沉積源以及具有其的沉積設(shè)備的制作方法
【專利摘要】提供了一種沉積源。所述沉積源包括：坩堝，容納沉積材料并使沉積材料蒸發(fā)；網(wǎng)格構(gòu)件，設(shè)置在坩堝中并與沉積材料分隔開預(yù)定的距離，網(wǎng)格構(gòu)件包括通過網(wǎng)格構(gòu)件形成的多個開口；格子構(gòu)件，在坩堝中設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上以將網(wǎng)格構(gòu)件劃分成多個格子區(qū)域；多個熱球，設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上并填充格子區(qū)域；以及蓋，設(shè)置在坩堝上以覆蓋坩堝，蓋包括噴射孔以噴射蒸發(fā)的沉積材料。還提供了一種沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括：真空室，真空室包圍沉積源；基底；以及基底支撐件。
【專利說明】沉積源以及具有其的沉積設(shè)備
[0001]本申請參考先前于2013年5月2日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局并適時地被指定序號為 10-2013-0049517 的針對“DEPOSIT1N SOURCE AND DEPOSIT1N APPARATUS HAVING THESAME (沉積源以及具有其的沉積設(shè)備)”的申請、將該申請包含于此并且要求該申請的所有權(quán)益。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本公開涉及一種沉積源和一種具有沉積源的沉積設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0003]近年來，由于有機發(fā)光顯示器具有優(yōu)異的亮度和視角，并且不需要包括單獨的光源，而液晶顯示器需要背光，因此有機發(fā)光顯示器作為下一代顯示裝置受到關(guān)注。因此，有機發(fā)光顯示器具有纖薄和重量輕的優(yōu)點。另外，有機發(fā)光顯示器具有例如響應(yīng)速度快、功耗低、売度聞等其他有利的性質(zhì)。
[0004]通常，有機發(fā)光顯示器包括具有陽極、有機發(fā)光層和陰極的有機發(fā)光裝置?？昭ê碗娮臃謩e通過陽極和陰極注入到有機發(fā)光層中，并且在有機發(fā)光層中復(fù)合以產(chǎn)生激子(電子-空穴對)。激子以光的形式放出能量，其中，光是在激子從激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時而釋放的。
[0005]陽極和陰極通常由薄金屬層或薄透明導(dǎo)電層形成。有機發(fā)光層由至少一個有機薄層形成。為了在有機發(fā)光顯示器上形成有機薄層和金屬薄層，使用沉積設(shè)備。沉積設(shè)備包括填充有沉積材料的坩堝和用于噴射沉積材料的噴嘴。當(dāng)將坩堝加熱至預(yù)定的溫度時，坩堝中的沉積材料蒸發(fā)，通過噴嘴噴射蒸發(fā)的沉積材料。在基底上通過噴嘴噴射沉積材料，由此形成薄膜層。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本公開提供了一種能夠在基底上均勻地沉積薄層的沉積源。
[0007]本公開還提供了一種包括該沉積源的沉積設(shè)備。
[0008]發(fā)明構(gòu)思的實施例提供了一種沉積源，所述沉積源包括:坩堝，容納沉積材料并使沉積材料蒸發(fā)；網(wǎng)格構(gòu)件，設(shè)置在坩堝中并與沉積材料分隔開預(yù)定的距離，網(wǎng)格構(gòu)件包括通過其形成的多個開口 ；格子構(gòu)件，在坩堝中設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上以將網(wǎng)格構(gòu)件劃分成多個格子區(qū)域；多個熱球，設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上并填充格子區(qū)域；以及蓋，設(shè)置在坩堝上以覆蓋坩堝，蓋包括噴射孔以噴射蒸發(fā)的沉積材料。
[0009]熱球均可以具有大于開口的最短尺寸的直徑，熱球的直徑在從大約Imm至大約3mm的范圍。熱球可以由具有大約700攝氏度或更高的熔點的碳化硅纖維形成。
[0010] 所述網(wǎng)格構(gòu)件還可以包括:側(cè)表面部分，具有環(huán)形形狀，并且與坩堝的內(nèi)壁接觸；以及網(wǎng)格網(wǎng)，連接到側(cè)表面部分的內(nèi)側(cè)表面的下部并設(shè)置為面向沉積材料，開口通過網(wǎng)格網(wǎng)形成。
[0011]所述格子構(gòu)件可以包括:多個第一格子構(gòu)件，沿著第一方向延伸，并且布置為沿著第一水平維度以規(guī)則的間隔彼此分隔開；以及多個第二格子構(gòu)件，沿著與第一方向交叉的第二方向延伸，并且布置為沿著第二水平維度以規(guī)則的間隔彼此分隔開，第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件將網(wǎng)格網(wǎng)劃分成格子區(qū)域。
