真空沉積設(shè)備和用于真空沉積的方法
【專利摘要】公開了一種真空沉積設(shè)備和一種用于真空沉積的方法。所述真空沉積設(shè)備包括真空沉積裝置、掩模、真空室和控制單元。真空沉積裝置在基底上沉積薄膜層。掩模設(shè)置在基底和真空沉積裝置之間，使用掩模在基底上選擇性地沉積薄膜層。真空室圍繞真空沉積裝置和掩模?？刂茊卧O(shè)置在真空室的外部，控制單元與真空沉積裝置連接并控制施加在掩模上的拉力和壓縮力。
【專利說明】真空沉積設(shè)備和用于真空沉積的方法
[0001]本申請要求于2013年7月8日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的第10-2013-0079806號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該申請的內(nèi)容通過引用被全部包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]示例實施例總體上涉及真空沉積設(shè)備及使用該真空沉積設(shè)備用于真空沉積的方法。更具體地講，本發(fā)明構(gòu)思的實施例涉及包括用于控制施加在掩模上的拉力或壓縮力以校正掩模的變形或尺寸的裝置的真空沉積設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0003]用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光元件是具有形成在兩個電極之間的有機(jī)發(fā)射層的發(fā)光型元件。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，電子和空穴分別從電子注入電極和空穴注入電極注入到有機(jī)發(fā)光層中。注入的電子和空穴結(jié)合以產(chǎn)生激子，當(dāng)從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榛鶓B(tài)時激子照亮。因為有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括發(fā)光型元件，所以有機(jī)發(fā)射顯示裝置不需要單獨的光源。另外，與液晶顯示裝置相比，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的體積和重量可減小。因此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置已經(jīng)被廣泛地用作平板顯示裝置。
[0004]通常，有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光層包括多個功能層(例如，空穴注入層、空穴運送層、發(fā)光層、電子運送層、電子注入層等)，有機(jī)發(fā)光顯示元件的性能通過這些功能層的結(jié)合和布置而改善。
[0005]為了使用沉積方法制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置，與形成在基底上的薄膜層具有相同的圖案的精細(xì)金屬掩模布置在基底和沉積材料之間。通過將沉積材料噴射到基底，在基底上形成期望的圖案。
[0006]當(dāng)精細(xì)金屬掩模變得大尺寸時，用于形成圖案的蝕刻差錯增多，并且掩模的中心下垂也增加。此外，由于工藝的重復(fù)而出現(xiàn)的掩模的變形導(dǎo)致顯示質(zhì)量的缺陷。
[0007]為了防止掩模的變形，將掩模與掩模框架焊接。但是，當(dāng)將掩模焊接到掩?？蚣軙r，掩模框架會因掩模的彈性恢復(fù)力而變形。此外，在工藝中出現(xiàn)的熱以及在對準(zhǔn)工藝中出現(xiàn)的應(yīng)力導(dǎo)致掩模的額外的變形。當(dāng)掩模發(fā)生大變形時，應(yīng)更換掩?？蚣?。掩模框架的更換導(dǎo)致制造成本的增加。
[0008]因此，需要一種用于校正掩模的變形的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]一些示例實施例提供了一種能夠校正掩模的變形的真空沉積設(shè)備。
[0010]一些示例實施例還提供了一種能夠校正掩模的變形的真空沉積方法。
[0011]根據(jù)一些示例實施例，一種真空沉積設(shè)備包括真空沉積裝置、掩模、真空室和控制單元。真空沉積裝置在基底上沉積薄膜層。掩模設(shè)置在基底和真空沉積裝置之間，使用掩模在基底上選擇性地沉積薄膜層。真空室圍繞真空沉積裝置和掩模?？刂茊卧O(shè)置在真空室的外部，控制單元與真空沉積裝置連接并且控制施加在掩模上的拉力。
