銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層及其制備方法和應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的方法，包括如下步驟：（1）采用貧銅銅銦鎵硒靶材，濺射第一貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層；（2）采用富銅銅銦鎵硒靶材，在第一貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層上濺射富銅銅銦鎵硒預(yù)置層；（3）采用貧銅銅銦鎵硒靶材，在富銅銅銦鎵硒預(yù)置層上濺射第二貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層；（4）熱處理得到銅銦鎵硒吸收層；貧銅銅銦鎵硒靶材中，銅原子與銦和鎵原子數(shù)之和的比為0.5～1.0，即0.5≤Cu/(In+Ga)≤1.0；富銅銅銦鎵硒靶材中，銅原子與銦和鎵原子數(shù)之和的比為1.0～1.5，即1.0≤Cu/(In+Ga)≤1.5。該方法成膜質(zhì)量好，制程簡單，能耗低，污染小，可顯著降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】銅銦鎵砸薄膜太陽能電池吸收層及其制備方法和應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于薄膜太陽能電池【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層及其制備方法和應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人類社會的不斷向前發(fā)展，人類對能源的需求量越來越大，同時，人類也面臨著傳統(tǒng)化石燃料日益枯竭的困境和燃燒化石燃料所帶來的環(huán)境污染問題。因此，為緩解社會發(fā)展與資源銳減、環(huán)境保護(hù)的矛盾，世界各國越來越重視綠色、清潔可再生能源的研究開發(fā)。近年來，太陽能由于清潔無污染、資源豐富受到廣泛地關(guān)注。而太陽能電池為利用太陽能提供了有效手段，具有廣闊的發(fā)展前景。
[0003]目前，在各類太陽能電池中，銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池以其吸光率高、帶隙可調(diào)、轉(zhuǎn)換率高、性能穩(wěn)定以及抗輻射等特性被認(rèn)為是最重要和最具發(fā)展前景的太陽電池之一。由于其優(yōu)良性能和全球巨大的能源需求，全球已有將近50家公司機(jī)構(gòu)投入大量資金和人力進(jìn)行研發(fā)和生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2016年全球CIGS電池的產(chǎn)能將達(dá)4GW，顯示出其巨大的發(fā)展空間。
[0004]當(dāng)前，制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池光吸收層的方法主要有電化學(xué)沉積法、噴涂熱解法、絲網(wǎng)印刷法、共蒸發(fā)法和濺射后硒化法。其中，電化學(xué)沉積法、噴涂熱解法和絲網(wǎng)印刷法的穩(wěn)定性均較差，大面積的薄膜均勻性差，導(dǎo)致制備的吸收層轉(zhuǎn)換效率低，難以實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。利用共蒸發(fā)法制備的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層獲得了較高的轉(zhuǎn)換效率，但是，共蒸發(fā)法要求精確控制Cu、In、Ga、Se四種元素的蒸發(fā)速率和沉積量，對生產(chǎn)設(shè)備的要求很高，就目前的設(shè)備可靠性和制備的工藝水平來看，很難保證大面積條件下多種元素化學(xué)計(jì)量比均勻一致，規(guī)模應(yīng)用受到限制。濺射后硒化法的后硒化過程比較復(fù)雜，通常需要使用有毒氣體H2Se,對環(huán)境和人體健康造成威脅，而且后硒化過程需要在高溫下(450?600°C)進(jìn)行，能耗高。
[0005]為解決上述問題，有些研究機(jī)構(gòu)開始嘗試?yán)么趴貫R射銅銦鎵硒四元單靶的一步法來制備銅銦鎵硒吸收層。但是這種方法制備的吸收層化學(xué)比例容易失調(diào)，在吸收層表面生成高導(dǎo)電的銅硒二次相化合物，致使轉(zhuǎn)換效率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本發(fā)明提供了一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層及其制備方法和應(yīng)用，能有效避免在吸收層表面生成高導(dǎo)電的銅硒二次相化合物，在較低溫度下進(jìn)行，能耗低，不使用有毒氣體，污染小，制得的銅銦鎵硒薄膜晶粒間界少，成膜質(zhì)量好。