磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)，屬于工裝夾具【技術(shù)領(lǐng)域】。包括一基座，在基座的一端構(gòu)成有一鍍膜基片承載盤固定座，并且在鍍膜基片承載盤固定座上開設(shè)有一鍍膜基片承載盤固定腔，另一端構(gòu)成有一連接把；一鍍膜基片承載盤，該鍍膜基片承載盤在使用狀態(tài)下與所述鍍膜基片承載盤固定腔配合，特征在于在所述的鍍膜基片承載盤的一側(cè)表面并且圍繞鍍膜基片承載盤的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有復(fù)數(shù)個鍍膜基片容納腔。由于在鍍膜基片承載盤的一側(cè)表面并且圍繞鍍膜基片承載盤的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有復(fù)數(shù)個鍍膜基片容納腔，因而可滿足對復(fù)數(shù)枚有待于濺射鍍膜的鍍膜基片的設(shè)置要求，有助于提高濺射鍍膜效率、避免材料浪費、節(jié)省能源和減輕操作者的操作強(qiáng)度。
【專利說明】磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于工裝夾具【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]上面提及的載具即為夾具，用于裝夾有待于鍍膜的諸如金屬薄片或非金屬薄片(概括為鍍膜基片)，以便由載具連同金屬薄片或非金屬薄片定位到磁控濺射鍍膜裝置的濺射鍍膜倉內(nèi)進(jìn)行鍍膜，濺射鍍膜完成后將載具移出濺射鍍膜倉，由儀器對經(jīng)濺射鍍膜的金屬薄片或非金屬薄片進(jìn)行測試，測試內(nèi)容并非限于地如鍍膜層的光學(xué)性能、力學(xué)性能和表面形貌等等。光學(xué)性能如光反射率、透射率等等，力學(xué)性能如鍍膜層與基片的附著力、剝離強(qiáng)度等等。前述的金屬薄片如鋁、銅、各類金屬氧化物；前述的非金屬薄片如玻璃、硅片、陶瓷片如PTC (PTC:正溫度系數(shù)熱敏電阻器)，等等。
[0003]關(guān)于磁控濺射鍍膜裝置的技術(shù)信息可在公開的專利文獻(xiàn)中見諸，略以例舉的如CN101280421B (多工位軸瓦磁控濺射鍍膜裝置)、CN102212779A (磁控濺射鍍膜裝置)和CN103031527A (磁控濺射鍍膜裝置)，等等。
[0004]關(guān)于磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)的技術(shù)信息同樣可在公開的中國專利文獻(xiàn)中見諸，典型的如CN1279209C推薦的“磁控濺射鍍膜夾具及其使用方法”和CN202430282U提供的“一種新型的磁控濺射鍍膜基片夾具”，這兩項專利方案雖然各有其說明書的技術(shù)效果欄中記載的技術(shù)效果，但是由于每次僅能裝夾一枚鍍膜基片，因而存在以下缺憾:其一，由于通常需要對鍍膜后的鍍膜基片的綜合性能即綜合指標(biāo)如前述的光反射率、光透射率、鍍膜層的附著力、剝離強(qiáng)度、抗劃傷強(qiáng)度、耐鹽霧性能等逐個測試，而每次測試即每測一個指標(biāo)需消耗整枚鍍膜后的鍍膜基片，因而測試項目愈多，磁控濺射鍍膜的次數(shù)也相應(yīng)愈多，于是造成效率低下的問題；其二，由于對鍍膜基片的測試項目的多寡與磁控濺射鍍膜裝置的鍍膜次數(shù)相同，而每次濺射鍍膜的時間通常為3-4h并且在高度抽真空下進(jìn)行，因而磁控濺射鍍膜裝置的工作量大，既造成能源浪費，又導(dǎo)致作業(yè)人員的作業(yè)強(qiáng)度大；其三，存在鍍膜基片材料以及鍍膜層材料的雙重浪費情形，導(dǎo)致測試成本增大。
[0005]經(jīng)本 申請人:長期的實踐分析，產(chǎn)生上述問題的原因由載具結(jié)構(gòu)的不合理所致，更具體地講，如果磁控濺射鍍膜裝置能夠一次性獲得復(fù)數(shù)枚待測的鍍膜基片，那么上述技術(shù)問題便可消除，但是必須由結(jié)構(gòu)合理的載具支撐。
