軟基材雙面鍍膜裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種軟基材雙面鍍膜裝置。該軟基材雙面鍍膜裝置包括：預(yù)處理室，待鍍膜軟基材設(shè)置在預(yù)處理室內(nèi)；鍍膜室，設(shè)置在預(yù)處理室的出料口，鍍膜室內(nèi)設(shè)置有放電電極對(duì)，放電電極對(duì)包括第一放電電極和第二放電電極，待鍍膜軟基材穿設(shè)在第一放電電極和第二放電電極之間，并由第一放電電極和第二放電電極進(jìn)行雙面鍍膜；收料室，設(shè)置在鍍膜室的出料口，并收集鍍膜后的軟基材。根據(jù)本發(fā)明的軟基材雙面鍍膜裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)軟基材的雙面鍍膜，防止軟基材表面薄膜出現(xiàn)表面摩擦、局部脫落、表面裂紋等問題，保證整體薄膜的阻隔性。
【專利說明】軟基材雙面鍍膜裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及氣體放電【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言，涉及一種軟基材雙面鍍膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]PECVD借助于氣體輝光放電產(chǎn)生的低溫等離子體，增強(qiáng)反應(yīng)位置的化學(xué)活性。促進(jìn)了氣體間的化學(xué)反應(yīng)，從而在低溫下也能在基材上形成固體膜。固體膜可以敷在軟基材、或片式基材上。固態(tài)薄膜沉積在基膜上以高其阻隔性。固態(tài)薄膜在沉積的過程中，單面沉積薄膜的阻隔性要明顯低于雙面沉積的薄膜的阻隔性。通常以12um厚度PET薄膜(耐高溫聚酯薄膜)為例， 氧氣透過率(Oxygen Transmission Rate,簡(jiǎn)稱0TR,透氧率)為128cc/m2.day以上；其WVTR (水蒸汽透過率)為32.9cc/m2.day以上。在PET薄膜上蒸鍍單層SiOx薄膜，其OTR可降低為3cc/m2.day以下；其WVTR為5cc/m2.day以下。而通過單面多層蒸鍍的SiOx薄膜，其OTR可降低到2cc/m2.day以下；其WVTR為2cc/m2.day以下。而采用雙面分別單層蒸鍍的SiOx薄膜，其OTR可降低為0.5cc/m2.day以下；其WVTR為0.5cc/m2.day以下。單面沉積多層薄膜后，其阻隔性下降不明顯。而采用雙面多層沉積的薄膜，阻隔性下降明顯。一般的鍍膜設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)單面鍍膜，要想實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜，只能再把鍍一面膜的基材放到設(shè)備中間，在薄膜的另一面上沉積薄膜。兩次鍍膜中存在薄膜被多次拉伸的情況，導(dǎo)致第一次沉積的薄膜出現(xiàn)表面摩擦、局部脫落、表面裂紋等問題，以至于導(dǎo)致整體薄膜的阻隔性下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在提供一種軟基材雙面鍍膜裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)軟基材的雙面鍍膜，防止軟基材表面薄膜出現(xiàn)表面摩擦、局部脫落、表面裂紋等問題，保證整體薄膜的阻隔性。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種軟基材雙面鍍膜裝置，包括:預(yù)處理室，待鍍膜軟基材設(shè)置在預(yù)處理室內(nèi)；鍍膜室，設(shè)置在預(yù)處理室的出料口，鍍膜室內(nèi)設(shè)置有放電電極對(duì)，放電電極對(duì)包括相對(duì)設(shè)置的第一放電電極和第二放電電極，待鍍膜軟基材穿設(shè)在第一放電電極和第二放電電極之間，并由第一放電電極和第二放電電極進(jìn)行雙面鍍膜；收料室，設(shè)置在鍍膜室的出料口，并收集鍍膜后的軟基材。
[0005]進(jìn)一步地，軟基材雙面鍍膜裝置還包括導(dǎo)向輪，軟基材繞設(shè)在導(dǎo)向輪上，軟基材與導(dǎo)向輪之間的包角小于或等于90度。
