一種蒸鍍裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及薄膜形成【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種蒸鍍裝置，包括：至少一個(gè)第一線蒸發(fā)單元、至少一個(gè)第二線蒸發(fā)單元、第一面蒸發(fā)箱和第二面蒸發(fā)箱；第一面蒸發(fā)箱和第二面蒸發(fā)箱分別設(shè)置有開槽，第一線蒸發(fā)單元設(shè)置在第一面蒸發(fā)箱的開槽內(nèi)，第二線蒸發(fā)單元設(shè)置在第二面蒸發(fā)箱的開槽內(nèi)；第一面蒸發(fā)箱和第二面蒸發(fā)箱錯(cuò)層設(shè)置，以使設(shè)置于第一面蒸發(fā)箱中的第一線蒸發(fā)單元和設(shè)置于第二面蒸發(fā)箱中的第二線蒸發(fā)單元不位于同一平面。本發(fā)明提供蒸鍍裝置，提高了沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，進(jìn)而提升了形成薄膜的品質(zhì)。
【專利說明】一種蒸鍍裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜形成【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種蒸鍍裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]對于薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor,TFT)有機(jī)發(fā)光層薄膜的形成，電極的蒸鍍，或者其它電子零件薄膜的蒸鍍，需要一蒸鍍裝置進(jìn)行完成。
[0003]圖1示出的是現(xiàn)有技術(shù)中由線性蒸發(fā)源組成的蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖；參考圖1，包括第一線蒸發(fā)單元11和第二線蒸發(fā)單元12，其中設(shè)置在第一線蒸發(fā)單元11上的第一沉積材料噴嘴111，設(shè)置在第二線蒸發(fā)單元12上的第二沉積材料噴嘴121，坩堝(圖中未示出)以及用于將坩堝中沉積材料傳輸?shù)降谝怀练e材料噴嘴111和第二沉積材料噴嘴121的通道112和通道122。蒸鍍過程中，盛放第一沉積材料的坩堝和盛放第二沉積材料的坩堝蒸發(fā)第一沉積材料和第二沉積材料，經(jīng)通道121和通道122傳輸至第一沉積材料噴嘴111和第二沉積材料噴嘴121，進(jìn)而經(jīng)掩膜板13后作用于基板14完成蒸鍍。
[0004]圖1a示出的是現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍裝置沿A-A1線截面結(jié)構(gòu)示意圖；參考圖2,現(xiàn)有技術(shù)中第一沉積材料噴嘴111和第二沉積材料噴嘴121傾斜設(shè)置于第一線蒸發(fā)單元11和第二線蒸發(fā)單元12中。
[0005]圖1b示出的是現(xiàn)有技術(shù) 中傾斜設(shè)置噴嘴產(chǎn)生陰影面積示意圖；參考圖lb，現(xiàn)有技術(shù)中傾斜設(shè)置的第一沉積材料噴嘴噴射線Illa和第二沉積材料噴嘴121a噴射線形成的陰影面積I和2大小不均勻。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)中的蒸鍍裝置主要存在如下缺點(diǎn):
[0007]1、因第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元需避免彼此之間熱干擾的影響，兩者需要保持較遠(yuǎn)距離，導(dǎo)致第一沉積材料和第二沉積材料在基板上形成的薄膜輪廓偏差較大，交疊率低，使形成的薄膜品質(zhì)較差。熱干擾是指因不同類型的沉積材料蒸發(fā)溫度不同，以此，當(dāng)蒸發(fā)兩種沉積材料的蒸發(fā)源設(shè)置較近時(shí)，彼此之間的溫度會(huì)相互干擾，進(jìn)而會(huì)影響蒸發(fā)效果。薄膜輪廓是指沉積材料在形成薄膜后，在薄膜中所呈現(xiàn)的分布輪廓，用于評價(jià)沉積材料摻雜效果；以兩種沉積材料為例，當(dāng)兩種沉積材料在形成的薄膜中形成的薄膜輪廓越趨向于重疊，則摻雜效果越好。
[0008]2、因第一沉積材料噴嘴和第二沉積材料噴嘴傾斜設(shè)置，雖在第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元中間區(qū)域能實(shí)現(xiàn)較好的摻雜效果；但第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元中間區(qū)域兩側(cè)，摻雜效果較差，使得形成薄膜不能使用，浪費(fèi)了沉積材料，材料利用率低。
