透明導(dǎo)電金屬氧化物(TCO)由于其的透明性和導(dǎo)電性用于多種應(yīng)用中。例如，氧化銦錫是一種透明且導(dǎo)電的金屬氧化物，其包含銦、錫和氧。氧化銦錫可在襯底上通過從靶材濺射來形成，濺射時所述靶材相對于所述襯底是固定的。發(fā)明簡述根據(jù)本發(fā)明公開的實施方案，一種制備氧化銦錫的方法包括從靶材濺射銦和錫到襯底上以在所述襯底上方形成氧化銦錫，所述濺射包括沿著所述襯底上方的路徑相對于所述襯底移動所述靶材。所述氧化銦錫的薄層電阻可小于0.5Ω/□。在一些實施方案中，所述移動所述靶材包括將所述靶材從所述路徑的一端移動至所述路徑的另一端。將所述靶材從所述路徑的一端移動至所述路徑的另一端可形成第一層氧化銦錫。所述路徑的一端可以在所述襯底一端的上方，所述路徑的另一端可以在所述襯底另一端的上方。在一些實施方案中，所述方法進一步包括將所述靶材從所述路徑的另一端移動至所述路徑的一端以完成一個周期。將所述靶材從所述路徑的另一端移動至所述路徑的一端可在所述第一層氧化銦錫上形成第二層氧化銦錫。所述移動所述靶材可包括完成多個周期。在一些實施方案中，完成多個周期形成多層氧化錫銦。所述移動所述靶材可包括完成2個或更多個周期。所述濺射可以在室溫至約700℉范圍的溫度下進行。所述濺射可以進行約1分鐘或以上。所述濺射可以在以惰性氣體的流速為約100至約600sccm在所述襯底上方流動惰性氣體時以及在以氧氣的流速為約5至約400sccm在所述襯底上方流動氧氣時進行。在一些實施方案中，當所述靶材從所述氧化銦錫的一部分移開時，這部分氧化銦錫退火。所述相對于所述襯底移動所述靶材可包括移動所述靶材和/或所述襯底。根據(jù)本發(fā)明公開的一個實施方案，氧化銦錫膜包括根據(jù)本文在此公開的方法所制備的氧化銦錫。根據(jù)本發(fā)明公開的另一個實施方案，飛行器、地面車輛、顯示設(shè)備或電致變色窗的透明體包括所述氧化銦錫膜。根據(jù)本發(fā)明公開的另一個實施方案，飛行器包括所述透明體。根據(jù)本發(fā)明公開的另一個實施方案，氧化銦錫膜包括：第一移動靶材濺射氧化銦錫層；在所述第一移動靶材濺射氧化銦錫層上的第二移動靶材濺射氧化銦錫層；以及在所述第二移動靶材濺射氧化銦錫層上的第三移動靶材濺射氧化銦錫層。所述氧化銦錫膜可具有10nm至4μm范圍的厚度。在其它實施方案中，所述氧化銦錫膜具有10nm至900nm范圍的厚度。所述氧化銦錫膜的薄層電阻可小于0.5Ω/□。根據(jù)本發(fā)明公開的另一個實施方案，飛行器、地面車輛、顯示設(shè)備或電致變色窗的透明體包括氧化銦錫膜。根據(jù)本發(fā)明公開的另一個實施方案，飛行器包括所述透明體。根據(jù)本發(fā)明公開的另一個實施方案，顯示設(shè)備包括所述透明體。根據(jù)本發(fā)明公開的另一個實施方案，電致變色窗包括所述透明體。根據(jù)本發(fā)明公開的又一個實施方案，氧化銦錫膜包括多個氧化銦錫層。附圖的簡要說明本說明書結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方案進行說明，以及通過描述附圖來解釋本發(fā)明的原理。圖1-4為圖解氧化銦錫的制備方法實施方案的襯底和濺射靶材的剖視圖。圖5為包括根據(jù)本發(fā)明實施方案的氧化銦錫膜的透明體的剖視圖。圖6為根據(jù)本發(fā)明公開的實施方案制備的氧化銦錫的SEM照片。圖7為根據(jù)本發(fā)明公開的實施方案制備的氧化銦錫的SEM照片。圖8為根據(jù)對比實施方案所制備的氧化銦錫的SEM照片。發(fā)明詳述以下的詳細說明中，僅通過示例性方式顯示和描述本發(fā)明的某些實施方案。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所承認的是，本發(fā)明可以多種不同形式體現(xiàn)而不應(yīng)被解釋為受限于本文所列出的實施方案。