[0006]進(jìn)一步地，導(dǎo)向輪為多個(gè)，多個(gè)導(dǎo)向輪兩兩為一組，多組導(dǎo)向輪上下間隔并依次錯(cuò)位設(shè)置。
[0007]進(jìn)一步地，放電電極對(duì)為多組，相鄰的兩組導(dǎo)向輪之間設(shè)置有至少一組放電電極對(duì)。
[0008]進(jìn)一步地，第一放電電極和第二放電電極平行設(shè)置，第一放電電極包括朝向第二放電電極的第一匯流電極，第二放電電極包括朝向第一放電電極的第二匯流電極，第一匯流電極和第二匯流電極上分別具有對(duì)應(yīng)設(shè)置的放電突起。[0009]進(jìn)一步地，第一匯流電極上設(shè)置有第一放電突起、第二放電突起和第三放電突起，第二匯流電極上設(shè)置有與第一放電突起對(duì)應(yīng)設(shè)置的第四放電突起、與第二放電突起對(duì)應(yīng)設(shè)置的第五放電突起以及與第三放電突起對(duì)應(yīng)設(shè)置的第六放電突起。
[0010]進(jìn)一步地，鍍膜室的側(cè)壁上設(shè)置有通氣口，通氣口朝向相鄰的兩個(gè)突起之間。
[0011]進(jìn)一步地，對(duì)應(yīng)設(shè)置的放電突起之間的間距為10至70mm。
[0012]進(jìn)一步地，預(yù)處理室、鍍膜室和收料室之間為真空密封連接。
[0013]進(jìn)一步地，軟基材雙面鍍膜裝置還包括用于對(duì)預(yù)處理室、鍍膜室和/或收料室抽真空的排氣裝置。
[0014]應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案， 軟基材雙面鍍膜裝置包括:預(yù)處理室，待鍍膜軟基材設(shè)置在預(yù)處理室內(nèi)；鍍膜室，設(shè)置在預(yù)處理室的出料口，鍍膜室內(nèi)設(shè)置有放電電極對(duì)，放電電極對(duì)包括相對(duì)設(shè)置的第一放電電極和第二放電電極，待鍍膜軟基材穿設(shè)在第一放電電極和第二放電電極之間，并由第一放電電極和第二放電電極進(jìn)行雙面鍍膜；收料室，設(shè)置在鍍膜室的出料口，并收集鍍膜后的軟基材。在對(duì)軟基材進(jìn)行鍍膜時(shí)，第一放電電極和第二放電電極可以同時(shí)對(duì)待鍍膜軟基材的兩個(gè)相對(duì)側(cè)進(jìn)行鍍膜，避免了多次鍍膜所帶來的軟基材表面薄膜出現(xiàn)表面摩擦、局部脫落、表面裂紋等問題，使得軟基材表面可以形成高阻隔性薄膜，并可以提聞成I旲效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0016]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的軟基材雙面鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的軟基材雙面鍍膜裝置的第一種放電電極對(duì)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的軟基材雙面鍍膜裝置的第二種放電電極對(duì)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的軟基材雙面鍍膜裝置的第三種放電電極對(duì)的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0020]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的軟基材雙面鍍膜裝置的第一放電電極的縱剖結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]附圖標(biāo)記:10、預(yù)處理室；20、鍍膜室；30、收料室；40、放電電極對(duì)；50、軟基材；60、導(dǎo)向輪；01、第一軟基材段；02、第二軟基材段；03、第三軟基材段；04、第四軟基材段；