[0012]在示例實施例中，真空沉積裝置可包括掩?？蚣堋⒀谀Ｅ_、馬達(dá)單元和沉積源。掩?？蚣芫哂虚_口，掩模框架與掩模焊接。掩模臺支撐掩?？蚣?。馬達(dá)單元沿遠(yuǎn)離或朝向馬達(dá)單元的方向運送掩模臺。沉積源在基底上噴射沉積材料。
[0013]在示例實施例中，掩?？蚣芸删哂形挥谘谀？蚣艿闹行纳系拈_口，掩?？珊附釉谘谀？蚣苌?。
[0014]在示例實施例中，掩模臺可設(shè)置在掩?？蚣艿乃膫€側(cè)中的至少一側(cè)上，每個掩模臺可包括沿掩?？蚣苓\送掩模臺的運送裝置。
[0015]在示例實施例中，真空沉積裝置還包括螺釘插入孔。螺釘插入孔設(shè)置在掩模臺中。
[0016]在示例實施例中，馬達(dá)單元可包括螺釘、馬達(dá)和防塵單元。螺釘可以可旋轉(zhuǎn)地插入在掩模臺的螺釘插入孔中。馬達(dá)可控制螺釘?shù)男D(zhuǎn)。防塵單元可消除真空室中的灰塵。
[0017]在示例實施例中，螺釘可包括從由三角螺紋、四角螺紋、梯形螺紋和圓形螺紋組成的組中選擇的至少一種。
[0018]在示例實施例中，螺釘可插入到螺釘插入孔中，掩模臺可通過螺釘?shù)男D(zhuǎn)沿遠(yuǎn)離或朝向馬達(dá)單元的方向運送。
[0019]在示例實施例中，馬達(dá)可與設(shè)置在真空室的外部的控制單元連接，螺釘?shù)男D(zhuǎn)可由馬達(dá)控制。
[0020]在示例實施例中，防塵單元可支撐馬達(dá)。
[0021]在示例實施例中，沉積源可儲存在基底上沉積的沉積材料，沉積源可設(shè)置在掩模下方。
[0022]根據(jù)另一實施例的一方面，如下提供一種真空沉積的方法。將掩模與具有開口的掩?？蚣芙M合。使用設(shè)置在真空室的外部的控制單元控制掩模的尺寸。在掩模上設(shè)置基底。通過經(jīng)掩模在基底上噴射沉積材料來在基底上沉積薄膜層。
[0023]在示例實施例中，掩模可包括精細(xì)金屬掩模。
[0024]在示例實施例中，掩?？稍O(shè)置在掩?？蚣苌希谀？膳c掩模框架焊接。
[0025]在示例實施例中，控制單元可與控制掩模的尺寸的馬達(dá)單元連接，掩模的尺寸通過馬達(dá)單元的馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)來控制。
[0026]在示例實施例中，當(dāng)馬達(dá)沿第一方向旋轉(zhuǎn)時，可沿掩?？蚣艿耐夥较驙坷谀?。
[0027]在示例實施例中，當(dāng)馬達(dá)沿第二方向旋轉(zhuǎn)時，掩?？裳匮谀？蚣艿膬?nèi)方向收縮。
[0028]在示例實施例中，基底可與掩模對準(zhǔn)。
[0029]在示例實施例中，儲存在設(shè)置在掩模下方的沉積源中的沉積材料可通過掩模噴射到基底上，薄膜層可沿著掩模的圖案沉積在基底上。
[0030]因此，真空沉積設(shè)備可包括控制對掩模的拉力的掩模臺和掩?？蚣?。掩模臺沿遠(yuǎn)離或朝向馬達(dá)單元的方向運送，掩模的尺寸可通過掩模臺和掩模框架精確地控制。此外，可校正掩模的變形，并且可以推遲掩模的更換周期。因此，可使工藝成本和材料成本最小化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]通過參考結(jié)合附圖考慮的以下詳細(xì)描述，對本發(fā)明更完整的認(rèn)識和本發(fā)明的許多附隨的優(yōu)點將易于顯而易見，同時其變得更好地理解，在附圖中同樣的附圖標(biāo)記指示相同或類似的組件，其中:
[0032]圖1是示出了掩模的平面圖；
[0033]圖2是示出了基底的平面圖；
[0034]圖3是示出了根據(jù)示例實施例的真空沉積設(shè)備的剖視圖；
[0035]圖4是示出了圖3中示出的沉積設(shè)備的俯視圖；
[0036]圖5是示出了圖4中示出的真空沉積設(shè)備的橫截面(A-K1 )的剖視圖；
[0037]圖6是示出了根據(jù)示例實施例的用于真空沉積的方法的流程圖；
[0038]圖7和圖8是示出了圖6中示出的用于真空沉積的方法的示例的圖；
[0039]圖9是示出了圖3中示出的真空沉積設(shè)備的掩模臺的布置的示例的圖；
[0040]圖10是示出了圖3中示出的真空沉積設(shè)備的掩模臺的布置的另一示例的圖。

【具體實施方式】
[0041]在下文中將參照附圖更充分地描述各種示例實施例，在附圖中示出了一些示例實施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式實施，且不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的示例實施例。相反，提供這些示例實施例使得本公開將是徹底的和完整的，并將把本發(fā)明構(gòu)思的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，可夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。同樣的標(biāo)號始終指示同樣的元件。
