磁盤用玻璃基板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供磁盤用玻璃基板的制造方法，在使用氧化鋯磨粒作為游離磨粒的研磨材料進(jìn)行研磨來制造磁盤用玻璃基板時(shí)，可以制造難以產(chǎn)生磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況的磁盤用玻璃基板。該方法為具備一對(duì)主表面以及與該一對(duì)主表面正交的側(cè)壁面的磁盤用玻璃基板的制造方法，該制造方法包括：研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)玻璃坯板的主表面進(jìn)行研磨；和除去工序，在上述研磨工序之后，物理性除去在研磨上述玻璃坯板的側(cè)壁面或主表面時(shí)由于該玻璃坯板的側(cè)壁面與玻璃基板的側(cè)壁面面對(duì)的載具的端面發(fā)生摩擦而附著于玻璃坯板的側(cè)壁面的氧化鋯顆粒。
【專利說明】磁盤用玻璃基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及磁盤用玻璃基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如今,在個(gè)人計(jì)算機(jī)或DVD (Digital Versatile Disc)記錄裝置等中內(nèi)置有用于記錄數(shù)據(jù)的硬盤裝置(HDD=HardDiskDriveh特別是在筆記型個(gè)人計(jì)算機(jī)等以移動(dòng)性為前提的設(shè)備中使用的硬盤裝置中，使用在玻璃基板上設(shè)置有磁性層的磁盤，利用在磁盤的面上微微懸浮的磁頭對(duì)磁性層記錄或讀取磁記錄信息。作為該磁盤的基板，由于具有比金屬基板(鋁基板)等更難以發(fā)生塑性變形的性質(zhì)，因而優(yōu)選使用玻璃基板。
[0003]另外，應(yīng)增大硬盤裝置中存儲(chǔ)容量的要求，尋求磁記錄的高密度化。例如使用垂直磁記錄方式，使磁性層中的磁化方向相對(duì)于基板的面為垂直方向，進(jìn)行磁記錄信息區(qū)域(記錄位(bit))的微細(xì)化。由此，可以增大I張盤片基板中的存儲(chǔ)容量。進(jìn)一步，為了進(jìn)一步增大存儲(chǔ)容量，還進(jìn)行通過使磁頭的記錄再現(xiàn)元件部更加突出，從而極度縮短其與磁記錄層之間的距離，進(jìn)一步提高信息的記錄再現(xiàn)精度(提高S/N比)。需要說明的是，這種磁頭的記錄再現(xiàn)元件部的控制被稱作DFH(Dynamic Flying Height)控制機(jī)構(gòu),配備該控制機(jī)構(gòu)的磁頭被稱作DHl頭。對(duì)于與這種DHl頭組合用于HDD的磁盤用基板而言，為了避免其與磁頭或從磁頭上進(jìn)一步突出的記錄再現(xiàn)元件部之間的碰撞和接觸，按照使基板的表面凹凸極小的方式進(jìn)行制作。
[0004]制作磁盤用玻璃基板的工序包括:磨削工序，利用固定磨粒對(duì)模壓成型后制成平板狀的玻璃坯板的主表面進(jìn)行磨削；主表面的研磨工序，目的在于除去因該磨削工序而在主表面殘留的傷痕、變形。
[0005]以往已知一種磁盤用玻璃基板的制造方法，在上述主表面的研磨工序中，使用氧化鈰(二氧化鈰)磨粒作為研磨材料(專利文獻(xiàn)I)。
[0006]該方法中,在磨削工序后、玻璃還板的端面研磨后,使用氧化鋪?zhàn)鳛橛坞x磨粒進(jìn)行主表面的研磨(第一研磨)，之后對(duì)玻璃坯板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-254166號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明要解決的問題
[0011]另一方面，作為屬于稀有金屬且較難獲得的氧化鈰的研磨材料的替代，考慮使用較易獲得且以往已知在玻璃產(chǎn)品中作為研磨材料的氧化鋯(二氧化鋯)。
[0012]然而可知，在以上述氧化鋯作為玻璃坯板的游離磨粒的研磨材料而制作的玻璃基板上成膜出磁性層從而制作磁盤的情況下，與使用氧化鈰作為研磨材料而制作的玻璃基板相比，在使用磁頭的長時(shí)間LUL試驗(yàn)中，磁頭劃碰(head crash)故障、熱粗糙(thermalasperity)故障等不良情況的產(chǎn)生相對(duì)增多。
[0013]因此，本發(fā)明的目的在于提供磁盤用玻璃基板的制造方法，在使用氧化鋯磨粒作為游離磨粒的研磨材料進(jìn)行研磨來制造磁盤用玻璃基板時(shí)，可以制造難以產(chǎn)生磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況的磁盤用玻璃基板。
[0014]用于解決問題的手段
[0015]本發(fā)明人為了探明使用氧化鋯磨粒作為游離磨粒的研磨材料進(jìn)行研磨從而制造的磁盤用玻璃基板產(chǎn)生磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況的原因，進(jìn)行了深入研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，對(duì)于玻璃基板的主表面，在鏡面拋光的研磨后，即使充分清洗主表面來去除顆粒等，但在進(jìn)行磁性層的成膜時(shí)，有時(shí)在主表面仍附著有氧化鋯顆粒。此時(shí)，在氧化鋯顆粒的上方層積磁性層而導(dǎo)致在磁性層的表面上形成微小凹凸。因而，該微小凹凸成為磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況的原因。進(jìn)一步還可知，在玻璃基板的主表面附著的氧化鋯顆粒是研磨中使用的氧化鋯磨粒的一部分，很可能是附著于玻璃基板的外周面和內(nèi)周面的側(cè)壁面上的磨粒。這樣的問題在使用氧化鈰、二氧化硅等其它磨粒作為研磨材料時(shí)不會(huì)產(chǎn)生，但是使用氧化鋯磨粒則會(huì)產(chǎn)生。需要說明的是，尚未建立有效除去附著于玻璃基板的氧化鋯顆粒的清洗方法。需要說明的是，在本說明書中，“粘固”是指例如氧化鋯顆粒扎進(jìn)玻璃坯板的側(cè)壁面而被固定。需要說明的是，在本說明書中，表述為“附著”的情況下，例如除了解釋為氧化鋯顆粒僅殘留于玻璃坯板的主表面的意思以外，也可以解釋為氧化鋯顆粒粘固于玻璃坯板的側(cè)壁面的意思。