[0006]如業(yè)界所知，夾具是用于在某種產(chǎn)品制造和/或后續(xù)工序中對工件進(jìn)行定位而藉以達(dá)到一定工藝要求的特別的器具，并且還通常需要在工件加工時無干涉的現(xiàn)象、操作方便等要求。進(jìn)而由于夾具具有針對某種工件或產(chǎn)品加工的專屬的特點，因而通用化程度極底，往往由工件(或稱產(chǎn)品)的生產(chǎn)廠商以量體裁衣的方式自行設(shè)計并制造，前述的用于裝夾鍍膜基片的載具同樣如此。正是基于該因素，在目前已公開的專利和非專利文獻(xiàn)中均未見諸有適合于對復(fù)數(shù)枚有待于付諸磁控濺鍍膜裝置濺射鍍膜的鍍膜基片可靠裝夾的載具的技術(shù)啟示。為此，本 申請人:作了有益的設(shè)計，形成了下面將要介紹的技術(shù)方案，并且在采取了保密措施下經(jīng)實驗證明是切實可行的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本實用新型的任務(wù)在于提供一種有助于滿足一次裝夾復(fù)數(shù)枚有待于鍍膜的鍍膜基片而藉以提高濺射鍍膜效率、節(jié)約能耗、避免材料浪費和減輕操作者操作強(qiáng)度的磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)。
[0008]本實用新型的任務(wù)是這樣來完成的，一種磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)，包括一基座，在該基座的一端構(gòu)成有一鍍膜基片承載盤固定座，并且在該鍍膜基片承載盤固定座上開設(shè)有一鍍膜基片承載盤固定腔，另一端構(gòu)成有一在使用狀態(tài)下用于與磁控濺射鍍膜裝置的濺射鍍膜倉固定的連接把；一鍍膜基片承載盤，該鍍膜基片承載盤在使用狀態(tài)下與所述鍍膜基片承載盤固定腔配合，特征在于在所述的鍍膜基片承載盤的一側(cè)表面并且圍繞鍍膜基片承載盤的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有復(fù)數(shù)個鍍膜基片容納腔。
[0009]在本實用新型的一個具體的實施例中，在所述的鍍膜基片承載盤固定座的一側(cè)表面并且圍繞鍍膜基片承載盤固定座的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有承載盤限定腔，在承載盤限定腔內(nèi)設(shè)置有用于對所述鍍膜基片承載盤限定的承載盤限定裝置，在所述鍍膜基片承載盤固定腔的腔壁上并且圍繞鍍膜基片承載盤固定腔的圓周方向構(gòu)成有一承載盤配合槽，所述鍍膜基片承載盤的邊緣與該承載盤配合槽相配合。
[0010]在本實用新型的另一個具體的實施例中，在所述的鍍膜基片容納腔的腔壁上并且位于腔壁的頂部構(gòu)成有鍍膜基片限定凸緣。
[0011]在本實用新型的又一個具體的實施例中，在所述的鍍膜基片承載盤的邊緣部位并且圍繞鍍膜基片承載盤的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有數(shù)量與設(shè)置在所述承載盤限定腔內(nèi)的所述承載盤限定裝置的數(shù)量相等的以及位置相對應(yīng)的限定片探入腔，承載盤限定裝置與該限定片探入腔相配合。
[0012]在本實用新型的再一個具體的實施例中，所述的承載盤限定裝置包括限定螺釘和限定片，限定片的一端通過限定螺釘固定在所述承載盤限定腔內(nèi)，而限定片的另一端探入到所述限定片探入腔內(nèi)。
[0013]本實用新型提供的技術(shù)方案由于在鍍膜基片承載盤的一側(cè)表面并且圍繞鍍膜基片承載盤的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有復(fù)數(shù)個鍍膜基片容納腔，因而可滿足對復(fù)數(shù)枚有待于濺射鍍膜的鍍膜基片的設(shè)置要求，有助于提高濺射鍍膜效率、避免材料浪費、節(jié)省能源和減輕操作者的操作強(qiáng)度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型的實施例結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0015]實施例:
