本實(shí)用新型涉及勻氣裝置的技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種勻氣桶。
背景技術(shù):
薄膜制備工藝是半導(dǎo)體制造工藝中的重要組成部分,一般分為物理成膜、化學(xué)成膜,以及物理與化學(xué)復(fù)合的制膜技術(shù)。其中,化學(xué)成膜方法中的原子層沉積(Atomic layer deposition,簡稱ALD)技術(shù),以及化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱CVD)技術(shù),都需要向反應(yīng)系統(tǒng)中通入相應(yīng)的反應(yīng)氣體。
目前,對于大腔體的CVD系統(tǒng)和ALD系統(tǒng)來說,膜層厚度的均勻性是一項(xiàng)非常重要的指標(biāo),而膜層厚度的均勻性常常受到進(jìn)氣方式、氣體的流動(dòng)速率等因素的影響。但是,現(xiàn)有的大腔體的CVD系統(tǒng)和ALD系統(tǒng)中的膜層厚度均勻性差,因此,如何提出一種能夠有效控制進(jìn)氣方式、氣體的流動(dòng)速率,從而實(shí)現(xiàn)控制膜層厚度均勻性的勻氣裝置,是業(yè)內(nèi)亟待解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型的目的在于提供一種勻氣桶,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中,化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)或原子層沉積系統(tǒng)的腔體內(nèi)不同位置的氣流速度和氣流均勻性不同,導(dǎo)致形成膜的膜層厚度均勻性差的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:提供一種勻氣桶,安裝于化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)或原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔內(nèi),所述勻氣桶包括用于勻氣的第一勻氣盤組、桶體及第二勻氣盤組,所述第一勻氣盤組和所述第二勻氣盤組分別封蓋于所述桶體兩端的開口上。
進(jìn)一步地,所述第一勻氣盤組包括圓盤,以及設(shè)置于所述圓盤一側(cè)面上的多個(gè)同心圓環(huán),所述圓盤上開設(shè)有多個(gè)第一通孔,所述同心圓環(huán)上開設(shè)有對應(yīng)于所述多個(gè)第一通孔的多個(gè)第二通孔,且所述第一通孔和所述第二通孔重疊或交錯(cuò)形成通氣孔。
進(jìn)一步地,各所述同心圓環(huán)上的多個(gè)第二通孔沿其圓周均勻間隔分布,且所述圓盤上各第一通孔對應(yīng)于所述同心圓環(huán)上各所述第二通孔呈均勻間隔分布。
進(jìn)一步地,所述第一勻氣盤組還包括多個(gè)連接件,所述圓盤和所述多個(gè)同心圓環(huán)通過所述多個(gè)連接件連接。
進(jìn)一步地,所述同心圓環(huán)上還設(shè)有至少一用于調(diào)整所述圓盤與所述同心圓環(huán)相對位置的定位柱。
進(jìn)一步地,所述第一勻氣盤組還包括至少一把手,所述把手固設(shè)于所述圓盤的邊沿并自所述圓盤的表面向外延伸。
進(jìn)一步地,所述第二勻氣盤組的結(jié)構(gòu)與所述第一勻氣盤組的結(jié)構(gòu)相同。
進(jìn)一步地,所述桶體包括主圓筒,以及套設(shè)于所述主圓筒的外壁上的多個(gè)同軸圓筒,所述主圓筒上開設(shè)有多個(gè)第三通孔,所述同軸圓筒上開設(shè)有對應(yīng)于所述多個(gè)第三通孔的多個(gè)第四通孔,且所述第三通孔和所述第四通孔重疊或交錯(cuò)形成通氣孔。
進(jìn)一步地,各所述同軸圓筒上的多個(gè)第四通孔均勻間隔分布,且所述主圓筒上各第三通孔對應(yīng)于所述同軸圓筒上各所述第四通孔呈均勻間隔分布。
進(jìn)一步地,所述同軸圓筒上還設(shè)有至少一用于調(diào)整所述主圓筒與所述同軸圓筒相對位置的凸塊。
