本發(fā)明涉及用于使晶片表面內(nèi)均勻地平坦化的CMP研磨裝置的研磨頭的構(gòu)造、具有該研磨頭的CMP研磨裝置以及使用CMP研磨裝置的半導(dǎo)體集成電路的制造方法。

背景技術(shù)：

近年來，伴隨半導(dǎo)體集成電路(以下稱作LSI)的高集成化、高性能化，開發(fā)出了新的微細(xì)加工技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing的略寫，以下稱作CMP)法也是其中之一，是一種在LSI制造工序、尤其是多層布線形成工序中的層間絕緣膜的平坦化、金屬插頭形成、埋入布線形成中頻繁使用的技術(shù)。CMP研磨裝置的基本構(gòu)造具有粘貼有研磨盤的旋轉(zhuǎn)平板、晶片保持頭、懸濁液供給噴嘴，還具備盤的再生裝置(調(diào)節(jié)器)。研磨盤側(cè)未必是旋轉(zhuǎn)平板，對(duì)于頭還存在多個(gè)外殼，相反，還有時(shí)對(duì)于一個(gè)盤具有多個(gè)頭。此外，作為控制CMP研磨裝置的參數(shù)，除了研磨方式以外，還具有研磨載荷、平板的旋轉(zhuǎn)速度、頭的旋轉(zhuǎn)速度、懸濁液的選擇/供給方法、調(diào)節(jié)器的條件/頻率等，已知如圖13那樣在固定晶片的頭部對(duì)氣囊(air bag)進(jìn)行加壓的方式(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2005-268566號(hào)公報(bào)

但是，在利用使用了專利文獻(xiàn)1所示的氣囊的加壓來對(duì)晶片進(jìn)行固定的頭構(gòu)造中，具有以下所示的不良情況。即，被加壓后的氣囊的壓力在氣囊的外周部局部地變?yōu)楦邏?，與該部分相接的晶片區(qū)域與其他區(qū)域相比被較強(qiáng)按壓于研磨盤，與其他晶片區(qū)域相比，被研磨絕緣材料被較多地磨削掉。由于晶片的一部分區(qū)域的被研磨絕緣材料被過多地磨削掉，晶片表面內(nèi)的研磨均勻性發(fā)生了偏差，其結(jié)果是，產(chǎn)生晶片表面內(nèi)的絕緣材料的膜厚偏差。產(chǎn)生了膜厚偏差的晶片區(qū)域在電氣特性中產(chǎn)生偏差，有時(shí)會(huì)發(fā)生電氣特性上的異常。

圖14表示膜厚偏差的示意圖。如圖14所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了對(duì)晶片1進(jìn)行按壓而導(dǎo)入壓縮空氣，會(huì)在氣囊的外周部局部地施加空氣的高壓力6，從而施加了高于中心部的壓力。在被高壓力部從上方按壓的晶片1中，高加壓區(qū)域X即壓力較強(qiáng)的區(qū)域的絕緣膜的研磨速率增大，相比被從上方按壓的壓力較小的中心部被更多地磨削掉，在高加壓區(qū)域X中，絕緣膜材料的平坦化后的晶片1的面內(nèi)均勻性劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述不良情況而完成的，其課題在于提供提高了研磨均勻性的CMP研磨裝置。

為了解決上述課題，本發(fā)明采用以下手段。即，CMP研磨裝置的頭的氣囊具有以下特征。

1.使與晶片的外周部抵接的袋體的厚度比與晶片的中心部抵接的袋體的厚度大。

2.對(duì)氣囊進(jìn)行分割。

3.使氣囊為管狀。

通過單獨(dú)或者組合使用上述的手段，制造出具有能夠均勻地進(jìn)行加壓并均勻地按壓晶片整個(gè)表面的研磨頭的CMP研磨裝置。

發(fā)明效果

通過使用上述手段，能夠提供一種半導(dǎo)體集成電路的制造方法，能夠使按壓晶片的氣囊被均勻地加壓，從而均勻地按壓晶片整個(gè)表面，減小了晶片的絕緣材料在晶片表面內(nèi)的膜厚偏差。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明的第1實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的示意性剖視圖。