[0012]第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件具有比側(cè)表面部分的高度高的高度。第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的側(cè)表面的下部連接到側(cè)表面部分的內(nèi)側(cè)表面，第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的下表面連接到網(wǎng)格網(wǎng)。
[0013]熱球可以設(shè)置到網(wǎng)格網(wǎng)并且彼此堆疊以到達第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的頂部，堆疊的熱球的高度對應(yīng)于第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的高度。
[0014]第一格子構(gòu)件之間的距離和第二格子構(gòu)件之間的距離均可以在從大約18.5mm至大約19.5mm的范圍，第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的長度均可以在從大約55.2mm至大約57.2mm的范圍，第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的高度均可以在從大約11.5mm至大約
12.5mm的范圍。
[0015]側(cè)表面部分的外側(cè)表面的直徑可以在從大約59mm至大約61mm的范圍，側(cè)表面部分的外側(cè)表面的直徑與側(cè)表面部分的內(nèi)側(cè)表面的直徑之差可以在大約0.8mm至大約1.2mm的范圍，側(cè)表面部分的高度在從大約4.8mm至大約5.2mm的范圍。
[0016]網(wǎng)格構(gòu)件和格子構(gòu)件可以由奧氏體系不銹鋼形成。
[0017]所述沉積源還可以包括具有環(huán)形形狀的網(wǎng)格支撐件。網(wǎng)格支撐件可以設(shè)置在坩堝中，網(wǎng)格支撐件與沉積材料分隔開并連接到坩堝的內(nèi)壁，網(wǎng)格構(gòu)件設(shè)置在網(wǎng)格支撐件上并由網(wǎng)格支撐件支撐。
[0018]發(fā)明構(gòu)思的實施例提供了一種沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括:真空室；基底，設(shè)置在真空室的上部；以及沉積源，設(shè)置在真空室的下部以將沉積材料提供到基底。所述沉積源可以包括:坩堝，容納沉積材料并使沉積材料蒸發(fā)；網(wǎng)格支撐件，具有環(huán)形形狀并設(shè)置在坩堝中，網(wǎng)格支撐件與沉積材料分隔開并連接到坩堝的內(nèi)壁；網(wǎng)格構(gòu)件，在坩堝中設(shè)置在網(wǎng)格支撐件上并由網(wǎng)格支撐件支撐，網(wǎng)格構(gòu)件包括通過其形成的多個開口 ；格子構(gòu)件，在坩堝中設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上以將網(wǎng)格構(gòu)件劃分成多個格子區(qū)域；多個熱球，設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上并填充在格子區(qū)域中；以及蓋，設(shè)置在坩堝上以覆蓋坩堝，蓋包括噴射孔以噴射蒸發(fā)的沉積材料。
[0019]根據(jù)以上內(nèi)容，熱球可以均勻地布置在沉積源中。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]通過下面結(jié)合附圖考慮時的詳細描述，本公開的上述和其他優(yōu)點將會變得更加清楚，其中:
[0021]圖1是示出了根據(jù)本公開的示例性實施例的沉積源的分解透視圖；
[0022]圖2是沿著圖1中示出的1-1'線截取的剖視圖；
[0023]圖3是示出了圖1中示出的網(wǎng)格構(gòu)件和格子構(gòu)件的俯視圖；
[0024]圖4是沿著圖3中示出的ΙΙ-Ι1'線截取的剖視圖；
[0025]圖5是示出了包括圖1中示出的沉積源的沉積設(shè)備的示圖。
[0026]定義
[0027]蓋:與坩堝中的開口相配的蓋子或頂蓋，所述蓋子或頂蓋能夠限制坩堝的用于從坩堝逸出的內(nèi)含物的路徑。
[0028]坩堝:一種容器，可以在其中將沉積材料加熱至足夠高的溫度以使沉積材料轉(zhuǎn)變成蒸汽狀態(tài)。坩堝可以由陶瓷或金屬材料制成，但是適于在本發(fā)明中使用的坩堝的組分不限于此。
[0029]高度:沿著與本發(fā)明的坩堝的中心軸平行的維度的距離。術(shù)語“高度”在這里意圖被理解為是相對于坩堝的位置，而與地面不需要具有任何特定的關(guān)系。
[0030]水平維度:與本發(fā)明的坩堝的中心軸垂直的維度。維度在這里意圖被理解為是相對于坩堝的位置，而與地面不需要具有任何特定的關(guān)系。
