1.一種非制冷焦平面探測器封裝用電極薄膜工藝技術(shù)，其特征在于該工藝技術(shù)是在探測器窗口上順序沉積五層金屬膜，第一層為鉻膜，第二層為鉻鎳合金膜，第三層為鎳膜，第四層為鎳金膜，第五層金膜，其中第二層和第四層膜系為合金膜，即在第一層、第三層膜系和第三層、第五層膜系之間同時生長兩種不同類型的薄膜，達到兩種金屬膜互擴散，從而使得層層膜系間強度高、焊接后不會產(chǎn)生空洞，提高了組件的壽命和可靠性。
2.如權(quán)利要求1所述的一種非制冷焦平面探測器封裝用電極薄膜工藝技術(shù)，其特征在于所述的工藝技術(shù)制備步驟為：
1）探測器窗口鍍膜前處理：
對需要鍍膜的探測器窗口進行濕法清洗和干法清洗，濕法清洗采用超聲波有機溶液進行清洗、干法清洗采用等離子清洗，有機溶液包括UP級的甲苯、丙酮、無水乙醇，具體清洗步驟如下：
a、將需清洗的探測器窗口放置于清洗專用工裝內(nèi)；
b、甲苯清洗一次，丙酮兩次，無水乙醇清洗兩次，每次清洗時間為10min-15min；
c、將探測器窗口放入等離子清洗劑，通入氬離子進行清洗，清洗時間為10-15min，清洗功率200W-300W，氬離子流量60-80sccm，反應(yīng)壓強150-250mTorr；
2）金屬膜系生長；
a、在探測器窗口上蒸鍍鉻膜，蒸發(fā)速率為2A/S，厚度為100nm；
b、在鉻膜上同時蒸鍍鉻膜和鎳膜，鉻膜和鎳膜的蒸發(fā)速率均為1A/S，厚度為50nm；
c、在鉻鎳合金膜上蒸鍍鎳膜，蒸發(fā)速率為2A/S，厚度為450nm；
d、在鎳膜上同時蒸鍍鎳膜和金膜，鎳膜和金膜蒸發(fā)速率均為1A/S，厚度為50nm；
e、在鎳金合金膜上蒸鍍金膜，蒸發(fā)速率為2.5A/S，厚度為250nm，完成電極膜制備。