磁控濺射設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，包括成膜腔室以及靶材，靶材為多個，多個靶材排列形成隊列，成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有與隊列相對的用于為基板加熱的第一加熱裝置，成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有與靶材之間的縫隙相對應(yīng)的第二加熱裝置。本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有與隊列相對的用于為基板加熱的第三加熱裝置，第三加熱裝置包括多個平行設(shè)置的加熱條，多個加熱條與靶材之間的縫隙相對應(yīng)。本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，利用第二加熱裝置或第三加熱裝置使基板上形成溫度不均，基板上不同區(qū)域的溫度差距導(dǎo)致原子在基板上不同于區(qū)域的附著速度不同，從而可以調(diào)整成膜速率，以改善成膜不均。本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡單，可以有效防止基板表面成膜不均勻。
【專利說明】磁控濺射設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種利用濺射法對金屬材料進行鍍覆的裝置，特別是涉及一種磁控濺射設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜場效應(yīng)晶體管作為關(guān)鍵器件直接影響薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器的性能。在現(xiàn)有TFT-LCD (薄膜場效應(yīng)晶體管LCD)制造領(lǐng)域中，薄膜場效應(yīng)晶體管的制備通常采用磁控濺射鍍膜的手段完成。
[0003]荷能粒子(如氬離子)轟擊固體表面，引起固體表面的各種粒子(如原子、分子或分子團束)從該固體表面逸出的現(xiàn)象稱“濺射”。在磁控濺射鍍膜過程中，通常是應(yīng)用氬氣電離產(chǎn)生的正離子轟擊固體(靶材)，濺出的中性原子沉積到基片(基板)上，以形成膜層。
[0004]在大尺寸TFT_IXD、0LED以及PV生產(chǎn)中，大型的立式磁控濺射設(shè)備被廣泛的應(yīng)用。這種大型的立式磁控濺射設(shè)備中，靶材有多個，多個靶材排列形成隊列，基板(面板)與上述隊列平行設(shè)置，因為多個靶材之間存在空隙，由此導(dǎo)致基板表面成膜不均勻。目前的解決方法主要是在成膜的時候保持基板或靶材可以自由晃動，但這樣既會大量增加設(shè)備能耗和復(fù)雜程度，又需要加寬靶材厚度，造成生產(chǎn)成本的上升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、有效防止基板表面成膜不均勻的磁控濺射設(shè)備。
[0006]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，包括成膜腔室以及設(shè)置于所述成膜腔室的內(nèi)部的靶材，所述靶材為多個，多個靶材排列形成隊列，所述成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有與所述隊列相對的用于為基板加熱的第一加熱裝置，所述成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有與靶材之間的縫隙相對應(yīng)的第二加熱裝置。
[0007]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，其中，所述成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有用于安裝基板的基板安裝區(qū)域，所述基板安裝區(qū)域位于所述第一加熱裝置與所述隊列之間，所述第二加熱裝置位于所述基板安裝區(qū)域與第一加熱裝置之間。
[0008]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，其中，所述第二加熱裝置為多個平行設(shè)置的加熱棒，多個所述加熱棒分別與所述靶材之間的縫隙相對應(yīng)。
[0009]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，其中，多個所述加熱棒分別與溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)連接。
[0010]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，其中，所述基板安裝區(qū)域與第一加熱裝置之間設(shè)置有用于承托基板的承托框架，所述第二加熱裝置為多個平行設(shè)置的加熱支撐桿，多個所述加熱支撐桿設(shè)置于承托框架上并分別與所述靶材之間的縫隙相對應(yīng)。
[0011]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，其中，多個所述加熱支撐桿分別與溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)連接。
[0012]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，包括成膜腔室以及設(shè)置于所述成膜腔室的內(nèi)部的靶材，所述靶材為多個，多個靶材排列形成隊列，所述成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有與所述隊列相對的用于為基板加熱的第三加熱裝置，所述第三加熱裝置包括多個平行設(shè)置的加熱條，多個所述加熱條之間有空隙，所述多個加熱條與靶材之間的縫隙相對應(yīng)。
[0013]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，利用第二加熱裝置或第三加熱裝置使基板上形成溫度不均，基板上不同區(qū)域的溫度差距導(dǎo)致原子在基板上不同于區(qū)域的附著速度不同，從而可以調(diào)整成膜速率，以改善成膜不均。本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡單，可以有效防止基板表面成膜不均勻。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備第一種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖的俯視圖；
[0015]圖2為本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備第二種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖的俯視圖；
[0016]圖3為本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備第三種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖的俯視圖；
[0017]圖4為圖3中第三加熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖的主視圖。
【具體實施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖 和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。
