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一種具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件及其制備方法與流程

文檔序號:11937658閱讀:226來源:國知局

本發(fā)明涉及金剛石涂層制備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件及其制備方法。



背景技術(shù):

隨著汽車及航空航天工業(yè)的迅速發(fā)展,高強度輕質(zhì)量材料如鋁合金、鈦合金及玻璃纖維增強復(fù)合材料等受到廣泛關(guān)注,而金剛石涂層硬質(zhì)合金刀具被認(rèn)為是加工這些材料的最佳選擇。一方面,硬質(zhì)合金(WC-Co)具有硬度高、耐磨、耐熱、較高斷裂韌性等優(yōu)良的綜合性能;另一方面,金剛石具有高強的硬度、耐磨性,高導(dǎo)熱率及化學(xué)鈍性,可提高刀具耐磨性、壽命、加工效率和加工精度。

然而,由于金剛石涂層與硬質(zhì)合金刀具之間的粘合力不足,實際上很難實現(xiàn)在硬質(zhì)合金基體上沉積出粘附性很好的金剛石薄膜,從而極大阻礙了該刀具的應(yīng)用,成為工業(yè)發(fā)展中的主要瓶頸。而導(dǎo)致金剛石薄膜在切削刀具上的粘附性不足的主要原因有:(1)硬質(zhì)合金基體中的粘結(jié)劑Co抑制金剛石生長,而有利于粘附性差的石墨沉積;(2)在金剛石薄膜與基體的界面上,金剛石晶粒與基體之間存在微小孔隙,這些微小孔隙的存在,減少了金剛石薄膜與基體的接觸面積,削弱了薄膜與基體間的結(jié)合力;(3)金剛石膜與基體材料之間熱膨脹系數(shù)相差很大,并且通常在高溫下(800℃)沉積產(chǎn)生殘余熱應(yīng)力,造成基體邊緣處膜--基界面因高熱誘發(fā)的切應(yīng)力使金剛石膜的結(jié)合力變差,薄膜與基體分層。

目前,為提高金剛石涂層與硬質(zhì)合金基體粘附性主要有兩條途徑:一是采用表面脫Co處理;二是在金剛石涂層與硬質(zhì)合金之間沉積合適的中間層,以阻止基體中的鈷向表面擴散。表面脫Co處理法雖然在一定程度上能夠改善金剛石涂層與基體粘著性,但基體中Co的缺失會大大降低基體的強度,刻蝕Co的深度大于WC平均晶粒會形成一個脆性貧鈷層,在刀具使用過程中,在基體的貧鈷層處仍會發(fā)生分層。且在沉積金剛石薄膜的過程中,基體內(nèi)部未被刻蝕掉的Co仍會向表層擴散,促進非金剛石相的形成。而現(xiàn)有設(shè)置中間層的方法大都制備過程復(fù)雜,且金剛石涂層與硬質(zhì)合金刀具之間的粘附力提高有限。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

鑒于此,本發(fā)明第一方面提供了一種具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件,其通過在硬質(zhì)合金基體上先沉積碳化硅層和碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層作為中間層,再沉積金剛石涂層,以解決現(xiàn)有金剛石涂層與硬質(zhì)合金基體粘附性不足的問題,從而提高金剛石涂層在硬質(zhì)合金件上的使用壽命。

具體地,第一方面,本發(fā)明提供了一種具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件,包括硬質(zhì)合金基體,以及依次設(shè)置于所述基體上的碳化硅層、碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層和金剛石涂層,所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層中,沿厚度方向由所述碳化硅層向所述金剛石涂層,碳化硅含量逐漸減少而金剛石含量逐漸增加。

碳化硅層的存在能夠阻礙基體中的鈷向金剛石涂層擴散,并與鈷形成少量的鈷化硅化合物,消除鈷催化石墨的作用。

碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層中,成分、硬度和熱膨脹系數(shù)均呈梯度分布,無新界面的產(chǎn)生和成分突變的界面,因此可將薄膜熱應(yīng)力降至趨于零,具有優(yōu)異的膜基結(jié)合強度;且其中的碳化硅可以增強涂層的韌性。

本發(fā)明中,碳化硅層、碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層和金剛石涂層的厚度可根據(jù)實際需要設(shè)定,例如根據(jù)硬質(zhì)合金件的尺寸、用途等設(shè)定。