[0009]3、第一沉積材料噴嘴和第二沉積材料噴嘴的傾斜設(shè)置也使得形成薄膜陰影面積不均勻。對于TFT有機(jī)發(fā)光層薄膜的形成，不利于高分辨率產(chǎn)品的生產(chǎn)。薄膜陰影是指因掩膜板的存在，在掩膜板中開口處，因開口的邊緣的遮擋引起的不能有效摻雜的區(qū)域。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提出一種蒸鍍裝置，以提高沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，降低薄膜輪廓的偏差，進(jìn)而提升形成薄膜的品質(zhì)。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種蒸鍍裝置包括:至少一個(gè)第一線蒸發(fā)單元、至少一個(gè)第二線蒸發(fā)單元、第一面蒸發(fā)箱和第二面蒸發(fā)箱；
[0012]所述第一面蒸發(fā)箱和所述第二面蒸發(fā)箱分別設(shè)置有開槽，所述第一線蒸發(fā)單元設(shè)置在所述第一面蒸發(fā)箱的開槽內(nèi)，所述第二線蒸發(fā)單元設(shè)置在所述第二面蒸發(fā)箱的開槽內(nèi)；
[0013]所述第二面蒸發(fā)箱與所述第一面蒸發(fā)箱錯(cuò)層設(shè)置，以使設(shè)置于第一面蒸發(fā)箱中的第一線蒸發(fā)單元和設(shè)置于第二面蒸發(fā)箱中的第二線蒸發(fā)單元不位于同一平面。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例提供的蒸鍍裝置，第二面蒸發(fā)箱和第一面蒸發(fā)箱錯(cuò)層設(shè)置，以此使得設(shè)置于第一面蒸發(fā)箱的第一線蒸發(fā)單元和設(shè)置于第二面蒸發(fā)箱的第二線蒸發(fā)單元不位于同一平面；第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元不位于同一平面，使得第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元在避免彼此之間熱干擾的同時(shí)，可以保持在較近的距離，進(jìn)而使得第一沉積材料和第二沉積材料能夠充分摻雜，因此，提高了沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，降低了薄膜輪廓的偏差，進(jìn)而提升了形成薄膜的品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中:
[0016]圖1示出的是現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖1a示出的是現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍裝置沿圖1中A-A1線截面示意圖；
[0018]圖1b示出的是現(xiàn)有技術(shù)中傾斜設(shè)置噴嘴產(chǎn)生陰影面積示意圖；
[0019]圖2示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2a示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)分解示意圖；
[0021]圖2b示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中第一線蒸發(fā)單元和第一面蒸發(fā)箱結(jié)構(gòu)分解示意圖；
[0022]圖2c示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中一第二線蒸發(fā)單元沿圖2a中B-B1線截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2d示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中一第二線蒸發(fā)單元中一第二沉積材料噴嘴沿圖2a中C-C1線截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2e示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中豎直噴嘴產(chǎn)生陰影面積示意圖；