[0016]即使充分清洗主表面來去除顆粒等，進(jìn)行磁性層的成膜時(shí)，有時(shí)在主表面仍附著有氧化鋯顆粒，本發(fā)明人認(rèn)為其理由如下。即，即使在通過利用氧化鋯磨粒的主表面研磨而在玻璃坯板上殘留有氧化鋯顆粒的情況下，也會(huì)通過之后對(duì)主表面的最終研磨來除去在主表面上殘留的氧化鋯顆粒，但是在玻璃坯板的側(cè)壁面上殘留或附著的氧化鋯顆粒不能通過之后的玻璃坯板的清洗而被除去。尤其是在利用氧化鋯磨粒的主表面研磨中將玻璃坯板保持在載具中進(jìn)行的情況下，可知由于在研磨中玻璃坯板與載具抵接，因而氧化鋯顆粒粘固于玻璃坯板的側(cè)壁面。
[0017]如此使玻璃坯板保持在載具中進(jìn)行主表面研磨時(shí)，氧化鋯顆粒粘固于玻璃坯板的原因據(jù)認(rèn)為是:使用氧化鋯磨粒作為研磨材料的情況下，相比于使用氧化鈰磨粒的情況，以強(qiáng)得多的力量將研磨墊與玻璃坯板壓緊、或者以比使用氧化鈰的情況更快的旋轉(zhuǎn)速度使定盤、載具相對(duì)于研磨墊進(jìn)行旋轉(zhuǎn)(相對(duì)移動(dòng))。使用氧化鋯磨粒的情況下以如此苛刻的條件進(jìn)行主表面研磨的理由是因?yàn)?，如果以與使用氧化鈰磨粒的情況相同的條件進(jìn)行，則加工速率相比于使用氧化鈰磨粒的情況顯著下降。
[0018]并且據(jù)推測，在利用氧化鋯磨粒的主表面研磨之后的工序中，在側(cè)壁面附著的氧化鋯顆粒脫離并附著于玻璃坯板或磁盤用玻璃基板的主表面。例如可以認(rèn)為，在玻璃坯板的主表面研磨之后，為了使主表面的表面性狀不變差，在工序上夾持玻璃坯板或磁盤用玻璃基板的側(cè)壁面，但是由此導(dǎo)致氧化鋯顆粒脫離。存在將兩塊以上的玻璃坯板或磁盤用玻璃基板裝在支架上在清洗槽或化學(xué)強(qiáng)化液槽中浸潰的工序時(shí)，還可以認(rèn)為側(cè)壁面與箱體(力★ 〃卜)抵接導(dǎo)致氧化鋯顆粒脫離，由此氧化鋯顆粒附著于主表面。
[0019]鑒于上述情況，本發(fā)明人從而完成了想到如下所述方式的發(fā)明。
[0020] 即，本發(fā)明的方式之一涉及具備一對(duì)主表面以及與該一對(duì)主表面正交的側(cè)壁面的磁盤用玻璃基板的制造方法，該制造方法包括:研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)玻璃坯板的主表面進(jìn)行研磨；和除去工序，在上述研磨工序之后，物理性除去在研磨上述玻璃坯板的側(cè)壁面或主表面時(shí)由于該玻璃坯板的側(cè)壁面與玻璃基板的側(cè)壁面面對(duì)的載具的端面發(fā)生摩擦而附著于玻璃坯板的側(cè)壁面的氧化鋯顆粒。
[0021]本發(fā)明的另一種方式涉及具備一對(duì)主表面以及與該一對(duì)主表面正交的側(cè)壁面的磁盤用玻璃基板的制造方法，該制造方法包括:主表面研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)玻璃坯板的主表面進(jìn)行研磨；和端面研磨工序，在上述主表面研磨工序之后，對(duì)在上述主表面研磨工序中與上述載具的端面接觸過的玻璃坯板的側(cè)壁面進(jìn)行研磨。
[0022]本發(fā)明的再一種方式涉及具備一對(duì)主表面以及與該一對(duì)主表面正交的側(cè)壁面的磁盤用玻璃基板的制造方法，該制造方法包括:第一研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)玻璃坯板的主表面進(jìn)行研磨；和第二研磨工序，使上述玻璃坯板保持在上述載具中，利用上述研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間以及玻璃坯板的側(cè)壁面和載具的端面之間供給具有氧化鋯顆粒以外的磨粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)該玻璃坯板的主表面進(jìn)行研磨。
[0023]在上述磁盤用玻璃基板的制造方法的第二研磨工序中，上述玻璃坯板和上述載具之間的最大間隙優(yōu)選為0.5mm以上。
[0024]上述磁盤用玻璃基板的制造方法中，與上述玻璃坯板的側(cè)壁面接觸的上述載具的端面的表面粗糙度優(yōu)選為5 μ m以下。
[0025]上述磁盤用玻璃基板的制造方法中，使用具有上述氧化鋯顆粒的研磨液進(jìn)行研磨之前，玻璃坯板的側(cè)壁面的表面粗糙度以算術(shù)平均粗糙度Ra計(jì)優(yōu)選為0.1 μ m以下。
[0026]上述磁盤用玻璃基板的制造方法適合在上述磁盤用玻璃基板的直徑大于2.5英寸的尺寸且板厚為0.6mm以下的情況下進(jìn)行。
[0027]在上述磁盤用玻璃基板的制造方法中，對(duì)上述玻璃坯板的側(cè)壁面進(jìn)行研磨時(shí)優(yōu)選使用固定磨粒進(jìn)行研磨。
[0028]在上述磁盤用玻璃基板的制造方法中，對(duì)上述玻璃坯板的側(cè)壁面進(jìn)行研磨時(shí)也可以使用游離磨粒進(jìn)行研磨，此時(shí)該游離磨粒的尺寸優(yōu)選小于氧化鋯的上述研磨磨粒的尺寸。
[0029]上述磁盤用玻璃基板的制造方法中，在對(duì)上述玻璃坯板的側(cè)壁面進(jìn)行研磨后，優(yōu)選對(duì)玻璃還板實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化。
[0030]在上述磁盤用玻璃基板的制造方法的第一研磨工序之前，優(yōu)選對(duì)上述玻璃坯板的側(cè)壁面進(jìn)行研磨。
[0031]在上述磁盤用玻璃基板的制造方法的第二研磨工序之后，優(yōu)選對(duì)上述玻璃坯板實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化。[0032]發(fā)明效果
[0033]根據(jù)上述的磁盤用玻璃基板的制造方法，在使用氧化鋯磨粒作為游離磨粒的研磨材料進(jìn)行研磨來制造磁盤用玻璃基板時(shí)，可以制造難以產(chǎn)生磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況的磁盤用玻璃基板。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1為表示第一實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法的流程的一個(gè)示例的圖。
[0035]圖2為第一研磨工序中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的立體分解圖。
