于杠桿支架2122上的多個(gè)傾斜設(shè)置的杠桿2123。

其中，如圖6所示多個(gè)杠桿2123設(shè)置于滾珠2121的周邊。如圖5所示，每一個(gè)杠桿2121的一端與滾珠2121相接觸。此外，封裝蓋上2120設(shè)置有用于露出滾珠2121的開(kāi)孔，以使得滾珠2121能夠與待成膜基片30相接觸。

在此基礎(chǔ)上，該壓力感應(yīng)部212還包括安裝于封裝蓋2120背離待成膜基片30一側(cè)的多個(gè)壓電感應(yīng)器2124，且該壓電感應(yīng)器2124與杠桿2123一一對(duì)應(yīng)，該壓電感應(yīng)器2124設(shè)置于杠桿2123的另一端。

這樣一來(lái)，在升降桿210上升的過(guò)程中，滾珠2121與待成膜基片30相接觸，隨著升降桿210的繼續(xù)上升，升降桿210與待成膜基片30支架的壓力逐漸增大，此時(shí)滾珠2121沿垂直于地面的方向向下運(yùn)動(dòng)，從而將杠桿2123與滾珠2121相接觸的一端沿如圖5的箭頭所示的方向向下按壓。在此情況下，杠桿2123與壓電感應(yīng)器2124的一端沿箭頭所示的方向向上按壓與該杠桿2123位置相對(duì)應(yīng)的壓電感應(yīng)器2124，使得壓電傳感器2124對(duì)杠桿2123施加的壓力進(jìn)行采集。

在此基礎(chǔ)上，通過(guò)杠桿原理，可以將上述該壓電傳感器2124檢測(cè)到的壓力轉(zhuǎn)換為滾珠2121施加至該杠桿2123的壓力。當(dāng)?shù)贸鰸L珠2121施加至每個(gè)杠桿2123的壓力后，再乘以杠桿2123的數(shù)量即可得出滾珠2121收到待成膜基片30的壓力，即單個(gè)升降組件21向待成膜基片30提供的支撐力。

綜上所述，通過(guò)設(shè)置于滾珠2121周?chē)母軛U2123，以及與該杠桿2123一一對(duì)應(yīng)的壓電感應(yīng)器2124，可以對(duì)均勻的對(duì)滾珠2121四周的受力進(jìn)行采集，從而可以提高對(duì)單個(gè)升降組件21支撐力進(jìn)行采集的采集精度，進(jìn)而提高對(duì)掩膜板10與待成膜基片30之間的距離H1進(jìn)行微調(diào)的精度。

基于此，為了使得驅(qū)動(dòng)器211能夠并根據(jù)上述各個(gè)壓力感應(yīng)部212的采集結(jié)果生成上述升降指令，并執(zhí)行該升降指令。優(yōu)選的，該驅(qū)動(dòng)器211還與壓力感應(yīng)部212相連接。在此情況下，如圖7所示，該驅(qū)動(dòng)器211包括處理單元2110、驅(qū)動(dòng)控制單元2111以及執(zhí)行單元2112。

其中，該處理單元2110與壓力感應(yīng)部212相連接。該處理單元2110用于根據(jù)壓力感應(yīng)部212的采集結(jié)果計(jì)算出升降桿210的位移補(bǔ)償值。

驅(qū)動(dòng)控制單元2111與處理單元2110相連接，該驅(qū)動(dòng)控制單元2111用于根據(jù)上述位移補(bǔ)償值生成上述升降指令。其中，該升降指令與位移補(bǔ)償值相匹配。

執(zhí)行單元2112與驅(qū)動(dòng)控制單元2111和升降桿210相連接，該執(zhí)行單元2112用于根據(jù)升降指令控制升降桿210的位移。

需要說(shuō)明的是，上述位移補(bǔ)償值的數(shù)值可以為正，也可以為負(fù)。例如，當(dāng)執(zhí)行單元2112根據(jù)升降指令控制升降桿210上升時(shí)，上述位移補(bǔ)償值的數(shù)值可以為正，以通過(guò)該位置補(bǔ)償值對(duì)升降桿210的位移進(jìn)行正向補(bǔ)償。當(dāng)執(zhí)行單元2112根據(jù)升降指令控制升降桿210下降時(shí)，上述位移補(bǔ)償值的數(shù)值可以為負(fù)，以通過(guò)該位置補(bǔ)償值對(duì)升降桿210的位移進(jìn)行負(fù)向補(bǔ)償。

這樣一來(lái)，在驅(qū)動(dòng)器211包括處理單元2110、驅(qū)動(dòng)控制單元2111以及執(zhí)行單元2112的情況下，由于該處理單元2110與壓力感應(yīng)部212相連接，從而可以形成壓力反饋回路。通過(guò)該壓力反饋回路可以對(duì)升降桿210的支撐力進(jìn)行實(shí)時(shí)采集，并根據(jù)實(shí)時(shí)采集的結(jié)果對(duì)升降桿210的支撐力進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)。