另外，在本申請的上下文中，當?shù)谝灰乇环Q為在第二要素“之上”或“上方”時，它可直接在第二要素之上或上方，或與插于兩者之間的一個或多個中間要素一起直接在第二要素之上或上方，“之上”和“上方”可各自意為“之下”或“下方”。例如，在另一層“之上”或“上方”的層還可被認為在其它層“之下”，反之亦然，取決于角度。本文所述襯底和透明體可由玻璃、聚合材料(如塑料)或其它適當材料制成，可經(jīng)涂覆或未經(jīng)涂覆，以及可形成地面車輛(例如，汽車)、飛機(例如，巴西航空工業(yè)公司擋風玻璃)、船、建筑物或任何其它適當?shù)能囕v或結(jié)構(gòu)的蓬、窗戶或擋風玻璃。此外，本文所述襯底和透明體可被包含于顯示器(例如LCD顯示器)或電致變色窗中。在附圖中的一些特征如層和區(qū)域的厚度，為清楚起見可被放大或夸大。本文公開的內(nèi)容不限于附圖所示的尺寸和厚度。如本文所采用的術(shù)語“多個”是指兩個或以上。說明書全文中類似的參考數(shù)字符號指定類似的元素。本文公開的實施方案的一個方面涉及制備低歐姆透明導(dǎo)電金屬氧化物(如氧化銦錫)諸如高韌性、透明性和導(dǎo)電性的氧化銦錫的方法。本文所采用的術(shù)語“低歐姆”是指薄層電阻小于0.5Ω/□(歐姆/平方)，但是本文公開內(nèi)容不限于此。在一些實施方案中，低歐姆氧化銦錫具有小于0.4Ω/□(例如0.3至0.4Ω/□的薄層電阻)的薄層電阻。本文公開的透明導(dǎo)電金屬氧化物(如氧化銦錫)的實施方案適用于作為防靜電涂層、加熱器層(例如用于除霧和/或除冰)和/或電磁干擾(EMI)屏蔽層，氧化銦錫的實施方案可用于平板顯示器(如LCD顯示器)、電致變色窗、太陽能電池、地面車輛(如汽車)、飛行器(如飛機)、船、建筑物或任何其它適當?shù)能囕v或構(gòu)造中，但是本文公開內(nèi)容不限于此。根據(jù)本文公開的實施方案，制備氧化銦錫的方法包括從靶材濺射銦和錫至襯底上。例如，所述濺射可包括從所述靶材(如金屬靶材)濺射銦和錫至所述襯底上或從所述靶材(如陶瓷靶材)濺射銦、錫和氧至襯底上?？稍诎ǘ栊詺怏w和氧氣的氣氛下進行濺射。所述濺射包括相對于彼此來移動靶材和/或襯底。例如，所述濺射可包括沿所述襯底上方的路徑移動所述靶材和/或沿所述靶材下方的路徑移動所述襯底。因此，正如本文所使用的，關(guān)于靶材和襯底所使用的術(shù)語“移動(move)”、“移動(moving)”和“移動(moved)”是指所述靶材和襯底彼此之間的相對運動。在一些實施方案中，所述生成的氧化銦錫具有小于0.5Ω/□的薄層電阻、小于0.4Ω/□的薄層電阻，或者小于0.3-0.4Ω/□的薄層電阻。例如，圖1-4為襯底和濺射靶材的剖視圖，其對氧化銦錫制備方法的實施方案的實例進行了圖解。圖1所示的實施方案中，矩形靶材2沿著由箭頭32(例如沿該路徑第一方向)所指示的襯底上方的路徑相對于襯底10移動。所述靶材不限于矩形形狀，而正相反其可具有任何適當?shù)男螤?如圓柱形)。所述靶材的形狀可根據(jù)襯底的形狀(或輪廓)而改變。例如，所述靶材可具有“U”型形狀、“J”型形狀或“V”型形狀，但本文所公開內(nèi)容不限于此。所述靶材可由任意適當材料制成，諸如陶瓷銦、錫和氧材料(例如In2O3和Sn2O4)，或銦和錫的合金，但是本文所公開內(nèi)容不限于此。當所述靶材沿著箭頭32(例如沿該路徑第一方向)所指示的路徑移動時，所述靶材2濺射銦(In)和錫(Sn)到所述襯底10上。圖1-4中示出所述靶材2相對于所述襯底10移動。因此，圖1-4所示的所述靶材2的移動，可通過移動所述靶材并保持所述襯底固定、移動所述襯底并保持所述靶材固定或同時(concurrently)(或同時地(simultaneously))移動所述靶材和所述襯底來完成，例如通過在不同的方向上移動所述襯底和所述靶材、通過在相同(或基本上相同)的方向上以不同的速率移動所述襯底和靶材。實際上，本發(fā)明公開內(nèi)容的全文中，描述了所述靶材相對于所述襯底的移動，以及本文描述的所述靶材的任何移動可通過如上所述移動所述靶材和/或襯底來完成。