本實用新型涉及微電子集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種流體供應(yīng)裝置及研磨設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著微電子集成電路向薄型化、平坦化工藝發(fā)展，化學(xué)機械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)已經(jīng)發(fā)展成達成全局平坦化的最佳方法，成為一項不可或缺的制作工藝技術(shù)。

化學(xué)機械研磨是一個復(fù)雜的工藝過程，通常采用化學(xué)機械研磨設(shè)備，也稱為研磨機臺或拋光機臺來進行化學(xué)機械研磨工藝?，F(xiàn)有的研磨設(shè)備如圖1所示，包括研磨平臺101，粘貼在所述研磨平臺101上的研磨墊103，用于夾持待研磨晶片的研磨頭102；用于帶動所述研磨頭102轉(zhuǎn)動的卡盤104；用于供應(yīng)研磨液的研磨液供應(yīng)管105。進行化學(xué)機械研磨時，將待研磨晶片100安裝在所述研磨頭102上，所述研磨頭102在所述卡盤104提供的下壓力下使所述待研磨晶片100的待研磨面向下接觸并緊壓在所述研磨墊103上。所述研磨液供應(yīng)管105施放研磨液于所述研磨墊103的表面上，如此一來即可通過化學(xué)機械的效果來去除所述待研磨晶片100表面上的材料。

所述研磨液供應(yīng)管105一般是施放研磨液在所述研磨墊103的中央，并旋轉(zhuǎn)所述研磨平臺101，靠旋轉(zhuǎn)研磨墊103的離心力使研磨液平均分布在整個研磨墊的表面。在化學(xué)機械研磨過程中，需要使用大量的研磨液，因此所述研磨墊103在進行旋轉(zhuǎn)時必然會有大部分研磨液被甩出，研磨液的實際利用率則大大降低。并且，甩出的研磨液會濺落在研磨設(shè)備的內(nèi)壁上，形成研磨液的結(jié)晶體，而這些結(jié)晶體在后續(xù)研磨過程中，會掉落到所述研磨頭102以及所述研磨墊103上，從而在晶片表面產(chǎn)生劃痕等缺陷。同時，僅靠旋轉(zhuǎn)所述研磨墊103的離心力來使研磨液平均的分布在研磨墊表面是相當(dāng)困難的。因此，所述研磨墊103邊緣的研磨液數(shù)量會少于中央位置，這將導(dǎo)致所述研磨墊103中央的研磨速率比邊緣高。在更換新的研磨墊后，其含有的表面凹槽比傳統(tǒng)的凹槽更深，這個問題會更加嚴重，也因此使研磨液在所述研磨墊103上均勻分布的難度更高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種流體供應(yīng)裝置及研磨設(shè)備，以解決在現(xiàn)有的化學(xué)機械研磨設(shè)備工作過程中，研磨液在研磨墊上分布不均的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種流體供應(yīng)裝置，所述流體供應(yīng)裝置用于研磨設(shè)備，所述流體供應(yīng)裝置包括：流體供應(yīng)組件，所述流體供應(yīng)組件包括承載構(gòu)件及與所述承載構(gòu)件連接的流體施放頭，所述流體施放頭上開設(shè)有多個通孔；流體供應(yīng)管道，所述流體供應(yīng)管道設(shè)置于所述流體供應(yīng)組件內(nèi)，所述流體供應(yīng)管道與所述流體施放頭連通。

可選的，在所述流體供應(yīng)裝置中，所述流體供應(yīng)管道的數(shù)量為多個，多個所述流體供應(yīng)管道分為輸送研磨液的第一管道和輸送去離子水的第二管道。

可選的，在所述流體供應(yīng)裝置中，所述第一管道和所述第二管道上均設(shè)置有多個噴嘴。

可選的，在所述流體供應(yīng)裝置中，所述研磨設(shè)備包括研磨墊，所述流體供應(yīng)裝置向所述研磨墊供應(yīng)流體，所述研磨墊上具有多個凹槽，所述第一管道和所述第二管道上的多個噴嘴間隔對應(yīng)于所述研磨墊上的多個凹槽。