圖2是示出本發(fā)明的第2實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的氣囊的示意性俯視圖和剖視圖。

圖3是示出本發(fā)明的第3實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的氣囊的示意性俯視圖和剖視圖。

圖4是示出本發(fā)明的第4實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的氣囊的示意性俯視圖和剖視圖。

圖5是示出本發(fā)明的第5實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的氣囊的示意性俯視圖和剖視圖。

圖6是示出本發(fā)明的第6實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的氣囊的示意性俯視圖和剖視圖。

圖7是示出本發(fā)明的第7實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的氣囊的示意性俯視圖和剖視圖。

圖8是示出本發(fā)明的第8實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的氣囊的示意性俯視圖和剖視圖。

圖9是示出本發(fā)明的第9實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的氣囊的示意性俯視圖和剖視圖。

圖10是示出本發(fā)明的第10實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的氣囊的示意性俯視圖和剖視圖。

圖11是示出本發(fā)明的第11實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的氣囊的示意性俯視圖和剖視圖。

圖12是示出本發(fā)明的第12實(shí)施例的CMP研磨裝置的研磨頭的示意性剖視圖。

圖13是以往的CMP研磨裝置的研磨頭的示意性俯視圖和示意性剖視圖。

圖14是示出利用以往的CMP研磨裝置進(jìn)行研磨后的晶片表面內(nèi)的殘余膜的偏差的示意圖。

圖15是示出通過本發(fā)明實(shí)施例制造的半導(dǎo)體集成電路的俯視圖。

標(biāo)號(hào)說明

1：晶片；2：頂環(huán)；3：固定環(huán)；4：氣囊；5：研磨盤；6、X：局部的高加壓部位；7：由局部的高加壓部位導(dǎo)致的晶片的品質(zhì)異常區(qū)域；8：半導(dǎo)體集成電路；101：氣囊；201：內(nèi)氣囊；202：外氣囊；301：內(nèi)氣囊；302：外氣囊；401：小型氣囊；501：管狀氣囊螺旋模具；601：內(nèi)氣囊；602：外氣囊；701：內(nèi)氣囊；702：外氣囊；801：小型氣囊；802：較厚的小型氣囊；901：內(nèi)氣囊；902：管狀氣囊螺旋模具；1001：內(nèi)管狀氣囊螺旋模具；1002：外管狀氣囊螺旋模具；1101：小型管狀氣囊螺旋模具；1201：沖擊吸收(凝膠狀)片。

具體實(shí)施方式

以下，基于附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的各個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說明。

圖1是示出本發(fā)明的第1實(shí)施例的示意性剖視圖，表示特別地示意性示出了研磨頭部分的截面構(gòu)造的CMP研磨裝置。如上所述，在圖14所示的現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)為了對(duì)晶片1進(jìn)行按壓而導(dǎo)入壓縮空氣時(shí)，由于氣囊的形狀等的影響而導(dǎo)致對(duì)外周部局部地施加高壓力6，從而施加了高于中心部的壓力。在被高壓力部從上方按壓的晶片1中，壓力較強(qiáng)的高加壓區(qū)域X的絕緣膜的研磨速率增大，相比被從上方按壓的壓力較小的中心部被更多地磨削掉。其結(jié)果是，絕緣膜材料的平坦化后的晶片1表面面內(nèi)的均勻性發(fā)生劣化。

圖1的CMP研磨裝置為以下構(gòu)造：在晶片1的背面上配置氣囊101，晶片1以使正面朝下的方式載置在研磨盤5上，壓縮空氣被送入到氣囊101，由此，從上方按壓晶片1，以將晶片1的正面按壓于研磨盤5的方式進(jìn)行固定。以從側(cè)面包圍晶片1和氣囊101的方式配置有固定環(huán)(retainer ring)3，以包圍晶片1、氣囊101和固定環(huán)3的方式配置有頂環(huán)(top ring)2。在晶片1的下方配置有研磨盤5，包含晶片1的頂環(huán)2一邊在研磨盤5上旋轉(zhuǎn)，一邊對(duì)晶片1的正面的絕緣材料進(jìn)行研磨而使其平坦化。