[0031]格子構(gòu)件:阻擋構(gòu)件，用于將網(wǎng)格網(wǎng)(mesh net)之上的區(qū)域劃分成多個更小的區(qū)域。
[0032]網(wǎng)格構(gòu)件:一種固體框架，包括跨越框架的一個表面的網(wǎng)格，所述網(wǎng)格包括兩組線，每條線被布置為與同組的其他線平行，一組的線定位為另一組的線大體垂直，兩組的線互相交織。
[0033]網(wǎng)格網(wǎng):交織的線的系統(tǒng)，用作網(wǎng)格構(gòu)件的一個組件。
[0034]平面圖:來自要被觀看的主體上方的視圖，所述視圖采用主體的特征的垂直正射投影到水平面的形式。
[0035]側(cè)表面:組件的形成組件的邊界的表面，該表面具有與豎直地定位(即，與坩堝的中心軸平行)的表面平行的一個維度。
[0036]熱球:由這樣的材料制成的球形物體，該材料具有足夠高的比熱使得球形物體的溫度在沉積操作期間保持相對不變，該材料對沉積材料是惰性的。熱球的實際用途是在沉積操作期間阻擋熱量到掩模或基底的傳遞，并且熱球有助于過濾出來自沉積材料的產(chǎn)物噴射的沉積材料的污染塊。
[0037]上/下:這些是指沿著坩堝的中心軸的方向的方向術(shù)語，“上”是指從坩堝內(nèi)部中的起點朝向蓋的方向，“下”是指從坩堝內(nèi)部中的起點朝向坩堝的邊界的方向。在本文中，這些術(shù)語不意圖與地面具有任何特定的關(guān)系。
[0038]真空室:能夠至少在沉積操作期間保持高真空的外殼。

【具體實施方式】
[0039]在下文中，將參照附圖詳細地解釋本發(fā)明。
[0040]圖1是示出了根據(jù)本公開的示例性實施例的沉積源100的分解透視圖，圖2是沿著圖1中示出的1線截取的剖視圖。為了解釋方便，圖2示出了組裝的沉積源的剖視圖。
[0041]參照圖1和圖2，沉積源100可以包括坩堝110、沉積材料111、網(wǎng)格支撐件120、網(wǎng)格構(gòu)件130、格子構(gòu)件140、多個熱球THB和蓋150。
[0042]坩堝110可以具有圓柱形形狀。因此，坩堝110在剖視圖中可以具有圓形形狀，但是它不應(yīng)該局限于圓形的形狀。即，坩堝110在剖視圖中可以具有諸如橢圓形形狀、矩形形狀、多邊形形狀等的各種形狀。
[0043]坩堝110可以填充有將要在基底上沉積的沉積材料111?？梢詼?zhǔn)備沉積材料111
以形成金屬薄膜層或有機薄膜層。
[0044]盡管在圖中未示出，但是坩堝110可以包括加熱單元。加熱單元可以加熱坩堝110以使沉積材料111蒸發(fā)。
[0045]網(wǎng)格支撐件120、網(wǎng)格構(gòu)件130、格子構(gòu)件140和熱球THB可以設(shè)置在坩堝110中并與沉積材料111分隔開。詳細地，網(wǎng)格支撐件120可以在坩堝110中設(shè)置為與沉積材料111分隔開預(yù)定的距離。網(wǎng)格支撐件120可以具有環(huán)形的形狀，并且可以連接到坩堝110的內(nèi)壁。
[0046]網(wǎng)格構(gòu)件130可以與坩堝110的內(nèi)壁接觸。另外，網(wǎng)格構(gòu)件130可以設(shè)置在網(wǎng)格支撐件120上并且可以由網(wǎng)格支撐件120支撐。
[0047]網(wǎng)格構(gòu)件130可以包括多個開口 0P、側(cè)表面部分131和網(wǎng)格網(wǎng)132。開口 OP可以通過網(wǎng)絲132形成。側(cè)表面部分131可以具有環(huán)形的形狀并且可以與坩堝110的內(nèi)壁和網(wǎng)格支撐件120的上表面接觸。
[0048]側(cè)表面部分131可以具有由側(cè)表面部分131的外側(cè)表面的直徑和側(cè)表面部分131的內(nèi)側(cè)表面的直徑之間的差限定的厚度。側(cè)表面部分131的厚度可以小于網(wǎng)格支撐件120的厚度，但是不應(yīng)該局限于此。側(cè)表面部分131的厚度可以等于或者大于網(wǎng)格支撐件120的厚度。
[0049]網(wǎng)格網(wǎng)132可以連接到側(cè)表面部分131的內(nèi)側(cè)表面的下部。側(cè)表面部分131的下邊界表面可以與網(wǎng)格網(wǎng)的下邊界表面匹配。網(wǎng)格網(wǎng)132可以設(shè)置為面向沉積材料111。網(wǎng)格網(wǎng)132可以具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。通過網(wǎng)格網(wǎng)132形成的開口 OP可以提供沉積材料在從坩堝110蒸發(fā)之后移動通過的路徑。
[0050]格子構(gòu)件140可以在坩堝110中設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件130中。格子構(gòu)件140可以將網(wǎng)格構(gòu)件130劃分成可以在平面圖中區(qū)分的多個區(qū)域MA。由格子構(gòu)件140劃分的區(qū)域MA可以被稱作格子區(qū)域MA。