[0036]圖3為第一研磨工序中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的截面圖。
[0037]圖4為表示第二實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法的流程的一個(gè)示例的圖。
[0038]圖5為表示載具與研磨中的玻璃基板之間的間隙的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]下面，對(duì)本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0040](I)第一實(shí)施方式
[0041]首先，對(duì)第一實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法進(jìn)行說明。
[0042][磁盤用玻璃基板]
[0043]作為本實(shí)施方式中的磁盤用玻璃基板的材料，可以使用鋁硅酸鹽玻璃、堿石灰玻璃、硼硅酸鹽玻璃等。尤其是從可以實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化并且可以制作主表面平坦度和基板強(qiáng)度優(yōu)異的磁盤用玻璃基板這些方面考慮，可以優(yōu)選使用鋁硅酸鹽玻璃。
[0044]對(duì)本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的組成不作限定，但本實(shí)施方式的玻璃基板優(yōu)選為由如下組成構(gòu)成的鋁硅酸鹽玻璃:換算為氧化物基準(zhǔn)，以摩爾％表示，含有50?75%的SiO2 ；1?15%的Al2O3 ;合計(jì)為5?35%的選自Li20、Na2O和K2O中的至少I種成分；合計(jì)為O?20%的選自MgO、CaO、SrO, BaO和ZnO中的至少I種成分；以及合計(jì)為O?10%的選自 ZrO2, Ti02、La203、Y2O3> Ta2O5' Nb2O5 和 HfO2 中的至少 I 種成分。
[0045]本實(shí)施方式中的磁盤用玻璃基板為圓環(huán)狀的薄板玻璃基板。磁盤用玻璃基板的尺寸沒有限制，例如優(yōu)選為公稱直徑為2.5英寸的磁盤用玻璃基板。
[0046][磁盤用玻璃基板的制造方法]
[0047]下面，關(guān)于第一實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法，按照?qǐng)D1所示的工序逐個(gè)進(jìn)行說明。但是，也可以對(duì)各工序的順序適當(dāng)進(jìn)行調(diào)換。
[0048](I)玻璃坯板的成型(SlO)和磨光工序(S12)
[0049]例如在利用浮法的玻璃坯板的成型工序中，首先例如將上述組成的熔融玻璃連續(xù)地流入填充有錫等熔融金屬的浴槽內(nèi)，由此得到板狀玻璃。熔融玻璃在施加嚴(yán)密的溫度操作的浴槽內(nèi)沿行進(jìn)方向流動(dòng)，最終形成調(diào)整至所期望的厚度、寬度的板狀玻璃。從該板狀玻璃切出規(guī)定形狀的玻璃坯板，作為磁盤用玻璃基板的基礎(chǔ)。浴槽內(nèi)的熔融錫的表面是水平的，因此對(duì)于通過浮法得到的玻璃坯板而言，其表面的平坦度足夠高。
[0050]另外，例如在利用模壓成型法的玻璃坯板的成型工序中，向作為料滴裝料成型模的下模上供給由熔融玻璃構(gòu)成的玻璃料滴，使用作為與下模相對(duì)的料滴成型模的上模，對(duì)玻璃料滴進(jìn)行模壓成型。更具體來說，向下模上供給由熔融玻璃構(gòu)成的玻璃料滴后，使上模用筒形模具(上型用胴型)的下表面與下模用筒形模具(下型用胴型)的上表面抵接，在超出上模與上模用筒形模具之間的滑動(dòng)面和下模與下模用筒形模具之間的滑動(dòng)面的外側(cè)形成薄玻璃坯板的成型空間，進(jìn)而降下上模進(jìn)行模壓成型，進(jìn)行模壓成型后隨即升起上模。由此，成型出作為磁盤用玻璃基板的基礎(chǔ)的玻璃坯板。
[0051]需要說明的是，玻璃坯板不限于上述方法，可以使用下拉(downdraw)法、再拉(redraw)法、熔融法等公知的制造方法進(jìn)行制造。
[0052]接著，對(duì)于按照規(guī)定形狀切出的玻璃坯板的兩個(gè)主表面，根據(jù)需要使用氧化鋁系游離磨粒進(jìn)行磨光加工。具體來說，使磨光定盤從上下兩面壓住玻璃還板的雙面，向玻璃還板的主表面上供給含有游離磨粒的磨削液(漿料)，使它們進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)從而進(jìn)行磨光加工。需要說明的是，利用浮法對(duì)玻璃坯板進(jìn)行成型時(shí)，成型后的主表面的粗糙度的精度高，因此也可以省略該磨光加工。
[0053](2)鉆芯工序(S14)
[0054]使用圓筒狀的金剛石鉆頭，在玻璃坯板的中心部形成內(nèi)孔，制成圓環(huán)狀的玻璃坯板。
[0055](3)倒角工序(S16)
[0056]鉆芯工序之后，進(jìn)行倒角工序，在端部(外周端部和內(nèi)周端部)形成倒角部。倒角工序中，對(duì)于圓環(huán)狀的玻璃坯板的外周端部和內(nèi)周端部，例如通過使用金剛石磨粒的金屬結(jié)合劑砂輪(^夕> F'砥石)等實(shí)施倒角，形成倒角部。 [0057](4)利用固定磨粒的磨削工序(S18)
[0058]利用固定磨粒的磨削工序中，使用具備行星齒輪機(jī)構(gòu)的雙面磨削裝置對(duì)圓環(huán)狀的玻璃坯板的主表面進(jìn)行磨削加工。磨削的加工余量為例如幾Pm~IOOym左右。雙面磨削裝置具有上下一對(duì)定盤(上定盤和下定盤)，在上定盤和下定盤之間夾持圓環(huán)狀的玻璃坯板。并且，通過對(duì)上定盤或下定盤的任意之一或?qū)烧哌M(jìn)行移動(dòng)操作，使玻璃坯板和各定盤進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此可以對(duì)玻璃坯板的兩個(gè)主表面進(jìn)行磨削。
[0059](5)第一研磨(主表面研磨)工序(S20)