[0016]請參見圖1，給出了一基座1，該基座I的一端即圖1所示位置狀態(tài)的左端構(gòu)成有一鍍膜基片承載盤固定座11，該鍍膜基片承載盤固定座11的幾何形狀呈圓盤形，在該鍍膜基片承載盤固定座11上開設(shè)有一鍍膜基片承載盤固定腔111，鍍膜基片承載盤固定座11的另一端即圖1所示位置狀態(tài)的右端構(gòu)成有一在使用狀態(tài)下用于與磁控濺射鍍膜裝置的濺射鍍膜倉固定的連接把12，在該連接把12上構(gòu)成有連接把鎖定舌21。依據(jù)專業(yè)常識，隨著磁控濺射鍍膜裝置的規(guī)格變化并且濺射鍍膜倉的用于固定連接把12的固定位及結(jié)構(gòu)的變化，那么連接把12可作適應(yīng)性變化。給出了一鍍膜基片承載盤2，該鍍膜基片承載盤2在使用狀態(tài)下與前述的鍍膜基片承載盤固定腔111相配合，即設(shè)置在鍍膜基片承載盤固定腔111 上。
[0017]作為本實用新型提供的技術(shù)方案的技術(shù)要點:在前述的鍍膜基片承載盤2的一側(cè)表面(圖1所示位置狀態(tài)朝向上的一側(cè)表面)并且圍繞鍍膜基片承載盤2的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有復(fù)數(shù)個凹陷于所述一側(cè)表面的鍍膜基片容納腔21。為了便于公眾的理解， 申請人:在圖1中還示出了有待于鍍膜的鍍膜基片4，使用時將鍍膜基片4置入于鍍膜基片容納腔21內(nèi)。
[0018]在本實施例中，鍍膜基片容納腔21的數(shù)量有四個，該四個底膜基片容納腔21圍繞鍍膜基片承載備用2的圓周方向彼此以90°分隔，即形成十字形分布，于是能供四枚鍍膜基片4設(shè)置。當(dāng)然鍍膜基片容納腔21的數(shù)量并不受到本實施例數(shù)量的限制，可以依需增減，也就是說只要在鍍膜基片承載盤2上構(gòu)成兩個或以上的鍍膜基片容納腔21，那么均應(yīng)當(dāng)視為被本實用新型提供的技術(shù)內(nèi)容所涵蓋。
[0019]鍍膜基片容納腔21的大小以及深度需兼顧鍍膜基片4的大小以及厚度，藉以使鍍膜基片4恰到好處位于鍍膜基片容納腔21內(nèi)。
[0020]請繼續(xù)見圖1，在前述的鍍膜基片承載盤固定座11的一側(cè)表面即圖1所示位置狀態(tài)朝向上的一側(cè)表面并且圍繞鍍膜基片承載盤固定座11的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有凹陷于所述一側(cè)表面的承載盤限定腔112，在承載盤限定腔112內(nèi)設(shè)置有用于對鍍膜基片承載盤2限定的承載盤限定裝置3。在鍍膜基片承載盤固定腔111的腔壁上并且圍繞鍍膜基片承載盤固定腔111的圓周方向構(gòu)成有一承載盤配合槽1111，前述的鍍膜基片承載盤2的邊緣部位與該承載盤配合槽1111相配合。
[0021]由圖1所示，在前述的鍍膜基片容納腔21的腔壁上并且位于腔壁的頂部構(gòu)成有鍍膜基片限定凸緣211，每一個鍍膜基片容納腔21具有三個鍍膜基片限定凸緣211。由于在使用狀態(tài)即在濺射鍍膜狀態(tài)由基座I連同鍍膜基片承載盤2以圖示狀態(tài)翻轉(zhuǎn)180°，即由圖示朝向上的狀態(tài)變?yōu)槌蛳碌臓顟B(tài)，因此可由鍍膜基片限定凸緣211對鍍膜基片4限定，避免鍍膜基片4墜落。同樣由前述的承載盤限定裝置3將鍍膜基片承載盤2限定，避免墜落。
[0022]在鍍膜基片承載盤2的邊緣部位朝向上的一側(cè)并且圍繞鍍膜基片承載盤2的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有數(shù)量與前述承載盤限定裝置3的數(shù)量相等以及位置相對應(yīng)的限定片探入腔212，承載盤限定裝置3與該限定片探入腔212相配合。
[0023]由于限定片探入腔212的數(shù)量有四個，因此承載盤限定裝置3的數(shù)量也相應(yīng)有四個，但是該數(shù)量并不是絕對的，可以依需增減，因此不能以限定片探入腔212以及承載盤限定裝置3的數(shù)量變化而認(rèn)為游離出本實用新型的公開內(nèi)容。
[0024]前述的承載盤限定裝置3包括限定螺釘31和限定片32，限定片32的一端通過限定螺釘31固定于即限定于承載盤限定腔112內(nèi)，而限定片32的另一端伸展到即探入到限定片探入腔212內(nèi)，從而由限定片32對鍍膜基片承載盤2限定。
