沉積設(shè)備及利用該沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法
【專利摘要】公開了一種沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括：腔體，基底放置單元，位于所述腔體中并且在其上放置基底；以及濺射單元，用于在基底上形成薄膜。濺射單元包括第一靶材單元和面對第一靶材單元的第二靶材單元。一對靶材安裝在第一靶材單元和第二靶材單元上。氬氣直接注入到一對靶材之間。因此，可以更有效且穩(wěn)定地形成等離子體。還公開了一種利用所述沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
【專利說明】沉積設(shè)備及利用該沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法
[0001]本申請要求于2013年2月12日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0014976號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請的內(nèi)容通過參考被全部包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面涉及一種沉積設(shè)備及一種利用該沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是包括空穴注入電極、電子注入電極和形成在它們之間并且包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的自發(fā)射顯示設(shè)備。在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，當(dāng)通過空穴注入電極注入的空穴和通過電子注入電極注入的電子在有機(jī)發(fā)射層結(jié)合時(shí)產(chǎn)生的激子從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)，此時(shí)產(chǎn)生光。
[0004]作為自發(fā)射顯示設(shè)備的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備不需要額外的光源，因此可以以低電壓驅(qū)動(dòng)并且制造得輕且薄，并具有諸如寬視角、高對比度和快速響應(yīng)速度的高性能。因此，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備作為下一代顯示設(shè)備已經(jīng)受到關(guān)注。然而，由于有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的性能可能會(huì)因?yàn)橥饨绲臐駳夂脱醵嘶?，所以?yīng)該將OLED密封以保護(hù)使其免于外界的濕氣或
氧等。
[0005]近來，為了制造薄膜和/或柔性有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，已經(jīng)使用薄膜包封層來密封OLED0濺射可以被用作形成這種薄膜包封層的方法。
[0006]濺射是在制造薄膜晶體管(TFT)液晶顯示器(IXD)、諸如有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備的平板顯示設(shè)備或者各種電子裝置期間在膜形成工藝中使用的代表性方法，并且以寬的應(yīng)用范圍的干法工藝技術(shù)著稱。然而，當(dāng)使用濺射時(shí)，由于在靶材和帶電荷粒子之間的連續(xù)碰撞而使靶材的溫度升高，從而阻礙了膜持續(xù)地形成。另外，由于從腔體的外部引入諸如氬氣的惰性氣體，因此會(huì)使少量的氬氣滲透到薄膜中，從而使所形成的薄膜的性能退化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明實(shí)施例的多個(gè)方面涉及一種具有改善的沉積效率的沉積設(shè)備以及一種利用該沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。本發(fā)明實(shí)施例的多個(gè)方面還涉及包括具有彼此面對的一對靶材的濺射單元的沉積設(shè)備以及一種利用該沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種沉積設(shè)備，包括:腔體；基底放置單元，位于所述腔體中并且將要在其上放置基底；以及濺射單元，用于在基底上形成薄膜。濺射單元包括第一靶材單元和面對第一靶材單元的第二靶材單元。第一靶材單元和第二靶材單元分別被構(gòu)造為安裝一對靶材。第一靶材單元和第二靶材單元被構(gòu)造為允許氬氣直接注入到所述一對靶材之間。
[0009]濺射單元還可以包括:第一側(cè)部和第二側(cè)部，彼此面對并接觸第一靶材單元和第二靶材單元的角部；以及下表面部，在與第一靶材單元、第二靶材單元、第一側(cè)部和第二側(cè)部交叉(即，垂直)的方向上延伸?？梢酝ㄟ^在第一側(cè)部、第二側(cè)部和下表面部的至少一個(gè)中形成的進(jìn)氣孔注入氬氣。
