1.一種加熱器模塊，應(yīng)用于薄膜沉積裝置，該加熱器模塊包括：
氣體混合室，包括至少一個(gè)氣體分散板及一擋板，該擋板設(shè)置于該氣體分散板上方；
反應(yīng)室，設(shè)置于所述氣體混合室下游，并與所述氣體混合室相連通；以及
加熱器，與所述氣體混合室相鄰設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱器模塊，其中所述氣體混合室還包括復(fù)數(shù)個(gè)進(jìn)氣通道。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱器模塊，其中所述氣體分散板具有復(fù)數(shù)個(gè)通孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱器模塊，其中所述加熱器至少包括以下之一或其任意組合：燈泡、燈管、加熱線圈。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱器模塊，其中所述擋板為石英板。
6.一種薄膜沉積裝置，包括：
制程腔室，包括：
基座；及
如權(quán)利要求1至5任一所述的加熱器模塊；以及
至少一個(gè)氣體供應(yīng)管路，與該加熱器模塊相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜沉積裝置，其中該薄膜沉積裝置為冷壁式(cold-wall)化學(xué)氣相沉積裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜沉積裝置，其中該基座可以升降。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜沉積裝置，其中該氣體供應(yīng)管路的周圍設(shè)置有第一加熱源。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜沉積裝置，其中該基座設(shè)置有第二加熱源。