[0060]接著，對(duì)所磨削的玻璃坯板的主表面實(shí)施第一研磨。第一研磨的加工余量為例如幾μL?~50μπ?左右。第一研磨的目的在于除去因利用固定磨粒的磨削而在主表面殘留的傷痕、變形，調(diào)整起伏、微起伏。需要說明的是，進(jìn)行第一研磨之前的玻璃坯板的側(cè)壁面的表面粗糙度(Ra)優(yōu)選為0.1 μ m以下。更優(yōu)選為0.05 μ m以下。此處所指的表面粗糙度(Ra)可以利用觸針式粗糙度計(jì)進(jìn)行測定。通過使玻璃坯板的側(cè)壁面的表面粗糙度如此之小，可以增大與載具的接觸面積，因而進(jìn)入間隙的磨粒增加，受力被分散到更大量的磨粒上，因而ZrO2顆粒難以扎入。另外，若粗糙度小，在與載具接觸時(shí)，也難以因載具而產(chǎn)生傷痕，因而被該傷痕所捕獲的ZrO2磨粒減少，由此也可以間接地減小扎入玻璃坯板的側(cè)壁面的可能性。因此，在進(jìn)行第一研磨的期間，難以引起因氧化鋯磨粒扎入等而粘固于玻璃坯板的側(cè)壁面。
[0061][研磨裝置]
[0062]對(duì)于第一研磨工序中使用的研磨裝置，參照?qǐng)D2和圖3進(jìn)行說明。圖2為第一研磨工序中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的立體分解圖。圖3為第一研磨工序中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的截面圖。需要說明的是，與該研磨裝置同樣的構(gòu)成也可以適用于上述磨削工序中使用的磨削裝置中。。[0063]如圖2所示，研磨裝置具有上下一對(duì)定盤、即上定盤40和下定盤50。上定盤40和下定盤50之間夾持圓環(huán)狀的玻璃坯板G，通過對(duì)上定盤40或下定盤50的任意之一或?qū)烧哌M(jìn)行移動(dòng)操作，使玻璃坯板G和各定盤進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此可以對(duì)該玻璃坯板G的兩個(gè)主表面進(jìn)行研磨。
[0064]參照?qǐng)D2和圖3對(duì)研磨裝置的構(gòu)成進(jìn)一步進(jìn)行具體說明。
[0065]研磨裝置中，作為一個(gè)整體，在下定盤50的上面和上定盤40的底面安設(shè)圓環(huán)形狀的平板的研磨墊10。載具30(保持部件)具有設(shè)置在外周部與太陽齒輪61和內(nèi)齒輪62嚙合的齒部31、和用于容納保持玻璃還板G的一個(gè)或兩個(gè)以上孔部31。在孔部31中的與玻璃坯板的側(cè)壁面接觸的端面(與玻璃坯板的側(cè)壁面相面對(duì)的壁面)的表面粗糙度為5μπι以下、優(yōu)選為3μπι以下。此處所指的表面粗糙度(Ra)可以使用觸針式粗糙度計(jì)對(duì)于孔部31的端面在圓周方向移動(dòng)針，由此進(jìn)行測定。通過使載具的孔部31的端面的表面粗糙度如此之小，可以增大與玻璃坯板的接觸面積，因而進(jìn)入間隙的磨粒增加，受力分散在更大量的磨粒上，因而ZrO2顆粒難以扎入。。另外，若粗糙度小，與玻璃坯板接觸時(shí)，也難以在玻璃坯板上產(chǎn)生傷痕，因此被該傷痕所捕獲的ZrO2磨粒減少，由此也可以間接地減小扎入玻璃坯板的側(cè)壁面的可能性。在進(jìn)行第一研磨的期間，玻璃坯板的側(cè)壁面的過度粗糙化被抑制，氧化鋯磨粒難以粘固于側(cè)壁面。
[0066]太陽齒輪61、在外邊緣設(shè)置的內(nèi)齒輪62和圓板狀的載具30作為一個(gè)整體構(gòu)成以中心軸CTR為中心的行星齒輪機(jī)構(gòu)。圓板狀的載具30在內(nèi)周側(cè)與太陽齒輪61嚙合，且在外周側(cè)與內(nèi)齒輪62嚙合，同時(shí)容納保持一塊或兩塊以上玻璃坯板G (工件)。在下定盤50上，載具30作為行星齒輪在進(jìn)行自轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行公轉(zhuǎn)，使玻璃坯板G和下定盤50進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。例如，若太陽齒輪61按照CCW(逆時(shí)針)的方向旋轉(zhuǎn)，則載具30按照CW(順時(shí)針)的方向旋轉(zhuǎn)，內(nèi)齒輪62按照CCW的方向旋轉(zhuǎn)。其結(jié)果使研磨墊10和玻璃坯板G之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)?？梢酝瑯拥厥共Ａ靼錑和上定盤40進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。
[0067]上述相對(duì)運(yùn)動(dòng)的動(dòng)作中，上定盤40被以規(guī)定負(fù)荷朝向玻璃坯板G(即在鉛垂方向上)按壓，研磨墊10被朝向玻璃坯板G按壓。另外，通過未圖示的泵將研磨液(漿料)從研磨液供給罐71經(jīng)由一根或兩根以上配管72供給至玻璃坯板G和研磨墊10之間。通過該研磨液中含由研磨材料對(duì)玻璃坯板G的主表面進(jìn)行研磨。此處，優(yōu)選玻璃坯板G的研磨中使用的研磨液從上下定盤中被排出，借助未圖示的過濾器和回流配管而返回研磨液供給罐71并被再次使用。
[0068]需要說明的是，該研磨裝置中，出于對(duì)玻璃坯板G設(shè)定所期望的研磨負(fù)荷的目的，優(yōu)選調(diào)整上定盤40給予玻璃坯板G的負(fù)荷。從實(shí)現(xiàn)高研磨速度和抑制對(duì)玻璃坯板的刮擦的觀點(diǎn)出發(fā)，負(fù)荷優(yōu)選為50g/cm2以上、更優(yōu)選為70g/cm2以上、進(jìn)一步優(yōu)選為90g/cm2以上。并且從減少刮擦以及品質(zhì)穩(wěn)定化的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨負(fù)荷優(yōu)選為180g/cm2以下、更優(yōu)選為160g/cm2以下、進(jìn)一步優(yōu)選為140g/cm2以下。SP，負(fù)荷優(yōu)選為50g/cm2?180g/cm2、更優(yōu)選為70g/cm2?160g/cm2、進(jìn)一步優(yōu)選為90g/cm2?140g/cm2。另外,對(duì)于該研磨裝置而言，也可以出于達(dá)到與使用氧化鈰磨粒進(jìn)行研磨的情況相同程度以上的加工速率的目的來調(diào)整上定盤40給予玻璃坯板G的負(fù)荷。從實(shí)現(xiàn)高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，負(fù)荷優(yōu)選為120g/cm2以上、更優(yōu)選為130g/cm2以上、進(jìn)一步優(yōu)選為150g/cm2以上。另外，從實(shí)現(xiàn)高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，進(jìn)而優(yōu)選使定盤轉(zhuǎn)速為35rpm以上、更優(yōu)選為50rpm以上。另外，太陽齒輪61的旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)選為Irpm以上、更優(yōu)選為2rpm以上。