本發(fā)明中,所述碳化硅層的厚度為0.1-2微米,也可以為300-500納米。所述碳化硅層中的碳化硅晶粒大小為納米級別(即100納米以內(nèi)),具體可以是30-80納米。適合的厚度能保證碳化硅層能很好地附著在基體表面,以及為后續(xù)沉積碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層和金剛石涂層提供良好基礎(chǔ),且能有效阻礙基體中的鈷向金剛石涂層擴散。

本發(fā)明中,所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層的厚度為1-8微米,也可以為2-4微米;適合的梯度復(fù)合涂層厚度,有利于形成良好的中間過渡層,使該涂層的彈性模量和熱膨脹系數(shù)在基體與金剛石涂層的彈性模量和熱膨脹系數(shù)之間均勻地梯度變化,從而降低金剛石涂層的切應(yīng)力峰值,提高金剛石涂層與基體的粘附性。所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層中,碳化硅晶粒大小為納米級別,具體可以是30-80納米,金剛石晶粒的大小為納米級別或微米級別(即1-5微米),具體可以是10-80納米、1-4微米。

本發(fā)明中,所述金剛石涂層的厚度為1-15微米,優(yōu)選范圍2-4微米,所述金剛石涂層的金剛石晶粒為納米或微米級別。

當(dāng)涂層中金剛石晶粒為納米級別時,涂層中石墨相增加,涂層的斷裂韌性更高;當(dāng)涂層中金剛石晶粒為微米級別時,涂層硬度、強度會更高。不同結(jié)構(gòu)性能可以滿足人們對硬質(zhì)合金件的不同需求。

本發(fā)明中,整個碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層中,碳化硅所占體積分?jǐn)?shù)可為30-70%,例如40%、50%、60%。碳化硅相對含量大,能增強薄膜的粘貼性和斷裂韌性;相對含量小則涂層硬度、強度會更高。

本發(fā)明中,為了使金剛石涂層獲得更好的粘附性,金剛石涂層的設(shè)置厚度最好不超過4倍所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層的厚度,例如可以是1-3倍或1-2倍所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層厚度。

本發(fā)明中,沿所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層的厚度方向,碳化硅和金剛石的含量在大于0小于100%之間變化,使從碳化硅層到金剛石涂層,碳化硅含量由100%至0逐漸減少,而金剛石含量由0至100%逐漸增加,即基體表面整個涂層從基體到頂層,碳化硅含量由100%至0逐漸減少,而金剛石含量由0至100%逐漸增加,無新界面的增加。

本發(fā)明中,硬質(zhì)合金基體可以是硬質(zhì)合金刀具或其他工具(如模具)、部件等。即所述具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件可以是刀具、模具、機械零部件等。硬質(zhì)合金具體可以是以高硬度難熔金屬的碳化物(碳化鎢、碳化鈦)微米級粉末為主要成分,以鈷、鎳或鉬為粘結(jié)劑燒結(jié)成的粉末冶金制品,鈷在硬質(zhì)合金中的質(zhì)量含量一般為6wt.%-10wt.%。

本發(fā)明具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件,通過在硬質(zhì)合金基體上先設(shè)置碳化硅層和碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層作為中間層,再設(shè)置金剛石涂層,使得基體表面整個涂層從基體到頂層不僅成分呈梯度變化,無新界面的增加,而且熱膨脹系數(shù)呈梯度變化,從而有效降低金剛石薄膜中的熱應(yīng)力,提高薄膜結(jié)合力。

相應(yīng)地,本發(fā)明第二方面提供了一種具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件的制備方法,包括以下步驟:

取硬質(zhì)合金基體,將其進行噴砂預(yù)處理;

采用熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備,以氫氣和有機硅烷為反應(yīng)氣體,在預(yù)處理后的硬質(zhì)合金基體表面沉積碳化硅層,所述有機硅烷占總氣體體積的0.01%~1%;

然后向所述熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備通入甲烷,即以氫氣、甲烷和有機硅烷為反應(yīng)氣體,控制甲烷占總氣體體積的0.4%~5%,有機硅烷占總氣體體積的0.01%~1%,在所述碳化硅層表面沉積形成碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層,反應(yīng)過程中逐漸增加所述甲烷流量,同時逐漸降低所述有機硅烷流量,使所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層中,碳化硅含量沿厚度增長方向逐漸減少而金剛石含量逐漸增加;