本實(shí)用新型提出的勻氣桶相對于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果是:通過在反應(yīng)腔中設(shè)置勻氣桶,將勻氣桶的第一勻氣盤組、桶體和第二勻氣盤組設(shè)置在反應(yīng)腔內(nèi),并通過調(diào)整第一勻氣盤組、桶體和第二勻氣盤組來控制不同位置的氣體的流量和流速,從而解決了化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)或原子層沉積系統(tǒng)的腔體內(nèi)不同位置的氣流速度和氣流均勻性不同,導(dǎo)致形成膜的膜層厚度均勻性差的問題,實(shí)現(xiàn)了調(diào)節(jié)進(jìn)入勻氣桶的氣體的均勻性,有效地保證了膜層厚度的均勻性。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的勻氣桶的總裝配示意圖;
圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的勻氣桶的分解示意圖;
圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的勻氣桶中第一勻氣盤組的立體示意圖;
圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的勻氣桶中第一勻氣盤組的分解示意圖。
上述附圖所涉及的標(biāo)號(hào)明細(xì)如下:1—?jiǎng)驓馔啊?1—第一勻氣盤組、12—桶體、13—第二勻氣盤組、14—把手、121—主圓筒、122—同軸圓筒、111—圓盤、112—同心圓環(huán)、113—連接件、1221—凸塊、1121—定位柱、1122—定位孔、a—第一通孔、b—第二通孔、c—第三通孔、d—第四通孔。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
需要說明的是,當(dāng)元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個(gè)元件上,它可以直接在另一個(gè)元件上或者它可能通過第三部件間接固定于或設(shè)置于另一個(gè)元件上。當(dāng)一個(gè)元件被稱為“連接于”另一個(gè)元件,它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者它可能通過第三部件間接連接于另一個(gè)元件上。
還需要說明的是,本實(shí)施例中的前、后、左、右、上、下等方位用語,僅是互為相對概念或是以產(chǎn)品的正常使用狀態(tài)為參考的,而不應(yīng)該認(rèn)為是具有限制性的。
請同時(shí)參閱圖1至圖2,本實(shí)用新型提供一種勻氣桶1,其安裝在化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)或原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔(未圖示)內(nèi),此處,勻氣桶1包括第一勻氣盤組11、桶體12以及第二勻氣盤組13,其中,第一勻氣盤組11和第二勻氣盤組13分別封蓋在桶體12的兩端的開口處。當(dāng)進(jìn)行薄膜制備時(shí),鍍膜基體(未圖示)放置在桶體12內(nèi),接著第一勻氣盤組11和第二勻氣盤組13封蓋桶體12的兩端的開口,然后勻氣桶1整體放進(jìn)反應(yīng)腔內(nèi),接著向反應(yīng)腔內(nèi)通氣,氣體穿過第一勻氣盤組11、桶體12以及第二勻氣盤組13進(jìn)入勻氣桶1內(nèi),此處,第一勻氣盤組11、桶體12以及第二勻氣盤組13均可通過改變其上通氣孔的大小來控制不同位置的氣體的流量和流速,從而實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)進(jìn)入勻氣桶1的氣體的均勻性。
本實(shí)用新型實(shí)施例提供的勻氣桶相對現(xiàn)有技術(shù)的有益效果如下:
通過在反應(yīng)腔中設(shè)置勻氣桶1,具體將勻氣桶1的第一勻氣盤組11、桶體12和第二勻氣盤組13設(shè)置在反應(yīng)腔內(nèi),并通過調(diào)整第一勻氣盤組11、桶體12和第二勻氣盤組13來控制不同位置的氣體的流量和流速,從而實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)進(jìn)入勻氣桶1的氣體的均勻性,如此,提高了勻氣桶1進(jìn)氣的均勻性,有效地保證了膜層厚度的均勻性。
