1.一種提高鈦鎳基形狀記憶合金阻尼性能的氫注入工藝，其特征在于，包括以下步驟：
將超聲清洗處理后的鈦鎳基形狀記憶合金置于樣品臺(tái)上，抽真空至2*10-3Pa以下，然后通入氫氣和氬氣的體積比為1：1.5～5的混合氣體，保持氣壓穩(wěn)定在20～100Pa，隨后升溫至150～400℃，溫度穩(wěn)定后開(kāi)始通電，設(shè)置電流為0.5～2安培，電壓為70～110伏特，電離氫氣，將氫注入到鈦鎳基形狀記憶合金中，20～60min后逐漸減小氣壓，關(guān)閉電源和氣源，抽真空，真空環(huán)境下將樣品冷卻至室溫后取出注入氫的鈦鎳基形狀記憶合金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫注入工藝，其特征在于，所述的鈦鎳基形狀記憶合金與上電極之間的距離為5～40cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氫注入工藝，其特征在于，所述的鈦鎳基形狀記憶合金選自鈦鎳二元形狀記憶合金、鈦鎳銅、鈦鎳鐵、鈦鎳鈀或鈦鎳鈮三元形狀記憶合金。