[0025]應(yīng)用例:[0026]使用時，先將有待于濺射處理的鍍膜基片4插入鍍膜基片容納腔21內(nèi)，并且以上述實施例結(jié)構(gòu)為例，具有四個鍍膜基片容納腔21，因而在四個鍍膜基片容納腔21各插置一枚鍍膜基片4，再將設(shè)有鍍膜基片4的鍍膜基片承載盤2在對應(yīng)于承載盤配合槽1111的位置設(shè)置到鍍膜基片承載盤固定座11的鍍膜基片承載盤固定腔111上，而后由承載盤限定裝置3的限定片32在對應(yīng)于限定片探入腔212的位置對鍍膜基片承載盤2限定，最后翻轉(zhuǎn)180°并且通過連接把12設(shè)置到前述磁控濺射鍍膜裝置的濺射鍍膜倉內(nèi)，并關(guān)閉倉門進(jìn)行濺射鍍膜。濺射鍍膜結(jié)束后，開啟倉門，將連接把12解除與濺射鍍膜倉的連接并移出倉室，松啟限定片32將鍍膜基片承載盤2移離鍍膜基片承載盤固定座11，將鍍膜后的鍍膜基片4自鍍膜基片容納腔21移出并轉(zhuǎn)移至測試儀器測試前述的物理和/或化學(xué)指標(biāo)。由于一次能獲得四枚鍍膜基片4，因而能滿足對四個所需指標(biāo)的測試要求，從而全面地體現(xiàn)了 申請人:在上面的技術(shù)效果欄中所述的技術(shù)效果。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)，包括一基座(I)，在該基座(I)的一端構(gòu)成有一鍍膜基片承載盤固定座(11)，并且在該鍍膜基片承載盤固定座(11)上開設(shè)有一鍍膜基片承載盤固定腔(111)，另一端構(gòu)成有一在使用狀態(tài)下用于與磁控濺射鍍膜裝置的濺射鍍膜倉固定的連接把(12);—鍍膜基片承載盤(2)，該鍍膜基片承載盤(2)在使用狀態(tài)下與所述鍍膜基片承載盤固定腔(111)配合，其特征在于在所述的鍍膜基片承載盤(2)的一側(cè)表面并且圍繞鍍膜基片承載盤(2)的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有復(fù)數(shù)個鍍膜基片容納腔(21)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述的鍍膜基片承載盤固定座(11)的一側(cè)表面并且圍繞鍍膜基片承載盤固定座(11)的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有承載盤限定腔(112)，在承載盤限定腔(112)內(nèi)設(shè)置有用于對所述鍍膜基片承載盤(2)限定的承載盤限定裝置(3)，在所述鍍膜基片承載盤固定腔(111)的腔壁上并且圍繞鍍膜基片承載盤固定腔(111)的圓周方向構(gòu)成有一承載盤配合槽(1111)，所述鍍膜基片承載盤(2)的邊緣與該承載盤配合槽(1111)相配合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述的鍍膜基片容納腔(21)的腔壁上并且位于腔壁的頂部構(gòu)成有鍍膜基片限定凸緣(211)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述的鍍膜基片承載盤(2)的邊緣部位并且圍繞鍍膜基片承載盤(2)的圓周方向以間隔狀態(tài)構(gòu)成有數(shù)量與設(shè)置在所述承載盤限定腔(112)內(nèi)的所述承載盤限定裝置(3)的數(shù)量相等的以及位置相對應(yīng)的限定片探入腔(212)，承載盤限定裝置(3)與該限定片探入腔(212)相配合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射鍍膜裝置用的載具結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的承載盤限定裝置⑶包括限定螺釘(31)和限定片(32)，限定片(32)的一端通過限定螺釘(31)固定在所述承載盤限定腔(112)內(nèi)，而限定片(32)的另一端探入到所述限定片探入腔(212)內(nèi)。
【文檔編號】C23C14/50GK203728922SQ201420047557
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年1月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月24日
【發(fā)明者】侯海虹, 李建, 歐志敏, 劉璐, 李晨茜, 張濤, 徐正亞, 潘啟勇 申請人:常熟理工學(xué)院