進(jìn)一步地,如圖3和圖4所示,在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,上述第一勻氣盤組11包括圓盤111和多個(gè)同心圓環(huán)112,多個(gè)同心圓環(huán)112圈圈相套形成平面盤狀,此處,多個(gè)同心圓環(huán)112設(shè)置在圓盤111的一側(cè)表面上。這里,圓盤111上開設(shè)有多個(gè)第一通孔a,同心圓環(huán)112上開設(shè)有對應(yīng)多個(gè)第一通孔a的多個(gè)第二通孔b。當(dāng)多個(gè)同心圓環(huán)112套設(shè)成盤狀,并且貼置在圓盤111的一側(cè)表面上時(shí),圓盤111上的第一通孔a與同心圓環(huán)112上的第二通孔b相重疊或交錯(cuò)形成通氣孔,該通氣孔為第一通孔a和第二通孔b的重疊或交錯(cuò)部分,此處,通過調(diào)節(jié)同心圓環(huán)112與圓盤111的相對位置,即可調(diào)節(jié)通氣孔大小,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)進(jìn)氣的均勻性調(diào)節(jié)。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,上述各個(gè)同心圓環(huán)112上的多個(gè)第二通孔b沿其圓周均勻間隔分布,即多個(gè)第二通孔b均勻間隔形成圓周形,當(dāng)多個(gè)同心圓環(huán)112套設(shè)成盤狀時(shí),其上的多個(gè)第二通孔b形成圓形陣列;并且上述圓盤111上的各個(gè)第一通孔a與同心圓環(huán)112上的各個(gè)第二通孔b一一對應(yīng),也就是說,該圓盤111上的多個(gè)第一通孔a均勻間隔分布呈圓形陣列,由內(nèi)到外布滿整個(gè)圓盤111。當(dāng)然,根據(jù)實(shí)際情況和需求,在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中,上述各個(gè)同心圓環(huán)112上的多個(gè)第二通孔b,以及上述圓盤111上的多個(gè)第一通孔a還可為其他的分布形式,比如矩形陣列、三角形陣列等。
進(jìn)一步地,如圖4所示,在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,上述第一勻氣盤組11還包括多個(gè)連接件113,上述圓盤111和上述多個(gè)同心圓環(huán)112通過多個(gè)連接件113連接形成可拆卸固定。當(dāng)圓盤111和同心圓環(huán)112之間需要調(diào)節(jié)相對位置時(shí),只需松開連接件113,即可調(diào)節(jié)圓盤111和同心圓環(huán)112之間的相對位置。本實(shí)施例中,連接件113優(yōu)選為螺釘,另外,對于通氣孔較小的勻氣盤,可以將螺釘換成磁鐵對同心圓環(huán)進(jìn)行固定。當(dāng)然,根據(jù)實(shí)際情況和需求,在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,上述連接件113還可為其他連接構(gòu)件,此處不作唯一限定。如此,通過多個(gè)連接件113連接圓盤111和多個(gè)同心圓環(huán)112,避免了放置或調(diào)整勻氣盤時(shí)引起上下盤的相對運(yùn)動(dòng),保證了第一勻氣盤組11整體的穩(wěn)定性。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,在同心圓環(huán)112上還設(shè)有至少一個(gè)定位柱1121,具體地,定位柱1121設(shè)置在同心圓環(huán)112背向上述圓盤111的一側(cè),在圓盤111和同心圓環(huán)112之間需要調(diào)節(jié)相對位置時(shí),提供抓手的地方,便于借力,提高調(diào)節(jié)的效率;另外,如果上述連接件113優(yōu)選為螺釘時(shí),在同心圓環(huán)112上還設(shè)有與連接件113相配合的定位孔1122,此處,定位孔1122為長圓弧形孔,其中心線是以圓盤111的中心為圓心的弧線,其寬度大于螺釘?shù)穆輻U的直徑而小于螺釘?shù)念^部的直徑,此時(shí),當(dāng)連接件113穿過定位孔1122固定在圓盤111上,同心圓環(huán)112可沿定位孔1122的長度方向轉(zhuǎn)動(dòng),進(jìn)而與定位柱1121配合完成對圓盤111和同心圓環(huán)112之間的相對位置的調(diào)整。