這里，構(gòu)成為使構(gòu)成氣囊101的袋體的膜厚越從中心部朝向外側(cè)越厚。這時(shí)，具有厚度的范圍可以如下地進(jìn)行設(shè)計(jì)：根據(jù)CMP研磨裝置的結(jié)構(gòu)和晶片1的形狀來確認(rèn)晶片表面內(nèi)的各個(gè)點(diǎn)的研磨速率，使從研磨速率變快的區(qū)域朝向氣囊101的外側(cè)具有最佳的厚度。這時(shí)，可以使用以利用現(xiàn)有技術(shù)獲得的高壓力進(jìn)行按壓而研磨速率變高的區(qū)域?qū)挾鹊膶?shí)際測(cè)量值。與以往的厚度時(shí)相比，具有厚度的部位的對(duì)晶片1的壓力被分散。

在以往的厚度時(shí)，存在對(duì)氣囊的外周部局部地施加高壓力，研磨速率增大而絕緣材料被過多磨削掉的問題，然而，通過使氣囊101的厚度隨著朝向外側(cè)而成為最佳厚度，從而具有以下優(yōu)點(diǎn)：僅對(duì)氣囊101的外側(cè)局部地施加的高壓力被分散，按壓晶片1的氣囊101的壓力在中心部與外周部變得均等，其結(jié)果是，在晶片1的整個(gè)表面均勻且高品質(zhì)地形成絕緣膜材料。

如以上所說明那樣，本發(fā)明的第1實(shí)施例具有以下特征：使氣囊101的厚度朝向外側(cè)而成為最佳厚度，由此能夠使空氣壓力均勻地分散，從而均勻地按壓晶片1。

接著，圖2是示出本發(fā)明的第2實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的氣囊。首先，如圖14所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，能夠掌握被局部施加空氣的高壓力的區(qū)域的絕緣膜材料的研磨速率增大而平坦化的均勻性發(fā)生劣化的區(qū)域。進(jìn)一步地，作為氣囊的壓力朝向外側(cè)升高的主要原因，可以舉出氣囊由1個(gè)部件構(gòu)成這一方面、以及由于頭進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而離心力發(fā)揮作用這一方面等。

因此，在圖2的實(shí)施例中，將氣囊分為2個(gè)袋體。即，圓形的內(nèi)氣囊201和以包圍內(nèi)氣囊的方式配置的圓環(huán)形狀的外氣囊202。如上所述，在現(xiàn)有技術(shù)中，判斷出由于外側(cè)的空氣高壓力區(qū)域而研磨速率增大的區(qū)域，因此，將外氣囊的寬度設(shè)定為覆蓋該區(qū)域的寬度的程度即可。內(nèi)氣囊201和外氣囊202能夠各自進(jìn)行壓力控制。如以上所說明那樣，第2實(shí)施例具有以下特征：利用能夠各自進(jìn)行壓力控制的2個(gè)袋體來構(gòu)成氣囊，能夠使施加到晶片1的中心部的來自氣囊的按壓的壓力、和施加到外周部的來自氣囊的按壓的壓力均勻地分散，從而均勻地按壓晶片。

接著，圖3是示出本發(fā)明的第3實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的氣囊。雖然與第2實(shí)施例同樣，在內(nèi)氣囊301的周圍配置外氣囊302，但是，使外氣囊302的形狀為小圓形。通過使外氣囊302的形狀為小圓形，具有以下優(yōu)點(diǎn)：能夠比第2實(shí)施例的圓環(huán)形狀更均勻地施加空氣壓力，其結(jié)果是，能夠均勻地按壓晶片1。如以上所說明那樣，第3實(shí)施例具有以下特征：以2種圓形構(gòu)成氣囊，相比第2實(shí)施例，能夠使施加到晶片1的中心部的來自氣囊的按壓的壓力和施加到外周部的來自氣囊的按壓的壓力更均勻地分散，從而均勻地按壓晶片。這里，內(nèi)側(cè)的大的圓形氣囊和外側(cè)的小的氣囊能夠各自進(jìn)行壓力控制。