[0069]研磨加工時(shí)的研磨液的供給速度因研磨墊10、研磨液的組成和濃度、玻璃坯板G的尺寸的不同而不同，但從提高研磨速度的同時(shí)抑制對(duì)玻璃坯板的刮擦的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨加工時(shí)的研磨液的供給速度優(yōu)選為500?5000ml/分鐘、更優(yōu)選為1000?4500ml/分鐘、進(jìn)一步優(yōu)選為1500?4000ml/分鐘。
[0070]圖1的研磨裝置中使用的研磨液含有氧化鋯(ZrO2)磨粒作為研磨材料。
[0071]從提高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，氧化鋯磨粒的平均粒徑(D50)優(yōu)選為0.10?0.60 μ m、更優(yōu)選為0.2?0.4 μ m。此處平均粒徑(D50)是指,從粒徑小的一側(cè)起計(jì)算，以體積分?jǐn)?shù)計(jì)算的累積體積頻率達(dá)到50%的粒徑。另外，同樣地從有效活用磨?？倲?shù)來提高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使磨粒的粒徑一致，研磨液內(nèi)的氧化鋯磨粒的標(biāo)準(zhǔn)偏差(SD)優(yōu)選Slym以下、更優(yōu)選為0.5 μ m以下、進(jìn)一步優(yōu)選為0.2 μ m以下。
[0072]第一研磨工序中，對(duì)于玻璃坯板的主表面的表面凹凸，進(jìn)行研磨使得粗糙度(Ra)為0.5nm以下且使微觀波紋度(MW-Rq)為0.5nm以下。此處，微觀波紋度可以以RMS (Rq)值表示，RMS(Rq)值是作為主表面整面的半徑為14.0?31.5mm的區(qū)域中的波動(dòng)間距為100?500 μ m的粗糙度而算出的，例如使用Polytec公司制造的Model-4224進(jìn)行測量。
[0073]主表面的粗糙度以根據(jù)JIS B0601:2001所規(guī)定的算術(shù)平均粗糙度Ra表示，主表面的粗糙度為0.006 μ m以上且200 μ m以下的情況下，例如可以由Mitutoyo公司制造的粗糙度測定機(jī)SV-3100進(jìn)行測定，按照J(rèn)IS B0633:2001中規(guī)定的方法。其結(jié)果是，粗糙度為0.03 μ m以下的情況下，例如可以利用日本Veeco公司制造掃描型探針顯微鏡(原子力顯微鏡；AFM)Nano Scope進(jìn)行測量，按照J(rèn)IS R1683:2007中規(guī)定的方法算出。在本申請(qǐng)中，可以使用在I μ mX I μ m見方的測定區(qū)域中以512X512像素的分辨率進(jìn)行測定時(shí)的算術(shù)平均粗糙度Ra。
[0074](6)端面研磨工序(S22)
[0075]接著，進(jìn)行圓環(huán)狀的玻璃坯板的端面研磨(邊緣拋光)。
[0076]端面研磨中，對(duì)玻璃坯板的內(nèi)周側(cè)的側(cè)壁面(端面)和外周側(cè)的側(cè)壁面(端面)進(jìn)行端面研磨。通過進(jìn)行端面研磨，進(jìn)行除去在玻璃坯板的側(cè)壁面附著灰塵等的污染、破壞或傷痕等的損傷，由此可以防止發(fā)生熱粗糙、防止產(chǎn)生導(dǎo)致鈉、鉀等的腐蝕的離子析出。進(jìn)一步，通過進(jìn)行端面研磨，可以物理性除去在上述第一研磨工序中可能附著于玻璃坯板G的側(cè)壁面的氧化鋯顆粒(除去工序)。需要說明的是，本說明書中所述的“物理性除去氧化鋯顆?！敝胁话ㄍㄟ^蝕刻處理、擦洗等從玻璃坯板除去氧化鋯顆粒的方式。
[0077]玻璃坯板的側(cè)壁面通過端面研磨的加工余量為30 μ m以上、優(yōu)選為50 μ m以上。由此，可以切實(shí)除去附著于玻璃坯板的側(cè)壁面的氧化鋯顆粒。
[0078]為了通過研磨除去在玻璃坯板G的側(cè)壁面附著的氧化鋯顆粒，也可以利用使用固定磨粒的研磨和使用游離磨粒的研磨中的任一種。但優(yōu)選固定磨粒。這是出于如下理由。例如對(duì)夾著填充物層積玻璃坯板而成的層積體進(jìn)行端面研磨時(shí)，考慮到與玻璃坯板主表面平行的方向的各個(gè)玻璃基板在層積時(shí)的偏移，填充物按照位于玻璃還板的側(cè)壁面的內(nèi)側(cè)(玻璃坯板的中心側(cè))的方式確定尺寸。因此，在層積玻璃坯板時(shí)，各個(gè)玻璃坯板的主表面的外周邊部形成微微暴露的狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，使用游離磨粒對(duì)層積體進(jìn)行端面研磨時(shí)，游離磨粒有可能進(jìn)入暴露的玻璃坯板的主表面的外周邊部而使表面粗糙化(損傷)。因此，對(duì)于端面研磨而言，相比于使用游離磨粒的研磨，優(yōu)選使用固定磨粒的研磨，其不會(huì)因磨粒而使主表面的外周邊部粗糙化。
[0079]對(duì)于使用固定磨粒的研磨而言，作為固定磨粒，例如對(duì)于硬質(zhì)聚氨酯墊(JIS-A硬度:60~95)，優(yōu)選使用含有鈰等氧化鋯以外的研磨材料的固定磨粒。在先工序的第一研磨工序中，氧化鋯顆粒所附著的是玻璃坯板的側(cè)壁面，因此在對(duì)玻璃坯板的層積體進(jìn)行研磨時(shí)，利用具備與由各個(gè)玻璃坯板的側(cè)壁面構(gòu)成的層積體的側(cè)面平行的面的聚氨酯墊等進(jìn)行研磨即可。
[0080]另一方面，使用游離磨粒進(jìn)行端面研磨時(shí)，例如可以使用含有例如氧化鈰等微粒作為游離磨粒的衆(zhòng)料(研磨液)進(jìn)行刷光(brushing)研磨。此時(shí)，端面研磨中所使用的游離磨粒的尺寸優(yōu)選小于第一研磨中使用的氧化鋯磨粒的尺寸。這是因?yàn)椋词乖诙嗣嫜心ブ杏坞x磨粒進(jìn)入玻璃坯板的主表面的情況下，由于該游離磨粒小于氧化鋯顆粒，因而也不會(huì)使在第一研磨工序中得到的表面性狀變差。例如，游離磨粒的粒徑的平均值(D50)為0.3 ~1.0 μ m0
[0081](7)化學(xué)強(qiáng)化工序(S24)