[0051]格子構(gòu)件140可以具有比網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分的高度高的高度。格子構(gòu)件140的側(cè)表面的下部可以連接到網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131的內(nèi)側(cè)表面。網(wǎng)格構(gòu)件140的下表面可以連接到網(wǎng)格構(gòu)件130的網(wǎng)格網(wǎng)132。
[0052]格子構(gòu)件140可以包括沿著第一水平維度Xl延伸的多個第一格子構(gòu)件141和沿著與第一水平維度Xl交叉的第二水平維度X2延伸的多個第二格子構(gòu)件142?？梢酝ㄟ^參照平面圖來很好地理解第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142之間的關(guān)系。作為示例，在圖1中不出了兩個第一格子構(gòu)件141和兩個第二格子構(gòu)件142,但是第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142的數(shù)量不應(yīng)該局限于此或受此限制。
[0053] 第一格子構(gòu)件141可以布置為以規(guī)則的間隔彼此分隔開，第二格子構(gòu)件142可以布置為以規(guī)則的間隔彼此分隔開。第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142可以比網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131向上延伸更大的程度。即，第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142的高度可以高于網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131的高度。在特定的優(yōu)選實施例中，第一格子構(gòu)件141的高度可以等于第二格子構(gòu)件142的高度。
[0054]第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142的側(cè)表面的下部可以連接到網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131的內(nèi)側(cè)表面。第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142的下表面可以連接到網(wǎng)格構(gòu)件130的網(wǎng)格網(wǎng)132。因此，第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142可以將網(wǎng)格網(wǎng)132劃分成格子區(qū)域MA，可以參照平面圖來很好地區(qū)分格子區(qū)域MA。格子構(gòu)件140的第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142可以通過焊接的方法連接到網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131和網(wǎng)格網(wǎng)132。
[0055]格子構(gòu)件140和網(wǎng)格構(gòu)件130可以由不銹鋼、銅及其合金中的一種形成。例如，第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142以及網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131和網(wǎng)格網(wǎng)132可以由奧氏體系不銹鋼形成。
[0056]熱球THB可以設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件30上并且可以填充格子區(qū)域MA。詳細地，熱球THB可以設(shè)置在網(wǎng)格網(wǎng)132上并且彼此堆疊以到達格子區(qū)域MA的第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142的頂部。
[0057]每個熱球THB可以具有比網(wǎng)格網(wǎng)132的每個開口 OP的最短尺寸大的直徑。因此，填充格子區(qū)域MA的熱球THB不會穿過開口 0P。在本示例性實施例中，每個熱球THB可以具有從大約Imm至大約3mm的直徑。
[0058]熱球THB的熔點會比坩堝110被加熱單元加熱至的溫度高。因此，熱球THB在受熱坩堝110的溫度下不會變形或熔化。有利地，熱球THB可以由不具有任何排氣的材料形成。因為受熱坩堝110的通過加熱單元產(chǎn)生的溫度可以在大約200攝氏度至大約500攝氏度的范圍中，所以熱球THB可以期望地具有處于大約700攝氏度或者更高的熔點，并且可以在大約500攝氏度的溫度下不存在任何排氣。
[0059]熱球THB可以由從碳化硅基聚合物和陶瓷中選擇的材料形成，這樣的材料表現(xiàn)出優(yōu)異的耐熱性和優(yōu)異的耐腐蝕性。適于這種作用的碳化硅基聚合物可以是聚合物主鏈包括硅(Si)與碳(C)的單鍵的聚合物。作為示例，熱球THB可以由碳化硅纖維形成。碳化硅纖維在大約1000攝氏度或者更高的溫度下會處于穩(wěn)定的狀態(tài)，并且可以具有優(yōu)異的抗拉強度和優(yōu)異的彈性。