將所述有機硅烷流量降至零時,控制甲烷占總氣體體積的1%~4%,以氫氣和甲烷為反應(yīng)氣體,在所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層上沉積金剛石涂層;最終得到具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件;

上述沉積過程中,真空室氣壓為0.5~10kPa,燈絲溫度為1500~2600℃,基體溫度為600~900℃。

本發(fā)明中,所述有機硅烷包括四甲基硅烷、甲硅烷、乙硅烷、單甲基硅烷、二甲基硅烷中的一種或多種。

本發(fā)明中,沉積碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層時,可通過控制反應(yīng)氣體的含量,以及真空室氣壓、燈絲及基體溫度等,以得到含不同粒徑大小金剛石晶粒的碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層。例如,控制甲烷占總氣體體積的0.4%~3%,有機硅烷占總氣體體積的0.01%~0.2%,真空室氣壓為3~10kPa,燈絲溫度為1900~2600℃,基體溫度為700~900℃,使梯度復(fù)合涂層中形成微米級別金剛石晶粒;控制甲烷占總氣體體積的3%~5%,有機硅烷占總氣體體積的0.1%~1%,真空室氣壓為0.5~4kPa,燈絲溫度為1500~2600℃,基體溫度為600~900℃,使梯度復(fù)合涂層中形成納米級別金剛石晶粒。

本發(fā)明中,各層的沉積時間可根據(jù)具體需要沉積的厚度而具體設(shè)定,可選地,沉積碳化硅層的沉積時間為0.5~2.5h,沉積碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層的沉積時間為2~6h,沉積金剛石涂層的沉積時間為1~8h。可選地,所述碳化硅層的厚度為0.1-2微米;所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層的厚度為1-8微米;所述金剛石涂層的厚度為1-15微米。

本發(fā)明提供的具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件的制備方法,通過調(diào)節(jié)梯度復(fù)合涂層中碳化硅和金剛石的含量的變化可改變涂層的內(nèi)應(yīng)力,可使梯度復(fù)合涂層的彈性模量和熱膨脹系數(shù)從基體到頂層薄膜呈梯度變化,有效改善薄膜的力學(xué)性能,降低薄膜內(nèi)應(yīng)力;本發(fā)明采用同一臺熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備,實現(xiàn)了碳化硅層、梯度復(fù)合涂層及頂層金剛石涂層的連續(xù)性生長,整個工藝流程時間大大縮短,工藝參數(shù)易于控制,可大面積制備CVD金剛石涂層,使成本大幅降低,非常適用于金剛石涂層工具的大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。

本發(fā)明的優(yōu)點將會在下面的說明書中部分闡明,一部分根據(jù)說明書是顯而易見的,或者可以通過本發(fā)明實施例的實施而獲知。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例中具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中,101為硬質(zhì)合金基體,102為碳化硅層,103為碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層,104為金剛石涂層,10代表碳化硅。

具體實施方式

以下所述是本發(fā)明實施例的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明實施例原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也視為本發(fā)明實施例的保護范圍。

實施例1

一種具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件的制備方法,包括以下步驟:

(1)以國內(nèi)市場上出售的YG6X(WC-6wt.%Co)硬質(zhì)合金轉(zhuǎn)位刀片作為基體,將其進行噴砂預(yù)處理,噴注壓強200kPa,碳化硅砂粒度300目,然后分別在丙酮和酒精中將硬質(zhì)合金基體超聲清洗15分鐘;

(2)將預(yù)處理完的硬質(zhì)合金基體放入真空室內(nèi),采用熱絲化學(xué)氣相沉積法沉積碳化硅薄膜,通入氫氣和四甲基硅烷,四甲基硅烷占總氣體體積的0.05%,真空室氣壓0.5kPa,燈絲溫度1900℃,基體溫度750℃,沉積時間為1h,得到厚度為0.5微米的碳化硅層;碳化硅層中,碳化硅晶粒尺寸為50nm;

(3)向熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備中通入甲烷,在碳化硅層上沉積碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層,起初控制甲烷占總氣體體積的1%,四甲基硅烷占總氣體體積的0.08%,制備過程中逐漸增加甲烷流量,同時逐漸降低四甲基硅烷流量趨近于零,沉積過程中基體溫度850℃,燈絲溫度2300℃,真空室氣壓4kPa,沉積時間為2h,得到厚度為2微米的碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層;所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層中,碳化硅晶粒為50納米,金剛石晶粒為2微米,碳化硅含量沿厚度增長方向逐漸減少而金剛石含量逐漸增加;