[0010]第一靶材單元可以包括用于冷卻安裝在第一靶材單元上的靶材的第一冷卻水流動(dòng)路徑。第二靶材單元可以包括用于冷卻安裝在第二靶材單元上的靶材的第二冷卻水流動(dòng)路徑。第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑可以彼此分開，以使冷卻水獨(dú)立地循環(huán)。
[0011]第三冷卻水流動(dòng)路徑可以形成在第一側(cè)部中，第四冷卻水流動(dòng)路徑可以形成在第二側(cè)部中，第五冷卻水流動(dòng)路徑可以形成在下表面部中。
[0012]第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑可以彼此連接，并且第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑被構(gòu)造為獨(dú)立于第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑使冷卻水循環(huán)。
[0013]第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑中的一個(gè)可以連接到第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑中的一個(gè)，第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑中的另兩個(gè)冷卻水流動(dòng)路徑可以連接到第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑中的另一個(gè)冷卻水流動(dòng)路徑。
[0014]第一靶材單元和第二靶材單元中的每個(gè)還可以包括在其靶材后側(cè)的磁場產(chǎn)生器。第一靶材單元的磁場 產(chǎn)生器和第二靶材單元的磁場產(chǎn)生器可以被設(shè)置成使得它們的磁極彼此相對。
[0015]濺射單元可以位于腔體的外部。
[0016]一對靶材可以包含低液相線溫度材料。
[0017]低液相線溫度材料可以包括從由錫氟磷酸鹽玻璃、硫?qū)倩衔锊Ａ?、亞碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃和磷酸鹽玻璃組成的組中選擇的至少一種。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括:腔體；基底放置單元，位于所述腔體中并在其上放置基底；以及濺射單元，用于在基底上形成薄膜。濺射單元可以具有其上端開口的長方體形狀，并且可以包括第一靶材單元和面對第一靶材單元的第二靶材單元。第一靶材單元和第二靶材單元被分別構(gòu)造為安裝一對靶材。第一靶材單元和第二靶材單元被構(gòu)造為允許氬氣被直接注入到所述一對靶材之間。
[0019]低液相線溫度材料可以包括從由錫氟磷酸鹽玻璃、硫?qū)倩衔锊Ａ?、亞碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃和磷酸鹽玻璃組成的組中選擇的至少一種。
[0020]濺射單元還可以包括:第一側(cè)部和第二側(cè)部，彼此面對并且接觸第一靶材單元和第二靶材單元的角部；以及下表面部，沿著與第一靶材單元、第二靶材單元、第一側(cè)部和第二側(cè)部交叉(即，垂直)的方向延伸?？梢酝ㄟ^在第一側(cè)部、第二側(cè)部和下表面部的至少一個(gè)中形成的進(jìn)氣孔注入氬氣。
[0021]第一靶材單元可以包括用于冷卻安裝在第一靶材單元上的靶材的第一冷卻水流動(dòng)路徑。第二靶材單元可以包括用于冷卻安裝在第二靶材單元上的靶材的第二冷卻水流動(dòng)路徑。第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑可以彼此分開，以使冷卻水獨(dú)立地循環(huán)。
[0022]第三冷卻水流動(dòng)路徑可以形成在第一側(cè)部中，第四冷卻水流動(dòng)路徑可以形成在第二側(cè)部中，第五冷卻水流動(dòng)路徑可以形成在下表面部中。
[0023]第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑可以彼此連接，并且第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑被構(gòu)造為獨(dú)立于第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑使冷卻水循環(huán)。
[0024]第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑中的一個(gè)可以連接到第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑中的一個(gè)，并且第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑中的另兩個(gè)冷卻水流動(dòng)路徑可以連接到第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑中的另一個(gè)冷卻水流動(dòng)路徑。