[0025]圖3示出的是本發(fā)明另一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3a示出的是本發(fā)明另一實(shí)施例中蒸鍍裝置中一第二線蒸發(fā)單元截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4示出的是本發(fā)明另一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5示出的是本發(fā)明另一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6示出的是本發(fā)明另一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6a示出的是本發(fā)明另一實(shí)施例中蒸鍍裝置中蓋板沿圖6中D-D1線截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖6b示出的是本發(fā)明另一實(shí)施例中一優(yōu)選的蒸鍍裝置中蓋板沿圖6中D-D1線截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖7示出的是本發(fā)明另一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)與完整的說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0034]圖2示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖2a示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)分解示意圖。
[0036]參考圖2和圖2a，本實(shí)施例中蒸鍍裝置包括:三個(gè)第一線蒸發(fā)單元212、四個(gè)第二線蒸發(fā)單元222、第一面蒸發(fā)箱21和第二面蒸發(fā)箱22。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在其它實(shí)施方式中，蒸鍍裝置應(yīng)包括至少一個(gè)第一線蒸發(fā)單元212和至少一個(gè)第二線蒸發(fā)單元 222。
[0037]第一面蒸發(fā)箱21和第二面蒸發(fā)箱22分別設(shè)置有開槽，開槽為圖2a中容納第一線蒸發(fā)單元212和第二線蒸發(fā)單元222部分。第一線蒸發(fā)單元212設(shè)置在第一面蒸發(fā)箱21的開槽內(nèi)，第二線蒸發(fā)單元222設(shè)置在第二面蒸發(fā)箱22的開槽內(nèi)。
[0038]第一面蒸發(fā)箱21和第二面蒸發(fā)箱22錯(cuò)層設(shè)置，以使設(shè)置于第一面蒸發(fā)箱21中的第一線蒸發(fā)單元212和設(shè)置于第二面蒸發(fā)箱22中的第二線蒸發(fā)單元222不位于同一平面；其中，錯(cuò)層設(shè)置是使第 一面蒸發(fā)箱21和第二面蒸發(fā)箱22不位于同一平面內(nèi)。
[0039]可選的，本實(shí)施例中，第一面蒸發(fā)箱21設(shè)置有開孔，第二線蒸發(fā)單元222上表面設(shè)置有第二沉積材料噴嘴221，以用于穿過第一面蒸發(fā)箱21的開孔蒸發(fā)第二沉積材料；第一線蒸發(fā)單元212上表面設(shè)置有第一沉積材料噴嘴211，以用于蒸發(fā)第一沉積材料。
[0040]本實(shí)施例中，第二線蒸發(fā)單元222或第一線蒸發(fā)單元212的上表面是指第一線蒸發(fā)單元212或第二線蒸發(fā)單元222朝向待蒸鍍基板的一側(cè)。本實(shí)施例中，第一線蒸發(fā)單元212和第二線蒸發(fā)單元222分別包括靶材以及容置該靶材的殼體；其中，第一線蒸發(fā)單元212的殼體上設(shè)置有第一沉積材料噴嘴211以及用于傳輸?shù)谝怀练e材料的第一通道213,第二線蒸發(fā)單元222的殼體上設(shè)置有第二沉積材料噴嘴221以及用于傳輸?shù)诙练e材料第二通道223。此外，蒸發(fā)單元還包括位于殼體內(nèi)，且收容靶材的容器。
[0041]第一線蒸發(fā)單元212上表面設(shè)置的第一沉積材料噴嘴211蒸發(fā)第一沉積材料。
[0042]可選的，本實(shí)施例中，第二線蒸發(fā)單元22上表面設(shè)置的第二沉積材料噴嘴221穿過第一面蒸發(fā)箱21對應(yīng)設(shè)置的開孔后與第一線蒸發(fā)單元212上表面設(shè)置的第一沉積材料噴嘴211相互間隔排列。第一沉積材料噴嘴211和第二沉積材料噴嘴221的相互間隔排列，提高了摻雜度，更好的提升了薄膜輪廓重疊率。
