1.一種400主峰晶面高度擇優(yōu)取向ITO薄膜的制備方法，其特征在于：操作步驟包括：
步驟1：濺射靶材安裝；
步驟2：清洗玻璃基片并安裝；
步驟3：抽真空度至8×10-4Pa以下；
步驟4：采用直流濺射制備ITO薄膜誘導(dǎo)層；
步驟5：生長(zhǎng)400主峰晶面高度擇優(yōu)取向的ITO薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種400主峰晶面高度擇優(yōu)取向ITO薄膜的制備方法，其特征在于：所述的濺射靶材包括ITO陶瓷靶材或經(jīng)還原處理的ITO納米粉體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種400主峰晶面高度擇優(yōu)取向ITO薄膜的制備方法，其特征在于：所述的經(jīng)還原處理的ITO納米粉體控制失氧度在3%以下，平均粒徑小于70nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種400主峰晶面高度擇優(yōu)取向ITO薄膜的制備方法，其特征在于：所述的清洗玻璃基片步驟包括：
1）按要求切割一定尺寸的玻璃基片；
2）用6mol/L的氫氧化鈉的溶液浸泡1小時(shí)，并用去離子水超聲清洗3次；
3）用H2SO4︰H2O2=5︰1的溶液超聲清洗30分鐘，再用去離子水超聲清洗3次；
4）用丙酮超聲清洗10分鐘，再用無(wú)水乙醇超聲清洗10分鐘；
5）用高純氮?dú)獯蹈蓚溆谩?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種400主峰晶面高度擇優(yōu)取向ITO薄膜的制備方法，其特征在于：所述的采用直流濺射制備ITO薄膜誘導(dǎo)層的工藝為：
1）基片加熱溫為300℃～350℃；
2）靶材與基片的距離為8cm～10cm；
3）濺射功率為70W～90W；
4）濺射氣壓為2Pa；
5）氧氣含量為20%；
6）厚度控制為10nm～30nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種400主峰晶面高度擇優(yōu)取向ITO薄膜的制備方法，其特征在于：所述的生長(zhǎng)400主峰晶面高度擇優(yōu)取向的ITO薄膜的工藝為：
1）基片加熱溫為400℃～450℃；
2）靶材與基片的距離為8～10cm；
3）濺射功率為125W～150W；
4）濺射氣壓為2.0Pa～2.5Pa；
5）氧氣含量按每沉積5nm降低2%的規(guī)律往下調(diào)至0%，隨后在氧化含量為0%的條件再濺射至所需求薄膜厚度；
6）薄膜厚度控制為150nm～800nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種400主峰晶面高度擇優(yōu)取向ITO薄膜的制備方法，其特征在于：采用直流濺射制備ITO薄膜誘導(dǎo)層的工藝為：基片加熱溫度控制為350℃，靶材與基片的距離為8 cm，濺射功率為90W，濺射氣壓為2Pa，氧氣含量為20%，厚度為25nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種400主峰晶面高度擇優(yōu)取向ITO薄膜的制備方法，其特征在于：制備的工藝條件為：基片加熱溫度控制為430℃，靶材與基片的距離為8 cm，濺射功率為135W，濺射氣壓為2.2Pa，氧氣含量按每沉積5nm降低2%的規(guī)律往下調(diào)至0%，隨后在氧化含量為0%的條件再濺射至所需求薄膜厚度，厚度為500nm。