[0042]將理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元件，但是這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語用于將一個元件與另一元件區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)的情況下，以下討論的第一元件可被稱為第二元件。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)列出的項的任意組合和全部組合。
[0043]將理解的是，當(dāng)元件被稱作“連接”或“結(jié)合”到另一元件時，該元件可直接連接或結(jié)合到另一元件，或者可存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接連接”或“直接結(jié)合”到另一元件時，不存在中間元件。應(yīng)該以類似的方式解釋用于描述元件之間的關(guān)系的其他詞語(例如，“在...之間”與“直接在...之間”、“相鄰”與“直接相鄰”等)。
[0044]在這里使用的術(shù)語僅用于描述特定示例實施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明構(gòu)思。如這里使用的單數(shù)形式“一個(種)”和“所述(該)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有清楚地指出。還應(yīng)該理解，當(dāng)在本說明中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或更多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0045]除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科技術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還應(yīng)該理解，除非這里明確定義，否則術(shù)語諸如在常用詞典中定義的術(shù)語應(yīng)被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中它們的含義一致的含義，而不應(yīng)以理想化或過于形式化的含義來解釋。
[0046]圖1是示出了掩模的平面圖，圖2是示出了基底的平面圖。
[0047]參照圖1，掩模41具有圖案開口以在基底上形成圖案。具有圖案開口的區(qū)域為有效區(qū)域“A”，圍繞有效區(qū)域“A”的區(qū)域為無效區(qū)域B。無效區(qū)域B可與下面將描述的掩?？蚣芎附?。
[0048]參照圖2，薄膜層82可形成在基底80的中心上?？赏ㄟ^經(jīng)掩模41將沉積材料噴射到基底80在基底80上形成具有期望圖案的薄膜層82。
[0049]圖3是示出了根據(jù)示例實施例的真空沉積設(shè)備的剖視圖。
[0050]參照圖3，真空沉積設(shè)備100包括真空室20、真空沉積裝置40、掩模41和控制單元60。
[0051]真空室20形成為筒形或箱形，并且提供用于在基底80上形成薄膜層的空間。盡管真空室20是圖3中示出的箱形，但是真空室20的形狀不受限制。期望的是:真空室20具有與基底80的形狀對應(yīng)的各種形狀。
[0052]真空泵(未示出)可設(shè)置在真空室20的上側(cè)上，以保持真空狀態(tài)，門(未示出)可設(shè)置在真空室20的一側(cè)上，以為工藝放入或取出基底80。
[0053]真空沉積裝置40設(shè)置在真空沉積室20中，真空沉積裝置40通過經(jīng)掩模41噴射沉積材料而在基底上形成薄膜層。盡管發(fā)生掩模41的變形，但可通過向掩模施加拉力或壓縮力的裝置來控制掩模41的尺寸。
[0054]控制單元60設(shè)置在真空室20的外部，通過控制單元60來控制在掩模41上的拉力。
[0055]相機(jī)(未示出)可設(shè)置在真空室20中，以測量掩模41的尺寸。用戶可監(jiān)控相機(jī)拍攝的圖像，并且可使用控制單元60來控制掩模41的尺寸。可通過距離測量傳感器(未示出)來監(jiān)控掩模41的尺寸。測量掩模41的尺寸的裝置不受限制。