接著，圖4是示出本發(fā)明的第4實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的氣囊。與第3實(shí)施例中說明的在內(nèi)氣囊301的周圍配置外氣囊302相比，構(gòu)成為由下述的小型氣囊401構(gòu)成，該小型氣囊401是使由1個(gè)氣袋構(gòu)成的內(nèi)氣囊301為與所有外氣囊302相同的大小進(jìn)行配置而成的。與第3實(shí)施例相比，由于全部由小型氣囊401構(gòu)成，因此，與大的氣囊相比，具有均勻地施加空氣壓力的優(yōu)點(diǎn)。這里，各個(gè)氣囊能夠各自進(jìn)行壓力控制。

如以上所說明那樣，第4實(shí)施例具有以下特征：通過全部由小型氣囊401來構(gòu)成氣囊，與大的氣囊相比，能夠更均勻地施加空氣壓力，其結(jié)果是，按壓晶片1的壓力能夠更均勻地對(duì)晶片1的整個(gè)表面進(jìn)行按壓。

接著，圖5是示出本發(fā)明的第5實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的氣囊。如在現(xiàn)有技術(shù)的圖13或者第1實(shí)施例中所說明那樣，當(dāng)由1個(gè)大的氣囊構(gòu)成時(shí)，存在空氣壓力被局部分散而按壓晶片的壓力變得不均勻的不良情況。因此，如圖5那樣，管狀氣囊螺旋模具501使氣囊的形狀為管狀，并配置成螺旋狀。螺旋的朝向可以是左也可以是右，選擇最佳的一方即可。通過使氣囊呈管狀地變小，具有均勻地施加空氣壓力的優(yōu)點(diǎn)。如以上所說明那樣，第5實(shí)施例具有以下特征：通過由管狀氣囊螺旋模具501構(gòu)成氣囊，相比現(xiàn)有技術(shù)的圖13或者實(shí)施例1，能夠均勻地施加空氣壓力，其結(jié)果是，按壓晶片1的壓力能夠更均勻地對(duì)晶片1的整個(gè)表面進(jìn)行按壓。此外，在本實(shí)施例中，通過使與晶片外周部抵接的管狀氣囊的粗細(xì)比與晶片中心部抵接的管狀氣囊的粗細(xì)細(xì)，能夠使按壓晶片的壓力更均勻。

接著，圖6是示出本發(fā)明的第6實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的氣囊。具有實(shí)施例1與實(shí)施例2雙方的特征，內(nèi)氣囊601構(gòu)成為圓形，以包圍內(nèi)氣囊601的方式配置有圓環(huán)形狀的外氣囊602。使構(gòu)成外氣囊602的材料較厚。由于CMP研磨裝置的頭進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生圓周力，配置于外側(cè)的氣囊受到來自中心部的氣囊的壓力。通過使氣囊的材料比中心部的材料厚，具有以下優(yōu)點(diǎn)：能夠均勻地施加空氣壓力，從而均勻地按壓晶片1。如以上所說明那樣，第6實(shí)施例具有以下特征：通過由材料較厚的外氣囊602構(gòu)成，相比實(shí)施例2，能夠均勻地施加空氣壓力，其結(jié)果是，按壓晶片1的壓力能夠更均勻地對(duì)晶片1的整個(gè)表面進(jìn)行按壓。