[0082]接著，對(duì)第一研磨后的玻璃坯板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。
[0083]作為化學(xué)強(qiáng)化液，可以使用例如硝酸鉀(60重量％ )和硫酸鈉(40重量％ )的混合液等?；瘜W(xué)強(qiáng)化中，化學(xué)強(qiáng)化液被加熱至例如300°C~400°C，經(jīng)清洗的玻璃坯板被預(yù)熱至例如200°C~300°C，然后玻璃坯板在化學(xué)強(qiáng)化液中浸潰例如I小時(shí)~5小時(shí)。該浸潰時(shí)，為了使玻璃坯板的兩個(gè)主表面整體被化學(xué)強(qiáng)化，并且使兩塊以上玻璃坯板在側(cè)壁面處被保持，優(yōu)選以容納在支架中的狀態(tài)進(jìn)行。
[0084]如此，通過將玻璃坯板浸潰在化學(xué)強(qiáng)化液中，玻璃坯板的表層的鋰離子和鈉離子分別被化學(xué)強(qiáng)化液中的離子半徑相對(duì)大的鈉離子和鉀離子所取代，玻璃坯板得到強(qiáng)化。需要說明的是，對(duì)經(jīng)過化學(xué)強(qiáng)化處理的玻璃坯板進(jìn)行清洗。例如，用硫酸進(jìn)行清洗后，用純水等進(jìn)行清洗。
[0085](8)第二研磨(最終研磨)工序(S26)
[0086]接著，對(duì)經(jīng)過化學(xué)強(qiáng)化而被充分清洗的玻璃坯板實(shí)施最終研磨。最終研磨的加工余量為5μπι以下。第二研磨的目的在于主表面的鏡面拋光。最終研磨中，例如使用在第一研磨中使用的研磨裝置。此時(shí)，與第一研磨不同的點(diǎn)在于游離磨粒的種類和顆粒尺寸不同和樹脂拋光材料(# 'J ^ )的硬度不同。作為第二研磨中使用的游離磨粒，例如使用懸浮在漿料中的膠態(tài)二氧化硅等微粒(顆粒尺寸:直徑為10~50nm左右)。
[0087]使用中性洗滌劑、純水、IPA等對(duì)研磨后的玻璃坯板進(jìn)行清洗，由此得到磁盤用玻璃基板。
[0088]以上，逐個(gè)工序?qū)Ρ緦?shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法進(jìn)行了說明，但工序的順序不限于上述的順序。只要在使用氧化鋯磨粒的第一研磨工序之后進(jìn)行端面研磨工序即可，其它順序可以適當(dāng)改變。例如，化學(xué)強(qiáng)化工序也可以在第一研磨工序之前進(jìn)行。
[0089] 根據(jù)本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法，在使用含有氧化鋯作為研磨磨粒的研磨液對(duì)玻璃坯板的主表面進(jìn)行研磨的第一研磨工序之后，在端面研磨工序中對(duì)該玻璃坯板的側(cè)壁面進(jìn)行研磨，因此在第一研磨工序中附著于玻璃坯板的側(cè)壁面的氧化鋯顆粒在之后的端面研磨工序中被除去。[0090]以往，對(duì)于使玻璃坯板保持在載具中并且使用氧化鈰磨粒作為研磨材料進(jìn)行主表面研磨的方法而言，在比較寬松的加工條件下也能夠以高加工速率進(jìn)行研磨。例如，可以在加工壓力為100g/cm2左右、定盤的轉(zhuǎn)速為IOrpm左右的加工條件下進(jìn)行研磨。然而，對(duì)于使用鋯磨粒進(jìn)行研磨的方法而言，在應(yīng)用與使用氧化鈰磨粒的情況相同的加工條件的情況下，加工速率會(huì)極度惡化，因而需要應(yīng)用比使用氧化鈰的情況更嚴(yán)苛的加工條件。例如，需要在上定盤40給予玻璃坯板G的負(fù)荷為120g/cm2以上、定盤轉(zhuǎn)速為35rpm以上的加工條件下進(jìn)行研磨。由此，使用氧化鋯磨粒時(shí)的加工條件與使用氧化鈰時(shí)的常規(guī)加工條件不同，因此在進(jìn)行主表面研磨的期間，存在氧化鋯磨粒通過扎入等而粘固于玻璃坯板的側(cè)壁面的問題。然而，根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法，第一研磨工序中附著于玻璃坯板的側(cè)壁面的氧化鋯顆粒在之后的端面研磨工序中被除去，因此在之后的工序中氧化鋯顆粒不會(huì)附著于玻璃還板的主表面。
[0091]本實(shí)施方式的制造方法適合于制造直徑大于2.5英寸且板厚為0.6mm以下的磁盤用玻璃基板的情況。這種磁盤用玻璃基板的縱橫比(直徑/板厚)相比以往更高。因此，玻璃坯板的板厚薄、與載具的端面的接觸面積小，因此玻璃坯板容易以更強(qiáng)的力與載具的端面接觸。另外，玻璃坯板的主表面的面積大，容易由研磨墊受到摩擦力，因此這也會(huì)使玻璃坯板以更強(qiáng)的力與載具的端面接觸。基于這樣的理由，氧化鋯顆粒容易附著于玻璃坯板的側(cè)壁面，氧化鋯顆粒附著于玻璃坯板的側(cè)壁面的比例增高。然而，根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法，如上所述，在玻璃坯板的側(cè)壁面附著的氧化鋯顆粒在端面研磨工序中被除去，因此可以抑制這種問題的產(chǎn)生。
[0092]需要說明的是，在本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法中，化學(xué)強(qiáng)化工序優(yōu)選在端面研磨之后進(jìn)行。這出于如下理由。即因?yàn)?，化學(xué)強(qiáng)化工序中，如上述的那樣，將兩塊以上玻璃坯板安裝在支架中并浸潰在化學(xué)強(qiáng)化液槽中，但是若在此時(shí)刻氧化鋯顆粒殘留于玻璃坯板的側(cè)壁面，則在把持玻璃坯板、或玻璃坯板的側(cè)壁面與支架接觸時(shí)，氧化鋯顆粒脫落，該脫落的氧化鋯顆粒有可能附著于玻璃坯板的主表面。
[0093][磁盤]
[0094]對(duì)于磁盤，可以使用磁盤用玻璃基板按如下方式得到。
[0095]磁盤構(gòu)成例如為:在磁盤用玻璃基板(下面簡稱為“基板”)的主表面上，自接近主表面起至少依次層積有附著層、底層、磁性層(磁記錄層)、保護(hù)層、潤滑層。
[0096]例如，將基板導(dǎo)入進(jìn)行抽真空后的成膜裝置內(nèi)，利用DC磁控濺射法在Ar氣氛中，將從附著層至磁性層在基板的主表面上依次成膜。作為附著層可以使用例如CrTi，作為底層可以使用例如CrRu。作為磁性層，可以使用例如CoPt系合金。另外，也可以形成Lltl有序結(jié)構(gòu)的CoPt系合金、FePt系合金來形成熱輔助磁記錄用的磁性層。上述成膜后，例如通過CVD法使用C2H4成膜出保護(hù)層，接著對(duì)表面進(jìn)行導(dǎo)入氮的氮化處理，由此可以形成磁記錄介質(zhì)。之后，例如通過浸潰涂布法在保護(hù)層上涂布PFPE(全氟聚醚)，由此可以形成潤滑層。
