本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能光伏電池制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種PECVD沉積槽。

背景技術(shù)：

PECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。PECVD設(shè)備鍍膜都是氣體通過(guò)一定的孔均勻的分散，使得鍍膜均勻性非常好，沒(méi)有色差，特氣管道上的特氣孔的大小一致性直接影響鍍膜工藝，而與特氣孔相配的有一個(gè)沉積槽，沉積槽主要保護(hù)特氣管道和其下面冷卻水管，防止沉積太多氮化硅，影響特氣管道均勻性和水冷效果?，F(xiàn)有技術(shù)中的沉積槽的兩側(cè)和底部分布均勻的孔，其孔與特氣管道上的特氣孔相對(duì)應(yīng)，直徑6～8mm，在正常使用時(shí)，特氣管道上的特氣孔與沉積槽之間沉積氮化硅，容易堵住特氣孔，氣體不能均勻分散，鍍膜質(zhì)量下降，產(chǎn)生色差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種PECVD沉積槽，其不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，而且延長(zhǎng)了設(shè)備的更換周期，減少了維護(hù)時(shí)間。

為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種PECVD沉積槽，包括底板，底板的兩側(cè)均設(shè)置有側(cè)板，側(cè)板的上端向外延伸有上邊沿，底板設(shè)置有若干個(gè)與氨氣特氣管路相連接的第一氣孔，底板在第一氣孔的兩側(cè)均設(shè)置有第一擋板，上邊沿設(shè)置有若干個(gè)與硅烷特氣管路相連接的第二氣孔，上邊沿在第二氣孔的內(nèi)側(cè)設(shè)置有第二擋板。

其中，若干個(gè)第一氣孔沿底板的長(zhǎng)度方向均勻設(shè)置，若干個(gè)第二氣孔沿上邊沿的長(zhǎng)度方向均勻設(shè)置。

其中，第一氣孔和第二氣孔的直徑均為8.1～16mm。

其中，第一擋板的長(zhǎng)度與底板的長(zhǎng)度相等，第一擋板的高度為15～25mm。

其中，底板設(shè)置有第一氣孔的一側(cè)與第一擋板之間的角度為75～100°。

其中，第二擋板的長(zhǎng)度與上邊沿的長(zhǎng)度相等，第二擋板的高度為15～25mm。

其中，上邊沿設(shè)置有第二氣孔的一側(cè)與第二擋板之間的角度為75～100°。

其中，第二擋板的高度大于第一擋板的高度。

其中，PECVD沉積槽為U型槽或V型槽。

其中，底板、側(cè)板、第一擋板和第二擋板的材質(zhì)均為不銹鋼。

本實(shí)用新型的有益效果：一種PECVD沉積槽，包括底板，底板的兩側(cè)均設(shè)置有側(cè)板，側(cè)板的上端向外延伸有上邊沿，底板設(shè)置有若干個(gè)與氨氣特氣管路相連接的第一氣孔，底板在第一氣孔的兩側(cè)均設(shè)置有第一擋板，上邊沿設(shè)置有若干個(gè)與硅烷特氣管路相連接的第二氣孔，上邊沿在第二氣孔的內(nèi)側(cè)設(shè)置有第二擋板。第一擋板和第二擋板的設(shè)置，使得氨氣通過(guò)第一氣孔后、硅烷通過(guò)第二氣孔后氣流直接往上運(yùn)動(dòng)，減少氣體向四周擴(kuò)散，避免了因沉積槽與特氣管路之間沉積太多氮化硅而引起的堵塞，本實(shí)用新型的PECVD沉積槽不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，而且延長(zhǎng)了設(shè)備的更換周期，減少了維護(hù)時(shí)間。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的PECVD沉積槽的立體結(jié)構(gòu)示意圖(U型槽)。

圖2是圖1中A處的局部放大圖。

圖3是本實(shí)用新型的PECVD沉積槽的立體結(jié)構(gòu)示意圖(V型槽)。

圖4是圖3中A處的局部放大圖。

圖5是本實(shí)用新型的PECVD沉積槽的主視圖(V型槽)。

附圖標(biāo)記如下：

1-底板；11-第一氣孔；2-側(cè)板；3-上邊沿；31-第二氣孔；4-第一擋板；5-第二擋板。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合圖1至圖5并通過(guò)具體實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。