可相對于彼此在相同或相反方向的上移動所述靶材和所述襯底，可以相同或不同的速度(或速率)移動所述靶材和所述襯底。在一些實施方案中，所述靶材相對于所述靶材在基本上單一(或唯一)平面(例如所述靶材相對于所述襯底成線性移動)上移動。例如，在一些實施方案中，所述靶材相對于平面的或曲面的襯底進行基本上水平移動。在其它實施方案中，所述襯底是彎曲的，所述靶材的移動對應(yīng)于襯底的曲度。所述靶材可以是任意適當?shù)某叽缁蛐螤?，所述靶材的尺寸或形狀可以基于所述待涂覆的襯底的尺寸或形狀(或輪廓)進行選擇(例如所述靶材的長度可相當于或等于所述襯底的長度或?qū)挾?。在一些實施方案中，所述靶材可基本上小于所述襯底(例如，所述靶材的長度可以是所述襯底的長度的一半或小于所述襯底的長度)，所述靶材可以二維(例如所述靶材可以在相同平面上二維移動)移動來完全(或基本上完全)地涂覆所述襯底的全部(或基本上全部)表面。例如，當所述靶材的長度基本上小于所述襯底的長度或?qū)挾葧r，所述靶材可通過沿著所述襯底的長或?qū)捯苿拥耐瑫r進行濺射來涂覆所述襯底，然后所述靶材進行濺射的同時可沿著其它長或?qū)捯苿樱缓笏霭胁目稍俅窝刂撻L或該寬移動來涂覆所述襯底的全部表面。還可以控制(或改變)所述靶材相對于所述襯底的角度來提供具有梯度(例如厚度、薄層電阻和/或透光率梯度)的氧化銦錫。例如，所述靶材可具有相對于所述襯底表面的垂直或非垂直的角度，可在濺射過程中改變所述靶材相對于所述襯底的角度。濺射過程中，所述靶材可從所述路徑22一端移動至所述路徑24另一端。例如，圖1中，所述靶材2位于所述路徑22的末端(例如所述靶材2在所述襯底10的一端的上方)。當所述靶材從所述路徑22一端移動至所述路徑24另一端時形成第一氧化銦錫層12(例如第一移動靶材濺射氧化銦錫層)，如圖2所示。圖2中，所述靶材2在所述襯底10(例如所述路徑24另一端在所述襯底另一端的上方)另一末端的上方。在一些實施方案中，當所述靶材2在所述路徑24另一端或附近時，關(guān)閉對所述靶材的供電，則所述靶材停止濺射。在其它的實施方案中，當所述靶材在所述路徑24另一端或附近時，對所述靶材繼續(xù)供電，則所述靶材繼續(xù)濺射。然后，所述靶材可沿著由箭頭34(例如，沿該路徑第二方向)所指示的路徑移動返回所述路徑22一端。在一些實施方案中，當所述靶材沿著所述路徑第二方向移動時，關(guān)閉所述靶材的電源，則所述靶材移動時不濺射。例如，濺射時可將所述靶材從所述路徑22一端移動至所述路徑24另一端來完成通行，然后在不濺射的情況下從所述路徑24另一端移動返回至所述路徑22一端。可重置所述靶材來增加所述靶材的濺射速率。例如，非導(dǎo)電陶瓷靶材可在所述靶材表面上聚集(或積累)電荷，這減少了所述濺射速率。重置所述靶材(例如通過不濺射時相對移動靶材)可減少電荷聚集在所述靶材上并增加靶材的濺射速率，和/或其可通過減少在靶材上所積累的熱量來延長靶材的使用期。可選擇地，當所述靶材沿著所述路徑的第二方向移動時，可供電給靶材，靶材可在濺射時移動。通過在濺射時將靶材從所述路徑22一端移動(例如相對移動)至所述路徑24另一端，然后在濺射時將靶材從所述路徑24另一端移動返回至所述路徑22一端，該靶材可完成一個周期(或循環(huán))。如圖3所示，當濺射時將所述靶材從所述路徑24另一端移動至所述路徑22一端，如箭頭36所指示，在第一層氧化銦錫12上還形成第二氧化銦錫層14(例如第二移動靶材濺射氧化銦錫層)。所述濺射可執(zhí)行任意適當數(shù)量的周期或循環(huán)。在一些實施方案中所述濺射包括移動所述靶材來完成多個周期或多次通過(例如2個或多個周期或通過、2至100個周期或通過、2至60個周期或通過、2至35個周期或通過、2至20個周期或通過、10至40個周期或通過、15至35個周期或通過或20至28個周期或通過)，但是本發(fā)明公開內(nèi)容不限于此。