[0097]所制作的磁盤優(yōu)選為搭載有DFH(Dynamic Flying Height)控制機(jī)構(gòu)的磁頭，同時(shí)被安裝在作為磁記錄再現(xiàn)裝置的HDD (Hard Disk Drive)中。
[0098](2)第二實(shí)施方式
[0099]接著，對(duì)于第二實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法進(jìn)行說明。
[0100]此處，著重于與第一實(shí)施方式的不同進(jìn)行說明。[0101]圖4中示出第二實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法的流程的一個(gè)示例。下面，逐個(gè)說明圖4所示的工序。圖4所示的工序的順序也可以適當(dāng)替換。
[0102]第二實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法具備如下各工序:玻璃坯板的成型(S30)、磨光工序(S32)、鉆芯工序(S34)、倒角工序(S36)、端面研磨工序(S38)、利用固定磨粒的磨削工序(S40)、第一研磨(主表面研磨)工序(S42)、第二研磨工序(S44)、化學(xué)強(qiáng)化工序(S46)和最終研磨工序(S48)。
[0103](I)玻璃坯板的成型(S30)和磨光工序(S32)
[0104]與第一實(shí)施方式的玻璃還板的成型(SlO)和磨光工序(S12)同樣地進(jìn)行。
[0105](2)鉆芯工序(S:M)
[0106]與第一實(shí)施方式的鉆芯工序(S14)同樣地進(jìn)行。
[0107](3)倒角工序(S36)
[0108]與第一實(shí)施方式的倒角工序(S16)同樣地進(jìn)行。
[0109](4)端面研磨工序(S38)
[0110]除了下點(diǎn)之外，與第一實(shí)施方式的端面研磨工序(S22)同樣地進(jìn)行。
[0111]本實(shí)施方式中，對(duì)于端面研磨而言,通過刷光研磨對(duì)玻璃坯板的內(nèi)周側(cè)的側(cè)壁面(端面)和外周側(cè)的側(cè)壁面(端面)進(jìn)行鏡面加工。此時(shí)，可以使用含有氧化鈰等微粒作為游離磨粒的漿料。
[0112]為了使玻璃坯板的端面平滑從而使在后工序的第一研磨工序中氧化鋯磨粒難以附著于玻璃坯板的側(cè)壁面，端面研磨工序優(yōu)選在第一研磨工序之前進(jìn)行。例如，優(yōu)選進(jìn)行端面研磨使得端面研磨工序后的玻璃坯板的端面的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.1 μ m以下。
[0113]需要說明的是，在本實(shí)施方式中，為了通過研磨除去在玻璃坯板G的側(cè)壁面附著的氧化鋯顆粒，可以利用使用固定磨粒的研磨和使用游離磨粒的研磨中的任意一種。
[0114](5)利用固定磨粒的磨削工序(S40)
[0115]與第一實(shí)施方式的利用固定磨粒的磨削工序(S16)同樣地進(jìn)行。
[0116](6)第一研磨(主表面研磨)工序(S42)
[0117]與第一實(shí)施方式的第一研磨(主表面研磨)工序(S24)同樣地進(jìn)行。
[0118](7)第二研磨工序(S44)
[0119]第二研磨工序(S44)中，對(duì)于經(jīng)過第一研磨工序的玻璃坯板的主表面實(shí)施第二研磨。第二研磨的加工余量為例如幾μπι?20μπι左右、優(yōu)選為30μπι以上、更優(yōu)選為50μπι以上。由此，可以切實(shí)地除去在玻璃坯板的側(cè)壁面附著的氧化鋯顆粒。第二研磨的目的在于，以高的研磨加工速率對(duì)主表面進(jìn)行研磨，同時(shí)物理性除去在第一研磨工序中可能附著于玻璃坯板的側(cè)壁面的氧化鋯顆粒(進(jìn)行除去工序)。第二研磨工序中，優(yōu)選使用氧化鈰(二氧化鈰)磨粒作為研磨材料。
[0120]第二研磨中，例如使用第一研磨中使用的研磨裝置，但是出于以在玻璃坯板和載具30之間供給氧化鈰磨粒的狀態(tài)進(jìn)行主表面的研磨的目的，在玻璃坯板G和載具30之間設(shè)置了間隙。對(duì)于該點(diǎn)，參照?qǐng)D5進(jìn)行進(jìn)一步說明。圖5為表示玻璃坯板G容納在載具30的孔部31中的狀態(tài)的圖。
[0121]如圖5所示，作為研磨對(duì)象的玻璃坯板G的外徑記為D1、載具30的孔部31的直徑(玻璃坯板所抵接的抵接面的直徑)記為D2時(shí)，D2 > Dl成立。由此，在玻璃坯板G的側(cè)壁面Gt與形成載具30的孔部31的側(cè)壁面30t之間，設(shè)置有研磨液中的氧化鈰(CeO2)的磨粒能夠進(jìn)入(即被供給)的程度的間隙CL。此時(shí)，間隙CL的最大值(最大間隙)至多為(D2-D1)。通過該間隙CL，規(guī)定了玻璃坯板G與載具30之間的相對(duì)位移量的最大值。
[0122]如圖5所示，在對(duì)玻璃坯板G和載具30的孔部31的間隙CL供給了氧化鈰磨粒的狀態(tài)下，對(duì)玻璃坯板G的主表面進(jìn)行主表面的研磨，此時(shí)能夠除去在第一研磨中附著在玻璃坯板G的側(cè)壁面Gt的氧化鋯顆粒。這是基于下面說明的作用。即，在研磨加工中，玻璃還板G在板厚方向上通過定盤施加有負(fù)荷且對(duì)于與主表面平行的方向而言未被束縛在載具30的孔部31內(nèi)的狀態(tài)下運(yùn)動(dòng)。此時(shí)，玻璃坯板G的側(cè)壁面Gt可以抵接于形成孔部31的側(cè)壁面30t，但是向玻璃坯板G和載具30的孔部31的間隙CL中供給的氧化鈰磨粒研磨玻璃坯板G的側(cè)壁面Gt，由此附著于側(cè)壁面Gt的氧化鋯顆粒從玻璃坯板G的側(cè)壁面Gt脫離。從側(cè)壁面Gt脫離的氧化鋯顆粒隨研磨液一起排出。需要說明的是，為了不因?yàn)椴Ａ靼錑的側(cè)壁面Gt抵接載具30的側(cè)壁面30t時(shí)的沖擊而使側(cè)壁面Gt的表面性狀變差(即，使表面粗糙化)，也可以在載具30的側(cè)壁面30t設(shè)置彈性部件。
[0123]出于向玻璃坯板G的側(cè)壁面Gt與形成載具30的孔部31的側(cè)壁面30t之間充分供給氧化鈰(CeO2)的磨粒從而確保對(duì)于玻璃坯板G的側(cè)壁面Gt的高研磨性能的目的，玻璃坯板G的側(cè)壁面Gt與載具30的側(cè)壁面30t的間隙CL的最大值(最大間隙；D2-D1)優(yōu)選為0.5mm以上、更優(yōu)選為1.0mm以上。