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本發(fā)明的一個方面，提供了一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟:(1)采用貧銅銅銦鎵硒靶材，濺射第一貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層；(2)采用富銅銅銦鎵硒靶材，在第一貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層上濺射富銅銅銦鎵硒預(yù)置層；(3)采用貧銅銅銦鎵硒靶材，在富銅銅銦鎵硒預(yù)置層上濺射第二貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層；(4)熱處理得到銅銦鎵硒吸收層；所述貧銅銅銦鎵硒靶材中，銅原子與銦和鎵原子數(shù)之和的比為0.5~1.0,即0.5≤Cu/(In+Ga)≤1.0 ;所述富銅銅銦鎵硒靶材中，銅原子與銦和鎵原子數(shù)之和的比為1.0~1.5，即1.0≤Cu/(In+Ga) ≤ 1.5。
[0008]優(yōu)選地，所述第一貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層的厚度為0.40~0.75 μ m,所述富銅銅銦鎵硒預(yù)置層的厚度為0.65~1.20 μ m,所述第二貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層的厚度為0.20~0.40 μ m。
[0009]優(yōu)選地，所述貧銅銅銦鎵硒祀材的成分為:Cu:1n:Ga:Se=16:18.5:7.5:58at.%,所述富銅銅銦鎵硒靶材的成分為:Cu:1n:Ga:Se=25:17.5:7.5:50at.%。
[0010]優(yōu)選地，所述步驟(1)中，濺射條件為:襯底溫度為150~300°C，濺射氣壓為0.4~1.0Pa，功率為100~150W，濺射時間為20~80min。
[0011]優(yōu)選地，所述步驟(2)中，濺射條件為:襯底溫度為200~400°C，濺射氣壓為0.4~1.0Pa，功率為100~150W，濺射時間為40~IOOmin0
[0012]優(yōu)選地，所述步驟(3)中，濺射條件為:襯底溫度為300~400°C，濺射氣壓為0.4~1.0Pa，功率為100~150W，濺射時間為10~40min。
[0013]優(yōu)選地，所述步驟(4)中，熱處理的時間為10~30min。
[0014]按照本發(fā)明的另一個方面，提供了一種用上述方法制備的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層。
[0015]按照本發(fā)明的又一個方面，提供了一種包含上述吸收層的太陽能電池。
[0016]總體而言，通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果:
[0017]1、采用射頻磁控濺射兩塊不同組分的CIGS四元靶材，分別沉積兩層貧銅CIGS預(yù)置層和一層位于這兩層貧銅CIGS預(yù)置層之間的富銅CIGS預(yù)置層，富銅CIGS預(yù)置層中過量的銅元素能夠促進(jìn)CIGS薄膜晶粒的生長，減少晶粒間界，提高光吸收層質(zhì)量。
[0018]2、通過調(diào)整富銅CIGS預(yù)置層的沉積時間，在兩層貧銅CIGS預(yù)置層的調(diào)節(jié)下，使吸收層整體處于貧銅相范圍，避免因銅元素過量在吸收層表面生成高導(dǎo)電的銅硒二次相化合物使PN結(jié)短路，導(dǎo)致電池性能下降，保證電池的轉(zhuǎn)換效率處于較高水平。
[0019]3、采用磁控濺射方法，工藝成熟，制程簡單，可在低溫下進(jìn)行，不使用有毒氣體，能耗低，污染小，可顯著降低生產(chǎn)成本，為銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的產(chǎn)業(yè)化拓寬了思路。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的方法流程圖；
[0021]圖2本發(fā)明實(shí)施例的CIGS吸收層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3是本發(fā)明實(shí)施例1制備的CIGS吸收層的X射線衍射(XRD)圖譜；
[0023]圖4是本發(fā)明實(shí)施例1制備的CIGS吸收層橫斷面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖片；
[0024]圖5是本發(fā)明實(shí)施例2制備的CIGS吸收層的XRD圖譜；
[0025]圖6是本發(fā)明實(shí)施例2制備的CIGS吸收層橫斷面的SEM圖片；
[0026]圖7是本發(fā)明實(shí)施例3制備的CIGS吸收層的XRD圖譜；
[0027]圖8是本發(fā)明實(shí)施例3制備的CIGS吸收層橫斷面的SEM圖片；[0028]圖9是本發(fā)明實(shí)施例4制備的CIGS吸收層的XRD圖譜；
[0029]圖10是本發(fā)明實(shí)施例4制備的CIGS吸收層橫斷面的SEM圖片；
[0030]圖11是本發(fā)明實(shí)施例5制備的CIGS吸收層的XRD圖譜；
[0031]圖12是本發(fā)明實(shí)施例5制備的CIGS吸收層橫斷面的SEM圖片。