周期或通過的數(shù)量可根據(jù)所述靶材的速度、功率密度和所述氧化銦錫的預(yù)期薄層電阻而變化。例如，可通過降低所述靶材的速度和/或增加所述靶材的功率密度來減少周期或通過的數(shù)量，反之亦然。還可通過降低所述氧化銦錫的預(yù)期薄層電阻來減少周期或通過的數(shù)量。當濺射時移動所述靶材完成多個周期或通過來形成多層氧化銦錫。例如，從圖4能夠看出，將所述靶材從所述路徑22一端再次(例如沿著路徑第一方向移動所述靶材)移動至所述路徑24另一端以在第二氧化銦錫層14上形成第三氧化銦錫層16(例如第三移動靶材濺射氧化銦錫層)。根據(jù)本發(fā)明公開的實施方案，利用相同的靶材形成所述第一移動靶材濺射氧化銦錫層、第二移動靶材濺射氧化銦錫層和第三移動靶材濺射氧化銦錫層。然后，當濺射時或不濺射時，能夠?qū)⑺霭胁难刂ㄟ^箭頭38所指示的路徑(例如沿著路徑第二方向)再次移動返回至所述路徑22一端。在一些實施方案中，當所述靶材沿著所述路徑沿著第二方向移動但不濺射時，所述靶材只完成了一個優(yōu)先通過，將所述靶材從所述路徑22一端再次移動至所述路徑24另一端(例如沿該路徑以第一方向移動所述靶材)以在所述第二氧化銦錫層14上形成第二氧化銦錫層(例如第二移動靶材濺射氧化銦錫層)。根據(jù)本文公開的實施方案實例，當所述靶材(或ITO等離子體)從所產(chǎn)生的氧化銦錫的一部分移開時，該部分氧化銦錫退火(例如在濺射溫度下退火)。該部分氧化銦錫可退火任意適當?shù)臅r間段。例如，當所述靶材(或ITO等離子體)從氧化銦錫的一部分移開時，所述氧化銦錫可退火1分鐘或更長的時間段(例如約1至約120分鐘、約1至約20分鐘，2分鐘或更長，或約5至約20分鐘的范圍)，但是本文公開內(nèi)容不限于此。因此，根據(jù)本文所公開的實施方案，同時(或同時(simultaneously))進行氧化銦錫的濺射和退火。例如，當所述靶材(或ITO等離子體)從氧化銦錫層的一部分移開時，該部分被移開靶材的氧化銦錫層退火，該部分氧化銦錫層晶?？啥ㄏ蚺帕幸愿纳扑鰧拥倪B接性并由此增大所述層的導(dǎo)電性。在一些實施方案中，退火過程中所述氧化銦錫層中的氧位置可以改變或轉(zhuǎn)移，由此在所述氧化銦錫層中生成氧空位，這改善了所述氧化銦錫層的導(dǎo)電性。而不受理論限制的是，在一些實施方案中，氧化銦錫層中的氧位置影響所述氧化銦錫層的薄層電阻。另一方面，來自固定靶材(例如相對于所述襯底是固定的靶材)的持續(xù)濺射在形成氧化銦錫層之間的時間過程中不允許氧化銦錫退火，這是由于所述氧化銦錫是由銦、錫和氧的穩(wěn)定(或持續(xù))流所形成的，由此在濺射過程中防止了所述氧化銦錫退火。在一些實施方案中，當所述靶材相對于所述襯底在不濺射的情況下移動時，所述氧化銦錫層退火。如圖4所示，所述氧化銦錫層的濺射和退火形成氧化銦錫膜20。所述氧化銦錫可具有任意適當厚度。所述氧化銦錫(例如氧化銦錫膜)可具有10nm至4μm，諸如10nm至100nm、100nm至500nm、500nm至1μm或1μm至4μm的厚度范圍，這取決于所述氧化銦錫的預(yù)期薄層電阻，但是本文所公開內(nèi)容不限于此。所述氧化銦錫的薄層電阻可取決于例如所述氧化銦錫的厚度、沉積所述氧化銦錫的溫度、濺射過程中所述襯底上方流動的惰性氣體和氧氣的比率以及濺射過程中應(yīng)用于所述靶材的功率密度。例如，表1示出了在600℉下沉積于玻璃襯底上的所述氧化銦錫的薄層電阻、在150℉下沉積于聚合物襯底上的所述氧化銦錫的薄層電阻。表1相比于包含單層的氧化銦錫和/或通過采用固定靶材(例如相對于所述襯底是固定的靶材)濺射所制備的氧化銦錫，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案制備的包括兩個或多個氧化銦錫層的氧化銦錫(例如氧化銦錫膜)可具有較低的薄層電阻并且具有更多的柔韌性(或易延展性)。