此外，為了方便工作人員輸入操作指令，以對(duì)上述調(diào)節(jié)過(guò)程進(jìn)行人為操控，例如輸入開(kāi)啟設(shè)備或關(guān)閉設(shè)備的指令，或者控制上述反饋回路斷開(kāi)，直接輸入上述升降指令等操作指令。優(yōu)選的，上述驅(qū)動(dòng)器211還包括與處理單元2110相連接的操作單元2113。該操作單元2113包括操作平臺(tái)，工作人員可以通過(guò)操作平臺(tái)輸入上述指令。

以下對(duì)上述執(zhí)行單元2112的結(jié)構(gòu)進(jìn)行舉例說(shuō)明。

例如，如圖8所示，該執(zhí)行單元2112為旋轉(zhuǎn)電機(jī)，該旋轉(zhuǎn)電機(jī)的輸出軸可以通過(guò)聯(lián)軸器與上述升降桿210相連接。

在此情況下，上述升降桿210如圖9所示，可以為絲杠。在此基礎(chǔ)上，為了使得絲杠能夠上升或下降，該升降機(jī)構(gòu)21還包括固定安裝的固定板213。其中，該固定板與待成膜基片30平行。每一個(gè)杠穿過(guò)固定板213，并與固定板213相配合以構(gòu)成絲杠螺母副。

需要說(shuō)明的是，上述固定安裝的固定板213是指，可以通過(guò)固定安裝方式，例如焊接、螺紋固定等方式將固定板213安裝于磁控濺射腔室02的內(nèi)壁上。這樣一來(lái)，當(dāng)旋轉(zhuǎn)電機(jī)的輸出軸在轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，可以帶動(dòng)絲杠旋轉(zhuǎn)，在絲杠螺母副的作用下，絲杠可以上升或下降，可以減小或增加掩膜板10與待成膜基片30之間的距離H1。

在此情況下，當(dāng)絲杠上升或下降的過(guò)程中，旋轉(zhuǎn)電機(jī)也需要沿絲杠的延伸方向進(jìn)行直線運(yùn)動(dòng)。因此，上述升降組件21還包括安裝于固定板213上的導(dǎo)軌214。該導(dǎo)軌214的延伸方向與絲杠的延伸方向一致，旋轉(zhuǎn)電機(jī)的機(jī)殼安裝于導(dǎo)軌上，從而使得絲杠在上升或下降的過(guò)程中能夠帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)電機(jī)沿導(dǎo)軌直線運(yùn)動(dòng)。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)上述旋轉(zhuǎn)電機(jī)為伺服電機(jī)時(shí)，上述驅(qū)動(dòng)控制單元2111可以通過(guò)控制向伺服電機(jī)輸出信號(hào)的脈沖數(shù)量，以達(dá)到控制伺服電機(jī)轉(zhuǎn)速的目的。

或者，又例如，上述執(zhí)行單元2112可以為液壓缸，該升降桿210與液壓缸的活塞桿相連接。具體的，驅(qū)動(dòng)控制單元2111可以控制液壓缸的行程，以到達(dá)控制升降桿210上升或下降的目的。

在此基礎(chǔ)上，為了避免210在上升的過(guò)程中，對(duì)壓力感應(yīng)部212的沖擊力過(guò)大。優(yōu)選的，該升降組件21如圖9所示，還包括連接升降桿210和壓力感應(yīng)部212的緩沖部215。該緩沖部215用于在升降桿210上升或下降的過(guò)程中，對(duì)升降桿210施加至壓力感應(yīng)部件212的作用力進(jìn)行緩沖。

具體的，如圖10所示，該緩沖部215包括套筒2151以及彈簧2152。其中，彈簧2152的一端與套筒2151相連接。例如，通過(guò)焊接的方式將彈簧2152的一端連接于套筒2151內(nèi)。此外，彈簧2152的另一端與升降桿210相連接。例如，在升降桿210靠近彈簧2152的一端設(shè)置圓柱形凸臺(tái)，以將彈簧2152套在上述圓柱形凸臺(tái)上，實(shí)現(xiàn)彈簧2152與升降桿210的連接。

在此基礎(chǔ)上，如圖9所示，套筒2151扣合與上述升降桿210上，且套筒2151背離升降桿210的一端與壓力感應(yīng)部212相連接。從而可以通過(guò)緩沖部215將升降桿210和壓力感應(yīng)部212相連接。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁控濺射裝置，包括如上所述的任意一種磁控濺射臺(tái)01。具有與前述實(shí)施例提供的磁控濺射臺(tái)01相同的結(jié)構(gòu)和有益效果，由于前述實(shí)施例已經(jīng)對(duì)磁控濺射臺(tái)01的結(jié)構(gòu)和有益效果進(jìn)行了說(shuō)明，此處不再贅述。

此外，磁控濺射裝置還包括如圖1所示的磁控濺射腔室02，上述磁控濺射臺(tái)01位于磁控濺射腔室02內(nèi)。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：ROM、RAM、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。