技術總結
本實用新型公開了一種PECVD沉積槽;其包括底板,底板的兩側均設置有側板,側板的上端向外延伸有上邊沿,底板設置有若干個與氨氣特氣管路相連接的第一氣孔,底板在第一氣孔的兩側均設置有第一擋板,上邊沿設置有若干個與硅烷特氣管路相連接的第二氣孔,上邊沿在第二氣孔的內(nèi)側設置有第二擋板;第一擋板和第二擋板的設置,使得氨氣通過第一氣孔后、硅烷通過第二氣孔后氣流直接往上運動,減少氣體向四周擴散,避免了因沉積槽與特氣管路之間沉積太多氮化硅而引起的堵塞,本實用新型的PECVD沉積槽不僅結構簡單,而且延長了設備的更換周期,減少了維護時間。
技術研發(fā)人員:張春華;陳佳男;衡陽;鄭旭然;李棟;邢國強
受保護的技術使用者:蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
文檔號碼:201620856182
技術研發(fā)日:2016.08.09
技術公布日:2017.01.25