[0043]進(jìn)一步的，本實(shí)施例中第一沉積材料的第一沉積材料坩堝和第二沉積材料第二坩堝設(shè)置在第一面蒸發(fā)箱21和第二面蒸發(fā)箱22外部，通過第一線蒸發(fā)單元212和第二線蒸發(fā)單元222上開的第一通道213和第二通道223將第一沉積材料和第二沉積材料傳輸至第一沉積材料噴嘴211和第二沉積材料噴嘴221，進(jìn)而在基板上形成薄膜。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解是，在其它【具體實(shí)施方式】中，第一沉積材料的第一沉積材料坩堝和第二沉積材料第二坩堝也可以設(shè)置在第一面蒸發(fā)箱21和第二面蒸發(fā)箱22內(nèi)部，以提供第一沉積材料和第二沉積材料。
[0044]圖2b示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中第一線蒸發(fā)單元和第二蒸發(fā)箱結(jié)構(gòu)分解示意圖；參考圖2b，三個(gè)第一線蒸發(fā)單元212分別設(shè)置在第一面蒸發(fā)箱21中的開槽215中。
[0045]可選的，本實(shí)施例中，第二線蒸發(fā)單元222也可以采用圖2b示出的方式設(shè)置于第二面蒸發(fā)箱22中。
[0046]圖2c示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中一第二線蒸發(fā)單元沿圖2a中沿B-B1線截面結(jié)構(gòu)示意圖；參考圖2c，設(shè)置在第二線蒸發(fā)單元222上表面的第二沉積材料噴嘴221，接收經(jīng)第二通道223傳來的第二沉積材料坩堝蒸發(fā)的第二沉積材料進(jìn)行蒸鍍。
[0047]可選的，本實(shí)施例中，第一線蒸發(fā)單元212也可采用圖2c示出的方式進(jìn)行設(shè)置。
[0048]圖2d示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中一第二線蒸發(fā)單元中一第二沉積材料噴嘴沿圖2a中C-C線截面結(jié)構(gòu)示意圖；參考圖2d，設(shè)置在第二線蒸發(fā)單元222上表面的第二沉積材料噴嘴221，接收經(jīng)第二通道223傳來的第二沉積材料坩堝蒸發(fā)的第二沉積材料進(jìn)行蒸鍍。
[0049]可選的，本實(shí)施例中，第一線蒸發(fā)單元212也可以采用圖2d示出的方式進(jìn)行設(shè)置。 [0050]可選的，本實(shí)施例中，第一線蒸發(fā)單元212上表面設(shè)置有至少一個(gè)第一沉積材料噴嘴211 ;和/或第二線蒸發(fā)單元222上表面設(shè)置有至少一個(gè)第二沉積材料噴嘴221。
[0051]可選的，本實(shí)施例中，第一沉積材料噴嘴211豎直設(shè)置在第一線蒸發(fā)單元212上表面；和/或第二沉積材料噴嘴221豎直設(shè)置在所述第二線蒸發(fā)單元222上表面。第一沉積材料噴嘴211和第二沉積材料噴嘴221的豎直設(shè)置，有效的減少了因掩膜板的阻擋，所形成的陰影面積。
[0052]圖2e示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中豎直噴嘴產(chǎn)生陰影面積示意圖；參考圖2e，本實(shí)施例中，豎直設(shè)置的第一沉積材料噴嘴的噴射線211a和第二沉積材料噴嘴的噴射線221a形成的陰影面積3和4大小均勻，利于高分辨率產(chǎn)品的制造。
[0053]可選的，本實(shí)施例中，第二線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第二沉積材料噴嘴上設(shè)置有加熱線圈。因第二沉積材料噴嘴需要穿過第一面蒸發(fā)箱，長度較長；以此，加熱線圈的設(shè)置可以避免，因第二沉積材料噴嘴過長導(dǎo)致的在蒸鍍過程中第二沉積材料冷卻的情況。本實(shí)施例提供的蒸鍍裝置，第二面蒸發(fā)箱和第一面蒸發(fā)箱錯(cuò)層設(shè)置，以此使得設(shè)置于第一面蒸發(fā)箱的第一線蒸發(fā)單元和設(shè)置于第二面蒸發(fā)箱的第二線蒸發(fā)單元不位于同一平面；第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元不位于同一平面，使得第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元在避免彼此之間熱干擾的同時(shí)，可以保持在較近的距離，進(jìn)而使得第一沉積材料和第二沉積材料能夠充分摻雜，因此，提高了沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，降低了薄膜輪廓的偏差，進(jìn)而提升了形成薄膜的品質(zhì)。