進(jìn)一步地,如圖3所示,在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,第一勻氣盤組11還包括至少一個(gè)把手14,把手14固定設(shè)置在圓盤111的邊沿,并且自圓盤111的表面向外延伸,當(dāng)反應(yīng)腔需要裝配或拆卸勻氣桶1時(shí),提供了抓手借力的位置,提高了裝配和拆卸的效率。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,第二勻氣盤組13的結(jié)構(gòu)與上述第一勻氣盤組11的結(jié)構(gòu)相同。此處,第二勻氣盤組13的結(jié)構(gòu)不再贅述,其具體結(jié)構(gòu)可參照上述關(guān)于第一勻氣盤組11結(jié)構(gòu)的敘述。當(dāng)然,在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中,根據(jù)鍍膜基體、所需氣體的流量及流速的不同,第二勻氣盤組13也可以與第一勻氣盤組11的結(jié)構(gòu)有所不同。
進(jìn)一步地,如圖1和圖2所示,在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,桶體12包括主圓筒121和多個(gè)同軸圓筒122,主圓筒121優(yōu)選為一個(gè)兩端開口且貫通的圓柱形圓筒,此處,多個(gè)同軸圓筒122套設(shè)在主圓筒121的外壁上并依次抵靠呈立體筒狀,這里,各同軸圓筒122均與主圓筒121同軸。其中,主圓筒121上開設(shè)有多個(gè)第三通孔c,同軸圓筒122上開設(shè)有對應(yīng)多個(gè)第三通孔c的多個(gè)第四通孔d,當(dāng)多個(gè)同軸圓筒122套設(shè)成筒狀并且貼置在主圓筒121的外壁上時(shí),主圓筒121上的第三通孔c與同軸圓筒122上的第四通孔d重疊或交錯(cuò)形成通氣孔,該通氣孔為第三通孔c和第四通孔d的重疊或交錯(cuò)部分,此處,通過調(diào)節(jié)同軸圓筒122與主圓筒121的相對位置,來調(diào)節(jié)通氣孔的大小,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)進(jìn)氣的均勻性調(diào)節(jié)。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,上述各個(gè)同軸圓筒122上的多個(gè)第四通孔d均勻間隔分布,即各第四通孔d均勻間隔形成圓環(huán)形,當(dāng)多個(gè)同軸圓筒122依次抵靠呈筒狀時(shí),其上的多個(gè)第四通孔d形成圓筒形陣列,并且上述主圓筒121上的各個(gè)第三通孔c與同軸圓筒122上各個(gè)第四通孔d一一對應(yīng),即主圓筒121上的多個(gè)第三通孔c均勻間隔分布成圓筒形陣列,由上到下布滿整個(gè)主圓筒121外壁。當(dāng)然,根據(jù)實(shí)際情況和需求,在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中,上述主圓筒121上的多個(gè)第三通孔c,以及上述各個(gè)同軸圓筒122上的多個(gè)第四通孔d還可為其他的分布形式,比如矩形陣列、三角形陣列等。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,在同軸圓筒122上還設(shè)有至少一個(gè)凸塊1221,具體地,凸塊1221設(shè)置在同軸圓筒122背向上述主圓筒121的一側(cè),此處,同軸圓筒122可繞主圓筒121的中心軸轉(zhuǎn)動(dòng)。在需要調(diào)節(jié)主圓筒121和同軸圓筒122之間的相對位置時(shí),凸塊1221提供了抓手的地方,便于借力,提高了調(diào)整的效率。
以上所述實(shí)施例,僅為本實(shí)用新型具體實(shí)施方式,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到各種等效的修改、替換和改進(jìn)等等,這些修改、替換和改進(jìn)都應(yīng)該涵蓋在實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。