專利名稱：沉積源和包括沉積源的有機(jī)層沉積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式的各方面涉及沉積源和有機(jī)層沉積裝置，更具體地，涉及能簡單用于生產(chǎn)大規(guī)模的大尺寸顯示裝置并能防止或基本防止沉積源噴嘴在沉積過程中被阻塞的沉積源和有機(jī)層沉積裝置。
背景技術(shù)：
與其它顯示裝置相比，有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有更大的視角、更好的對比度特性以及更快的響應(yīng)速度，因而作為下一代顯示裝置而備受矚目。有機(jī)發(fā)光顯示裝置通常具有層疊結(jié)構(gòu)，該層疊結(jié)構(gòu)包括陽極、陰極、以及插入陽極與陰極之間的發(fā)射層。當(dāng)從陽極和陰極分別注入的空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合從而發(fā)出光線時(shí)，這些裝置顯示彩色圖像。通過這種結(jié)構(gòu)難以獲得高發(fā)光效率，因此在發(fā)射層與這些電極中的每一個(gè)之間任選附加地插入包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等的中間層。另外，實(shí)際上很難在例如發(fā)射層和中間層的有機(jī)薄膜中形成精細(xì)圖案，而且紅色、 綠色以及藍(lán)色發(fā)光效率根據(jù)有機(jī)薄膜改變。為了這些原因，不容易通過利用傳統(tǒng)的有機(jī)層沉積裝置在大襯底(例如具有5G或更大尺寸的母體玻璃)上形成有機(jī)薄膜圖案，因而難以制造具有滿意的驅(qū)動電壓、電流密度、亮度、顏色純度、發(fā)光效率以及壽命特性的大型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。因此，就這一點(diǎn)而言存在改進(jìn)的需求。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的方面，沉積源和有機(jī)層沉積裝置可以被簡單制造、可以簡單地用于生產(chǎn)大規(guī)模的大尺寸顯示裝置，并且可以防止或基本防止沉積源噴嘴在沉積過程中被阻塞。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，沉積源包括第一沉積源和第二沉積源，均沿第一方向設(shè)置；第一沉積源噴嘴單元，位于所述第一沉積源的側(cè)面，并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第一沉積源噴嘴；第二沉積源噴嘴單元，位于所述第二沉積源的側(cè)面，并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第二沉積源噴嘴；一對第一突出反射器，被設(shè)置在所述多個(gè)第一沉積源噴嘴的相對兩側(cè)，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴位于所述第一突出反射器之間；以及一對第二突出反射器，被設(shè)置在所述多個(gè)第二沉積源噴嘴的相對兩側(cè)，其中所述多個(gè)第二沉積源噴嘴位于所述第二突出反射器之間，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述多個(gè)第二沉積源噴嘴朝向彼此傾斜。從所述第一沉積源可以排放主體材料，而且從所述第二沉積源可以排放摻雜物材料。 該沉積源可以進(jìn)一步包括第三突出反射器，所述第三突出反射器連接所述第一突出反射器中的一個(gè)的一端和所述第一突出反射器中的另一個(gè)的一端。所述第一突出反射器中的一個(gè)的所述一端和所述第一突出反射器中的另一個(gè)的所述一端均可以鄰近所述第二沉積源。該沉積源可以進(jìn)一步包括第四突出反射器，所述第四突出反射器連接所述第二突出反射器中的一個(gè)的一端和所述第二突出反射器中的另一個(gè)的一端。所述第二突出反射器中的一個(gè)的所述一端和所述第二突出反射器中的另一個(gè)的所述一端均可以鄰近所述第一沉積源。所述第一突出反射器的高度可以大于或者等于所述第一沉積源噴嘴的高度。所述第二突出反射器的高度可以大于或者等于所述第二沉積源噴嘴的高度。在一個(gè)實(shí)施方式中，在所述多個(gè)第一沉積源噴嘴之中最靠近所述第二沉積源的沉積源噴嘴是虛擬噴嘴，并且所述虛擬噴嘴中沒有孔，以使得所述第一沉積源中包含的沉積材料不能夠通過所述虛擬噴嘴排放。在一個(gè)實(shí)施方式中，在所述多個(gè)第二沉積源噴嘴之中最靠近所述第一沉積源的沉積源噴嘴是虛擬噴嘴，并且所述虛擬噴嘴中沒有孔，以使得所述第二沉積源中包含的沉積材料不能夠通過所述虛擬噴嘴排放。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式，用于在襯底上形成薄膜的有機(jī)層沉積裝置包括沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，位于所述沉積源的側(cè)面，并且包括在第一方向設(shè)置的多個(gè)沉積源噴嘴；以及圖案化縫隙片，位于所述沉積源噴嘴單元的對面，并且具有在與所述第一方向垂直的第二方向設(shè)置的多個(gè)圖案化縫隙。該襯底在所述第一方向相對于所述有機(jī)層沉積裝置可移動以用于執(zhí)行沉積。所述沉積源包括第一沉積源和第二沉積源，以用于排放不同的材料。所述沉積源噴嘴單元包括第一沉積源噴嘴單元，位于所述第一沉積源的側(cè)面，并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第一沉積源噴嘴；以及第二沉積源噴嘴單元，位于所述第二沉積源的側(cè)面，并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第二沉積源噴嘴。所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述多個(gè)第二沉積源噴嘴傾斜預(yù)定的角度。從所述第一沉積源可排放主體材料，而且從所述第二沉積源可排放摻雜物材料。
