蒸鍍?cè)醇訜嵫b置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，包括：底座、連接于底座的外殼、設(shè)于外殼內(nèi)側(cè)的加熱元件、設(shè)于加熱元件內(nèi)側(cè)且安裝于底座上的數(shù)個(gè)金屬筒、及設(shè)于金屬筒內(nèi)的坩堝。本發(fā)明的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，在加熱元件與坩堝之間設(shè)置數(shù)個(gè)金屬筒，所述數(shù)個(gè)金屬筒安裝于底座上，加熱時(shí)，通過數(shù)個(gè)金屬筒逐漸傳導(dǎo)加熱元件的熱量的方式，將熱量傳導(dǎo)給坩堝，由于金屬筒導(dǎo)熱性能好，其上熱量分布均勻，使得坩堝受熱均勻，保證了蒸鍍效果。
【專利說明】蒸鍍?cè)醇訜嵫b置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件制作領(lǐng)域，尤其涉及一種蒸鍍?cè)醇訜嵫b置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件是一種自發(fā)光器件，具有電壓低，視角寬、響應(yīng)速度快、溫度適應(yīng)性好等優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為在平板顯示中有著巨大的應(yīng)用前景，甚至被認(rèn)為是繼等離子(PDP)、液晶(IXD)之后的新一代平板顯示技術(shù)。
[0003]從使用的有機(jī)電致發(fā)光材料的分子量來看，有機(jī)電致發(fā)光器件分為小分子有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)與高分子電致發(fā)光器件(PLED)，由于分子量的不同，兩種有機(jī)電致發(fā)光器件的制程也有很大的區(qū)別，OLED主要通過熱蒸鍍方式制備，PLED通過旋涂或者噴墨打印方式制備。
[0004]OLED通常包括:基板、置于基板上的ITO透明陽極、置于ITO透明陽極上的空穴注入層(HIL)、置于空穴注入層上的空穴傳輸層(HTL)、置于空穴傳輸層上的發(fā)光層(EML)、置于發(fā)光層上的電子傳輸層(ETL)、置于電子傳輸層上的電子注入層(EIL)以及置于電子注入層上的陰極。為了提高效率，發(fā)光層通常采用主/客體摻雜系統(tǒng)。 [0005]OLED制程采用的熱蒸鍍方式，在真空環(huán)境下(E-5Pa)加熱有機(jī)材料，使升華型或者熔融型的有機(jī)材料在高溫狀態(tài)下氣化，沉積在有TFT結(jié)構(gòu)或者陽極結(jié)構(gòu)的基板上。目前主流的蒸鍍?cè)粗饕悬c(diǎn)型蒸鍍?cè)春途€型蒸鍍?cè)?。點(diǎn)型蒸鍍?cè)粗饕迷趯?shí)驗(yàn)線和早期的量產(chǎn)線，由于線型蒸鍍?cè)吹牟牧侠寐屎湍ず窬恍砸獌?yōu)于點(diǎn)型蒸鍍?cè)?，近期建設(shè)的量產(chǎn)線大部分使用線性蒸鍍?cè)础５捎邳c(diǎn)型蒸鍍?cè)吹目臻g小，一個(gè)鍍膜腔體里可以安裝很多個(gè)點(diǎn)型蒸鍍?cè)?，可以填入很多種材料，適用于實(shí)驗(yàn)線。
[0006]有機(jī)材料的蒸發(fā)溫度與其裂解溫度相差很小，點(diǎn)型蒸鍍?cè)吹嫩釄鍍?nèi)部往往溫差較大(上熱下冷)，若材料填入量較多，材料無法達(dá)到一個(gè)熱平衡穩(wěn)定的狀態(tài)，蒸鍍速率無法穩(wěn)定；提高溫度，使材料熱穩(wěn)定,往往上面的材料有裂解的風(fēng)險(xiǎn)。若材料填入量較少,在高蒸鍍速率下，坩堝上部的溫度往往超過材料的裂解溫度，氣化的材料在經(jīng)過此段區(qū)域時(shí)容易裂解。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，在加熱元件與坩堝之間設(shè)置數(shù)個(gè)金屬筒，通過數(shù)個(gè)金屬筒逐漸傳導(dǎo)加熱元件的熱量的方式，使得坩堝受熱均勻，保證了蒸鍍效果O
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，包括:底座、連接于底座的外殼、設(shè)于外殼內(nèi)側(cè)的加熱元件、設(shè)于加熱元件內(nèi)側(cè)且安裝于底座上的數(shù)個(gè)金屬筒、及設(shè)于金屬筒內(nèi)的坩堝。
[0009]所述底座容納于外殼內(nèi)，所述底座設(shè)有數(shù)個(gè)凹槽，所述數(shù)個(gè)金屬筒分別安裝于該數(shù)個(gè)凹槽上。[0010]所述金屬筒為圓筒，所述凹槽為圓環(huán)狀凹槽。