[0025]濺射單元可以位于腔體的外部。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括:在基底上形成顯示單元；將基底放置在腔體中；以及形成包封膜以密封顯示單元。可以通過利用彼此面對的一對靶材進(jìn)行濺射來執(zhí)行形成包封膜的步驟。一對靶材可以包括低液相線溫度材料。在濺射期間，可以將氬氣直接注入到一對靶材之間。
[0027]可以由濺射單元執(zhí)行濺射，其中，所述濺射單元包括:第一靶材單元和第二靶材單元，在其上將一對靶材分別安裝成彼此面對；第一側(cè)部和第二側(cè)部，彼此面對并且接觸第一靶材單元和第二靶材單元的角部；以及下表面部，沿著與第一靶材單元、第二靶材單元、第一側(cè)部和第二側(cè)部交叉(即，垂直)的方向延伸?？梢酝ㄟ^在第一側(cè)部、第二側(cè)部和下表面部中的至少一個(gè)中形成的進(jìn)氣孔將氬氣注入到一對靶材之間。
[0028]在濺射期間，一對靶材可以被獨(dú)立地冷卻。
[0029]一對靶材可以位于腔體的外部。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]通過參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其他特征及優(yōu)勢將變得更明顯，在附圖中:
[0031]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的沉積設(shè)備的示意性剖視圖；
[0032]圖2是包括在圖1的沉積設(shè)備中的濺射單元的示意性透視圖；
[0033]圖3是圖2的濺射單元的示意性剖視圖；
[0034]圖4中的(A)和(B)均示出當(dāng)靶材冷卻時(shí)靶材的狀態(tài)；
[0035]圖5是圖1的沉積設(shè)備的修改示例的示意性剖視圖；
[0036]圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；
[0037]圖7是包括在圖6的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中的顯示單元的一部分的放大視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]在下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的方面，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為局限于在此闡述的示例性實(shí)施例。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說將顯而易見的是，所述的示例性實(shí)施例覆蓋落入本發(fā)明的范圍內(nèi)的所有修改、等同物和替換物。在以下描述中，如果確定因其不必要的細(xì)節(jié)將使本發(fā)明難以理解，則不詳細(xì)描述公知的功能或構(gòu)造。
[0039]將理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。
[0040]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀睍r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由希蛘呖梢栽谒鼈冎g插入中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀睍r(shí)，不存在中間元件或中間層。
[0041]在附圖中，基本相同或彼此相對應(yīng)的元件被指定了相同的附圖標(biāo)記，并且不進(jìn)行多余的描述。另外，為了清楚起見，可以夸大層和區(qū)域的長度和尺寸。
[0042]如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列的項(xiàng)目的任意和所有組合。當(dāng)諸如“…中的至少一個(gè)(種)”的表述在一系列元件(要素)之后時(shí)，修飾整個(gè)系列的元件(要素)，而不是修飾該系列中的個(gè)別元件(要素)。
[0043]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的沉積設(shè)備100A的示意性剖視圖。圖2是包括在圖1的沉積設(shè)備100A中的濺射單元200的示意性透視圖。圖3是圖2的濺射單元200的示意性剖視圖。
[0044]首先，參照圖1，沉積設(shè)備100A可以包括:腔體110 ;基底放置單元120，放置在腔體110中并且在其上放置基底S ;以及濺射單元200，構(gòu)造為在基底S上形成薄膜。
[0045]腔體110可以在其中容納諸如濺射單元200、基底放置單元120等的元件，并且可以連接到真空泵使得其內(nèi)部可以維持在真空狀態(tài)。
[0046]基底放置單元1 20可以在其上放置了基底S時(shí)將基底S傳遞到腔體110中，并且可以支撐基底S使得基底S面向?yàn)R射單元200。
[0047]濺射單元200通過濺射在基底S上形成薄膜。濺射單元200可以包括第一靶材單元201和面對第一靶材單元201的第二靶材單元202。一對靶材210分別安裝在第一靶材單元201和第二靶材單元202上以彼此面對。在一對靶材210之間直接注入氬(Ar)氣。