可選的，在所述流體供應(yīng)裝置中，所述第一管道和所述第二管道能夠在流體供應(yīng)組件內(nèi)移動。

可選的，在所述流體供應(yīng)裝置中，所述第一管道和所述第二管道移動的距離為所述研磨墊上相鄰兩個凹槽之間距離的整數(shù)倍。

可選的，在所述流體供應(yīng)裝置中，所述流體供應(yīng)裝置還包括控制所述第一管道移動的第一馬達和控制所述第二管道移動的第二馬達。

可選的，在所述流體供應(yīng)裝置中，所述流體施放頭能夠相對于所述承載構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。

可選的，在所述流體供應(yīng)裝置中，所述流體施放頭為圓盤型結(jié)構(gòu)，所述多個通孔分布在所述流體施放頭的不同半徑范圍上。

可選的，在所述流體供應(yīng)裝置中，所述流體施放頭的材料為不銹鋼。

本實用新型還提供了一種研磨設(shè)備，所述研磨設(shè)備包括如上所述的流體供應(yīng)裝置。

可選的，在所述研磨設(shè)備中，所述研磨設(shè)備還包括研磨平臺，所述研磨平臺上粘貼有研磨墊，所述流體供應(yīng)裝置向所述研磨墊供應(yīng)流體。

在本實用新型提供的流體供應(yīng)裝置及研磨設(shè)備具有以下優(yōu)點：

所述流體供應(yīng)裝置包括：流體供應(yīng)組件，所述流體供應(yīng)組件包括承載構(gòu)件及與所述承載構(gòu)件連接的流體施放頭，所述流體施放頭上開設(shè)有多個通孔；向研磨墊輸送流體的流體供應(yīng)管道，所述流體供應(yīng)管道設(shè)置于所述流體供應(yīng)組件內(nèi)，所述流體供應(yīng)管道與所述流體施放頭連通。研磨液通過所述流體供應(yīng)管道流至所述流體施放頭上，并從所述流體施放頭上的多個通孔施放在所述研磨墊上，由此可以擴大所述研磨液的釋放面積，從而使得研磨液在研磨墊上均勻的分布。

附圖說明

為讓本實用新型的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，附圖的詳細說明如下：

圖1是現(xiàn)有研磨設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型的一較佳實施例的流體供應(yīng)裝置的正視圖；

圖3是本實用新型的一較佳實施例的流體供應(yīng)裝置的俯視圖；

圖4是本實用新型的一較佳實施例的研磨設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的流體供應(yīng)裝置及研磨設(shè)備作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

請參考圖2及圖3，圖2為本實用新型實施例中提供的流體供應(yīng)裝置正視圖，圖3為本實用新型實施例中提供的流體供應(yīng)裝置俯視圖。如圖2和圖3所示，所述流體供應(yīng)裝置包括：流體供應(yīng)組件，所述流體供應(yīng)組件包括承載構(gòu)件1及與所述承載構(gòu)件1連接的流體施放頭2，所述流體施放頭2上開設(shè)有多個通孔；流體供應(yīng)管道3，所述流體供應(yīng)管道3設(shè)置于所述流體供應(yīng)組件內(nèi)，所述流體供應(yīng)管道3與所述流體施放頭2連通，流體通過所述流體供應(yīng)管道3流至所述流體施放頭2上，并從所述流體施放頭2上的多個通孔施放在研磨墊5上。

具體的，所述流體供應(yīng)管道3的數(shù)量為多個，分為輸送研磨液的第一管道31和輸送去離子水的第二管道32。并且所述第一管道31上設(shè)置有多個噴嘴310，所述第二管道32上設(shè)置有多個噴嘴320。所述研磨液流經(jīng)所述第一管道31并可以從所述第一管道31上的所述多個噴嘴310施放在所述研磨墊5上，由此可以進一步擴大所述研磨液的釋放面積，從而使得研磨液在研磨墊上均勻的分布；同樣的，所述去離子水流經(jīng)所述第二管道32并可以從所述第二管道32上的所述多個噴嘴320施放在所述研磨墊5上。所述研磨液在對晶片進行研磨工藝時施放，在本實施例中，所述第一管道31的研磨液供應(yīng)速率為每分鐘50毫升到每分鐘60毫升；在完成一個晶片的研磨后，所述第二管道32施放去離子水10秒鐘用于清洗所述研磨墊5，為進行下一步的研磨作準備，減少產(chǎn)品缺陷。