[0032]圖1中:1-襯底，2-Mo背電極層，3-第一貧銅CIGS預(yù)置層，4-富銅CIGS預(yù)置層，5-第二貧銅CIGS預(yù)置層，6-熱處理后的CIGS吸收層。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0034]如圖1所示，本發(fā)明的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法包括如下步驟:
[0035](I)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在鍍有Mo背電極的襯底上濺射厚度為0.40~0.75 μ m的第一貧銅CIGS預(yù)置層。
[0036]具體地，濺射條件為:襯底溫度為150~300°C，濺射氣壓為0.4~1.0Pa,功率為100~150W，濺射時間為20~80min。
[0037](2)采用富銅CIGS靶材，使用射頻電源在(I)中得到的第一貧銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為0.65~1.20 μ m的富銅CIGS預(yù)置層。
[0038]具體地，濺射條件為:襯底溫度為200~400°C，濺射氣壓為0.4~1.0Pa,功率為100~150W，濺射時間為40~IOOmin0
[0039](3)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在(2)中得到的富銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為0.20~0.40 μ m的第二貧銅CIGS預(yù)置層。
[0040]具體地，濺射條件為:襯底溫度為300~400°C，濺射氣壓為0.4~1.0Pa,功率為100~150W，濺射時間為10~40min。
[0041]通過上述步驟，在鍍有Mo背電極的襯底上形成了兩層貧銅CIGS預(yù)置層和位于這兩層貧銅CIGS預(yù)置層間的富銅CIGS預(yù)置層，如圖2 Ca)所示。
[0042](4)調(diào)節(jié)襯底溫度，使其與(3)中的襯底溫度一致并保持不變，熱處理10~30min，得到CIGS吸收層，如圖2 (b)所示。
[0043]具體地，貧銅CIGS靶材中，銅原子與銦和鎵原子數(shù)之和的比為0.5~1.0,即0.5≤Cu/(In+Ga)≤1.0，富銅CIGS靶材中，銅原子與銦和鎵原子數(shù)之和的比為1.0~1.5，即 1.0 ≤ Cu/(In+Ga)≤ 1.5。
[0044]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，下面將結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0045]本發(fā)明實(shí)施例的貧銅CIGS靶材的成分為:Cu:1n:Ga:Se=16:18.5:7.5:58at.%，富銅 CIGS 革巴材的成分為:Cu:1n:Ga:Se=25:17.5:7.5:50at.%。
[0046]實(shí)施例1
[0047]銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，包括如下步驟:
[0048](I)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在鍍有Mo背電極的襯底上濺射厚度為0.75 μ m的第一貧銅CIGS預(yù)置層。
[0049]具體地，濺射條件為:襯底溫度為300°C，濺射氣壓為0.4Pa，功率為100W，濺射時間為80min。
[0050](2)采用富銅CIGS靶材，使用射頻電源在(I)中得到的第一貧銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為0.85 μ m的富銅CIGS預(yù)置層。
[0051]具體地，濺射條件為:襯底溫度為400°C，濺射氣壓為0.4Pa，功率為100W，濺射時間為40min。
[0052](3)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在(2)中得到的富銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為0.20 μ m的第二貧銅CIGS預(yù)置層。
[0053]具體地，濺射條件為:襯底溫度為400°C，濺射氣壓為0.4Pa，功率為125W，濺射時間為IOmin。
[0054](4)調(diào)節(jié)襯底溫度，使其與(3)中的襯底溫度一致并保持不變，熱處理lOmin，得到CIGS吸收層。
[0055]本實(shí)施例制備的CIGS吸收層的XRD圖譜如圖3所示，吸收層表現(xiàn)出黃銅礦結(jié)構(gòu)的CIGS相，并且沿(112)面擇優(yōu)生長。圖4為本實(shí)施例制備的CIGS吸收層橫斷面的SEM圖片，可以看到，由于富銅預(yù)置層沉積時間短，導(dǎo)致CIGS吸收層的晶粒較小。
[0056]實(shí)施例2
[0057]銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，包括如下步驟:
[0058](I)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在鍍有Mo背電極的襯底上濺射厚度為0.53 μ m的第一貧銅CIGS預(yù)置層。
[0059]具體地，濺射條件為:襯底溫度為300°C，濺射氣壓為0.4Pa，功率為100W，濺射時間為55min。