所述第一沉積源和所述第二沉積源均可以沿所述第一方向設(shè)置。所述第一沉積源噴嘴單元可以進(jìn)一步包括均設(shè)置在所述多個(gè)第一沉積源噴嘴的相對兩側(cè)的第一突出反射器和第二突出反射器，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴位于所述第一突出反射器與所述第二突出反射器之間。該有機(jī)層沉積裝置可以進(jìn)一步包括第三突出反射器，所述第三突出反射器連接所述第一突出反射器的一端和所述第二突出反射器的一端。所述第一突出反射器的所述一端和所述第二突出反射器的所述一端可以鄰近所述第二沉積源。所述第一突出反射器和所述第二突出反射器的高度可以大于或者等于所述第一沉積源噴嘴的高度。在一個(gè)實(shí)施方式中，在所述多個(gè)第一沉積源噴嘴之中最靠近所述第二沉積源的沉積源噴嘴是虛擬噴嘴并且所述虛擬噴嘴中沒有孔，以使得所述第一沉積源中包含的沉積材料不能夠通過所述虛擬噴嘴排放。所述第二沉積源噴嘴單元可以進(jìn)一步包括均設(shè)置在所述多個(gè)第二沉積源噴嘴的相對兩側(cè)的第四突出反射器和第五突出反射器，其中所述多個(gè)第二沉積源噴嘴位于所述第四突出反射器與所述第五突出反射器之間。該有機(jī)層沉積裝置可以進(jìn)一步包括第六突出反射器，所述第六突出反射器連接所述第四突出反射器的一端和所述第五突出反射器的一端。所述第四突出反射器的所述一端和所述第五突出反射器的所述一端可以鄰近所述第一沉積源。所述第四突出反射器和所述第五突出反射器的高度可以大于或者等于所述第二沉積源噴嘴的高度。在一個(gè)實(shí)施方式中，在所述多個(gè)第二沉積源噴嘴之中最靠近所述第一沉積源的沉積源噴嘴是虛擬噴嘴并且所述虛擬噴嘴中沒有孔，以使得所述第二沉積源中包含的沉積材料不能夠通過所述虛擬噴嘴排放。所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元、以及所述圖案化縫隙片可以形成為一體，例如通過連接部件彼此連接。該裝置可以進(jìn)一步包括至少一個(gè)連接部件，所述至少一個(gè)連接部件被連接于所述沉積源噴嘴單元與所述圖案化縫隙片之間，所述至少一個(gè)連接部件被配置成引導(dǎo)所述沉積材料的移動。所述至少一個(gè)連接部件可以被形成為密封所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元與所述圖案化縫隙片之間的空間。該有機(jī)層沉積裝置可以與所述襯底隔開一定距離。當(dāng)所述襯底在所述第一方向相對于所述有機(jī)層沉積裝置移動時(shí)，所述沉積材料被連續(xù)沉積在所述襯底上。所述圖案化縫隙片可以小于所述襯底。從所述第一沉積源排放的主體材料中的至少一部分可以與從所述第二沉積源排放的摻雜物材料中的至少一部分混合。所述第一沉積源和所述第二沉積源可以設(shè)置在所述第一方向上以使彼此平行。所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述第二沉積源噴嘴面向彼此傾斜。所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述多個(gè)第二沉積源噴嘴可以以從所述第一沉積源排放的主體材料與從所述第二沉積源排放的摻雜物材料的混合比在整個(gè)所述襯底上被維持恒定的方式傾斜。所述第一沉積源和所述第二沉積源可以是線性沉積源。所述多個(gè)第一沉積源噴嘴或者所述多個(gè)第二沉積源噴嘴中的至少一個(gè)的沉積源噴嘴的下端部分可以具有彎曲表面。


本發(fā)明的以上和其它特征將通過參照附圖詳細(xì)描述的本發(fā)明的一些示例性實(shí)施方式變得更加明顯，在附圖中圖I是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的沉積源的示意性立體圖2A是沿圖I中線I-I獲取的沉積源的橫截面圖；圖2B是沿圖I中線II-II獲取的沉積源的橫截面圖；圖2C是圖I中的沉積源的修改示例的橫截面圖；圖2D是示出沉積有沉積材料的沉積源噴嘴的下部的照片；圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的沉積源的示意性立體圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)層沉積裝置的示意性立體圖；圖5是圖4中的有機(jī)層沉積裝置的示意性側(cè)視橫截面圖；圖6是圖4中的有機(jī)層沉積裝置的示意性前視橫截面圖；以及圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的、通過利用有機(jī)層沉積裝置制造的有源矩陣有機(jī)發(fā)
光顯示裝置的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的某些示例性實(shí)施方式將在下文中參照附圖更全面地描述；然而，本發(fā)明的實(shí)施方式可以以不同的形式體現(xiàn)，而且不應(yīng)解釋為受本文中圖示并提出的示例性實(shí)施方式限制。相反，這些示例性實(shí)施方式是通過示例的方式為了理解本發(fā)明并將本發(fā)明的范圍傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員所提供的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，所描述的實(shí)施方式可以以各種不同的方式修改，所有的修改都不偏離本發(fā)明的精神或范圍。