05、第五軟基材段；11、放卷機(jī)構(gòu)；12、第一排氣裝置；21、第二排氣裝置；31、收卷機(jī)構(gòu)；32、第三排氣裝置；41、第一放電電極；411、第一放電突起；412、第二放電突起；413、第三放電突起；42、第二放電電極；421、第四放電突起；422、第五放電突起；423、第六放電突起；43、通氣口。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下文中將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。[0023]本發(fā)明尤其適用于采用PECVD技術(shù)進(jìn)行放電的鍍膜裝置。
[0024]如圖1至圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，軟基材雙面鍍膜裝置包括:預(yù)處理室10，待鍍膜軟基材50設(shè)置在預(yù)處理室10內(nèi)；鍍膜室20，設(shè)置在預(yù)處理室10的出料口，鍍膜室20內(nèi)設(shè)置有放電電極對(duì)40,放電電極對(duì)40包括相對(duì)設(shè)置的第一放電電極41和第二放電電極42,待鍍膜軟基材50穿設(shè)在第一放電電極41和第二放電電極42之間，并由第一放電電極41和第二放電電極42進(jìn)行雙面鍍膜；收料室30，設(shè)置在鍍膜室20的出料口，并收集鍍膜后的軟基材50。
[0025]在對(duì)軟基材進(jìn)行鍍膜時(shí),第一放電電極和第二放電電極可以同時(shí)對(duì)待鍍膜軟基材的兩個(gè)相對(duì)側(cè)進(jìn)行鍍膜， 避免了多次鍍膜所帶來的軟基材表面薄膜出現(xiàn)表面摩擦、局部脫落、表面裂紋等問題，使得軟基材表面可以形成高阻隔性薄膜，并可以提高成膜效率。
[0026]優(yōu)選地，預(yù)處理室10、鍍膜室20和收料室30之間為真空密封連接，可以防止在對(duì)軟基材50進(jìn)行預(yù)處理時(shí)軟基材與外界空氣發(fā)生接觸而污染軟基材的待鍍膜表面，保證軟基材50的鍍膜質(zhì)量。
[0027]預(yù)處理室10內(nèi)設(shè)置有放卷機(jī)構(gòu)11，待鍍膜的軟基材50纏繞在放卷機(jī)構(gòu)11上，并通過放卷機(jī)構(gòu)11向外放料。
[0028]鍍膜室20密封連接在預(yù)處理室10的出料口，軟基材50在預(yù)處理室10內(nèi)進(jìn)行預(yù)處理之后，進(jìn)入到鍍膜室20內(nèi)進(jìn)行鍍膜。在鍍膜室20內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)向輪60，用于對(duì)軟基材50形成導(dǎo)向作用，使得軟基材50可以在鍍膜室內(nèi)按照預(yù)定的路徑運(yùn)動(dòng)，能夠較好地完成鍍膜。軟基材50繞設(shè)在導(dǎo)向輪60上，在收料室30的收料作用下向收料室30運(yùn)動(dòng)，并在運(yùn)動(dòng)的過程中進(jìn)行鍍膜。優(yōu)選地，軟基材50與導(dǎo)向輪60之間的包角小于或等于90度。軟基材50與導(dǎo)向輪60之間的包角小于或等于90度，不僅能夠減小鍍膜的拉伸力，同時(shí)還可以減小鍍膜起皺的風(fēng)險(xiǎn)。
[0029]結(jié)合參見圖1所示，在本實(shí)施例中，導(dǎo)向輪60為多個(gè)，多個(gè)導(dǎo)向輪60兩兩為一組，多組導(dǎo)向輪60上下間隔并依次錯(cuò)位設(shè)置。優(yōu)選地，位于同一組的兩個(gè)導(dǎo)向輪60處于同一水平方向上，使得軟基材50繞設(shè)在導(dǎo)向輪60上時(shí)，不會(huì)由于相鄰的兩個(gè)導(dǎo)向輪設(shè)置位置的不合理而導(dǎo)致軟基材50與導(dǎo)向輪60之間的包角過大，從而降低在鍍膜過程中由于軟基材50與導(dǎo)向輪60之間的摩擦過大而對(duì)鍍膜造成損傷的危險(xiǎn)，此外由于多組導(dǎo)向輪60是上下間隔錯(cuò)位設(shè)置，也使得軟基材50在鍍膜室20內(nèi)具有足夠的移動(dòng)空間，可以完成對(duì)軟基材50的多重鍍膜。
[0030]優(yōu)選地，在鍍膜室20內(nèi)，放電電極對(duì)40為多組，相鄰的兩組導(dǎo)向輪60之間設(shè)置有至少一組放電電極對(duì)40。第一放電電極41和第二放電電極42平行設(shè)置,第一放電電極41包括朝向第二放電電極42的第一匯流電極，第二放電電極42包括朝向第一放電電極41的第二匯流電極，第一匯流電極和第二匯流電極上分別具有對(duì)應(yīng)設(shè)置的放電突起。