具體的，所述研磨墊5上具有多個凹槽，所述第一管道31上的所述多個噴嘴310和所述第二管道32上的所述多個噴嘴320間隔對應(yīng)于所述研磨墊5上的多個凹槽，使研磨液和去離子水能夠被施放在所述研磨墊5上的凹槽中，即提高所述研磨液和去離子水釋放的均勻性。

具體的，所述第一管道31和所述第二管道32均能夠在所述流體施放組件中移動，并且移動的距離固定為所述研磨墊5上相鄰兩個凹槽之間距離的整數(shù)倍，這樣所述第一管道31和所述第二管道32在移動過后，所述多個噴嘴310和所述多個噴嘴320仍然間隔對應(yīng)于所述研磨墊5上的多個凹槽，使研磨液和去離子水能夠被施放在所述研磨墊5上的凹槽中。在本實施例中，所述研磨墊5上每兩個相鄰凹槽間的距離為1.3厘米到1.5厘米。

具體的，所述流體供應(yīng)裝置還包括第一馬達41和第二馬達42，并且所述第一馬達41用于控制所述第一管道31的移動，所述第二馬達42用于控制所述第二管道32的移動。

所述流體施放頭2能夠相對于所述承載構(gòu)件1旋轉(zhuǎn)，具體的，所述流體施放頭2為圓盤型結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，所述多個通孔分布在所述流體施放頭2的不同半徑上。當(dāng)流體通過所述流體施放頭2上的多個通孔流至所述研磨墊5上時，所述流體施放頭2相對于所述承載構(gòu)件1進行旋轉(zhuǎn)，使所述流體更加均勻的施放在所述研磨墊5的表面。具體的請參考圖3，在本實施例中所述流體施放頭2上設(shè)有2個通孔。在本實施例中，所述研磨液從所述2個通孔中流出的速率均為每分鐘65毫升到每分鐘75毫升。優(yōu)選的，所述流體施放頭2的材料為不銹鋼，還可用于調(diào)整所述研磨墊5的平整度。

較佳的，為了使研磨液更加均勻的分布在所述研磨墊5上，現(xiàn)有研磨設(shè)備中的研磨液供應(yīng)管6可以繼續(xù)保留，用于向所述研磨墊5的中央處輸送研磨液，本實施例中所述研磨液供應(yīng)管6輸送研磨液的速率為每分鐘50毫升到每分鐘60毫升。

相應(yīng)的，本實施例還提供一種研磨設(shè)備，如圖4所示。所述研磨設(shè)備包括如上所述的流體供應(yīng)裝置以及研磨平臺7，所述研磨平臺7上粘貼有研磨墊5，所述流體供應(yīng)裝置向所述研磨墊5供應(yīng)流體。

在進行化學(xué)機械研磨工藝時，所述流體供應(yīng)裝置向所述研磨墊5提供研磨液，具體的，一方面，所述研磨液從所述第一管道31流至所述流體施放頭2中，并通過所述流體施放頭2上設(shè)置的多個通孔施放在所述研磨墊5上；另一方面，所述研磨液通過所述第一管道31上的多個噴嘴310直接施放在所述研磨墊5上。與此同時，所述流體施放頭2相對于所述承載構(gòu)件1進行旋轉(zhuǎn)，使所述流體更加均勻的施放在所述研磨墊5的表面。在完成一個晶片的研磨后，所述第二管道32通過所述多個噴嘴320施放去離子水10秒鐘用于清洗所述研磨墊5，以去除凹槽內(nèi)的殘留物質(zhì)，為進行下一步的研磨作準備，有利于減少晶片表面的劃傷缺陷。

上述描述僅是對本實用新型較佳實施例的描述，并非對本實用新型范圍的任何限定，本實用新型領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護范圍。