[0011]所述圓形環(huán)狀凹槽同心。
[0012]所述金屬筒的高度等于或低于所述外殼的高度。
[0013]所述底座由金屬或絕熱陶瓷制成。
[0014]所述金屬筒由金屬片制成。
[0015]所述金屬片的厚度為0.01mm~10cm。
[0016]所述金屬片的材質(zhì)為鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、或者其他導(dǎo)熱系數(shù)良好的金屬。
[0017]所述加熱元件為加熱電阻絲。
[0018]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，在加熱元件與坩堝之間設(shè)置數(shù)個(gè)金屬筒，所述數(shù)個(gè)金屬筒安裝于底座上，加熱時(shí)，通過數(shù)個(gè)金屬筒逐漸傳導(dǎo)加熱元件的熱量的方式，將熱量傳導(dǎo)給坩堝，由于金屬筒導(dǎo)熱性能好，其上熱量分布均勻，使得坩堝受熱均勻，保證了蒸鍍效果；同時(shí)可以根據(jù)需要增加或減少金屬筒的個(gè)數(shù)，以調(diào)節(jié)金屬筒對(duì)溫度的傳遞和均衡作用，進(jìn)而調(diào)節(jié)坩堝的溫度差。
[0019]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0021]附圖中，
[0022]圖1為本發(fā)明蒸鍍?cè)醇訜嵫b置一實(shí)施例的立體示意圖；
[0023]圖2為圖1所示蒸鍍?cè)醇訜嵫b置的剖視示意圖；
[0024]圖3為圖1所示蒸鍍?cè)醇訜嵫b置的底座的俯視圖；
[0025]圖4為圖1所示蒸鍍?cè)醇訜嵫b置的底座的立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0027]請(qǐng)參閱圖1-4，本發(fā)明提供一種蒸鍍?cè)醇訜嵫b置10，包括底座20、連接于底座20上的外殼80、設(shè)于外殼80內(nèi)側(cè)的加熱兀件60、設(shè)于加熱兀件60內(nèi)側(cè)且安裝于底座20上的數(shù)個(gè)金屬筒40、及設(shè)于金屬筒40內(nèi)的?甘禍90。所述底座20容納于外殼80內(nèi)，所述底座20設(shè)有數(shù)個(gè)同心圓環(huán)狀凹槽21，所述金屬筒40為圓筒，所述數(shù)個(gè)金屬筒40分別安裝于該數(shù)個(gè)凹槽21上。所述加熱元件60為加熱電阻絲。
[0028]在本實(shí)施例中，所述底座20具有四個(gè)同心圓環(huán)狀凹槽21，由外至內(nèi)分別為21a，21b，21c，21d。所述數(shù)個(gè)金屬筒40為三個(gè)，分別為第一層(最外層)金屬筒40a，第二層(中間層)金屬筒40b,與第三層(最內(nèi)層)金屬筒40c,所述第一層金屬筒40a,第二層金屬筒40b,與第三層金屬筒40c分別安裝于凹槽21a，21b與21c上，所述坩堝90設(shè)置于第三層金屬筒40c中心，且安裝于所述底座20上最內(nèi)層的凹槽21d上。同時(shí)，本發(fā)明可根據(jù)需要調(diào)整底座20上凹槽21的數(shù)量，以及底座20上安裝的金屬筒40的數(shù)量，以實(shí)現(xiàn)對(duì)所述蒸鍍?cè)醇訜嵫b置10內(nèi)的坩堝90最佳的加熱效果。
[0029]當(dāng)加熱元件60開始加熱時(shí),熱量通過第一層金屬圓筒40a逐步向內(nèi)傳導(dǎo)至第二層金屬圓筒40b與第三層金屬筒40c，然而再傳導(dǎo)給坩堝90，實(shí)現(xiàn)對(duì)坩堝90進(jìn)行加熱。真空狀態(tài)下，蒸鍍?cè)醇訜嵫b置10中加熱元件60發(fā)出的熱量會(huì)以熱輻射的方式加熱金屬筒40，由于加熱元件60的不同位置發(fā)出的熱量可能不同，因此，第一層金屬筒40a上存在溫差，由于金屬能很好地傳導(dǎo)熱量，第一層金屬筒40a在向第二層金屬筒40b輻射熱量的同時(shí)，其高溫部位的熱量會(huì)傳導(dǎo)至其低溫部位，從而使得第一層金屬筒40a上不同位置的溫差變小，進(jìn)而第二層金屬筒40b的溫差會(huì)變的更小，而第三層金屬筒40C的溫差則基本為0，因此，熱量傳遞到內(nèi)部的坩堝90時(shí)，所述坩堝90不同位置可以獲得無溫差的熱量，從而使坩堝90受熱均勻。也就是，通過金屬筒40的設(shè)置將加熱元件60的不均勻發(fā)熱轉(zhuǎn)換成均勻發(fā)熱傳遞給坩堝90，從而實(shí)現(xiàn)坩堝90內(nèi)部沒有溫差。