[0048]一對靶材210、第一靶材單元201和第二靶材單元202通過電源線電連接到例如直流(DC)電源的電源單元。然而，電源單元不限于DC電源，而可以是利用直流偏移電壓形成的射頻(RF)電源或者DC脈沖電源。
[0049]當(dāng)在一對靶材210、第一靶材單元201和第二靶材單元202之間供電時(shí)，在圖3的彼此面對的一對靶材210之間的空間270中發(fā)生放電，由此使氬氣電離以形成等離子體。
[0050]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于在一對靶材210之間直接注入氬氣，所以可以穩(wěn)定地形成等離子體以防止氬氣碰撞形成在基底S上的薄膜并滲透到形成在基底S上的薄膜中，從而抑制薄膜的性質(zhì)受到氬氣的影響。
[0051]現(xiàn)在將參照圖2和圖3更詳細(xì)地描述濺射單元200。
[0052]參照圖2和圖3，濺射單元200可以具有上端開口的長方體形狀。更具體地講，濺射單元200可以包括:第一靶材單元201 ;第二靶材單元202，面對第一靶材單元201 ;第一側(cè)部203，接觸第一靶材單元201和第二靶材單元202的角部；第二側(cè)部204，面對第一側(cè)部203并且接觸第一靶材單元201和第二靶材單元202的角部；以及下表面部205，沿著與第一靶材單元201、第二靶材單元202、第一側(cè)部203和第二側(cè)部204交叉(例如，垂直)的方向延伸。另外，開口 206可以形成在濺射單元200的上端中。
[0053]第一靶材單元201和第二靶材單元202均可以包括一對靶材210中的一個(gè)靶材、起陽極作用的屏蔽單元220和產(chǎn)生磁場的磁場產(chǎn)生器215。另外，由于第一靶材單元201包括第一冷卻水流動(dòng)路徑231并且第二靶材單元202包括第二冷卻水流動(dòng)路徑235，所以一對靶材210可以獨(dú)立地冷卻。
[0054]一對靶材210由將要形成在基底S上的材料形成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，靶材210可以包括低液相線溫度材料。更具體地講，靶材210可以包括從由錫氟磷酸鹽玻璃、硫?qū)倩衔锊Ａ?、亞碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃和磷酸鹽玻璃組成的組中選擇的至少一種。利用靶材210形成的薄膜被用于形成包括在圖6的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10 (下面將描述)中的圖6的包封層500。
[0055]屏蔽單元220設(shè)置在靶材210的前邊緣，接地而起著陽極的作用。屏蔽單元220與靶材210稍微分隔開，并且可以被加工成使得其表面不被濺射。
[0056]磁場產(chǎn)生器215可以設(shè)置在靶材210的后側(cè)。更具體地講，磁場產(chǎn)生器215可以由諸如鐵素體或者釹基磁體(例如，釹、鐵、硼等)或釤鈷基磁體的鐵磁體形成，并且可以沿著靶材210的外壁設(shè)置。另外，磁場產(chǎn)生器215可以位于靶材210的后表面上，并且可以通過插入到由絕緣體形成的主塊體240中而被固定。
[0057]第一祀材單兀201的磁場產(chǎn)生器215和第二祀材單兀202的磁場產(chǎn)生器215被設(shè)置成使得它們的磁極彼此相對。因此，形成連接一對靶材210的磁場，并且可以將等離子體區(qū)域限制到一對靶材210之間的空間270。
[0058]雖然未示出，但是聯(lián)板(yoke plate)可以位于一對靶材210的每個(gè)后表面上。聯(lián)板允許由磁場產(chǎn)生器215形成的磁場均勻地分布在一對祀材210之間的空間270中。聯(lián)板可以由可因磁場產(chǎn)生器215而具有磁性性質(zhì)的材料形成，例如，由包括鐵、鈷、鎳和其合金中的任一種的磁鐵體形成。 [0059]在操作中，可以通過對起著陰極作用的一對靶材210供電并且注入例如對一對靶材210來說是惰性氣體的氬氣來執(zhí)行濺射。更具體地講,當(dāng)對彼此面對的一對靶材210施加負(fù)電壓時(shí)，在彼此面對的一對靶材210之間的空間270中發(fā)生放電，并且由放電產(chǎn)生的電子與氬氣碰撞以產(chǎn)生氬離子，因此產(chǎn)生等離子體。在這種情況下，氬氣穿過連接到外部罐(未示出)的進(jìn)氣管222，然后通過進(jìn)氣孔221直接注入到一對靶材210之間的空間270中。
[0060]根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例，進(jìn)氣孔221形成在下表面部205中，但是本發(fā)明不限于此。雖然未示出，但是進(jìn)氣孔221可以形成在第一側(cè)部203和/或第二側(cè)部204中，而不是形成在下表面部205中。另外，進(jìn)氣孔221不但可以形成在下表面部205中，而且可以形成在第一側(cè)部203和/或第二側(cè)部204中。即，進(jìn)氣孔221可以形成在第一側(cè)部203、第二側(cè)部204和下表面部205中的至少一個(gè)中。