[0054]圖3示出的是本發(fā)明另一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0055]圖3a示出的是本發(fā)明另一實(shí)施例中蒸鍍裝置中一第二線蒸發(fā)單元截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0056]參考圖3和圖3a，本實(shí)施例中蒸鍍裝置還包括與第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元相匹配的至少一個(gè)第一沉積材料坩堝和至少一個(gè)第二沉積材料坩堝。
[0057]每一第一線蒸發(fā)單元兩個(gè)端中每個(gè)端分別設(shè)置一個(gè)坩堝口水平朝向的第一沉積材料坩堝和坩堝口豎直朝向的第一沉積材料坩堝；以及
[0058]每一第二線蒸發(fā)單元兩個(gè)端中每個(gè)端分別設(shè)置一個(gè)坩堝口水平朝向的第二沉積材料坩堝和坩堝口豎直朝向的第二沉積材料坩堝。
[0059] 本實(shí)施例中，第一沉積材料坩堝和第二沉積材料坩堝可以設(shè)置在第一蒸發(fā)箱21和第二蒸發(fā)箱22的四周的X區(qū)域、Y區(qū)域、Z區(qū)域及O區(qū)域。
[0060]結(jié)合圖3a、以第二線蒸發(fā)單元222為例，在第二線蒸發(fā)單元222的兩端中，一端分別設(shè)置有坩堝口水平朝向的第二沉積材料坩堝224a和坩堝口豎直朝向的第二沉積材料坩堝224b，在另一端分別設(shè)置有坩堝口水平朝向的第二沉積材料坩堝225a和坩堝口豎直朝向的第二沉積材料坩堝225b。
[0061]本實(shí)施例中，蒸鍍裝置在提高沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，降低薄膜輪廓的偏差，進(jìn)而提升形成薄膜的品質(zhì)的同時(shí)，在各個(gè)第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元的兩個(gè)端中每個(gè)端分別設(shè)置有兩個(gè)沉積坩堝，提高了沉積材料的充裕度，延長了蒸鍍時(shí)間。
[0062]圖4示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖4，本實(shí)施例中還包括一開有孔251的隔熱板25 ;隔熱板25設(shè)置于第一面蒸發(fā)箱21和第二面蒸發(fā)箱22之間，第二線蒸發(fā)單元222上表面設(shè)置的第二沉積材料噴嘴221穿過隔熱板25上對應(yīng)設(shè)置的開孔251及第一面蒸發(fā)箱21對應(yīng)設(shè)置的開孔后蒸發(fā)第二沉積材料。
[0063]可選的，本實(shí)施例中，隔熱板采用陶瓷材料制成。
[0064]本實(shí)施例中，蒸鍍裝置在提高沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，降低薄膜輪廓的偏差，進(jìn)而提升形成薄膜的品質(zhì)的同時(shí)，因隔熱板的設(shè)置，進(jìn)一步避免了第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元之間的熱干擾，進(jìn)而更有效的提高沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，降低薄膜輪廓的偏差，提升形成薄膜的品質(zhì)。
[0065]圖5示出的是本發(fā)明一實(shí)施例蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖；參照圖5,本實(shí)施例中還包括:一開有孔261的蓋板26。
[0066]蓋板26設(shè)置在第一面蒸發(fā)箱21上部，第二線蒸發(fā)單元212上表面設(shè)置的第二沉積材料噴嘴211穿過隔熱板25上對應(yīng)設(shè)置的開孔251、蓋板26上對應(yīng)設(shè)置的開孔261及第一面蒸發(fā)箱21對應(yīng)設(shè)置的開孔后蒸發(fā)第二沉積材料。
[0067]第一線蒸發(fā)單元212上表面設(shè)置第一沉積材料噴嘴211穿過蓋板26上對應(yīng)設(shè)置的開孔261后蒸發(fā)第一沉積材料。
[0068]本實(shí)施例中，蒸鍍裝置在提高沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，降低薄膜輪廓的偏差，進(jìn)而提升形成薄膜的品質(zhì)的同時(shí)，蓋板的設(shè)置有效了的保護(hù)了蒸發(fā)材料對蒸發(fā)源的影響。