[0030]所述金屬筒40的高度可以等于或低于所述外殼80的高度，使金屬筒40不伸出外殼80。本實(shí)施例中，所述第一層金屬筒40a的高度高于坩堝90的高度，所述第二層金屬筒40b的高度低于所述第一層金屬筒40a的高度,所述第三層金屬筒40c的高度低于所述第二層金屬筒40b的高度，且等于坩堝90的高度。而做為可選擇的變化，所述金屬筒40的高度與坩堝90的高度相同或接近都可以。所述底座20上的凹槽21以及安裝于所述凹槽21的金屬筒40的數(shù)量可根據(jù)加熱效果的需要進(jìn)行增加或減少。
[0031]所述底座20可以由金屬，絕熱陶瓷或者其他材料制成。
[0032]所述金屬筒40由金屬片制成,所述金屬片的厚度為0.01mm~IOcm ;所述金屬片的材質(zhì)可以是鋁，鋁合金，鈦，鈦合金，或其他導(dǎo)熱系數(shù)良好的金屬。
[0033]綜上所述，本發(fā)明的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，在加熱元件與坩堝之間設(shè)置數(shù)個(gè)金屬筒，所述數(shù)個(gè)金屬筒安 裝于底座上，加熱時(shí)，通過數(shù)個(gè)金屬筒逐漸傳導(dǎo)加熱元件的熱量的方式，將熱量傳導(dǎo)給坩堝，由于金屬筒導(dǎo)熱性能好，其上熱量分布均勻，使得坩堝受熱均勻，保證了蒸鍍效果；同時(shí)可以根據(jù)需要增加或減少金屬筒的個(gè)數(shù)，以調(diào)節(jié)金屬筒對(duì)溫度的傳遞和均衡作用，進(jìn)而調(diào)節(jié)坩堝的溫度差。
[0034]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，其特征在于，包括:底座(20)、連接于底座的外殼(80)、設(shè)于外殼內(nèi)側(cè)的加熱兀件(60)、設(shè)于加熱兀件(60)內(nèi)側(cè)且安裝于底座(20)上的數(shù)個(gè)金屬筒(40)、及設(shè)于金屬筒(40)內(nèi)的坩堝(90)。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，其特征在于，所述底座(20)容納于外殼(80)內(nèi)，所述底座(20)設(shè)有數(shù)個(gè)凹槽(21)，所述數(shù)個(gè)金屬筒(40)分別安裝于該數(shù)個(gè)凹槽(21)上。
3.如權(quán)利要求2所述的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，其特征在于，所述金屬筒(40)為圓筒，所述凹槽為圓環(huán)狀凹槽。
4.如權(quán)利要求3所述的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，其特征在于，所述圓形環(huán)狀凹槽同心。
5.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，其特征在于，所述金屬筒(40)的高度等于或低于所述外殼(80)的高度。
6.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，其特征在于，所述底座(20)由金屬或絕熱陶瓷制成。
7.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，其特征在于，所述金屬筒(40)由金屬片制成。
8.如權(quán)利要求7所述的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，其特征在于，所述金屬片的厚度為0.01mm~IOcm0
9.如權(quán)利要求7所述的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，其特征在于，所述金屬片的材質(zhì)為鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、或者其他導(dǎo)熱系數(shù)良好的金屬。
10.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)醇訜嵫b置，其特征在于，所述加熱元件(60)為加熱電阻絲。
【文檔編號(hào)】C23C14/26GK103966555SQ201410231511
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月28日
【發(fā)明者】鄒清華 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司