[0061]如上所述，如果在濺射期間將氬氣直接注入到一對靶材210之間的空間270中，則可以更有效且更穩(wěn)定地形成等離子體并且等離子體可以防止氬氣滲透到在基底S上形成的薄膜中，從而沒有使薄膜的內(nèi)部應(yīng)力增大。另外，通過抑制氬氣與在基底S上的薄膜之間的碰撞，可以防止諸如生長結(jié)構(gòu)的薄膜的特性受到氬氣的影響。
[0062]在濺射期間產(chǎn)生的等離子體因由磁場產(chǎn)生器215產(chǎn)生的磁場而被限制在一對靶材210之間的空間270中，諸如電子、負(fù)離子和正離子的帶電荷粒子在一對靶材210之間沿著磁力線做往復(fù)運(yùn)動(dòng)，并因此被限制在一對靶材210之間的空間270中。另外，被一對靶材210中的一個(gè)濺射的粒子中具有高能量的粒子還朝著另一個(gè)靶材210加速，并且由于具有相對低能量的中性粒子的擴(kuò)散而因此可以在基底S上形成薄膜，而沒有影響垂直于一對靶材210的表面的基底S。因此，可以防止由于基底S和具有高能量的粒子之間的碰撞導(dǎo)致基底S被破壞。
[0063]然而，由于在一對靶材210和等離子體中的離子之間的連續(xù)碰撞而導(dǎo)致一對靶材210的溫度升高。通常，可以在一對靶材210上保留諸如氮、氧和碳?xì)浠衔锏幕钚詺怏w。當(dāng)活性氣體留在一對靶材210上的同時(shí)靶材的溫度升高時(shí)，可能發(fā)生額外的化學(xué)反應(yīng)而在一對靶材210的表面上形成化學(xué)化合物?；瘜W(xué)化合物會(huì)使濺射的速度降低并且引起電弧發(fā)生。為了預(yù)防(counter)該狀況，在濺射期間應(yīng)該將一對靶材210冷卻。
[0064]為此，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的濺射單元200中，第一靶材單元201包括第一冷卻水流動(dòng)路徑231，并且第二靶材單元202包括第二冷卻水流動(dòng)路徑235，以使一對靶材210冷卻。第一冷卻水流動(dòng)路徑231和第二冷卻水流動(dòng)路徑235是分開的以使冷卻水獨(dú)立地循環(huán)，從而獨(dú)立地冷卻一對靶材210。
[0065]例如，第一冷卻水流動(dòng)路徑231連接到通過其流入冷卻水的第一進(jìn)水管232和通過其排出冷卻水的第一排水管234，第二冷卻水流動(dòng)路徑235可以連接到第二進(jìn)水管236和第二排水管238并且與第一冷卻水流動(dòng)路徑231分開。當(dāng)給第一冷卻水流動(dòng)路徑231和第二冷卻水流動(dòng)路徑235提供另外的冷卻水時(shí)，可以使受熱的一對靶材210的溫度有效地降低。
[0066]另外，第三冷卻水流動(dòng)路徑可以形成在第一側(cè)部203中，第四冷卻水流動(dòng)路徑可以形成在第二側(cè)部204中，第五冷卻水流動(dòng)路徑可以形成在下表面部205中。在這種情況下，第三冷卻水流動(dòng)路徑 、第四冷卻水流動(dòng)路徑和第五冷卻水流動(dòng)路徑可以彼此連接，冷卻水可以在其中獨(dú)立于第一冷卻水流動(dòng)路徑231和第二冷卻水流動(dòng)路徑235循環(huán)。即，三條冷卻循環(huán)線可以形成在濺射單元200中以有效地冷卻一對靶材210。
[0067]第三至第五冷卻水流動(dòng)路徑中的一個(gè)可以連接到第一冷卻水流動(dòng)路徑231和第二冷卻水流動(dòng)路徑235中的一個(gè)，并且其他兩個(gè)冷卻水流動(dòng)路徑可以連接到另一個(gè)冷卻水流動(dòng)路徑231或235，從而在濺射單元200中形成兩個(gè)獨(dú)立的冷卻循環(huán)線。
[0068]例如，流到第一冷卻水流動(dòng)路徑231中的冷卻水經(jīng)由在第一側(cè)部203中形成的第三冷卻水流動(dòng)路徑形成一個(gè)冷卻循環(huán)線，流到第二冷卻水流動(dòng)路徑232中的冷卻水經(jīng)由在第二側(cè)部204中形成的第四冷卻水流動(dòng)路徑和在下表面部205中形成的第五冷卻水流動(dòng)路徑形成另一個(gè)冷卻循環(huán)線。在這種情況下，連接到第一冷卻水流動(dòng)路徑231的第一排水管234可以形成為連接到第三冷卻水流動(dòng)路徑，連接到第二冷卻水流動(dòng)路徑235的第二排水管238可以形成為連接到第五冷卻水流動(dòng)路徑。
[0069]然而，本發(fā)明不限于此，濺射單元200可以被構(gòu)造為具有各種其他合適的冷卻循環(huán)線的任一種。然而，構(gòu)造為分別冷卻一對靶材210的第一冷卻水流動(dòng)路徑231和第二冷卻水流動(dòng)路徑235應(yīng)該彼此分開，并且流入的冷卻水應(yīng)當(dāng)在流入到第一冷卻水流動(dòng)路徑231和第二冷卻水流動(dòng)路徑235中時(shí)循環(huán)，以有效地冷卻一對靶材210。