相比于根據(jù)本發(fā)明公開的實施方案所制備的氧化銦錫，通過使用固定靶材濺射而形成的氧化銦錫單一(或唯一)層更為剛性并且當其被扭曲時可能更容易破裂。申請人驚奇地發(fā)現(xiàn)，相比于通過從固定靶材濺射所形成的氧化銦錫，通過采用移動靶材濺射所制備的包括多層的氧化銦錫更為柔韌(或易延展)、可忍受(或承受)某些變形而膜不產(chǎn)生裂紋以及導(dǎo)電性更好。例如，根據(jù)本發(fā)明公開的實施方案，所述氧化銦錫的延伸率可以是1.8％。因此，根據(jù)本發(fā)明公開的實施方案的氧化銦錫非常適用于能夠彎曲的襯底，諸如聚合物(如塑料)襯底。另一方面，當所述氧化銦錫是通過相對于所述襯底是固定的靶材的持續(xù)濺射所形成時，由于濺射等離子體產(chǎn)生熱量則該襯底溫度可顯著上升，這可引起聚合物(如塑料)襯底上的底層收縮，由此造成所述氧化銦錫的破裂。例如，當所述氧化銦錫是通過相對于所述襯底是固定的靶材的持續(xù)濺射所形成時，由于濺射等離子體產(chǎn)生熱量則該襯底溫度可從100℉上升至210℉。本文公開的濺射可采用任意適當濺射系統(tǒng)(如DC磁控管濺射系統(tǒng))來進行，該濺射系統(tǒng)能夠在濺射時適當移動靶材。例如，所述濺射系統(tǒng)可以包括用于濺射的腔室，其能夠被泵抽至10-5至10-6托或更小范圍的真空水平，但是本文公開內(nèi)容不限于此。所述濺射可在任意適當?shù)囊r底溫度下進行，這取決于所述襯底的材料成分。例如，所述襯底的溫度可在室溫至約700℉或約100至700℉(500至700℉)的范圍，但本發(fā)明公開內(nèi)容不限于此。如本文所采用的術(shù)語“室溫”是指在環(huán)境條件下淀積室中的溫度，例如，約25℃的溫度。例如，所述濺射可在不額外加熱所述襯底或腔室的情況下進行?？杉訜?如加熱至100至700℉范圍的溫度)所述應(yīng)用了氧化銦錫的襯底。例如，當所述襯底包括聚合物(如塑料)，諸如聚碳酸酯或聚丙烯酸酯襯底時，則該襯底的溫度可在100至200℉的范圍。當所述襯底包括玻璃，諸如鋼化玻璃時，則該襯底的溫度可在400至700℉的范圍。所述濺射可在同時(或同時(simultaneously))將惰性氣體如氬氣(如包括氬氣或基本由氬氣組成的氣體)和氧氣流入所述腔室和/或所述襯底上方的情況下進行。在上下文中，“基本上由...組成”意為在所述惰性氣體中的任意附加成分不會實質(zhì)上影響所述氧化銦錫的形成。所述惰性氣體和氧氣可以以任意適當?shù)牧魉倭魅胨銮皇?。例如，惰性氣體(如氬氣)可在200至900sccm(如100至600sccm或200至600sccm)的流速范圍流動，氧氣可在5至600sccm(如5至400sccm或200至400sccm，或10至600sccm)的流速范圍流動，但是本發(fā)明公開內(nèi)容不限于此。在一些實施方案中，當所述靶材是陶瓷靶材(如包括銦和二氧化錫的靶材)時，所述惰性氣體可以200至500sccm的流速流過所述襯底上方，所述氧氣可以5至40sccm(如10至40sccm)的流速流過所述襯底上方?？筛鶕?jù)所述靶材的功率密度和/或成分來調(diào)節(jié)所述惰性氣體和/或氧氣的流速。當所述靶材是金屬靶材(如包括銦和錫的靶材)時，所述氬氣可以250至600sccm(如250至400sccm)的流速流動，所述氧氣可以100至400sccm(如200至400sccm)的流速流動?？赏ㄟ^改變氧氣(如包括氧氣或基本由氧氣組成的氣體)的流速來調(diào)節(jié)所述氧化銦錫的導(dǎo)電性和光傳導(dǎo)性。例如，如果氧氣流速高于上述范圍的流速時，則所述氧化銦錫中的氧過度摻雜，由此造成所述氧化銦錫的光傳導(dǎo)性得到改善而其導(dǎo)電性下降。在濺射過程中通過調(diào)節(jié)所述淀積室中的氧含量(如流速)來控制氧化銦錫中的氧濃度，從而提供具有優(yōu)良導(dǎo)電性和光傳導(dǎo)性能的氧化銦錫。可通過向所述靶材施加任意適當功率密度來進行濺射。