[0060](2)采用富銅CIGS靶材，使用射頻電源在(I)中得到的第一貧銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為0.95 μ m的富銅CIGS預(yù)置層。
[0061]具體地，濺射條件為:襯底溫度為300°C，濺射氣壓為0.6Pa，功率為150W，濺射時間為45min。
[0062](3)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在(2)中得到的富銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為0.32 μ m的第二貧銅CIGS預(yù)置層。
[0063]具體地，濺射條件為:襯底溫度為400°C，濺射氣壓為0.4Pa，功率為125W，濺射時間為30min。
[0064](4)調(diào)節(jié)襯底溫度，使其與(3)中的襯底溫度一致并保持不變，熱處理lOmin，得到CIGS吸收層。
[0065]本實(shí)施例制備的CIGS吸收層的XRD圖譜如圖5所示，吸收層表現(xiàn)出黃銅礦結(jié)構(gòu)的CIGS相，并且沿(112)面擇優(yōu)生長。圖6為本實(shí)施例制備的CIGS吸收層橫斷面的SEM圖片，與實(shí)施例1相比，步驟(2)的濺射時間延長后，CIGS吸收層的結(jié)晶度明顯提高，晶粒尺寸較實(shí)施例1增大。
[0066]實(shí)施例3
[0067]銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，包括如下步驟:
[0068](I)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在鍍有Mo背電極的襯底上濺射厚度為0.47 μ m的第一貧銅CIGS預(yù)置層。
[0069]具體地，濺射條件為:襯底溫度為150°C，濺射氣壓為0.6Pa，功率為125W，濺射時間為40min。
[0070](2)采用富銅CIGS靶材，使用射頻電源在(I)中得到的第一貧銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為0.65 μ m的富銅CIGS預(yù)置層。
[0071]具體地，濺射條件為:襯底溫度為200°C，濺射氣壓為0.6Pa，功率為125W，濺射時間為55min。
[0072](3)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在(2)中得到的富銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為0.40 μ m的第二貧銅CIGS預(yù)置層。
[0073]具體地，濺射條件為:襯底溫度為400°C，濺射氣壓為1.0Pa,功率為150W，濺射時間為20min。
[0074](4)調(diào)節(jié)襯底溫度，使其與(3)中的襯底溫度一致并保持不變，熱處理20min，得到CIGS吸收層。
[0075]本實(shí)施例制備的CIGS吸收層的XRD圖譜如圖7所示，吸收層表現(xiàn)出黃銅礦結(jié)構(gòu)的CIGS相，并且沿(112)面擇優(yōu)生長。圖8為本實(shí)施例制備的CIGS吸收層橫斷面的SEM圖片，與實(shí)施例1、2相比，步驟(2)的濺射時間延長后，CIGS吸收層的結(jié)晶度顯著提高，晶粒尺寸進(jìn)一步增大。
[0076]實(shí)施例4
[0077]銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，包括如下步驟:
[0078](I)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在鍍有Mo背電極的襯底上濺射厚度為0.45 μ m的第一貧銅CIGS預(yù)置層。
[0079]具體地，濺射條件為:襯底溫度為200°C，濺射氣壓為1.0Pa,功率為150W，濺射時間為30min。
[0080](2)采用富銅CIGS靶材，使用射頻電源在(I)中得到的第一貧銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為1.1Oym的富銅CIGS預(yù)置層。
[0081]具體地，濺射條件為:襯底溫度為300°C，濺射氣壓為1.0Pa,功率為150W，濺射時間為65min。
[0082](3)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在(2)中得到的富銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為0.36 μ m的第二貧銅CIGS預(yù)置層。
[0083]具體地，濺射條件為:襯底溫度為300°C，濺射氣壓為0.6Pa，功率為100W，濺射時間為40min。
[0084](4)調(diào)節(jié)襯底溫度，使其與(3)中的襯底溫度一致并保持不變，熱處理30min，得到CIGS吸收層。
[0085]本實(shí)施例制備的CIGS吸收層的XRD圖譜如圖9所示，吸收層表現(xiàn)出黃銅礦結(jié)構(gòu)的CIGS相，并且沿(112)面擇優(yōu)生長。圖10為本實(shí)施例制備的CIGS吸收層橫斷面的SEM圖片，與實(shí)施例1、2、3相比，步驟(2)的濺射時間進(jìn)一步延長后，CIGS吸收層的結(jié)晶度顯著提高，晶粒尺寸很大，接近厚膜尺寸。
[0086]實(shí)施例5