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括中間層，該中間層包括配置于相對彼此設(shè)置的第一電極與第二電極之間的發(fā)射層。這些電極和中間層可以通過使用各種方法形成，其中一個(gè)方法是沉積法。當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置通過使用沉積方法制造時(shí)，具有與待形成的薄膜相同圖案的精細(xì)金屬掩模(FMM)被配置成緊密接觸襯底，并且為了形成具有所需圖案的薄膜，在FMM上沉積薄膜材料。圖I是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的沉積源10的示意性立體圖。圖2A是沿圖I中的線I-I的橫截面圖。圖2B是沿圖I中的線II-II的橫截面圖。參見圖I至圖2B，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的沉積源10可包括第一沉積源110和第二沉積源120。通過分別在第一沉積源110和第二沉積源120中蒸發(fā)第一沉積材料117a和第二沉積材料117b在沉積目標(biāo)(例如，圖4所示的襯底400)上形成薄膜。第一沉積源110和第二沉積源120可以是線性沉積源。具體地，第一沉積源110可以包含主體材料如第一沉積材料117a，第二沉積源120 可以包含摻雜物材料如第二沉積材料117b?？蛇x地，第一沉積源110可以包含摻雜物材料如第一沉積材料117a，第二沉積源120可以包含主體材料如第二沉積材料117b。由于主體材料和摻雜物材料在不同的溫度下蒸發(fā)，所以提供第一和第二沉積源110和120以及第一沉積源噴嘴單元130和第二沉積源噴嘴單元140以同時(shí)沉積主體材料和摻雜物材料。具體地，第一沉積源110包括裝有第一沉積材料117a的坩堝111，和加熱器112， 加熱器112加熱坩堝111以朝坩堝111的側(cè)面蒸發(fā)第一沉積材料117a，具體朝襯底400蒸發(fā)第一沉積材料117a。第二沉積源120包括裝有第二沉積材料117b的坩堝121，和加熱器 122，加熱器122加熱坩堝121以朝坩堝121的側(cè)面蒸發(fā)第二沉積材料117b，具體朝襯底400 蒸發(fā)第二沉積材料117b。主體材料的示例可包括三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、9，10_ 二(萘_2_基)蒽(AND)、3_ 叔丁 基-9，10- 二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4，4’ -雙(2，2- 二苯基-乙烯-I-基)-4，4’ -二甲基苯基(DPVBi)、4，4，-雙(2，2-二苯基-乙烯-I-基)_4，4’ -二甲基苯基(p-DMDPVBi)、四(9，9_ 二芳基芴)(TDAF)、2-(9，9’ -螺二芴-2-基)-9，9’ -螺二芴(BSDF)、2，7-雙(9，9’-螺二芴-2-基)-9，9’ -螺二芴(TSDF)、雙(9，9-二芳基芴) (BDAF)、4，4，-雙(2，2-二苯基-乙烯-I-基)_4，4’ -二 _(叔丁基)苯基(p-TDPVBi)、
1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)、l，3，5-三(咔唑 _9_ 基)苯(tCP)、4，4’，4” -三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4，4，-雙(咔唑_9_基)聯(lián)苯(CBP)、4，4，-雙(9-咔唑基)-2， 2' -二甲基-聯(lián)苯(CBDP)、4，4’-雙(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、4，4’-雙 (咔唑-9-基)-9，9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP)、4，4，-雙(咔唑-9-基)-9， 9- 二-甲苯基-芴(DPFL-CBP)、9，9_ 雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)等。摻雜物材料的示例可包括4，4’ -雙[4_( 二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯 (DPAVBi)、9,10- 二 -(蔡 ~2~ 基)惠(ADN)、3_ 叔丁基-9,10- 二(蔡 ~2~ 基)惠(TBADN)
坐寸ο第一沉積源噴嘴單元130和第二沉積源噴嘴單元140被分別配置在第一沉積源 110的側(cè)面和第二沉積源120的側(cè)面，具體來說，被配置在第一沉積源110面向襯底400的側(cè)面和第二沉積源120面向襯底400的側(cè)面。在襯底400移動的移動方向(掃描方向)A， 在第一沉積源噴嘴單元130中形成多個(gè)第一沉積源噴嘴113，在第二沉積源噴嘴單元140中形成多個(gè)第二沉積源噴嘴123。多個(gè)第一沉積源噴嘴113和多個(gè)第二沉積源噴嘴123可設(shè)置為相等間隔。分別在第一和第二沉積源110和120中蒸發(fā)的第一沉積材料117a和第二沉積材料117b分別穿過第一沉積源噴嘴單元130和第二沉積源噴嘴單元140，而后朝襯底 400移動。由于多個(gè)第一和多個(gè)第二沉積源噴嘴113和123被設(shè)置在掃描方向A,即使多個(gè)第一和多個(gè)第二沉積源噴嘴113和123之間的流量存在差異，該差異可以被補(bǔ)償并且沉積均勻性可維持恒定。在第一和第二沉積源噴嘴單元130和140中形成的多個(gè)第一和多個(gè)第二沉積源噴嘴單元113和123可以傾斜預(yù)定的角度。在一個(gè)實(shí)施方式中，多個(gè)第一沉積源噴嘴113和多個(gè)第二沉積源噴嘴123可以面向彼此傾斜。盡管含有的第二沉積材料117b的量可依據(jù)薄膜形成材料改變，在100重量份數(shù)的薄膜形成材料(主體材料和摻雜物材料117a和117b的總重量)中所包含的第二沉積材料 117b可以為約3至約20重量份數(shù)。