技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種提高鈦鎳基形狀記憶合金阻尼性能的氫注入工藝。所述的氫注入工藝簡(jiǎn)便安全，能夠有效精準(zhǔn)地將氫離子注入到鈦鎳基形狀記憶合金中，準(zhǔn)確控制鈦鎳基形狀記憶合金中的氫含量穩(wěn)定在15ppm～100ppm，得到的氫離子注入鈦鎳基形狀記憶合金的阻尼系數(shù)最高可達(dá)0.12以上，較常規(guī)鈦鎳記憶合金的阻尼系數(shù)提高2倍以上。本發(fā)明的充氫工藝制得的鈦鎳基形狀記憶合金可用于加工各類被動(dòng)阻尼器件，在軍工、航天航空、汽車、建筑等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。

技術(shù)研發(fā)人員：金明江
受保護(hù)的技術(shù)使用者：嘉興市納川真空科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611127410
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.09
技術(shù)公布日：2017.03.22