[0070]下面的表1示出了:在濺射單元200中形成三個(gè)冷卻循環(huán)線的情況(示例1)，在濺射單元200中形成一個(gè)冷卻循環(huán)線的情況(比較示例1)，以及在每種情況中一對靶材210的狀態(tài)。圖4中的(A)和(B)示出根據(jù)表1的一對靶材210的狀態(tài)。這里，比較示例I示出一個(gè)冷卻循環(huán)線，冷卻水在該冷卻循環(huán)線中流到第一冷卻水流動(dòng)路徑231中，順序地穿過第三至第五冷卻水流動(dòng)路徑，然后經(jīng)由第二冷卻水流動(dòng)路徑235排出。具體地講，圖4中的(A)示出根據(jù)本發(fā)明的示例I的一對靶材210的狀態(tài)，圖4中的(B)示出根據(jù)比較示例I的一對靶材210的狀態(tài)。這里，使用的一對靶材210由包含20重量％至80重量％的錫(Sn)、2重量％至20重量％的磷(P)、3重量％至20重量％的氧(O)以及10重量％至36重量％的氟(F)的錫氟磷酸鹽玻璃形成。
[0071]表1
[0072]
【權(quán)利要求】
1.一種沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括: 腔體； 基底放置單元，位于所述腔體中，并且將基底放置在基底放置單元上；以及 濺射單元，用于在基底上形成薄膜， 其中，濺射單元包括第一靶材單元和面對第一靶材單元的第二靶材單元， 第一靶材單元和第二靶材單元被分別構(gòu)造為安裝一對靶材，以及 第一靶材單元和第二靶材單元被構(gòu)造為允許氬氣直接注入到所述一對靶材之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中，濺射單元還包括: 第一側(cè)部和第二側(cè)部，彼此面對并接觸第一靶材單元和第二靶材單元的角部；以及 下表面部，在與第一靶材單元、第二靶材單元、第一側(cè)部和第二側(cè)部交叉的方向上延伸， 氬氣是通過在第一側(cè)部、第二側(cè)部和下表面部的至少一個(gè)中形成的進(jìn)氣孔注入的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積設(shè)備，其中，第一靶材單元包括用于冷卻安裝在第一靶材單元上的靶材的第一冷卻水流動(dòng)路徑， 第二靶材單元包括用于冷卻安裝在第二靶材單元上的靶材的第二冷卻水流動(dòng)路徑， 其中，第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑彼此分開以使冷卻水獨(dú)立地循環(huán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積設(shè)備，其中，第三冷卻水流動(dòng)路徑形成在第一側(cè)部中， 第四冷卻水流動(dòng)路徑形成在第二側(cè)部中，以及 第五冷卻水流動(dòng)路徑形成在下表面部中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的沉積設(shè)備，其中，第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑彼此連接，并且第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑被構(gòu)造為獨(dú)立于第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑使冷卻水循環(huán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的沉積設(shè)備，其中，第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑中的一個(gè)連接到第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑中的一個(gè)，并且第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑中的另兩個(gè)冷卻水流動(dòng)路徑連接到第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑中的另一個(gè)冷卻水流動(dòng)路徑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中，第一靶材單元和第二靶材單元中的每個(gè)還包括在其祀材后側(cè)的磁場產(chǎn)生器， 其中，第一靶材單元的磁場產(chǎn)生器和第二靶材單元的磁場產(chǎn)生器被設(shè)置成使得它們的磁極彼此相對。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中，濺射單元位于腔體的外部。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積設(shè)備，其中，所述一對靶材包含低液相線溫度材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的沉積設(shè)備，其中，低液相線溫度材料包括從由錫氟磷酸鹽玻璃、硫?qū)倩衔锊Ａ?、亞碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃和磷酸鹽玻璃組成的組中選擇的至少一種。