如果第二沉積材料117b含量超過以上所述的范圍，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光性能會降低。如果第一和第二沉積源噴嘴113和123不傾斜并且被設(shè)置為與襯底400平行，那么在沉積過程的初始階段第二沉積材料117b被沉積在襯底400 上，在沉積過程的中間階段第二沉積材料117b和第一沉積材料117a交替地沉積在襯底400 上，并且在沉積過程的最后階段第一沉積材料117a沉積在襯底400上。也就是說，第一沉積材料117a和第二沉積材料117b的混合比可依據(jù)襯底400的區(qū)域改變。因此，在一個(gè)實(shí)施方式中，多個(gè)第一和多個(gè)第二沉積源噴嘴113和123傾斜預(yù)定的角度。第一沉積源噴嘴單元130的第一沉積源噴嘴113和第二沉積源噴嘴單元140的第二沉積源噴嘴123可面向彼此傾斜。也就是說，第一沉積源噴嘴單元130的第一沉積源噴嘴 113可面向第二沉積源120傾斜，第二沉積源噴嘴單元140的第二沉積源噴嘴123可面向第一沉積源110傾斜。在上述結(jié)構(gòu)中，第一沉積材料117a和第二沉積材料117b的混合比可在整個(gè)襯底 400上被維持恒定。如果通過利用以恒定的混合比混合有第一沉積材料117a和第二沉積材料117b的混合物來形成薄膜，該薄膜可以在彩色坐標(biāo)、光學(xué)效率、驅(qū)動電壓以及壽命方面展示改進(jìn)的特性。第一沉積源噴嘴單元130可包括反射器114、114a、114b和114c以及冷卻板116， 第二沉積源噴嘴單元140可包括反射器124、124a、124b和124c以及冷卻板126。具體地，第一沉積源噴嘴單元130可包括上部反射器114、第一突出反射器114a、 第二突出反射器114b、第三突出反射器114c、以及冷卻板116。上部反射器114可被配置在第一沉積源110和加熱器112上。上部反射器114可防止或基本防止由加熱器112產(chǎn)生的熱發(fā)射到外部。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一和第二突出反射器114a和114b從上部反射器 114的端部并朝向圖案化縫隙片150延伸。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一和第二突出反射器114a 和114b被配置成彼此遠(yuǎn)離預(yù)定的距離以與多個(gè)第一沉積源噴嘴113平行。多個(gè)第一沉積源噴嘴113被設(shè)置在第一突出反射器114a和第二突出反射器114b之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，第三突出反射器114c從第一突出反射器114a的一個(gè)端部和第二突出反射器114b的一個(gè)端部延伸，以連接第一突出反射器114a和第二突出反射器114b。在一個(gè)實(shí)施方式中，第三突出反射器114c被形成為使鄰近第二沉積源120的、第一突出反射器114a的一個(gè)端部和鄰近第二沉積源120的、第二突出反射器114b的一個(gè)端部連接。第一至第三突出反射器 114a、114b、以及114c的高度可以等于或者大于多個(gè)第一沉積源噴嘴113的高度。從多個(gè)第一沉積源噴嘴113排放的第一沉積材料117a中的一些可流至冷卻板 116。流至冷卻板116的第一沉積材料117a被硬化，而且沉積過程越長，冷卻板116上的第一沉積材料117a可能越硬，越會阻塞多個(gè)第一沉積源噴嘴113。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式， 多個(gè)第一沉積源噴嘴113朝向多個(gè)第二沉積源噴嘴123傾斜。然而，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，由于第一至第三突出反射器114a至114c包圍多個(gè)第一沉積源噴嘴113，所以可防止或基本防止多個(gè)第一沉積源噴嘴113被冷卻板116上硬化并生長的第一沉積材料117a阻塞。第二沉積源噴嘴單元140可包括上部反射器124、第四突出反射器124a、第五突出反射器124b、第六突出反射器124c以及冷卻板126。上部反射器124被配置在第二沉積源 120和加熱器122上。上部反射器124可防止或基本防止由加熱器122產(chǎn)生的熱發(fā)射到外部。在一個(gè)實(shí)施方式中，第四和第五突出反射器124a和124b從上部反射器124的一個(gè)端部朝向圖案化縫隙片150延伸。在一個(gè)實(shí)施方式中，第四和第五突出反射器124a和124b被配置成彼此遠(yuǎn)離預(yù)定的距離以與多個(gè)第二沉積源噴嘴123平行。多個(gè)第二沉積源噴嘴123 被設(shè)置在第四和第五突出反射器124a和124b之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，第六突出反射器 124c從第四突出反射器124a的一個(gè)端部和第五突出反射器124b的一個(gè)端部延伸，以連接第四突出反射器124a和第五突出反射器124b。具體來說，第六突出反射器124c被形成為使鄰近第一沉積源110的、第四突出反射器124a的一個(gè)端部和鄰近第一沉積源110的、第五突出反射器124b的一個(gè)端部連接。第四至第六突出反射器124a、124b以及124c的高度可以等于或者大于多個(gè)第二沉積源噴嘴123的高度。從多個(gè)第二沉積源噴嘴123排放的第二沉積材料117b中的一些可流至冷卻板 126。流至冷卻板126的第二沉積材料117b被硬化，而且沉積過程越長，冷卻板126上的第二沉積材料117b可能越硬，越會阻塞多個(gè)第二沉積源噴嘴123。