[0069]圖6示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖；參照圖6，本實(shí)施例中第一面蒸發(fā)箱和/或第二面蒸發(fā)箱設(shè)置有冷卻水流通通道。以及，在本實(shí)施例中，隔熱板或蓋板也可以設(shè)置有冷卻水流通通道。
[0070]以隔熱板中設(shè)置冷卻水結(jié)構(gòu)為例對本實(shí)施例中蒸鍍裝置中，第一面蒸發(fā)箱、第二面蒸發(fā)箱、蓋板或隔熱板中設(shè)置的冷卻水流通通道結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0071]圖6a示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中蒸鍍裝置中蓋板沿D-D1線截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0072]參照圖6a，本實(shí)施例中冷卻水流通通道263分布排列在第一沉積材料噴嘴211或第二線沉積材料噴嘴221兩側(cè)，通過冷卻水流通通道的開口 262分別與設(shè)置在第一面蒸發(fā)箱21和第二面蒸發(fā)箱22四周的冷卻水水源相連接。
[0073]圖6b示出的是本發(fā)明實(shí)施例五中一優(yōu)選的蒸鍍裝置中蓋板沿D-D線截面結(jié)構(gòu)示意圖；參照圖6b，在此優(yōu)選實(shí)施方式中，冷卻水流通通道263，分別環(huán)繞第一沉積材料噴嘴211或第二沉積材料噴嘴221，通過冷卻水流通通道的開口 262分別與設(shè)置在第一面蒸發(fā)箱21和第二面蒸發(fā)箱22兩側(cè)的冷卻水水源相連接。
[0074]本實(shí)施例中，蒸鍍裝置在提高沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，降低薄膜輪廓的偏差，進(jìn)而提升形成薄膜的品質(zhì)的同時(shí)，因第一面蒸發(fā)箱、第二面蒸發(fā)箱、隔熱板或蓋板中設(shè)置的冷卻水流通通道，通過冷卻水的不斷循環(huán)，進(jìn)一步避免了第一線蒸發(fā)單元和第二線蒸發(fā)單元之間的熱干擾，進(jìn)而更有效的提高沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，降低薄膜輪廓的偏差，提升形成薄膜的品質(zhì)。
[0075]圖7示出的是本發(fā)明一實(shí)施例中蒸鍍裝置結(jié)構(gòu)示意圖；參照圖7，本實(shí)施例中，包括:
[0076]至少一個(gè)第三線蒸發(fā)單元(圖中未示出)和第三面蒸發(fā)箱27。
[0077]第三面蒸發(fā)箱27設(shè)置有開槽，第三線蒸發(fā)單元設(shè)置在所述開槽內(nèi)。
[0078]第三面蒸發(fā)箱27和第二面蒸發(fā)箱22錯(cuò)層設(shè)置，以使第三面蒸發(fā)箱中設(shè)置的第三線性蒸發(fā)源與第二面蒸發(fā)箱中設(shè)置的第二線蒸發(fā)單元不位于同一平面。
[0079]第三線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第三沉積材料噴嘴271穿過第二面蒸發(fā)箱對應(yīng)設(shè)置的開孔和第一面蒸發(fā)箱對應(yīng)設(shè)置的開孔后蒸發(fā)第三沉積材料。
[0080]可選的，本實(shí)施例中，第三線蒸發(fā)單元上設(shè)置的第三沉積材料噴嘴271設(shè)置有加熱線圈。 [0081]可選的，本實(shí)施例中，第三線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第三沉積材料噴嘴271穿過第一蒸發(fā)箱21對應(yīng)設(shè)置的開孔后與第一線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第一沉積材料噴嘴211及第二線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第二沉積材料噴嘴221相互間隔排列。
[0082]可選的，本實(shí)施例中，第三線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置有至少一個(gè)第三沉積材料噴嘴271。
[0083]可選的，本實(shí)施例中，第三沉積材料噴嘴271豎直設(shè)置在第三線蒸發(fā)單元上表面。