例如，可通過向所述靶材施加0.5至10kW(如0.5至6KW)范圍的功率密度來進行濺射，這取決于所述靶材的尺寸，但是本發(fā)明公開內(nèi)容不限于此。例如，當所述靶材的尺寸增加時，則向所述靶材所施加的功率密度也會增加。對于相對較小的靶材而言，可向所述靶材施加較低的功率密度(如0.5kW)，對于相對較大的靶材而言，可向所述靶材施加較高的功率密度(如10kW)。在一些實施方案中，濺射時調(diào)節(jié)向所述靶材所施加的功率密度取決于所述襯底的復(fù)雜性(如取決于所述襯底表面上出現(xiàn)的曲度或其它輪廓)。所述靶材可以是任意適當靶材，如陶瓷靶材，其包括(或由銦、錫和氧組成)銦、錫和氧的靶材，或包括(或銦和錫的合金組成)銦和錫的合金。在一些實施方案中，濺射時所述靶材與所述襯底的距離為4至12英寸(例如6至10英寸)。濺射時所述靶材與所述襯底的距離可發(fā)生變化，這可能取決于所述襯底表面的輪廓(或曲度)。例如，當所述氧化銦錫層的厚度增加，可移動所述靶材來保持(或基本保持)所述襯底和所述靶材之間的距離，和/或可移動所述靶材來適應(yīng)所述襯底的曲度。濺射時可連續(xù)或間斷移動所述靶材。例如，為考慮所述襯底的曲度以及為提供具有均勻(或基本均勻)的厚度和/或均勻(或基本均勻)的薄層電阻的氧化銦錫層，在濺射時可調(diào)整(如加速或減速)所述靶材行進(或移動)速度。在一些實施方案中，在濺射時可控制(如加速或減速)所述靶材的行進速度來提供具有不均勻(或基本不均勻)厚度和/或不均勻(或基本不均勻)薄層電阻以及具有不均勻或均勻(或基本均勻)的薄層電阻的氧化銦錫層。例如，可改變所述靶材相對于襯底的行進速度來提供一種氧化銦錫層，該氧化銦錫層中一個區(qū)域的薄層電阻高于(或低于)該氧化銦錫層中另一區(qū)域的薄層電阻。在一些實施方案中，濺射時持續(xù)向所述靶材供電。例如，濺射時可將等離子體(如電離氣體的等離子體)持續(xù)應(yīng)用于所述靶材。所述靶材可以任意適當速率相對于所述襯底移動。在一些實施方案中，濺射時所述靶材以20-200英寸/分鐘的速率移動，但是本發(fā)明公開內(nèi)容不限于此。例如，濺射時所述靶材可以30英寸/分鐘的速率移動?？稍谌我膺m當?shù)臅r間內(nèi)進行濺射。例如，在一個示例性的實施方案中，所述濺射可進行1分鐘或更長時間(例如，約1至約120分鐘、或2分鐘或更長時間、或約2至約120分鐘、或約2至約40分鐘)，或在另一個示例性的實施方案中，所述濺射可進行約10至約40分鐘(例如，約20至約40分鐘)，但是本發(fā)明所公開內(nèi)容不限于此。可根據(jù)所述襯底的尺寸、所述靶材的功率密度以及所述氧化銦錫的預(yù)期薄層電阻來調(diào)整所述濺射的時長。所述濺射的時長是指激發(fā)所述靶材并在所述襯底上沉積物料(例如銦、錫和/或氧)的時間量。根據(jù)本發(fā)明的實施方案的氧化銦錫(如氧化銦錫膜)可包含在透明體中，諸如用于飛行器(如飛機)的透明體，但是本發(fā)明公開內(nèi)容不限于此。所述飛行器可以是任意適當航空器，諸如噴氣式飛機(商業(yè)乘客、貨運、私用或軍用)或螺旋槳飛機(商業(yè)乘客、貨運、私用或軍用)，諸如傾轉(zhuǎn)旋翼飛機，但是本發(fā)明公開內(nèi)容不限于此。根據(jù)本文公開的實施方案，在此將描述透明體的附加特征和層(如膜)。根據(jù)具體實施方案，在所述透明體中可或不可存在這些附加特征和/或?qū)?。例如，根?jù)本發(fā)明的示例性實施方案的的透明體30如圖5所示。所述的透明體30包括所述襯底10和所述氧化銦錫膜20。所述氧化銦錫膜20可作為抗靜電層(如漏電層)、EMI屏蔽層和/或加熱層。所述透明體30進一步包括用于將所述氧化銦錫膜20接地的引線或接線片42和44。例如，配置所述引線或接線片來將氧化銦錫膜20接于飛行器(例如飛機)，例如，當飛行器安裝所述透明體時，則所述氧化銦錫膜用作抗靜電層(如漏電層)和/或EMI屏蔽層。