[0019]實施例一
[0020]如圖1所示，本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備的實施例，包括成膜腔室10以及設(shè)置于成膜腔室10的內(nèi)部的靶材1，靶材I為多個且彼此平行設(shè)置，多個靶材I排列形成隊列11，成膜腔室10的內(nèi)部設(shè)置有與隊列11相對的用于為基板100加熱的第一加熱裝置101，成膜腔室10的內(nèi)部設(shè)置有與靶材I之間的縫隙相對應(yīng)的第二加熱裝置102。第二加熱裝置102同樣用于為基板100加熱。
[0021]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備的實施例，其中，成膜腔室10的內(nèi)部設(shè)置有用于安裝基板100的基板安裝區(qū)域2，基板安裝區(qū)域2位于第一加熱裝置101與隊列11之間，第二加熱裝置102位于基板安裝區(qū)域2與第一加熱裝置101之間。
[0022]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備的實施例，其中，第二加熱裝置102為多個平行設(shè)置的加熱棒3，多個加熱棒3分別與靶材I之間的縫隙相對應(yīng)。加熱棒3與靶材I平行。
[0023]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備的實施例，其中，多個加熱棒3分別與溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)連接。加熱棒3為電加熱棒。溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)用于調(diào)節(jié)加熱棒3的溫度。
[0024]實施例二
[0025]如圖2所示，本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備的實施例與實施例一的區(qū)別在于，基板安裝區(qū)域2與第一加熱裝置101之間設(shè)置有用于承托基板100的承托框架4，第二加熱裝置102為多個平行設(shè)置的加熱支撐桿5，多個加熱支撐桿5設(shè)置于承托框架4上并分別與靶材I之間的縫隙相對應(yīng)。加熱支撐桿5用于為基板100加熱的同時還用于支承基板100。
[0026]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備的實施例，其中，多個加熱支撐桿5分別與溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)連接。加熱支撐桿5為電加熱裝置。溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)用于調(diào)節(jié)加熱支撐桿5的溫度。
[0027]實施例三
[0028]如圖3、圖4所示，本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備的實施例，包括成膜腔室10’以及設(shè)置于成膜腔室10’的內(nèi)部的靶材1’，祀材I’為多個，多個靶材I’排列形成隊列11’，成膜腔室10’的內(nèi)部設(shè)置有與隊列11’相對的用于為基板100加熱的第三加熱裝置30。
[0029]第三加熱裝置30為加熱板。第三加熱裝置30包括多個平行設(shè)置的加熱條31，多個加熱條31之間有空隙，多個加熱條31與靶材I’之間的縫隙相對應(yīng)。
[0030]優(yōu)選的， 加熱條31與靶材I’平行。
[0031]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備中，第二加熱裝置或第三加熱裝置與靶材之間的縫隙相對應(yīng)，這樣在工作中，通過第二加熱裝置或第三加熱裝置可以更為方便的調(diào)整基板上相對應(yīng)區(qū)域的成膜速率，以改善成膜不均。即利用第二加熱裝置或第三加熱裝置使基板上形成溫度不均，基板上不同區(qū)域的溫度差距會導(dǎo)致原子在基板上不同于區(qū)域的附著速度不同，這樣通過調(diào)整第二加熱裝置或第三加熱裝置就可以調(diào)整基板上不同區(qū)域(特別是基板上與靶材之間的縫隙相對應(yīng)的區(qū)域)的成膜速率，以改善成膜不均。
[0032]例如，在現(xiàn)實工作中，利用第二加熱裝置或第三加熱裝置使基板上的與靶材之間的縫隙相對應(yīng)的區(qū)域的溫度升高，這樣原子在基板上的這些區(qū)域的附著速度較快，由此彌補了這些區(qū)域由于與靶材之間的縫隙相對應(yīng)而造成的成膜密度不足，保證了基板表面所有區(qū)域成膜均勻一致。
[0033]本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡單，可以有效防止基板表面成膜不均勻。
[0034]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射設(shè)備，包括成膜腔室以及設(shè)置于所述成膜腔室的內(nèi)部的靶材，所述靶材為多個，多個靶材排列形成隊列，所述成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有與所述隊列相對的用于為基板加熱的第一加熱裝置，其特征在于，所述成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有與靶材之間的縫隙相對應(yīng)的第二加熱裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有用于安裝基板的基板安裝區(qū)域，所述基板安裝區(qū)域位于所述第一加熱裝置與所述隊列之間，所述第二加熱裝置位于所述基板安裝區(qū)域與第一加熱裝置之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述第二加熱裝置為多個平行設(shè)置的加熱棒，多個所述加熱棒分別與所述靶材之間的縫隙相對應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，多個所述加熱棒分別與溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述基板安裝區(qū)域與第一加熱裝置之間設(shè)置有用于承托基板的承托框架，所述第二加熱裝置為多個平行設(shè)置的加熱支撐桿，多個所述加熱支撐桿設(shè)置于承托框架上并分別與所述靶材之間的縫隙相對應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，多個所述加熱支撐桿分別與溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)連接。
7.—種磁控濺射設(shè)備，包括成膜腔室以及設(shè)置于所述成膜腔室的內(nèi)部的靶材，所述靶材為多個，多個靶材排列形成隊列，其特征在于，所述成膜腔室的內(nèi)部設(shè)置有與所述隊列相對的用于為基板加熱的第三加熱裝置，所述第三加熱裝置包括多個平行設(shè)置的加熱條，多個所述加熱條之間有空隙，所述多個加熱條與靶材之間的縫隙相對應(yīng)。
【文檔編號】C23C14/35GK103924201SQ201410126503
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】劉曉偉, 郭會斌, 馮玉春, 王守坤, 郭總杰 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司