11.一種沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括: 腔體； 基底放置單元，位于所述腔體中，并且將基底放置在基底放置單元上；以及 濺射單元，用于在基底上形成薄膜，其中，濺射單元具有上端開口的長方體形狀，并且包括第一靶材單元和面對第一靶材單元的第二靶材單元， 第一靶材單元和第二靶材單元被分別構(gòu)造為安裝一對靶材，以及 第一靶材單元和第二靶材單元被構(gòu)造為使氬氣被直接注入到所述一對靶材之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的沉積設(shè)備，其中，所述一對靶材包含低液相線溫度材料，低液相線溫度材料包括從由錫氟磷酸鹽玻璃、硫?qū)倩衔锊Ａ?、亞碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃和磷酸鹽玻璃組成的組中選擇的至少一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的沉積設(shè)備，其中，所述濺射單元還包括: 第一側(cè)部和第二側(cè)部，彼此面對并且接觸第一靶材單元和第二靶材單元的角部；以及 下表面部，沿著與第一靶材單元、第二靶材單元、第一側(cè)部和第二側(cè)部交叉的方向延伸， 氬氣是通過在第一側(cè)部、第二側(cè)部和下表面部的至少一個(gè)中形成的進(jìn)氣孔注入的。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的沉積設(shè)備，其中，第一靶材單元包括用于冷卻安裝在第一靶材單元上的靶材的第一冷卻水流動(dòng)路徑， 第二靶材單元包括用于冷卻安裝在第二靶材單元上的靶材的第二冷卻水流動(dòng)路徑， 其中，第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑彼此分開以使冷卻水獨(dú)立地循環(huán)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的沉積設(shè)備，其中，第三冷卻水流動(dòng)路徑形成在第一側(cè)部中， 第四冷卻水流動(dòng)路徑形成在第二側(cè)部中，以及 第五冷卻水流動(dòng)路徑形成在下表面部中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積設(shè)備，其中，第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑彼此連接，并且第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑被構(gòu)造為獨(dú)立于第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑使冷卻水循環(huán)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積設(shè)備，其中，第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑中的一個(gè)連接到第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑中的一個(gè)，并且第三冷卻水流動(dòng)路徑至第五冷卻水流動(dòng)路徑中的另兩個(gè)冷卻水流動(dòng)路徑連接到第一冷卻水流動(dòng)路徑和第二冷卻水流動(dòng)路徑中的另一個(gè)冷卻水流動(dòng)路徑。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的沉積設(shè)備，其中，濺射單元位于腔體的外部。
19.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括: 在基底上形成顯示單元； 將基底放置在腔體中；以及 形成包封膜以密封顯示單元， 其中，通過利用彼此面對的一對靶材進(jìn)行濺射來執(zhí)行形成包封膜的步驟， 其中，所述一對靶材包括低液相線溫度材料，以及 在濺射期間，將氬氣直接注入到所一對靶材之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，由濺射單元執(zhí)行濺射，其中，所述濺射單元包括: 第一靶材單元和第二靶材單元，在第一靶材單元和第二靶材單元上將所述一對靶材分別安裝成彼此面對； 第一側(cè)部和第二側(cè)部，彼此面對并且接觸第一靶材單元和第二靶材單元的角部；以及下表面部，沿著與第一靶材單元、第二靶材單元、第一側(cè)部和第二側(cè)部交叉的方向延伸；以及 氬氣通過在第一側(cè)部、第二側(cè)部和下表面部中的至少一個(gè)中形成的進(jìn)氣孔直接注入到所述一對靶材之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，在濺射期間，所述一對靶材被獨(dú)立地冷卻。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述一對靶材位于腔體的外部。
【文檔編號】C23C14/34GK103981494SQ201310498599
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2013年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月12日
【發(fā)明者】崔修赫 申請人:三星顯示有限公司