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式， 多個(gè)第二沉積源噴嘴123朝向多個(gè)第一沉積源噴嘴113傾斜。然而，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，由于第四至第六突出反射器124a至124c包圍多個(gè)第二沉積源噴嘴123，所以防止或基本防止多個(gè)第二沉積源噴嘴123被冷卻板126上硬化并生長的第二沉積材料117b阻塞。圖2C是圖I中的沉積源的修改示例的橫截面圖。圖2D是示出沉積有沉積材料的沉積源噴嘴123"的下部的照片。參見圖2C，第二沉積源噴嘴123'的下端部分均具有彎曲表面123 ' a。換句話說，不同于圖2B所示的第二沉積源噴嘴123，在第二沉積源噴嘴123'中，通過外側(cè)表面 123' c和內(nèi)側(cè)表面123' b形成的下端部分均具有彎曲表面123' a。另外，盡管未示出， 第一沉積源噴嘴的下端部分均可具有彎曲表面。相反，參見圖2D，與均具有彎曲表面123' a的第二沉積源噴嘴123'的下端部分不同，第二沉積源噴嘴123"的下端部分具有拐角(corner)。因此，當(dāng)沉積材料117'通過第二沉積源噴嘴123"排放時(shí)，沉積材料117'被連續(xù)沉積在第二沉積源噴嘴123"的具有拐角的下端部分處。因此，第二沉積源噴嘴123"的下端部分可能被沉積材料117'阻塞。圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的沉積源20的示意性立體圖。圖3中的沉積源 20與圖I中的沉積源10的相同之處在于第一突出反射器114a和第二突出反射器114b被配置在第一沉積源噴嘴單元230的第一沉積源噴嘴113的兩側(cè)，而且第四突出反射器124a 和第五突出反射器124b被配置在第二沉積源噴嘴單元240的第二沉積源噴嘴123的兩側(cè)， 但是與沉積源10的不同之處在于在第一沉積源噴嘴單元230和第二沉積源噴嘴單元240 中分別形成有第一虛擬噴嘴113a和第二虛擬噴嘴123a，而不是沉積源10所包括的第三和第六突出反射器114c和124c。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一和第二突出反射器114a和114b被配置為彼此遠(yuǎn)離預(yù)定的距離以與多個(gè)第一沉積源噴嘴113平行。多個(gè)第一沉積源噴嘴113被設(shè)置在第一突出反射器114a和第二突出反射器114b之間。第一和第二突出反射器114a和114b的高度可以等于或者大于多個(gè)第一沉積源噴嘴113的高度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，在多個(gè)第一沉積源噴嘴113中，第一虛擬噴嘴113a最靠近第二沉積源120，并且第一虛擬噴嘴113a中沒有孔。由于第一虛擬噴嘴113a不具有孔，包含在第一沉積源110中的沉積材料不通過第一虛擬噴嘴113a排放。在圖I的沉積源10的多個(gè)第一沉積源噴嘴113之中的第一個(gè)沉積源噴嘴最可能被沉積材料阻塞，但是在圖3的沉積源20中，在多個(gè)第一沉積源噴嘴113之中的第一個(gè)沉積源噴嘴是第一虛擬噴嘴113a，因此不會被沉積材料阻塞。在一個(gè)實(shí)施方式中，第四和第五突出反射器124a和124b被配置為彼此遠(yuǎn)離預(yù)定的距離以與多個(gè)第二沉積源噴嘴123平行。多個(gè)第二沉積源噴嘴123被設(shè)置在第四突出反射器124a和第五突出反射器124b之間。第四和第五突出反射器124a和124b的高度可以等于或者大于多個(gè)第二沉積源噴嘴123的高度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，在多個(gè)第二沉積源噴嘴123中，第二虛擬噴嘴123a最靠近第一沉積源110，并且第二虛擬噴嘴123a中沒有孔。由于第二虛擬噴嘴123a不具有孔，包含在第二沉積源120中的沉積材料不通過第二虛擬噴嘴123a排放。在圖I的沉積源10的多個(gè)第二沉積源噴嘴123之中的第一個(gè)沉積源噴嘴最可能被沉積材料阻塞，但是在圖3的沉積源20中，在多個(gè)第二沉積源噴嘴123之中的第一個(gè)沉積源噴嘴是第二虛擬噴嘴123a，因此不會被沉積材料阻塞。圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)層沉積裝置100的示意性立體圖。圖5是圖 4中的有機(jī)層沉積裝置100的示意性側(cè)視橫截面圖。圖6是圖4中的有機(jī)層沉積裝置100 的示意性前視橫截面圖。參見圖4至圖6,根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)層沉積裝置100包括第一沉積源110、 第二沉積源120、第一沉積源噴嘴單元130、第二沉積源噴嘴單元140以及圖案化縫隙片 150。盡管出于清晰的考慮在圖4至圖6中沒有示出腔室，但是有機(jī)層沉積裝置100的所有部件均可設(shè)置在維持有適當(dāng)真空度的腔室內(nèi)。該腔室可被維持在適當(dāng)?shù)恼婵障?，以便允許第一和第二沉積材料117a和117b以大致直線移動通過有機(jī)層沉積裝置100。具體來說，為了使從第一和第二沉積源110和120發(fā)射、并通過第一和第二沉積源噴嘴單元130和140以及圖案化縫隙片150排放的第一和第二沉積材料117a和117b以所需圖案沉積在襯底400上，需要如利用精細(xì)金屬掩模(FMM)的沉積方法一樣將腔室維持在高真空狀態(tài)。此外，圖案化縫隙片150的溫度應(yīng)該足夠低于第一和第二沉積源110和120 的溫度。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖案化縫隙片150的溫度可以為約100°C或更低。圖案化縫隙片150的溫度應(yīng)該足夠低，以便減少圖案化縫隙片150的熱膨脹。