[0056]圖4是示出了圖3中示出的真空沉積設(shè)備的平面圖，圖5是示出了圖4中示出的真空沉積設(shè)備的橫截面(A-A')的剖視圖。
[0057]參照圖4和圖5，真空沉積裝置40包括掩模41、掩模框架42、掩模臺43、馬達(dá)單元44、45和46以及沉積源47。
[0058]如圖1和圖5所示，掩模41具有有效區(qū)域A和無效區(qū)域B，無效區(qū)域B焊接在掩模框架42上。
[0059]掩?？蚣?2為具有開口的框架形狀。掩模41的有效區(qū)域A與掩?？蚣?2的開口對準(zhǔn)，掩模41設(shè)置在掩?？蚣?2上。掩?？蚣?2與掩模41的無效區(qū)域B焊接。與掩模41焊接的掩?？蚣?2通過在遠(yuǎn)離或朝向馬達(dá)單元44、45和46的方向上移動向掩模41施加拉力或壓縮力。掩模框架42可由在焊接工藝中不變形的材料(例如，強性質(zhì)金屬)形成。
[0060]掩模臺43設(shè)置在掩?？蚣艿乃膫€側(cè)中的至少一側(cè)上，并且利用運送裝置沿著掩模框架42運送。運送掩模臺43的方法和設(shè)備是各種各樣的。掩模臺43可通過沿著掩?？蚣?2運送來向掩?？蚣?2的期望位置施加拉力或壓縮力。此外，掩模臺43可通過改變掩模臺43的尺寸來精密地控制拉力或收縮力起作用的范圍。
[0061]馬達(dá)單元包括螺釘44、馬達(dá)45和防塵單元46。
[0062]螺釘44可插入到掩模臺43的螺釘插入孔48中，螺釘44可在遠(yuǎn)離或朝向馬達(dá)45的方向上通過螺釘44的旋轉(zhuǎn)來運送掩模臺43。螺釘44包括從由三角螺紋、四角螺紋、梯形螺紋和圓形螺紋組成的組中選擇的至少一種。
[0063]馬達(dá)45可旋轉(zhuǎn)螺釘44。馬達(dá)45與設(shè)置在真空室20的外部的控制單元60連接。通過使用設(shè)置在真空室20中的相機(jī)(未示出)監(jiān)控掩模41的尺寸，馬達(dá)45被控制在真空室20的外部。
[0064]防塵單元46可設(shè)置在馬達(dá)45的端部處并且可支撐馬達(dá)45。此外，防塵單元46可消除真空室20中的精細(xì)雜質(zhì)。防塵單元46可緊固地固定在真空室上，以相對于推動或牽拉掩模臺43的力進(jìn)行支撐。當(dāng)基底80進(jìn)入真空室20中時，雜質(zhì)會隨基底80進(jìn)入，并且當(dāng)移動掩模臺43時，會出現(xiàn)雜質(zhì)。通過消除雜質(zhì)，防塵單元46減少了由雜質(zhì)引起的缺陷。用于消除雜質(zhì)的方法和裝置是各種各樣的。
[0065]沉積源47可以為坩堝，并且可以儲存可沉積在基底80上的沉積材料。沉積源47噴射沉積材料，以在基底80上形成期望的薄膜層。
[0066]圖6是示出了根據(jù)示例實施例的用于真空沉積的方法的流程圖。
[0067]參照圖6,在掩模框架上焊接掩模(S120)。如描述的,在掩?？蚣苌显O(shè)置掩模,并將掩模的有效區(qū)域與掩?？蚣艿拈_口對準(zhǔn)。將掩模的無效區(qū)域與掩?？蚣芎附?。
[0068]控制掩模的尺寸(S140)。當(dāng)與掩模框架焊接的掩模變形時，可一起丟棄掩模和掩模框架?？蛇x擇地，當(dāng)拉力或壓縮力利用掩模框架而在掩模上起作用時，可校正掩模的變形。因此，可降低用于制造新掩模和新掩?？蚣艿牟牧铣杀疽约坝糜诤附有卵谀：托卵谀？蚣艿墓に嚦杀?。
[0069]可通過控制單元來控制掩模的尺寸。具體地，可使用設(shè)置在真空室的外部的控制單元將掩模臺運送到需要控制掩模的尺寸的位置。操作與掩模臺連接的馬達(dá)。在第一方向或與第一方向相反的第二方向上旋轉(zhuǎn)與馬達(dá)連接并插入到掩模臺中的螺釘。根據(jù)螺釘?shù)男D(zhuǎn)方向，在遠(yuǎn)離或朝向掩?？蚣艿姆较?如圖7和圖8中示出的外方向(向外方向)(一一)或內(nèi)方向(向內(nèi)方向)(一一))上運送掩模臺。因為掩模臺支撐掩模框架且掩?？蚣芨街窖谀Ｅ_，所以可根據(jù)掩模臺的移動方向牽拉或推動掩?？蚣??？赏ㄟ^使用掩模框架向掩模施加拉(張或伸)力或壓縮力來校正掩模的尺寸。
[0070]當(dāng)由于真空沉積工藝的重復(fù)，在大尺寸的掩模中已經(jīng)出現(xiàn)掩模的中心下垂時，可使用控制單元沿第一方向旋轉(zhuǎn)與馬達(dá)連接的螺釘?？沙蝰R達(dá)(即掩?？蚣艿耐夥较?―—))牽拉掩模臺，也向掩模框架的外方向牽拉掩?？蚣?。也將沿掩模框架的外方向牽拉與掩?？蚣芎附拥难谀?。因此，校正了掩模的中心下垂。當(dāng)向掩?？蚣艿耐夥较蜻^度施加拉力時，可使用控制單元沿第二方向旋轉(zhuǎn)螺釘，因此放松施加到掩模的拉力。