(4)將四甲基硅烷流量降低至零,以氫氣和甲烷為反應(yīng)氣體,繼續(xù)在梯度復(fù)合涂層上沉積納米金剛石涂層,控制甲烷占總氣體體積的4%,沉積過程中基體溫度850℃,燈絲溫度2300℃,真空室氣壓4kPa,沉積時間2h,得到厚度為3微米的金剛石涂層。

實施例2

一種具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件的制備方法,包括以下步驟:

(1)以國內(nèi)市場上出售的YG8(WC-6%Co)硬質(zhì)合金轉(zhuǎn)位刀片作為基體,將其進行噴砂預(yù)處理,噴注壓強200kPa,碳化硅砂粒度300目,然后分別在丙酮和酒精中將硬質(zhì)合金基體超聲清洗15分鐘;

(2)將預(yù)處理完的硬質(zhì)合金基體放入真空室內(nèi),采用熱絲化學(xué)氣相沉積法沉積碳化硅薄膜,通入氫氣和四甲基硅烷,四甲基硅烷占總氣體體積的0.1%,真空室氣壓0.5kPa,燈絲溫度1900℃,基體溫度750℃,沉積時間為1h,得到厚度為0.3微米的碳化硅層;碳化硅層中,碳化硅晶粒尺寸為30nm;

(3)向熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備中通入甲烷,在碳化硅層上沉積碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層,起初控制甲烷占總氣體體積的4%,四甲基硅烷占總氣體體積的0.3%,制備過程中逐漸降低四甲基硅烷流量趨近于零,沉積過程中基體溫度850℃,燈絲溫度2300℃,真空室氣壓2kPa,沉積時間為3h,得到厚度為1.5微米的碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層;所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層中,碳化硅晶粒為40納米,金剛石晶粒為20納米,碳化硅含量沿厚度增長方向逐漸減少而金剛石含量逐漸增加;

(4)將四甲基硅烷流量降低至零,以氫氣和甲烷為反應(yīng)氣體,繼續(xù)在梯度復(fù)合涂層上沉積納米金剛石涂層,控制甲烷占總氣體體積的4%,沉積過程中基體溫度850℃,燈絲溫度2300℃,真空室氣壓2kPa,沉積時間1h,得到厚度為1.5微米的金剛石涂層。

實施例3

一種具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件的制備方法,包括以下步驟:

(1)以國內(nèi)市場上出售的YT15(WC-15%TiC)硬質(zhì)合金轉(zhuǎn)位刀片作為基體,將其進行噴砂預(yù)處理,噴注壓強300kPa,碳化硅砂粒度300目,然后分別在丙酮和酒精中將硬質(zhì)合金基體超聲清洗15分鐘;

(2)將預(yù)處理完的硬質(zhì)合金基體放入真空室內(nèi),采用熱絲化學(xué)氣相沉積法沉積碳化硅薄膜,通入氫氣和甲硅烷,甲硅烷占總氣體體積的0.1%,真空室氣壓2kPa,燈絲溫度2200℃,基體溫度850℃,沉積時間為1h,得到厚度為0.3微米的碳化硅層;碳化硅層中,碳化硅晶粒尺寸為60nm;

(3)向熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備中通入甲烷,在碳化硅層上沉積碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層,起初控制甲烷占總氣體體積的5%,甲硅烷占總氣體體積的0.15%,制備過程中逐漸降低甲硅烷流量趨近于零,沉積過程中基體溫度850℃,燈絲溫度2300℃,真空室氣壓1kPa,沉積時間為6h,得到厚度為3微米的碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層;所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層中,碳化硅晶粒為50納米,金剛石晶粒為30納米,碳化硅含量沿厚度增長方向逐漸減少而金剛石含量逐漸增加;

(4)將甲硅烷流量降低至零,以氫氣和甲烷為反應(yīng)氣體,繼續(xù)在梯度復(fù)合涂層上沉積納米金剛石涂層,控制甲烷占總氣體體積的3%,沉積過程中基體溫度850℃,燈絲溫度2300℃,真空室氣壓1kPa,沉積時間2h,得到厚度為4微米的金剛石涂層。