如圖1至圖5所示，一種PECVD沉積槽，包括底板1，底板1的兩側(cè)均設(shè)置有側(cè)板2，側(cè)板2的上端向外延伸有上邊沿3，底板1設(shè)置有若干個(gè)與氨氣特氣管路相連接的第一氣孔11，底板1在第一氣孔11的兩側(cè)均設(shè)置有第一擋板4，上邊沿3設(shè)置有若干個(gè)與硅烷特氣管路相連接的第二氣孔31，上邊沿3在第二氣孔31的內(nèi)側(cè)設(shè)置有第二擋板5。第一擋板4和第二擋板5的設(shè)置，使得氨氣通過(guò)第一氣孔11后、硅烷通過(guò)第二氣孔31后氣流直接往上運(yùn)動(dòng)，減少氣體向四周擴(kuò)散，避免了因沉積槽與特氣管路之間沉積太多氮化硅而引起的堵塞，本實(shí)用新型的PECVD沉積槽不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，而且延長(zhǎng)了設(shè)備的更換周期，減少了維護(hù)時(shí)間。

優(yōu)選地，如圖1和圖3所示，若干個(gè)第一氣孔11沿底板1的長(zhǎng)度方向均勻設(shè)置，若干個(gè)第二氣孔31沿上邊沿3的長(zhǎng)度方向均勻設(shè)置。

優(yōu)選地，第一氣孔11和第二氣孔31的直徑均為8.1～16mm，相比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的第一氣孔11和第二氣孔31的直徑較大，可以有效避免沉積槽與特氣管路之間沉積太多氮化硅而引起的堵塞。本實(shí)施例中，第一氣孔11的直徑為9mm、第二氣孔31的直徑為10mm。在其他實(shí)施例中，第一氣孔11的直徑也可以為8.1mm、10mm、11mm、12mm、13mm、14mm、15mm或16mm等其他數(shù)值，第二氣孔31的直徑也可以為8.1mm、9mm、11mm、12mm、13mm、14mm、15mm或16mm等其他數(shù)值。

優(yōu)選地，第一擋板4的長(zhǎng)度與底板1的長(zhǎng)度相等，第一擋板4的高度為15～25mm，第二擋板5的長(zhǎng)度與上邊沿3的長(zhǎng)度相等，第二擋板5的高度為15～25mm。本實(shí)施例中，第二擋板5的高度大于第一擋板4的高度，第一擋板4的高度為15mm，第二擋板5的高度為20mm，使得氨氣通過(guò)第一氣孔11后、硅烷通過(guò)第二氣孔31后氣流直接往上運(yùn)動(dòng)，減少氣體向四周擴(kuò)散。在其他實(shí)施例中，第一擋板4的高度也可以為16mm、17mm、18mm、19mm、20mm、21mm、22mm、23mm、24mm或25mm等其他數(shù)值，第二擋板5的高度也可以為15mm、16mm、17mm、18mm、19mm、21mm、22mm、23mm、24mm或25mm等其他數(shù)值。

優(yōu)選地，底板1設(shè)置有第一氣孔11的一側(cè)與第一擋板4之間的角度為75～100°，上邊沿3設(shè)置有第二氣孔31的一側(cè)與第二擋板5之間的角度為75～100°。底板1設(shè)置有第一氣孔11的一側(cè)，具體是指，兩個(gè)第一擋板4將底板1分成了三側(cè)，其中一側(cè)的底板1設(shè)置有第一氣孔11，即為底板1設(shè)置有第一氣孔11的一側(cè)；上邊沿3設(shè)置有第二氣孔31的一側(cè)，具體是指，第五擋板5將上邊沿3分成了兩側(cè)，其中一側(cè)的上邊沿3設(shè)置有第二氣孔31，即為上邊沿3設(shè)置有第二氣孔31的一側(cè)。本實(shí)施例中，底板1設(shè)置有第一氣孔11的一側(cè)與第一擋板4之間的角度為85°，上邊沿3設(shè)置有第二氣孔31的一側(cè)與第二擋板5之間的角度為75°。在其他實(shí)施例中，底板1設(shè)置有第一氣孔11的一側(cè)與第一擋板4之間的角度也可以為75°、80°、90°、95°或100°等其他數(shù)值，上邊沿3設(shè)置有第二氣孔31的一側(cè)與第二擋板5之間的角度也可以為80°、85°、90°、95°或100°等其他數(shù)值。

優(yōu)選地，PECVD沉積槽為U型槽或V型槽。本實(shí)施例中，如圖1和圖2所示，PECVD沉積槽為U型槽。在其他實(shí)施例中，如圖3至圖5所示，PECVD沉積槽也可以選擇V型槽。進(jìn)一步優(yōu)選地，底板1、側(cè)板2、第一擋板4和第二擋板5的材質(zhì)均為不銹鋼。

以上內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。