接著，圖7是示出本發(fā)明的第7實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的氣囊。具有實(shí)施例1與實(shí)施例3雙方的特征，以包圍圓形的內(nèi)氣囊701的方式配置有小的圓形的外氣囊702。使外氣囊702的構(gòu)成材料較厚。由于CMP研磨裝置的頭進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的圓周力，配置于外側(cè)的氣囊受到來自中心部的氣囊的壓力。通過使氣囊的材料比中心部的材料厚，具有以下優(yōu)點(diǎn)：能夠均勻地施加空氣壓力，從而均勻地按壓晶片1。如以上所說明那樣，第7實(shí)施例具有以下特征：通過由材料較厚的外氣囊702構(gòu)成，相比實(shí)施例3，能夠均勻地施加空氣壓力，其結(jié)果是，按壓晶片1的壓力能夠更均勻地對(duì)晶片1的整個(gè)表面進(jìn)行按壓。

接著，圖8是示出本發(fā)明的第8實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的氣囊。具有實(shí)施例1與實(shí)施例4雙方的特征，配置有小型氣囊801。使配置于最外周的較厚的小型氣囊802的構(gòu)成材料較厚。由于CMP研磨裝置的頭進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的圓周力，配置于外側(cè)的氣囊受到來自中心部的氣囊的壓力。通過使氣囊的材料比中心部的材料厚，具有以下優(yōu)點(diǎn)：能夠均勻地施加空氣壓力，從而均勻地按壓晶片1。如以上所說明那樣，第8實(shí)施例具有以下特征：通過由材料較厚的外氣囊802構(gòu)成，相比實(shí)施例4，能夠均勻地施加空氣壓力，其結(jié)果是，按壓晶片1的壓力能夠更均勻地對(duì)晶片1的整個(gè)表面進(jìn)行按壓。

接著，圖9是示出本發(fā)明的第9實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的氣囊。具有實(shí)施例2與實(shí)施例5雙方的特征，以包圍圓形的內(nèi)氣囊901的方式配置有管狀氣囊螺旋模具902。管狀氣囊螺旋模具902的螺旋可以是右旋也可以是左旋，選擇最佳的一方即可。如在表示現(xiàn)有技術(shù)的圖13中所說明那樣，如果是由一個(gè)氣囊構(gòu)成，則氣囊的外周部的空氣壓力高于氣囊的中心部的空氣壓力，以高壓力按壓晶片1，由此存在外周部的研磨速率增大，絕緣膜過多地被磨削掉而平坦化的均勻性發(fā)生劣化的問題，但是，利用管狀氣囊螺旋模具902來形成通過現(xiàn)有技術(shù)獲得的外周部的研磨速率增大的區(qū)域，構(gòu)成2個(gè)氣囊，由此具有以下的優(yōu)點(diǎn)：使中心部的壓力和外周部的壓力變得均勻，按壓晶片1的壓力在晶片1的整個(gè)表面變得均勻。如以上所說明那樣，第9實(shí)施例具有以下特征：構(gòu)成為以包圍圓形的內(nèi)氣囊901的方式配置有管狀氣囊螺旋模具902，由此，相比實(shí)施例2，能夠均勻地施加空氣壓力，其結(jié)果是，按壓晶片1的壓力能夠更均勻地對(duì)晶片1的整個(gè)表面進(jìn)行按壓。

接著，圖10是示出本發(fā)明的第10實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的氣囊。具有實(shí)施例3與實(shí)施例5雙方的特征，以包圍圓形且管狀的內(nèi)管狀氣囊螺旋模具1001的方式形成有小型的外管狀氣囊螺旋模具1002。內(nèi)管狀氣囊螺旋模具1001和外管狀氣囊螺旋模具1002的螺旋可以是右旋也可以是左旋，選擇最佳的一方即可。如在表示現(xiàn)有技術(shù)的圖13中所說明那樣，如果是由一個(gè)氣囊構(gòu)成，則氣囊的外周部的空氣壓力高于氣囊的中心部的空氣壓力，以高壓力按壓晶片1，由此存在外周部的研磨速率增大，絕緣膜過多地被磨削掉而平坦化的均勻性發(fā)生劣化的問題，但是，利用內(nèi)管狀氣囊螺旋模具1001和外管狀氣囊螺旋模具1002的管狀的螺旋模具氣囊來形成根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)際測(cè)量值獲得的外周部的研磨速率增大的區(qū)域，由此，具有比實(shí)施例5提高了中心部和外周部的空氣壓力的均勻性的優(yōu)點(diǎn)。如以上所說明那樣，第10實(shí)施例具有以下特征：構(gòu)成為以包圍圓形且管狀的內(nèi)管狀氣囊螺旋模具1001的方式形成小型的外管狀氣囊螺旋模具1002，由此，能夠比實(shí)施例3更均勻地對(duì)中心部和外周部施加空氣壓力，其結(jié)果是，按壓晶片1的壓力能夠更均勻地對(duì)晶片1的整個(gè)表面進(jìn)行按壓。