實施例4

一種具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件的制備方法,包括以下步驟:

(1)以國內(nèi)市場上出售的YG6(WC-6%Co)硬質(zhì)合微型銑刀作為基體,將其進行噴砂預(yù)處理,噴注壓強300kPa,碳化硅砂粒度300目,然后分別在丙酮和酒精中將硬質(zhì)合金基體超聲清洗15分鐘;

(2)將預(yù)處理完的硬質(zhì)合金基體放入真空室內(nèi),采用熱絲化學(xué)氣相沉積法沉積碳化硅薄膜,通入氫氣和甲硅烷,甲硅烷占總氣體體積的0.1%,真空室氣壓7kPa,燈絲溫度2200℃,基體溫度850℃,沉積時間為0.5h,得到厚度為0.3微米的碳化硅層;碳化硅層中,碳化硅晶粒尺寸為80nm;

(3)向熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備中通入甲烷,在碳化硅層上沉積碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層,起初控制甲烷占總氣體體積的0.8%,甲硅烷占總氣體體積的0.10%,制備過程中逐漸增加甲烷流量,同時逐漸降低甲硅烷流量趨近于零,沉積過程中基體溫度850℃,燈絲溫度2300℃,真空室氣壓7kPa,沉積時間為6h,得到厚度為4微米的碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層;所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層中,碳化硅晶粒為80納米,金剛石晶粒為3微米,碳化硅含量沿厚度增長方向逐漸減少而金剛石含量逐漸增加;

(4)將四甲基硅烷流量降低至零,以氫氣和甲烷為反應(yīng)氣體,繼續(xù)在梯度復(fù)合涂層上沉積納米金剛石涂層,控制甲烷占總氣體體積的3%,沉積過程中基體溫度850℃,燈絲溫度2300℃,真空室氣壓7kPa,沉積時間2h,得到厚度為4微米的金剛石涂層。

實施例5

一種具有金剛石涂層的硬質(zhì)合金件的制備方法,包括以下步驟:

(1)以國內(nèi)市場上出售的YG8(WC-8%Co)硬質(zhì)合微型銑刀作為基體,將其進行噴砂預(yù)處理,噴注壓強300kPa,碳化硅砂粒度300目,然后分別在丙酮和酒精中將硬質(zhì)合金基體超聲清洗15分鐘;

(2)將預(yù)處理完的硬質(zhì)合金基體放入真空室內(nèi),采用熱絲化學(xué)氣相沉積法沉積碳化硅薄膜,通入氫氣和二甲基硅烷,二甲基硅烷占總氣體體積的0.04%,真空室氣壓3kPa,燈絲溫度2200℃,基體溫度850℃,沉積時間為0.5h,得到厚度為0.3微米的碳化硅層;碳化硅層中,碳化硅晶粒尺寸為30nm;

(3)向熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備中通入甲烷,在碳化硅層上沉積碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層,起初控制甲烷占總氣體體積的3%,二甲基硅烷占總氣體體積的0.25%,制備過程中逐漸增加甲烷流量,同時逐漸降低二甲基硅烷流量趨近于零,沉積過程中基體溫度850℃,燈絲溫度2300℃,真空室氣壓3kPa,沉積時間為5h,得到厚度為4微米的碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層;所述碳化硅-金剛石梯度復(fù)合涂層中,碳化硅晶粒為80納米,金剛石晶粒為50納米,碳化硅含量沿厚度增長方向逐漸減少而金剛石含量逐漸增加;

(4)將二甲基硅烷流量降低至零,以氫氣和甲烷為反應(yīng)氣體,繼續(xù)在梯度復(fù)合涂層上沉積納米金剛石涂層,控制甲烷占總氣體體積的4%,沉積過程中基體溫度850℃,燈絲溫度2300℃,真空室氣壓3kPa,沉積時間2h,得到厚度為4微米的金剛石涂層。

需要說明的是,根據(jù)上述說明書的揭示和和闡述,本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對上述實施方式進行變更和修改。因此,本發(fā)明并不局限于上面揭示和描述的具體實施方式,對本發(fā)明的一些等同修改和變更也應(yīng)當(dāng)在本發(fā)明的權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。此外,盡管本說明書中使用了一些特定的術(shù)語,但這些術(shù)語只是為了方便說明,并不對本發(fā)明構(gòu)成任何限制。

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