[0031]通常在第一放電電極41與第二放電電極42中間形成放電區(qū)對(duì)軟基材50進(jìn)行電離鍍膜。軟基材50通過放電區(qū)區(qū)域，放電區(qū)域?qū)⑼ㄟ^通入的氣體電離，從而產(chǎn)生等離子體。等離子體與通入的反應(yīng)氣體發(fā)生碰撞，產(chǎn)生新的帶點(diǎn)粒子，兩種以上的帶點(diǎn)粒子沿著磁場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)的過程中，不同帶電粒子在運(yùn)動(dòng)的過程中結(jié)合，部分產(chǎn)生新的物質(zhì)粒子，這種新的物質(zhì)粒子在磁場(chǎng)的軌跡的控制下，沉積到薄膜上形成了新的固態(tài)薄膜層。
[0032]為了保證軟基材50表面鍍膜的一致性，通常軟基材50經(jīng)過放電區(qū)域是勻速的，從而保證單次鍍膜過程中成膜的一致性。放電區(qū)域由第一放電電極41、第二放電電極42及電源組成。第一放電電極41與第二放電電極42平行排布形成一組放電電極對(duì)40。成對(duì)的放電電極，可以與水平面的夾角為任意角度。當(dāng)調(diào)整了放電電極對(duì)40的角度時(shí)，通氣口的位置也需要相應(yīng)發(fā)生變化。
[0033]結(jié)合參見圖2所示，第一匯流電極上設(shè)置有第一放電突起411、第二放電突起412和第三放電突起413，第二匯流電極上設(shè)置有與第一放電突起411對(duì)應(yīng)設(shè)置的第四放電突起421、與第二放電突起412對(duì)應(yīng)設(shè)置的第五放電突起422以及與第三放電突起413對(duì)應(yīng)設(shè)置的第六放電突起423。第一放電突起411與第四放電突起421形成放電區(qū)域，第二放電突起412與第五放電突起422形成放電區(qū)域，第三放電突起413與第六放電突起423形成放電區(qū)域。兩個(gè)匯流電極則為放電突起所組成的電極對(duì)傳遞電信號(hào)。為了防止放電過程中電信號(hào)傳遞受到干擾引起波形發(fā)生變化或放電不穩(wěn)，匯流電極通常為銅、鋁或不銹鋼等導(dǎo)電性好的金屬材質(zhì)，而放電突出的部分通常為導(dǎo)電的磁材料。
[0034]三組放電突起的搭配關(guān)系可以為多種，在本實(shí)施例中給出了三種組合方式。
[0035]結(jié)合參見圖2所示，為三組放電突起的第一種組合方式，具體表現(xiàn)為N-N相對(duì)方式，在鍍膜過程中，這種組合方式可以保證結(jié)合完的粒子在磁場(chǎng)力的作用下，被源源不斷的推到軟基材50或固態(tài)薄膜表面上，從而提高成膜速率。
[0036]結(jié)合參見圖3所示，為三組放電突起的第二種組合方式，具體表現(xiàn)為N-S-N-S-N-S多路閉環(huán)式磁場(chǎng)，采用此種組合方式，可以兼顧成膜速率與成膜的均勻性。
[0037]結(jié)合參見圖4所示，為三組放電突起的第三種組合方式，具體表現(xiàn)為S-S相對(duì)方式，在鍍膜過程中，這種組合方式可以保證結(jié)合完的粒子在磁場(chǎng)力的閉回路的作用下，被源源不斷的沉積到軟基材50或固態(tài)薄膜表面上，從而提高成膜速率。
[0038]結(jié)合參見圖5所示，各放電突起可以為矩形條狀磁鐵、圓弧型條狀磁鐵，梯形條狀磁鐵或不規(guī)則條狀磁鐵。在本實(shí)施例中，選用的是圓弧型條狀磁鐵。
[0039]軟基材雙面鍍膜裝置還包括用于對(duì)預(yù)處理室10、鍍膜室20和/或收料室30抽真空的排氣裝置，可以對(duì)軟基材雙面鍍膜裝置進(jìn)行抽真空處理，使預(yù)處理室10、鍍膜室20和收料室30的真空度滿足3.0E-3Pa或更高的真空度。該排氣裝置可以為一個(gè)，也可以為多個(gè)。當(dāng)該排氣裝置為一個(gè)時(shí)，可以連接在三個(gè)腔室中的任一個(gè)上。在本實(shí)施例中，排氣裝置為三個(gè)，包括連接在預(yù)處理室10上的第一排氣裝置12、連接在鍍膜室20上的第二排氣裝置21以及連接在收料室30上的第三排氣裝置32，三個(gè)排氣裝置分別用于相應(yīng)的腔室抽真空。