在一些實施方案中，所述引線或接線片42和44向所述氧化銦錫膜20提供電流，例如當飛行器包括所述透明體時，則所述氧化銦錫膜用作加熱層。在一個示例性實施方案中，所述氧化銦錫膜20可具有0.3至小于0.5Ω/□(如0.35至0.48Ω/□)、1至5Ω/□、5至10Ω/□或10至20Ω/□范圍的薄層電阻。本文公開的實施方案的氧化銦錫可用于代替其它透明導(dǎo)電膜，諸如由平版印刷金屬網(wǎng)格線、噴墨印刷導(dǎo)電網(wǎng)格線或通過采用金屬篩網(wǎng)所形成的透明導(dǎo)電膜，相比于本文公開的氧化銦錫，這些透明導(dǎo)電膜的制備可能較為昂貴。例如，本文所公開的示例性實施方案中的氧化銦錫可用作為屏蔽板或透明體上的加熱膜來代替金屬篩網(wǎng)或平版圖案化薄膜。如下所述，使用1300瓦的功率水平和28伏特的直流電壓(例如典型飛機電壓)，預(yù)期具有小于0.6Ω/□薄層電阻的加熱膜(或?qū)?能夠適當?shù)丶訜崛我膺m當?shù)牟⒕哂?115平方英寸面積的透明體。下述表2包括在各種加熱膜薄層電阻(R)以及1300瓦特的功率損耗下，經(jīng)計算的適于加熱具有1115平方英寸面積加熱膜的透明體的電壓(v)。表2根據(jù)本文公開的示例性實施方案，包括氧化銦錫的EMI屏蔽層在10GHz的頻率下可提供99.99％或更大的EMI屏蔽，但是本文公開內(nèi)容不限于此。例如，具有約3.9μm的厚度和小于0.5Ω/□的低薄層電阻的氧化銦錫膜可獲得約40dB的屏蔽效能(S.E.)?？墒褂?利用)包括90至95wt％的銦和5至10wt％的錫(90wt％銦和10wt％錫，或93wt％銦和7wt％錫)的金屬合金靶材來制備該膜。所述EMI屏蔽層的EMI屏蔽效能可根據(jù)下述方程式計算，其中R為薄層電阻，f為EMI的頻率屏蔽效能(SE)＝20log[(7·1011)/(f·R)]下述表2說明了透明體的EMI屏蔽層的薄層電阻(R)、EMI頻率(f)、屏蔽效能(SE)和屏蔽效能百分比之間的相關(guān)性。表2R(Ω/□)GHzSE(dB)SE(％)101017971103799.90.5104399.99所述透明體可包括附加層，如任意適當粘合劑或粘結(jié)層、任意適當基礎(chǔ)層和/或任意適當面漆。所述面漆可在所述透明體的任意其它層上(如所述襯底和/或所述氧化銦錫膜)。所述粘合劑或粘結(jié)層和/或基礎(chǔ)層可在所述透明體的任意其它層之上或之間(如襯底、所述氧化銦錫膜、所述面漆、所述粘合劑或粘結(jié)層和/或所述基礎(chǔ)層)。本文公開的示例性實施方案將結(jié)合下列實施例進行詳述。然而，本文公開內(nèi)容不限于此。實施例1使用直流(DC)磁控管濺射裝置制備氧化銦錫。由脈沖直流磁控管電源(購自AdvancedEnergy)在輸出功率(功率密度)約4.5kW下進行供電，使用銦和錫合金靶材(基于所述靶材的總重量計，約93wt％銦和7wt％錫)進行濺射。濺射過程中，在氬氣流速為約500sccm下在所述襯底上方流動氬氣，在氧氣流速約350sccm下在所述襯底上方流動氧氣。濺射過程中所述襯底的溫度為約650℉，在濺射過程中以約30英寸/分鐘的速度、總計移動所述靶材24個周期(或循環(huán))從而在玻璃襯底上形成氧化銦錫。實施例1所制備的氧化銦錫20的掃描電子顯微鏡(SEM)照片如圖6所示。使用該SEM，實施例1所制備的氧化銦錫20的厚度經(jīng)測量為3.91μm。如圖6可以看出，實施例1所制備的氧化銦錫20包括含24層的多層氧化銦錫(即一個層對應(yīng)于每一周期)。實施例2使用直流(DC)磁控管濺射裝置制備氧化銦錫。由磁控管直流電源在輸出功率(功率密度)約5.5kW下進行供電，使用陶瓷靶材進行濺射，基于所述靶材的總重量計，該陶瓷靶材包括約93wt％In2O3和7wt％Sn2O4。濺射過程中，在氬氣流速為約600sccm下在所述襯底上方流動氬氣，在氧氣流速約20sccm下在所述襯底上方流動氧氣。