[0060]蓋150可以設(shè)置在坩堝110上以覆蓋坩堝110。蓋150可以包括噴射蒸發(fā)的沉積材料111的噴嘴151。噴嘴151可以包括噴射蒸發(fā)的沉積材料111所通過的噴射孔H。
[0061]當(dāng)外部沖擊作用于沉積源100或者沉積源100移動時，可能會發(fā)生沉積材料顆粒從填充在沉積源100中的沉積材料111濺出的濺出現(xiàn)象。由濺出現(xiàn)象產(chǎn)生的沉積材料顆粒會相對于沉積膜成為污染物顆粒。
[0062]當(dāng)網(wǎng)格構(gòu)件130和熱球THB不設(shè)置在坩堝110中時，會濺出污染物顆粒，然后污染物顆粒會附著到蓋150的噴嘴151。因此，噴嘴151的噴射孔H的尺寸會因污染物顆粒而減小。在這種情況下，蒸發(fā)的沉積材料111的噴射速率會變得與蒸發(fā)的噴射材料111的預(yù)定噴射速率不同。
[0063]在沉積材料111是有機材料的情況下，可以將蒸發(fā)的沉積材料111供應(yīng)到基底的像素區(qū)域(未示出)以形成有機發(fā)光層?？赡軙枰袡C發(fā)光層具有均勻的厚度。然而，當(dāng)污染物顆粒濺出并供應(yīng)到基底時，污染物顆粒會被施加到像素區(qū)域。結(jié)果，在像素區(qū)域中形成的有機發(fā)光層會由于污染物顆粒的存在而不具有均勻的厚度。因此，在像素區(qū)域之間會產(chǎn)生亮度差異。
[0064]熱球THB用作過濾污染物顆粒的過濾器。即，盡管由于濺出現(xiàn)象會從沉積材料111產(chǎn)生污染物顆粒，但是由于熱球THB用于捕獲污染物顆粒，因此可以防止污染物顆粒被供應(yīng)到噴嘴151和基底。
[0065]可能會需要均勻地布置熱球THB，以有效地過濾污染物顆粒。當(dāng)外部沖擊作用于熱球THB時，熱球THB可能會移動。
[0066]在其他的實施例中，可以省略格子構(gòu)件140，并且熱球THB可以隨意地布置在網(wǎng)格網(wǎng)132上。在這種情況下，當(dāng)外部沖擊作用于沉積源100時，熱球THB會容易地移動。
[0067]根據(jù)本示例性實施例的沉積源100可以包括設(shè)置在網(wǎng)格網(wǎng)132上的格子構(gòu)件140，由格子構(gòu)件140限定的格子區(qū)域MA可以填充有熱球THB。
[0068]相對于熱球THB任意地布置在網(wǎng)格網(wǎng)132的整個表面上的實施例，在熱球THB布置在格子區(qū)域MA中的實施例中，由外部沖擊導(dǎo)致的熱球THB的移動性會降低。即，如果熱球THB的移動被限制在格子區(qū)域MA而不是網(wǎng)格網(wǎng)132的整個表面，則熱球THB的移動性相對于缺少格子構(gòu)件140的實施例中的熱球THB的移動性而言降低。結(jié)果，與當(dāng)熱球THB隨意地布置在網(wǎng)格網(wǎng)132的整個表面上時相比，當(dāng)采用格子構(gòu)件140時，熱球THB可以更均勻地布置。
[0069]因此，根據(jù)本示例性實施例的沉積源100的熱球THB可以被均勻地布置。
[0070]圖3是示出了圖1中示出的網(wǎng)格構(gòu)件和格子構(gòu)件的俯視圖，圖4是沿著圖3中示出的11-11’線截取的剖視圖。
[0071]圖3和圖4詳細地示出了網(wǎng)格構(gòu)件130和格子構(gòu)件140的尺寸和布置。在本示例性實施例中，將描述兩個第一格子構(gòu)件141和兩個第二格子構(gòu)件142作為代表性示例。
[0072]參照圖3和圖4，第一格子構(gòu)件141之間的距離W可以設(shè)定為等于第二格子構(gòu)件142之間的距離W。作為示例，第一格子構(gòu)件141之間的距離W和第二格子構(gòu)件142之間的距離W均可以在大約18.5mm至大約19.5mm的范圍。
[0073] 另外，第一格子構(gòu)件141的長度L可以設(shè)定為等于第二格子構(gòu)件142的長度L。例如，第一格子構(gòu)件的長度L和第二格子構(gòu)件142的長度L均可以在從大約55.2mm至大約57.2mm的范圍。
[0074]網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131的外側(cè)表面的直徑D可以在從大約59mm至大約61_的范圍。網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131的厚度T可以由側(cè)表面部分131的外側(cè)表面的直徑和側(cè)表面部分131的內(nèi)側(cè)表面的直徑之差來確定。在本示例性實施例中，網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131的厚度T在從大約0.8mm至大約1.2mm的范圍。
[0075]網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131的高度可以被稱作高度Hl。為了解釋方便，圖4中示出了兩個第二格子構(gòu)件142，在示出的實施例中第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142具有相同的高度。第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142的高度可以被稱作第二高度H2。