[0040]在鍍膜室20的側(cè)壁上設(shè)置有通氣口 43，用于向鍍膜室20內(nèi)通入反應(yīng)氣體，以使等離子體與反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生新的帶電粒子。優(yōu)選地，通氣口 43朝向相鄰的兩個(gè)突起之間。在本實(shí)施例中，通氣口 43為多個(gè),設(shè)置在各放電突起的同一側(cè)。例如,第一放電電極41的三個(gè)放電突起均對(duì)應(yīng)一個(gè)通氣口 43，第一放電突起411的上側(cè)靠近第一放電突起411的位置設(shè)置有一個(gè)通氣口 43，第二放電突起412與第一放電突起411之間的位置設(shè)置有一個(gè)通氣口 43，在第三放電突起413與第二放電突起412之間的位置處也設(shè)置有一個(gè)通氣口43。第二放電電極42采用相同設(shè)計(jì)。通氣口 43也可以設(shè)置在另一側(cè)位置，并不局限于本實(shí)施例中的描述。優(yōu)選地，對(duì)應(yīng)設(shè)置的放電突起之間的間距為10至70mm。
[0041]收料室30內(nèi)設(shè)置有收卷機(jī)構(gòu)31，用于對(duì)完成鍍膜的軟基材50進(jìn)行收料。
[0042]在使用本發(fā)明的軟 基材雙面鍍膜裝置進(jìn)行鍍膜時(shí)，首先將待鍍膜的軟基材50放置到放卷機(jī)構(gòu)11上，然后經(jīng)放卷機(jī)構(gòu)11放卷，在預(yù)處理室10內(nèi)進(jìn)行預(yù)處理之后，形成第一軟基材段01。第一軟基材段01經(jīng)過導(dǎo)向輪60,進(jìn)入第一放電電極41和第二放電電極42之間的區(qū)域,此時(shí)經(jīng)過的區(qū)域在放電過程中成為放電區(qū)。第一軟基材段01經(jīng)過第一組放電電極對(duì)40的放電區(qū)域后，在軟基材50的兩個(gè)表面上已經(jīng)沉積了一層固態(tài)薄膜，此時(shí)，軟基材50經(jīng)過第一次沉積薄膜形成了第二軟基材段02，第二軟基材段02經(jīng)過導(dǎo)向輪60導(dǎo)向后通過第二組放電電極對(duì)40所形成的的第二放電區(qū)。第二軟基材段02經(jīng)過第二放電區(qū)后表面又沉積了一層固態(tài)薄膜，從而形成了二次沉積薄膜之后的第三軟基材段03。第三軟基材段03經(jīng)過導(dǎo)向輪60進(jìn)入第三組放電電極對(duì)40的放電區(qū)域，然后經(jīng)該放電區(qū)域放電之后，在軟基材50表面上沉積了第三層薄膜， 此時(shí)軟基材50經(jīng)三次沉積薄膜后形成第四軟基材段04，第四軟基材段04經(jīng)過導(dǎo)向輪60進(jìn)入第四組放電電極對(duì)的放電區(qū)域，經(jīng)過第四次沉積薄膜形成第五軟基材段05，經(jīng)過四次放電形成四層薄膜后，完成軟基材50的雙面鍍膜。完成鍍膜之后的第五軟基材段05經(jīng)過導(dǎo)向輪60進(jìn)入到收料室30內(nèi)，經(jīng)收料室30內(nèi)的收卷機(jī)構(gòu)31收料，完成整個(gè)鍍膜。
[0043]從以上的描述中，可以看出，本發(fā)明上述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果:采用本發(fā)明的技術(shù)方案，可以在不增加任何設(shè)備成本、制作工藝的基礎(chǔ)上一次實(shí)現(xiàn)軟基材的雙面鍍膜，在完成高阻隔性薄膜的同時(shí)，提高了的成膜效率。同時(shí)，采用發(fā)明中提出的突出放電電極結(jié)構(gòu)，可以在不降低成膜速率的基礎(chǔ)上，降低放電電源的功率，因而可以降低生產(chǎn)能耗，提聞生廣效率。