[0071]如描述的，可沿著掩?？蚣苓\送掩模臺，并且可通過改變掩模臺的尺寸精密地控制拉力或收縮力起作用的范圍。
[0072]在掩模上設(shè)置基底(S160)?？蓪⒒着c尺寸受控的掩模對準(zhǔn)。在通過間隙控制構(gòu)件保持的無間隙或具有間隙的情況下在掩模上設(shè)置基底。
[0073]可在基底上沉積薄膜層(S180)?？蓪⒃O(shè)置在掩模下方的沉積源中儲存的沉積材料噴射到掩模的開口?？稍诨咨铣练e圖案與掩模的圖案相同的薄膜層。
[0074]圖7和圖8是示出了用于圖6中示出的真空沉積的方法的示例的圖。
[0075]參照圖7，當(dāng)通過馬達(dá)45沿第一方向旋轉(zhuǎn)螺釘44時，沿掩?？蚣?2的外方向(^^ )運送掩模臺43。第一方向可以為順時針方向。對由掩模臺43支撐的掩?？蚣?2向掩?？蚣?2的外方向(一一)施加拉力。沿掩?？蚣?2的外方向(一一)牽拉焊接在掩?？蚣?2上的掩模41。S卩，如果已經(jīng)出現(xiàn)掩模41的中心下垂，則通過沿第一方向旋轉(zhuǎn)的螺釘44來校正掩模41的尺寸。
[0076]參照圖8，當(dāng)通過馬達(dá)45沿與第一方向相反的第二方向旋轉(zhuǎn)螺釘44時，沿掩?？蚣?2的內(nèi)方向(一一)運送掩模臺43。第二方向可以為逆時針方向。對由掩模臺43支撐的掩?？蚣?2向掩模框架42的內(nèi)方向(一一)施加壓縮力。焊接在掩模框架42上的掩模41向掩?？蚣?2的內(nèi)方向(一一)收縮。因此，如果掩模41的拉伸已經(jīng)因真空沉積工藝中的熱和應(yīng)力而發(fā)生，則通過沿第二方向旋轉(zhuǎn)螺釘44來校正掩模41的尺寸。
[0077]圖9是示出了圖3中示出的真空沉積設(shè)備的掩模臺的布置的示例的圖；圖10是示出了圖3中示出的真空沉積設(shè)備的掩模臺的布置的另一示例的圖。
[0078]參照圖9和圖10，在掩?？蚣?2的四個側(cè)中的至少一側(cè)上各設(shè)置一個掩模臺43。
[0079]參照圖9，一個掩模臺43設(shè)置在掩模框架42的四個側(cè)中的每個側(cè)上。掩模臺43的長度可以與掩?？蚣?2的長度相同。當(dāng)旋轉(zhuǎn)插在掩模臺43中的螺釘時，相同的拉力或壓縮力可施加到掩模框架42的一個側(cè)或四個側(cè)。
[0080]參照圖10，多個掩模臺43設(shè)置在掩?？蚣?2的四個側(cè)中的每個側(cè)上。當(dāng)掩模臺43的尺寸小時，可精密地控制掩模的尺寸。具體地，因為掩模臺43的小尺寸允許運送裝置相對于掩?？蚣?2沿期望的方向移動，所以可精確地校正掩模的可能已經(jīng)出現(xiàn)變形的任意區(qū)域。此外，可對掩?？蚣?2施加不同的拉力或收縮力。
[0081]掩模臺43的數(shù)量和尺寸可考慮掩模41的性質(zhì)和設(shè)備的成本來確定。此外，可分開地或成組地控制每個掩模臺43，以沿期望的方向移動。
[0082]真空沉積設(shè)備包括向掩模施加拉力或收縮力的掩模臺和掩?？蚣埽尚Ｕ谀５淖冃?，并且可推遲掩模的更換周期。因此，可降低材料成本和工藝成本。
[0083]本發(fā)明構(gòu)思可應(yīng)用到使用掩模的任何沉積工藝。例如，本發(fā)明構(gòu)思可應(yīng)用到包括使用掩模的沉積工藝的半導(dǎo)體元件和顯示裝置的制造方法。
[0084]前述是示例實施例的舉例說明，并不解釋為對示例實施例進(jìn)行限制。雖然已經(jīng)描述了一些示例實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員會容易地理解，在本質(zhì)上不脫離本發(fā)明的新穎教導(dǎo)和優(yōu)點的情況下，可在示例實施例中做出許多修改。因此，意圖將所有這樣的修改包括在本發(fā)明構(gòu)思的如權(quán)利要求中限定的范圍之內(nèi)。因此，應(yīng)該理解的是，前述是各種示例實施例的舉例說明，并不應(yīng)被解釋為局限于公開的具體示例實施例，并且對公開的示例實施例的修改以及其它示例實施例意圖被包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種真空沉積設(shè)備，所述真空沉積設(shè)備包括: 真空沉積裝置，在基底上沉積薄膜層； 掩模，設(shè)置在基底和真空沉積裝置之間，使用掩模在基底上選擇性地沉積薄膜層； 真空室，圍繞真空沉積裝置和掩模；以及 控制單元，設(shè)置在真空室的外部，控制單元與真空沉積裝置連接并控制施加在掩模上的拉力和壓縮力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空沉積設(shè)備，其中，真空沉積裝置包括: 掩?？蚣?