[0076]第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142的第二高度H2可以高于網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131的第一高度H1。例如，網(wǎng)格構(gòu)件130的側(cè)表面部分131的第一高度Hl可以在從大約4.8mm至大約5.2mm的范圍，第一格子構(gòu)件141和第二格子構(gòu)件142的第二高度H2可以在從大約11.5mm至大約12.5mm的范圍。
[0077]圖5是示出了包括圖1中示出的沉積源100的沉積設(shè)備300的示圖。
[0078]參照圖5，沉積設(shè)備300可以包括真空室10、沉積源100和基底200。沉積源100與參照圖1至圖4所描述的相同。
[0079]真空室10可以保持高真空狀態(tài)，以防止外來物質(zhì)進入到其中，并保證沉積材料111在從噴嘴151射出之后的流動軌跡的線性。
[0080]沉積源100可以設(shè)置在真空室10的下部?；?00可以設(shè)置在真空室10的上部?；?00可以被基底支撐件210支撐。基底200可以面向沉積源100的噴嘴151。
[0081]當(dāng)通過加熱單元加熱沉積源100的坩堝110時，坩堝110保持的沉積材料111蒸發(fā)。蒸發(fā)的沉積材料111可以穿過噴嘴151的噴射孔H噴射到基底200。以這種方式，可以將沉積材料111沉積在基底200上。當(dāng)沉積材料111是有機材料時，可以在基底200上形成有機薄膜層，當(dāng)沉積材料111是金屬材料時，可以在基底200上形成金屬薄膜層。
[0082]本示例性實施例的沉積源100可以包括設(shè)置在網(wǎng)格網(wǎng)132上的格子構(gòu)件140，熱球THB可以填充可由格子構(gòu)件140限定的格子區(qū)域MA。
[0083]與熱球THB隨意地布置在網(wǎng)格網(wǎng)132的整個表面上的實施例相比，在使熱球THB布置在格子區(qū)域MA中的實施例中，可由于外部沖擊導(dǎo)致的熱球THB的移動性降低。即，在特定的實施例中，熱球THB移動的區(qū)域會被限制在格子區(qū)域MA而不是網(wǎng)格網(wǎng)132的整個表面，在這些實施例中熱球THB的移動性會相對下降。結(jié)果，與在使熱球THB隨意地布置在網(wǎng)格網(wǎng)132的整個表面上的實施例中相比，在采用格子構(gòu)件140以形成格子區(qū)域MA的實施例中，熱球THB可以更均勻地布置。
[0084]因此，根據(jù)本示例性實施例的沉積設(shè)備300中采用的沉積源100的熱球THB可以均勻地布置。
[0085]盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實施例，但是應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不應(yīng)該局限于這些示例性實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以在權(quán)利要求所限制的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)做出各種改變和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種沉積源，所述沉積源包括: 坩堝，容納沉積材料并使沉積材料蒸發(fā)； 網(wǎng)格構(gòu)件，設(shè)置在坩堝中并與沉積材料分隔開預(yù)定的距離，網(wǎng)格構(gòu)件包括通過網(wǎng)格構(gòu)件形成的多個開口； 格子構(gòu)件，在坩堝中設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上，以將網(wǎng)格構(gòu)件劃分成多個格子區(qū)域； 多個熱球，設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上并填充格子區(qū)域；以及 蓋，設(shè)置在坩堝上以覆蓋坩堝，蓋包括噴射孔以噴射蒸發(fā)的沉積材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積源，其中，所述開口具有一個最短的尺寸，每個熱球的直徑大于開口的所述最短尺寸，熱球的直徑在從Imm至3_的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積源，其中，熱球包括熔點為700攝氏度或更高的碳化硅纖維。