[0044]以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種軟基材雙面鍍膜裝置，其特征在于，包括: 預(yù)處理室(10)，待鍍膜軟基材(50)設(shè)置在所述預(yù)處理室(10)內(nèi)； 鍍膜室(20)，設(shè)置在所述預(yù)處理室(10)的出料口，所述鍍膜室(20)內(nèi)設(shè)置有放電電極對(duì)(40 ),所述放電電極對(duì)(40 )包括相對(duì)設(shè)置的第一放電電極(41)和第二放電電極(42 ),所述待鍍膜軟基材(50)穿設(shè)在所述第一放電電極(41)和所述第二放電電極(42)之間，并由所述第一放電電極(41)和所述第二放電電極(42)進(jìn)行雙面鍍膜； 收料室(30 )，設(shè)置在所述鍍膜室(20 )的出料口，并收集鍍膜后的所述軟基材(50 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟基材雙面鍍膜裝置，其特征在于，所述軟基材雙面鍍膜裝置還包括導(dǎo)向輪(60 )，所述軟基材(50 )繞設(shè)在所述導(dǎo)向輪(60 )上，所述軟基材(50 )與所述導(dǎo)向輪(60)之間的包角小于或等于90度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的軟基材雙面鍍膜裝置，其特征在于，所述導(dǎo)向輪(60)為多個(gè)，所述多個(gè)導(dǎo)向輪(60)兩兩為一組，多組所述導(dǎo)向輪(60)上下間隔并依次錯(cuò)位設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的軟基材雙面鍍膜裝置，其特征在于，所述放電電極對(duì)(40)為多組，相鄰的兩組所述導(dǎo)向輪(60)之間設(shè)置有至少一組所述放電電極對(duì)(40)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟基材雙面鍍膜裝置，其特征在于，所述第一放電電極(41)和所述第二放電電極(42)平行設(shè)置，所述第一放電電極(41)包括朝向所述第二放電電極(42)的第一匯流電極，所述第二放電電極(42)包括朝向所述第一放電電極(41)的第二匯流電極，所述第一匯流電極和所述第二匯流電極上分別具有對(duì)應(yīng)設(shè)置的放電突起。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的軟基材雙面鍍膜`裝置，其特征在于，所述第一匯流電極上設(shè)置有第一放電突起(411)、第二放電突起(412)和第三放電突起(413)，所述第二匯流電極上設(shè)置有與所述第一放電突起(411)對(duì)應(yīng)設(shè)置的第四放電突起(421)、與所述第二放電突起(412)對(duì)應(yīng)設(shè)置的第五放電突起(422)以及與所述第三放電突起(413)對(duì)應(yīng)設(shè)置的第六放電突起(423)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的軟基材雙面鍍膜裝置，其特征在于，所述鍍膜室(20)的側(cè)壁上設(shè)置有通氣口(43)，所述通氣口(43)朝向相鄰的兩個(gè)所述突起之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的軟基材雙面鍍膜裝置，其特征在于，對(duì)應(yīng)設(shè)置的放電突起之間的間距為10至70mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的軟基材雙面鍍膜裝置，其特征在于，所述預(yù)處理室(10 )、所述鍍膜室(20 )和所述收料室(30 )之間為真空密封連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的軟基材雙面鍍膜裝置，其特征在于，所述軟基材雙面鍍膜裝置還包括用于對(duì)所述預(yù)處理室(10)、所述鍍膜室(20)和/或所述收料室(30)抽真空的排氣裝置。
【文檔編號(hào)】C23C16/513GK103741121SQ201310722396
【公開日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2013年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月24日
【發(fā)明者】陳立國(guó), 李海燕, 呂旭東, 張受業(yè), 陳偉岸, 賀艷, 趙萌, 朱惠欽 申請(qǐng)人:北京北印東源新材料科技有限公司