作為沉積目標(biāo)襯底的襯底400被設(shè)置在腔室中。襯底400可以為用于平板顯示器的襯底。用于制造多個(gè)平板顯示器的大襯底例如母體玻璃可以被用作襯底400。還可以采用其它類型的襯底。在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)襯底400相對于有機(jī)層沉積裝置100移動時(shí)執(zhí)行沉積。具體來說，在利用FMM的傳統(tǒng)的沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸必須等于襯底的尺寸。因此，當(dāng)襯底變得更大時(shí)FMM的尺寸不得不增加，而無論是直接制造大的FMM還是將FMM延伸均難以與圖案精確對準(zhǔn)。為了克服這個(gè)問題，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)層沉積裝置100中，可在有機(jī)層沉積裝置100或襯底400相對于彼此移動時(shí)執(zhí)行沉積。換句話說，可以在被配置以面向有機(jī)層沉積裝置100的襯底400移動(例如，在Y軸方向)時(shí)連續(xù)執(zhí)行沉積。換句話說， 當(dāng)襯底400移動(例如，在圖4中箭頭A的方向)時(shí)，沉積可以以掃描方式執(zhí)行。另外，盡管襯底400被示出為當(dāng)執(zhí)行沉積時(shí)在圖4中的Y軸方向移動，但是本發(fā)明的實(shí)施方式不限于如此。例如，在另一實(shí)施方式中，可以在有機(jī)層沉積組件100移動(例如,在Y軸方向)、 而襯底400固定時(shí)執(zhí)行沉積。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)層沉積裝置100中，圖案化縫隙片150可以明顯小于傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM。換句話說，在根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)層沉積裝置100 中，當(dāng)襯底400在Y軸方向移動時(shí)連續(xù)執(zhí)行沉積，即，以掃描方式。因此，在X軸和Y軸方向上的圖案化縫隙片150的長度可以明顯小于在X軸和Y軸方向上的襯底400的長度。如上所述，由于圖案化縫隙片150可以形成為明顯小于傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM，所以相對容易制造圖案化縫隙片150。換句話說，與利用大的FMM的傳統(tǒng)沉積方法相比，在包括蝕刻和其它后續(xù)工藝(例如，精確延長、焊接、移動以及清潔工藝)的所有工藝中利用小于傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM的圖案化縫隙片150更方便。這一點(diǎn)尤其有利于制造相對大的顯示裝置。為了如上所述當(dāng)有機(jī)層沉積裝置100或襯底400相對彼此移動時(shí)執(zhí)行沉積，有機(jī)層沉積裝置100和襯底400可以彼此隔開預(yù)定的距離。這一點(diǎn)稍后將更詳細(xì)地描述。分別包含并加熱第一和第二沉積材料117a和117b的第一和第二沉積源110和 120被設(shè)置在腔室中與設(shè)置襯底400的側(cè)面相對的側(cè)面。當(dāng)包含在第一和第二沉積源110 和120中的第一和第二沉積材料117a和117b被蒸發(fā)時(shí)，第一和第二沉積材料117a和117b 被沉積在襯底400上。具體地，第一沉積源110可包含主體材料如第一沉積材料117a，第二沉積源120可包含摻雜物材料如第二沉積材料117b。也就是說，由于主體材料和摻雜物材料在不同的溫度下蒸發(fā)，所以第一和第二沉積源110和120以及第一和第二沉積源噴嘴單元130和140 被提供以同時(shí)沉積主體材料和摻雜物材料。具體來說，分別包含并加熱主體材料和摻雜物材料的第一和第二沉積源110和 120被設(shè)置在腔室中與設(shè)置襯底400的側(cè)面相對的側(cè)面。當(dāng)包含在第一和第二沉積源110 和120中的主體材料和摻雜物材料被蒸發(fā)時(shí)，主體材料和摻雜物材料被沉積在襯底400上。 具體來說，第一沉積源110包括裝有主體材料的坩堝111以及加熱器112，加熱器112加熱坩堝111以朝坩堝111的側(cè)面蒸發(fā)坩堝111中所包含的主體材料，具體朝第一沉積源噴嘴單元130蒸發(fā)主體材料。第二沉積源120包括裝有摻雜物材料的坩堝121以及加熱器122， 加熱器122加熱坩堝121以朝坩堝121的側(cè)面蒸發(fā)坩堝121中所包含的摻雜物材料，具體朝第二沉積源單元140蒸發(fā)摻雜物材料。主體材料的示例可包括三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、9，10_ 二(萘_2_基) 蒽(AND)、3_ 叔丁 基-9，10- 二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4，4’ -雙(2，2- 二苯基-乙烯-I-基)-4，4’ -二甲基苯基(DPVBi)、4，4，-雙(2，2-二苯基-乙烯-I-基)_4，4’ -二甲基苯基(p-DMDPVBi)、四(9，9_ 二芳基芴)(TDAF)、2-(9，9’ -螺二芴-2-基)-9，9’ -螺二芴(BSDF)、2，7-雙(9，9，-螺二芴-2-基)-9，9’ -螺二芴(TSDF)、雙(9，9-二芳基芴) (BDAF)、4，4，-雙(2，2-二苯基-乙烯-I-基)_4，4’ -二 _(叔丁基)苯基(p-TDPVBi),