，具有開口，掩?？蚣芘c掩模焊接； 掩模臺，支撐掩?？蚣埽? 馬達(dá)單元，在不同的時間沿遠(yuǎn)離或朝向馬達(dá)單元的方向運送掩模臺；以及 沉積源，在基底上噴射沉積材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空沉積設(shè)備，其中，掩模框架具有中心地設(shè)置在掩?？蚣苤械拈_口，掩模焊接在掩?？蚣苌稀?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空沉積設(shè)備，其中，掩模臺設(shè)置在掩模框架的四個側(cè)中的至少一側(cè)上，每個掩模臺包括沿掩?？蚣苓\送掩模臺的運送裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空沉積設(shè)備，其中，真空沉積裝置還包括: 螺釘插入孔，設(shè)置在掩模臺中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空沉積設(shè)備，其中，馬達(dá)單元包括: 螺釘，可旋轉(zhuǎn)地插入到掩模臺的螺釘插入孔中； 馬達(dá)，控制螺釘?shù)男D(zhuǎn)；以及 防塵單元，消除真空室中的灰塵。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空沉積設(shè)備，其中，螺釘包括從由三角螺紋、四角螺紋、梯形螺紋和圓形螺紋組成的組中選擇的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空沉積設(shè)備，其中，螺釘插入到螺釘插入孔中，掩模臺通過螺釘?shù)男D(zhuǎn)沿遠(yuǎn)離或朝向馬達(dá)的方向運送。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空沉積設(shè)備，其中，馬達(dá)與控制單元連接，控制單元設(shè)置在真空室的外部，螺釘?shù)男D(zhuǎn)由馬達(dá)控制。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空沉積設(shè)備，其中，防塵單元支撐馬達(dá)。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空沉積設(shè)備，其中，沉積源儲存將沉積在基底上的沉積材料，沉積源設(shè)置在掩模下方。
12.一種用于真空沉積的方法，所述方法包括: 將掩模與具有開口的掩?？蚣芙M合； 使用設(shè)置在真空室的外部的控制單元控制掩模的尺寸，控制單元控制施加在掩模上的拉力和壓縮力； 將基底設(shè)置在掩模上；以及 通過經(jīng)掩模在基底上噴射沉積材料來在基底上沉積薄膜層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，掩模包括精細(xì)金屬掩模。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中，掩模設(shè)置在掩?？蚣苌?掩模與掩?？蚣芎附印?br> 15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中: 控制單元與控制掩模的尺寸的馬達(dá)單元連接， 掩模的尺寸通過馬達(dá)單元的馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)來控制。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其中，當(dāng)馬達(dá)沿第一方向旋轉(zhuǎn)時,掩模向掩?？蚣艿耐夥较驍U(kuò)展。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，當(dāng)馬達(dá)沿與第一方向相反的第二方向旋轉(zhuǎn)時，掩模向掩?？蚣艿膬?nèi)方向收縮。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，基底與掩模對準(zhǔn)。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，儲存在設(shè)置在掩模下方的沉積源中的沉積材料通過掩模噴射到基底上，薄膜層根據(jù)掩模的圖案沉積在基底上。
【文檔編號】C23C16/04GK104278232SQ201410318375
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月8日
【發(fā)明者】韓政洹 申請人:三星顯示有限公司