[0084]可選的，本實(shí)施例中，第三面蒸發(fā)箱27設(shè)置有冷卻水流通通道。
[0085]可選的，本實(shí)施例中，還可以設(shè)置一開有孔的隔熱板；隔熱板設(shè)置于第二面蒸發(fā)箱22和第三面蒸發(fā)箱27之間，第三線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第三沉積材料噴嘴271穿過隔熱板上對應(yīng)設(shè)置的開孔、第一面蒸發(fā)箱21對應(yīng)設(shè)置的開孔及第二面蒸發(fā)箱22對應(yīng)設(shè)置的開孔后蒸發(fā)第二沉積材料。
[0086]可選的，本實(shí)例中，還可以設(shè)置至少一個(gè)第三沉積材料坩堝，每一第三線蒸發(fā)單元兩個(gè)端中每個(gè)端分別設(shè)置一個(gè)坩堝口水平朝向的第三沉積材料坩堝和坩堝口豎直朝向的第二沉積材料樹禍。
[0087]本發(fā)明實(shí)施例提供的蒸鍍裝置，第二面蒸發(fā)箱第一面蒸發(fā)箱錯(cuò)層設(shè)置，第三面蒸發(fā)箱和第二面蒸發(fā)箱錯(cuò)層設(shè)置，以此使得設(shè)置于第一面蒸發(fā)箱的第一線蒸發(fā)單元、設(shè)置于第二面蒸發(fā)箱的第二線蒸發(fā)單元及設(shè)置與第三面蒸發(fā)箱的第三線蒸發(fā)單元不位于同一平面；第一線蒸發(fā)單元、第二線蒸發(fā)單元和第三線蒸發(fā)單元不位于同一平面，使得第一線蒸發(fā)單元、第二線蒸發(fā)單元和第三線蒸發(fā)單元在避免彼此之間熱干擾的同時(shí)，可以保持在較近的距離，進(jìn)而使得第一沉積材料、第二沉積材料和第三沉積材料能夠充分摻雜，因此，提高了沉積材料形成的薄膜輪廓的交疊率，降低了薄膜輪廓的偏差，進(jìn)而提升了形成薄膜的品質(zhì)。
[0088]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明可以有各種改動(dòng)和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種蒸鍍裝置，其特征在于，包括至少一個(gè)第一線蒸發(fā)單元、至少一個(gè)第二線蒸發(fā)單元、第一面蒸發(fā)箱和第二面蒸發(fā)箱； 所述第一面蒸發(fā)箱和所述第二面蒸發(fā)箱分別設(shè)置有開槽，所述第一線蒸發(fā)單元設(shè)置在所述第一面蒸發(fā)箱的開槽內(nèi)，所述第二線蒸發(fā)單元設(shè)置在所述第二面蒸發(fā)箱的開槽內(nèi)； 所述第二面蒸發(fā)箱與所述第一面蒸發(fā)箱錯(cuò)層設(shè)置，以使設(shè)置于第一面蒸發(fā)箱中的第一線蒸發(fā)單元和設(shè)置于第二面蒸發(fā)箱中的第二線蒸發(fā)單元不位于同一平面。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第一面蒸發(fā)箱設(shè)置有開孔，所述第二線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置有第二沉積材料噴嘴，以用于穿過第一面蒸發(fā)箱的開孔蒸發(fā)第二沉積材料；所述第一線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置有第一沉積材料噴嘴，以用于蒸發(fā)第一沉積材料。
3.如權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第一線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置有至少一個(gè)第一沉積材料 噴嘴；和/或所述第二線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置有至少一個(gè)第二沉積材料噴嘴。
4.如權(quán)利要求3所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第一沉積材料噴嘴豎直設(shè)置在所述第一線蒸發(fā)單元上表面；和/或所述第二沉積材料噴嘴豎直設(shè)置在所述第二線蒸發(fā)單元上表面。
5.如權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第二線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第二沉積材料噴嘴上設(shè)置有加熱線圈。