1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)、l，3，5-三(咔唑 _9_ 基)苯(tCP)、4，4’，4” -三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4，4，-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、4，4，-雙(9-咔唑基)-2， 2' -二甲基-聯(lián)苯(CBDP)、4，4’-雙(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、4，4’_雙 (咔唑-9-基)-9，9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP)、4，4，-雙(咔唑-9-基)-9， 9- 二-甲苯基-芴(DPFL-CBP)、9，9_ 雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)等。摻雜物材料的示例可包括4，4’ -雙[4_( 二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯 (DPAVBi)、9,10- 二 -(蔡 ~2~ 基)惠(ADN)、3_ 叔丁基-9,10- 二(蔡 ~2~ 基)惠(TBADN)
等
權(quán)利要求
1.一種沉積源,包括第一沉積源和第二沉積源，均沿第一方向設(shè)置；第一沉積源噴嘴單元，位于所述第一沉積源的側(cè)面，并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第一沉積源噴嘴；第二沉積源噴嘴單元，位于所述第二沉積源的側(cè)面，并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第二沉積源噴嘴；一對第一突出反射器，被設(shè)置在所述多個(gè)第一沉積源噴嘴的相對兩側(cè)，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴位于所述第一突出反射器之間；以及一對第二突出反射器，被設(shè)置在所述多個(gè)第二沉積源噴嘴的相對兩側(cè)，其中所述多個(gè)第二沉積源噴嘴位于所述第二突出反射器之間，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述多個(gè)第二沉積源噴嘴朝向彼此傾斜。
2.如權(quán)利要求I所述的沉積源，其中從所述第一沉積源排放主體材料，從所述第二沉積源排放摻雜物材料。
3.如權(quán)利要求I所述的沉積源，進(jìn)一步包括第三突出反射器，所述第三突出反射器連接所述第一突出反射器中的一個(gè)的一端和所述第一突出反射器中的另一個(gè)的一端。
4.如權(quán)利要求3所述的沉積源，其中所述第一突出反射器中的一個(gè)的所述一端和所述第一突出反射器中的另一個(gè)的所述一端均鄰近所述第二沉積源。
5.如權(quán)利要求I所述的沉積源，進(jìn)一步包括第四突出反射器，所述第四突出反射器連接所述第二突出反射器中的一個(gè)的一端和所述第二突出反射器中的另一個(gè)的一端。
6.如權(quán)利要求5所述的沉積源，其中所述第二突出反射器中的一個(gè)的所述一端和所述第二突出反射器中的另一個(gè)的所述一端均鄰近所述第一沉積源。
7.如權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第一突出反射器的高度大于或者等于所述第一沉積源噴嘴的高度。
8.如權(quán)利要求I所述的沉積源，其中所述第二突出反射器的高度大于或者等于所述第二沉積源噴嘴的高度。
9.如權(quán)利要求I所述的沉積源，其中在所述多個(gè)第一沉積源噴嘴之中最靠近所述第二沉積源的沉積源噴嘴是虛擬噴嘴，并且所述虛擬噴嘴中沒有孔，以使得所述第一沉積源中包含的沉積材料不能夠通過所述虛擬噴嘴排放。
10.如權(quán)利要求I所述的沉積源，其中在所述多個(gè)第二沉積源噴嘴之中最靠近所述第一沉積源的沉積源噴嘴是虛擬噴嘴，并且所述虛擬噴嘴中沒有孔，以使得所述第二沉積源中包含的沉積材料不能夠通過所述虛擬噴嘴排放。
11.一種有機(jī)層沉積裝置，用于在襯底上形成薄膜，所述裝置包括沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，位于所述沉積源的側(cè)面，并且包括在第一方向設(shè)置的多個(gè)沉積源噴嘴；以及圖案化縫隙片，位于所述沉積源噴嘴單元的對面，并且具有在與所述第一方向垂直的第二方向設(shè)置的多個(gè)圖案化縫隙，其中所述襯底能夠在所述第一方向相對于所述有機(jī)層沉積裝置移動以用于執(zhí)行沉積， 其中所述沉積源包括第一沉積源和第二沉積源，以用于排放不同的材料，并且其中所述沉積源噴嘴單元包括第一沉積源噴嘴單元，位于所述第一沉積源的側(cè)面，并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第一沉積源噴嘴；以及第二沉積源噴嘴單元，位于所述第二沉積源的側(cè)面，并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第二沉積源噴嘴，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述多個(gè)第二沉積源噴嘴傾斜預(yù)定的角度。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中從所述第一沉積源排放主體材料，從所述第二沉積源排放摻雜物材料。
13.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第一沉積源和所述第二沉積源均沿所述第一方向設(shè)置。