[0087]銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，包括如下步驟:[0088](I)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在鍍有Mo的襯底上濺射厚度為0.40 μ m的第一貧銅CIGS預(yù)置層。
[0089]具體地，濺射條件為:襯底溫度為300°C，濺射氣壓為0.4Pa，功率為100W，濺射時間為20min。
[0090](2)采用富銅CIGS靶材，使用射頻電源在(I)中得到的第一貧銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為1.20 μ m的富銅CIGS預(yù)置層。
[0091]具體地，濺射條件為:襯底溫度為400°C，濺射氣壓為0.4Pa，功率為100W，濺射時間為 IOOmin。
[0092](3)采用貧銅CIGS靶材，使用射頻電源在(2)中得到的富銅CIGS預(yù)置層上濺射厚度為0.20 μ m的第二貧銅CIGS預(yù)置層。
[0093]具體地，濺射條件為:襯底溫度為400°C，濺射氣壓為0.4Pa，功率為125W，濺射時間為IOmin。
[0094](4)調(diào)節(jié)襯底溫度，使其與(3)中的襯底溫度一致并保持不變，熱處理lOmin，得到CIGS吸收層。
[0095]本實(shí)施例制備的CIGS吸收層的XRD圖譜如圖11所示，吸收層表現(xiàn)出黃銅礦結(jié)構(gòu)的CIGS相，并且沿(112)面擇優(yōu)生長。圖12為本實(shí)施例制備的CIGS吸收層橫斷面的SEM圖片，與實(shí)施例1、2、3、4相比，步驟(2)的濺射時間進(jìn)一步延長后，CIGS吸收層的結(jié)晶度顯著提高，晶粒尺寸很大，接近厚膜尺寸。
[0096]上述實(shí)施例制備的CIGS吸收層所含元素的原子百分比如表1所示。
[0097]表1CIGS吸收層所含元素的原子百分比
[0098]
【權(quán)利要求】
1.一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)采用貧銅銅銦鎵硒靶材，濺射第一貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層； (2)采用富銅銅銦鎵硒靶材，在第一貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層上濺射富銅銅銦鎵硒預(yù)置層； (3)采用貧銅銅銦鎵硒靶材，在富銅銅銦鎵硒預(yù)置層上濺射第二貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層； (4)熱處理得到銅銦鎵硒吸收層； 所述貧銅銅銦鎵硒靶材中，銅原子與銦和鎵原子數(shù)之和的比為0.5~1.0，即0.5 ≤ Cu/(In+Ga) ≤1.0 ； 所述富銅銅銦鎵硒靶材中，銅原子與銦和鎵原子數(shù)之和的比為1.0~1.5，即1.0 ≤ Cu/(In+Ga)≤ 1.5。
2.如權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述第一貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層的厚度為0.40~0.75 μ m，所述富銅銅銦鎵硒預(yù)置層的厚度為0.65~1.20 μ m，所述第二貧銅銅銦鎵硒預(yù)置層的厚度為0.20~0.40 μ m。
3.如權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述貧銅銅銦鎵硒靶材的成分為:Cu:1n:Ga:Se=16:18.5:7.5:58at.%，所述富銅銅銦鎵硒靶材的成分為:Cu:1n:Ga:Se=25:17.5:7.5:50at.%。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，濺射條件為:襯底溫度為150~3001:，濺射氣壓為0.4~1.0Pa，功率為100~150W，濺射時間為20~80min。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，濺射條件為:襯底溫度為200~400°C，濺射氣壓為0.4~1.0Pa，功率為100~150W，濺射時間為40~IOOmin0
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，濺射條件為:襯底溫度為300~400°C，濺射氣壓為0.4~1.0Pa，功率為100~150W，濺射時間為10~40min。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，熱處理的時間為10~30min。
8.一種用如權(quán)利要求1至7所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層的制備方法制備的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池吸收層。
9.一種包含如權(quán)利要求8所述的吸收層的太陽能電池。
【文檔編號】C23C14/35GK103515482SQ201310409032
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月10日
【發(fā)明者】繆向水, 黃醒 申請人:華中科技大學(xué)