濺射過程中所述襯底的溫度為約107℉，在濺射過程中以約30英寸/分鐘的速度、總計移動所述靶材16個周期(或循環(huán))從而在包括丙烯酸和聚硅氧烷底漆的聚碳酸酯襯底上形成氧化銦錫。上述氧化銦錫層沉積工藝的逐層沉積在塑料襯板上提供了更具延展性、低電阻的氧化銦錫層。如圖7所示的掃描電子顯微鏡(SEM)照片顯示了實施例2所制備的氧化銦錫20的剖視圖。使用該SEM，實施例2所制備的氧化銦錫20的厚度經(jīng)測量為1.4μm。如圖7可以看出，實施例2所制備的氧化銦錫20包括含16層的多層氧化銦錫(即一個層對應(yīng)于每一周期)。對比實施例1使用直流(DC)磁控管濺射裝置制備氧化銦錫。由脈沖直流磁控管電源在輸出功率(功率密度)約4.5kW下進行供電，使用銦和錫合金靶材(基于所述靶材的總重量計，約93wt％銦和7wt％錫)進行濺射。濺射過程中，在氬氣流速為約500sccm下在所述襯底上方流動氬氣，在氧氣流速約350sccm下在所述襯底上方流動氧氣。濺射過程中所述襯底的溫度為約650℉，在濺射過程中所述靶材保持固定約30分鐘從而在玻璃襯底上形成氧化銦錫。如圖8所示的掃描電子顯微鏡(SEM)照片顯示了對比實施例1所制備的氧化銦錫的剖視圖。使用該SEM，對比實施例1所制備的氧化銦錫的厚度經(jīng)測量為3.99μm。如圖8可以看出，對比實施例1所制備的氧化銦錫只包括含單層的柱狀結(jié)構(gòu)的氧化銦錫。光透射率測試根據(jù)實施例1和2和對比實施例1制備的12英寸×12英寸取樣片，對其分別使用Haze-GardPlus儀器按照ASTMD1003各自進行測試。發(fā)光或可見光透射率表明穿過樣品可見光的量。根據(jù)實施例1和2的取樣片分別表現(xiàn)出66.5％和約75％的可見光透過率，而根據(jù)對比實施例1的取樣片則表現(xiàn)出66.8％的可見光透過率。薄層電阻測試根據(jù)實施例1和2和對比實施例1制備的12英寸×12英寸取樣片，分別對其使用購自GuardianManufacturingInc的四點探針表面電阻率儀各自進行測試。實施例1和2的氧化銦錫膜的薄層電阻經(jīng)測量分別為0.39Ω/□和10Ω/□。對比實施例1的氧化銦錫膜的薄層電阻經(jīng)測量為0.5Ω/□。結(jié)合特定實施方案描述本文所披露的發(fā)明目的時，可以理解的是，本發(fā)明公開內(nèi)容不限于所公開的實施方案，而相反的是，本文意在涵蓋所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的所包含的各種變型和等價排列及其等同物。在本文和權(quán)利要求的全文中，使用詞語“約”反映了與測量、有效數(shù)字和可交替性相關(guān)的各種半影，所有本文公開內(nèi)容所涉及的內(nèi)容是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的。此外，應(yīng)當理解的是，本文公開內(nèi)容和所附權(quán)利要求的全文中，除非另有說明，即使那些不使用術(shù)語“約”來描述高值和低值的范圍也被該術(shù)語所隱含修飾。在權(quán)利要求中，裝置加功能的語句旨在覆蓋本文所描述的為執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，而不僅僅是結(jié)構(gòu)等同物，而且還包括等效結(jié)構(gòu)。因此，盡管釘子和螺釘可以不是結(jié)構(gòu)等同物，這是因為釘子采用圓柱表面以將木制部件固定在一起，而螺釘采用螺旋表面，在固定木質(zhì)部件的情況下，釘子和螺釘可以是等效結(jié)構(gòu)。申請人的明確意圖不是援引35U.S.C.§112，第6段而對本文任意權(quán)利要求有任何限制，除非其中權(quán)利要求中明確使用“用于...的裝置”以及相關(guān)聯(lián)功能的詞語。當前第1頁1 2 3