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積源，所述網(wǎng)格構(gòu)件還包括: 側(cè)表面部分，具有環(huán)形形狀，并且與坩堝的內(nèi)壁接觸；以及 網(wǎng)格網(wǎng)，連接到側(cè)表面部分的內(nèi)側(cè)表面的下部并設(shè)置為面向沉積材料，開口通過網(wǎng)格網(wǎng)形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的沉積源，其中，所述格子構(gòu)件包括: 多個第一格子構(gòu)件，沿著第一方向延伸，并且布置為沿著第一水平維度以規(guī)則的間隔彼此分隔開；以及 多個第二格子構(gòu)件，沿著與第一方向交叉的第二方向延伸，并且布置為沿著第二水平維度以規(guī)則的間隔彼此分隔開，第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件將網(wǎng)格網(wǎng)劃分成所述多個格子區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的沉積源，其中，第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件具有比側(cè)表面部分的高度高的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的沉積源，其中，第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的側(cè)表面的下部連接到側(cè)表面部分的內(nèi)側(cè)表面，第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的下表面連接到網(wǎng)格網(wǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的沉積源，其中，熱球設(shè)置到網(wǎng)格網(wǎng)并且彼此堆疊以到達第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的頂部，堆疊的熱球的高度對應(yīng)于第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的沉積源，其中，第一格子構(gòu)件之間的距離和第二格子構(gòu)件之間的距離均在從18.5mm至19.5mm的范圍，第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的長度均在從55.2mm至57.2mm的范圍,第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的高度均在從11.5mm至12.5mm的范圍。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的沉積源，其中，側(cè)表面部分的外側(cè)表面的直徑在從59mm至61mm的范圍，側(cè)表面部分的外側(cè)表面的直徑與側(cè)表面部分的內(nèi)側(cè)表面的直徑之差在0.8mm至1.2mm的范圍，側(cè)表面部分的高度在4.8mm至5.2mm的范圍。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積源，其中，網(wǎng)格構(gòu)件和格子構(gòu)件包括奧氏體系不銹鋼。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積源，所述沉積源還包括具有環(huán)形形狀并設(shè)置在坩堝中的網(wǎng)格支撐件，網(wǎng)格支撐件與沉積材料分隔開并連接到坩堝的內(nèi)壁，網(wǎng)格構(gòu)件設(shè)置在網(wǎng)格支撐件上并由網(wǎng)格支撐件支撐。
13.—種沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括真空室、設(shè)置在真空室的上部的基底以及設(shè)置在真空室的下部以將沉積材料供應(yīng)到基底的沉積源，所述沉積源包括: 坩堝，容納沉積材料并使沉積材料蒸發(fā)； 網(wǎng)格支撐件，具有環(huán)形形狀并設(shè)置在坩堝中，網(wǎng)格支撐件與沉積材料分隔開并連接到坩堝的內(nèi)壁； 網(wǎng)格構(gòu)件，在坩堝中設(shè)置在網(wǎng)格支撐件上并由網(wǎng)格支撐件支撐，網(wǎng)格構(gòu)件包括通過網(wǎng)格構(gòu)件形成的多個開口； 格子構(gòu)件，在坩堝中設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上以將網(wǎng)格構(gòu)件劃分成多個格子區(qū)域； 多個熱球，設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上并填充在格子區(qū)域中；以及 蓋，設(shè)置在坩堝上以 覆蓋坩堝，蓋包括噴射孔以噴射蒸發(fā)的沉積材料。
【文檔編號】C23C14/24GK104131253SQ201310718402
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月2日
【發(fā)明者】趙炫來, 奇錫 申請人:三星顯示有限公司