6.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第二線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第二沉積材料噴嘴穿過所述第一面蒸發(fā)箱對應(yīng)設(shè)置的開孔后與所述第一線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第一沉積材料噴嘴相互間隔排列。
7.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第一面蒸發(fā)箱和/或所述第二面蒸發(fā)箱設(shè)置有冷卻水流通通道。
8.如權(quán)利要求2-4、6-7任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于，還包括一開有孔的隔熱板； 所述隔熱板設(shè)置于第一面蒸發(fā)箱和第二面蒸發(fā)箱之間，所述第二線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第二沉積材料噴嘴穿過所述隔熱板上對應(yīng)設(shè)置的開孔及第一面蒸發(fā)箱對應(yīng)設(shè)置的開孔后蒸發(fā)第二沉積材料。
9.如權(quán)利要求8所述的蒸鍍裝置，其特征在于，還包括:一開有孔的蓋板； 所述蓋板設(shè)置在所述第一面蒸發(fā)箱上部，所述第二線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第二沉積材料噴嘴穿過所述隔熱板上對應(yīng)設(shè)置的開孔、所述蓋板上對應(yīng)設(shè)置的開孔及第一面蒸發(fā)箱對應(yīng)設(shè)置的開孔后蒸發(fā)第二沉積材料；以及 所述第一線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置第一沉積材料噴嘴穿過所述蓋板上對應(yīng)設(shè)置的開孔后蒸發(fā)第一沉積材料。
10.如權(quán)利要求9所述的蒸鍍裝置，其特征在于，還包括至少一個(gè)第一沉積材料坩堝和至少一個(gè)第二沉積材料坩堝； 每一第一線蒸發(fā)單元兩個(gè)端中每個(gè)端分別設(shè)置一個(gè)坩堝口水平朝向的第一沉積材料坩堝和坩堝口豎直朝向的第一沉積材料坩堝；以及 每一第二線蒸發(fā)單元兩個(gè)端中每個(gè)端分別設(shè)置一個(gè)坩堝口水平朝向的第二沉積材料坩堝和坩堝口豎直朝向的第二沉積材料坩堝。
11.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，還包括:至少一個(gè)第三線蒸發(fā)單元和第三面蒸發(fā)箱； 所述第三面蒸發(fā)箱設(shè)置有開槽，所述第三線蒸發(fā)單元設(shè)置在所述開槽內(nèi)； 所述第三面蒸發(fā)箱和第二面蒸發(fā)箱錯(cuò)層設(shè)置，以使所述第三面蒸發(fā)箱中設(shè)置的第三線性蒸發(fā)源與第二面蒸發(fā)箱中設(shè)置的第二線蒸發(fā)單元不位于同一平面。
12.如權(quán)利要求11所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第三線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第三沉積材料噴嘴穿過所述第二面蒸發(fā)箱對應(yīng)設(shè)置的開孔和第一面蒸發(fā)箱對應(yīng)設(shè)置的開孔后蒸發(fā)第三沉積材料。
13.如權(quán)利要求12所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第三線蒸發(fā)單元上設(shè)置的第三沉積材料噴嘴設(shè)置有加熱線圈。
14.如權(quán)利要求12所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述第三線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第三沉積材料噴嘴穿過所述第一面蒸發(fā)箱對應(yīng)設(shè)置的開孔后與第一線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第一沉積材料噴嘴及第二線蒸發(fā)單元上表面設(shè)置的第二沉積材料噴嘴相互間隔排列。
【文檔編號】C23C14/24GK103924196SQ201310753959
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】周資龍, 畢德鋒 申請人:上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司, 天馬微電子股份有限公司