接著，圖11是示出本發(fā)明的第11實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的氣囊。具有實(shí)施例4與實(shí)施例5雙方的特征，利用小型管狀氣囊螺旋模具1101形成。螺旋可以是右旋也可以是左旋，選擇最佳的一方即可。如在實(shí)施例4中所說明那樣，如果是由一個(gè)氣囊構(gòu)成，則氣囊的外周部的空氣壓力高于氣囊的中心部的空氣壓力，以高壓力按壓晶片1，由此，存在外周部的研磨速率增大，絕緣膜過多地被磨削掉而平坦化的均勻性發(fā)生劣化的問題，但是，利用小型管狀氣囊螺旋模具1101來形成根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)際測(cè)量值獲得的外周部的研磨速率增大的區(qū)域和中心部，具有比實(shí)施例4提高了中心部和外周部的空氣壓力的均勻性的優(yōu)點(diǎn)。如以上所說明那樣，第11實(shí)施例具有以下特征：利用小型管狀氣囊螺旋模具1101來形成，由此，能夠比實(shí)施例4更均勻地對(duì)中心部和外周部施加空氣壓力，其結(jié)果是，按壓晶片1的壓力能夠更均勻地對(duì)晶片1的整個(gè)表面進(jìn)行按壓。

接著，圖12是示出本發(fā)明的第12實(shí)施例的示意性剖視圖，僅簡(jiǎn)單示出CMP研磨裝置的頭部分的構(gòu)造。在實(shí)施例1的特征的基礎(chǔ)上，在晶片1與氣囊101之間具有沖擊吸收(凝膠狀)片1201。

夾在晶片1與氣囊101之間的沖擊吸收(凝膠狀)片1201具有即使在產(chǎn)生了來自氣囊101的局部壓力的情況下也能夠?qū)毫徍头稚⒉磯旱膲毫鶆虻貍鬟f到晶片1的優(yōu)點(diǎn)。如以上所說明那樣，第12實(shí)施例具有以下特征：夾在晶片1與氣囊101之間的沖擊吸收(凝膠)片1201將來自氣囊的壓力緩和分散，由此能夠傳遞均勻地按壓晶片1的壓力。

此外，雖然省略圖示，但是在第2～11實(shí)施例中也可以在晶片1上設(shè)置沖擊吸收(凝膠狀)片1201，從而期待獲得與實(shí)施例12同樣的效果。此外，本實(shí)施例以氣囊進(jìn)行了敘述說明，但是也可以將氣囊置換為耐水耐壓性的裝置，從而能夠充分期待從基于空氣的壓力施加方式向基于液體的壓力施加方式的靈活應(yīng)用。

圖15是示出通過上述所示的實(shí)施例來制造的半導(dǎo)體集成電路8的俯視圖。在晶片1的正面上以對(duì)周圍稍微保留間隙的方式二維地配置有多個(gè)半導(dǎo)體集成電路8。在半導(dǎo)體集成電路8的制造工序中，CMP研磨裝置對(duì)半導(dǎo)體集成電路8的正面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨而使其平坦化，接著將形成的金屬膜或者絕緣膜配置在平坦的面上。根據(jù)半導(dǎo)體集成電路8的構(gòu)造，在CMP研磨裝置的制造工序中，有時(shí)被使用多次，當(dāng)然要求晶片整個(gè)表面的平坦度良好。