技術(shù)編號(hào)：12222997
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于使晶片表面內(nèi)均勻地平坦化的CMP研磨裝置的研磨頭的構(gòu)造、具有該研磨頭的CMP研磨裝置以及使用CMP研磨裝置的半導(dǎo)體集成電路的制造方法。背景技術(shù)近年來，伴隨半導(dǎo)體集成電路(以下稱作LSI)的高集成化、高性能化，開發(fā)出了新的微細(xì)加工技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械研磨(ChemicalMechanicalPolishing的略寫，以下稱作CMP)法也是其中之一，是一種在LSI制造工序、尤其是多層布線形成工序中的層間絕緣膜的平坦化、金屬插頭形成、埋入布線形成中頻繁使用的技術(shù)。CMP研磨裝置的基本構(gòu)造具有粘...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。