14.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第一沉積源噴嘴單元進(jìn)一步包括設(shè)置在所述多個(gè)第一沉積源噴嘴的相對兩側(cè)的第一突出反射器和第二突出反射器，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴位于所述第一突出反射器與所述第二突出反射器之間。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，進(jìn)一步包括第三突出反射器，所述第三突出反射器連接所述第一突出反射器的一端和所述第二突出反射器的一端。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中所述第一突出反射器的所述一端和所述第二突出反射器的所述一端均鄰近所述第二沉積源。
17.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述第一突出反射器和所述第二突出反射器的高度大于或者等于所述第一沉積源噴嘴的高度。
18.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中在所述多個(gè)第一沉積源噴嘴之中最靠近所述第二沉積源的沉積源噴嘴是虛擬噴嘴并且所述虛擬噴嘴中沒有孔，以使得所述第一沉積源中包含的沉積材料不能夠通過所述虛擬噴嘴排放。
19.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第二沉積源噴嘴單元進(jìn)一步包括設(shè)置在所述多個(gè)第二沉積源噴嘴的相對兩側(cè)的第四突出反射器和第五突出反射器，其中所述多個(gè)第二沉積源噴嘴位于所述第四突出反射器與所述第五突出反射器之間。
20.如權(quán)利要求19所述的裝置，進(jìn)一步包括第六突出反射器，所述第六突出反射器連接所述第四突出反射器的一端和所述第五突出反射器的一端。
21.如權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述第四突出反射器的所述一端和所述第五突出反射器的所述一端均鄰近所述第一沉積源。
22.如權(quán)利要求19所述的裝置，其中所述第四突出反射器和所述第五突出反射器的高度大于或者等于所述第二沉積源噴嘴的高度。
23.如權(quán)利要求19所述的裝置，其中在所述多個(gè)第二沉積源噴嘴之中最靠近所述第一沉積源的沉積源噴嘴是虛擬噴嘴并且所述虛擬噴嘴中沒有孔，以使得所述第二沉積源中包含的沉積材料不能夠通過所述虛擬噴嘴排放。
24.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元、以及所述圖案化縫隙片形成為一體。
25.如權(quán)利要求11所述的裝置，進(jìn)一步包括至少一個(gè)連接部件，所述至少一個(gè)連接部件被連接于所述沉積源噴嘴單元與所述圖案化縫隙片之間，所述至少一個(gè)連接部件被配置成引導(dǎo)所述沉積材料的移動。
26.如權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述至少一個(gè)連接部件被形成為密封所述沉積源、所述沉積源噴嘴單元與所述圖案化縫隙片之間的空間。
27.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述裝置與所述襯底隔開一定距離。
28.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中當(dāng)所述襯底在所述第一方向相對于所述裝置移動時(shí)，所述沉積材料被連續(xù)沉積在所述襯底上。
29.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述圖案化縫隙片小于所述襯底。
30.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中從所述第一沉積源排放的主體材料中的至少一部分與從所述第二沉積源排放的摻雜物材料中的至少一部分混合。
31.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第一沉積源和所述第二沉積源均設(shè)置在所述第一方向上以使彼此平行。
32.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述第二沉積源噴嘴面向彼此傾斜。
33.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述多個(gè)第二沉積源噴嘴以從所述第一沉積源排放的主體材料與從所述第二沉積源排放的摻雜物材料的混合比在整個(gè)所述襯底上被維持恒定的方式傾斜。
34.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第一沉積源和所述第二沉積源是線性沉積源。
35.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)層沉積裝置，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴或者所述多個(gè)第二沉積源噴嘴中的至少一個(gè)的沉積源噴嘴的下端部分具有彎曲表面。
全文摘要
一種沉積源和有機(jī)層沉積裝置，其可以簡單地用于制造大規(guī)模的大尺寸顯示裝置，并且可以防止或者基本防止沉積源噴嘴在沉積材料的沉積過程中被阻塞，從而提高制造產(chǎn)量和沉積效率。沉積源包括具有多個(gè)第一沉積源噴嘴的第一沉積源；以及具有多個(gè)第二沉積源噴嘴的第二沉積源，其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述多個(gè)第二沉積源噴嘴朝向彼此傾斜。
文檔編號C23C14/12GK102586738SQ20121000839
公開日2012年7月18日 申請日期2012年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者崔永默, 康熙哲, 李東規(guī), 金綵雄, 金茂顯 申請人:三星移動顯示器株式會社