[0124]從在第二研磨中通過氧化鈰磨粒對(duì)玻璃坯板G的側(cè)壁面Gt進(jìn)行高效率的研磨從而除去氧化鋯顆粒的觀點(diǎn)出發(fā)，氧化鈰磨粒在研磨液中的濃度優(yōu)選為5?30重量％。
[0125]在該研磨工序中，向玻璃坯板G和載具30的孔部31的間隙CL中供給的研磨材料不限于氧化鈰磨粒，也可以為其它研磨材料。即，出于提高主表面的研磨的加工速率的觀點(diǎn)，優(yōu)選氧化鈰磨粒，但是在第二研磨的主要目的在于物理性除去可能在玻璃坯板的側(cè)壁面附著的氧化鋯顆粒的情況下，研磨材料也可以不為氧化鈰磨粒。作為其它研磨材料，也可以為例如氧化鋁、金剛石、鈦、二氧化硅的磨粒。需要說明的是，第二研磨中的研磨液中的磨粒的平均粒徑(D50)優(yōu)選與第一研磨中的氧化鋯磨粒的平均粒徑(D50)同等或者更小。
[0126]需要說明的是，第二實(shí)施方式中，除了第一研磨工序(S42)以外，在第二研磨工序(S44)中也同樣地進(jìn)行研磨，使得對(duì)于玻璃坯板的主表面的表面凹凸而言，粗糙度(Ra)為
0.5nm以下且微觀波紋度(MW-Rq)為0.5nm以下。
[0127](8)化學(xué)強(qiáng)化工序(S46)
[0128]與第一實(shí)施方式的化學(xué)強(qiáng)化工序(S24)同樣地進(jìn)行。
[0129](9)最終研磨工序(S48)
[0130]與第一實(shí)施方式的第二研磨(最終研磨)工序(S26)大致同樣地進(jìn)行。
[0131]在最終研磨工序(S48)中，也與第二研磨工序(S44) —樣，玻璃坯板的側(cè)壁面與載具的側(cè)壁面的間隙的最大值(最大間隙)優(yōu)選為0.5mm以上、更優(yōu)選為1.0mm以上。由此，除了第二研磨以外，在最終研磨中也對(duì)玻璃坯板的側(cè)壁面進(jìn)行研磨，因此針對(duì)可能附著于側(cè)壁面的氧化鋯顆粒的除去性能提高。
[0132]需要說明的是，在最終研磨工序中，也可以設(shè)定與圖5中所示的方式同樣地向玻璃坯板與載具的孔部之間供給膠態(tài)二氧化硅等顆粒，由此來對(duì)玻璃坯板的側(cè)壁面進(jìn)行研磨從而除去附著于側(cè)壁面的氧化鋯顆粒。[0133]對(duì)于磁盤用玻璃基板、磁盤,與第一實(shí)施方式中說明的內(nèi)容一樣。。
[0134][第一實(shí)施方式涉及的實(shí)施例、比較例]
[0135]為了確認(rèn)第一實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法效果，由所制造的玻璃基板制作
2.5英寸的磁盤，進(jìn)行LUL耐久試驗(yàn)，考察有無產(chǎn)生磁頭劃碰故障、熱粗糙故障等不良情況。
[0136]所制造的磁盤用玻璃基板的玻璃的組成如下所述。是指質(zhì)量％)。
[0137][玻璃的組成]
[0138]由如下組成構(gòu)成的鋁硅酸鹽玻璃:換算為氧化物基準(zhǔn)，以摩爾％表示，含有50?75 %的SiO2 ; I?15 %的Al2O3 ;合計(jì)為5?35 %的選自Li20、Na2O和K2O中的至少I種成分；合計(jì)為O?20 %的選自MgO、CaO、SrO, BaO和ZnO中的至少I種成分；以及合計(jì)為O?10% 的選自 ZrO2, Ti02、La203、Y2O3> Ta2O5' Nb2O5 和 HfO2 中的至少 I 種成分。
[0139]在本實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法中，(I)的玻璃坯板的成型使用日本特開2011-138589號(hào)公報(bào)中記載的磁盤用玻璃基板的制造方法中所使用的模壓成型方法。磨光中使用了平均粒徑為20 μ m的氧化鋁系游離磨粒。
[0140](4)的利用固定磨粒的磨削中，使用將金剛石磨粒(平均粒徑:1?20μπι)用樹脂粘結(jié)劑固定而成的金剛石片粘貼在上定盤、下定盤上的磨削裝置進(jìn)行磨削。
[0141](5)的第一研磨中，使用圖2和圖3的研磨裝置，使用粒徑的平均值(D50)為
1.0 μ m的氧化錯(cuò)磨粒研磨60分鐘。
[0142](6)的端面研磨中，使用粒徑的平均值(D50)為0.5 μ m的氧化鈰作為游離磨粒，利用研磨刷對(duì)在玻璃坯板間夾著填充物層積的兩塊以上玻璃坯板進(jìn)行60分鐘研磨。
[0143](7)的化學(xué)強(qiáng)化中，使用硝酸鉀(60重量％)和硝酸鈉(40重量％)的混合液等作為化學(xué)強(qiáng)化液，使化學(xué)強(qiáng)化液的溫度為350°C，將事先預(yù)熱至200°C的玻璃坯板在化學(xué)強(qiáng)化液內(nèi)浸潰4小時(shí)。
[0144](8)的第二研磨中，使用與圖2和圖3的研磨裝置同樣的研磨裝置，使用粒徑為10?50 μ m的膠態(tài)二氧化硅，研磨規(guī)定的時(shí)間。由此，使主表面的算術(shù)平均粗糙度Ra(JISB0601:2001)為0.15nm以下。使用中性清洗液和堿性清洗液對(duì)第二研磨后的玻璃坯板進(jìn)行清洗。由此，得到了磁盤用玻璃基板。
[0145]需要說明的是，粒徑的平均值(D50)使用粒徑/粒度分布測定裝置(日機(jī)裝株式會(huì)社制、Nanotrac UPA-EX150)通過光散射法進(jìn)行測定。
[0146]制作在所得到的磁盤用玻璃基板上形成磁性層的磁盤，進(jìn)行LUL耐久試驗(yàn)(60萬次)進(jìn)行評(píng)價(jià)。LUL耐久試驗(yàn)是指，在構(gòu)成磁盤的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)置于溫度為70°C、濕度為80%的恒溫恒濕層中的狀態(tài)下，使磁頭在斜坡(ramp)與ID止動(dòng)器之間不停息地進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)(尋道動(dòng)作)，考察試驗(yàn)后產(chǎn)生的磁頭的污染、磨損等異常的試驗(yàn)。進(jìn)行8萬次/天X 7.5天=60萬次的LUL試驗(yàn)，結(jié)果用顯微鏡將磁頭ABS面放大進(jìn)行目測，觀察到污染的附著、磨損或缺損的情況評(píng)價(jià)為不合格。
[0147].實(shí)施例
[0148]實(shí)施例中，如上所述，依次進(jìn)行(I)的玻璃坯板的成型和磨光工序、(2)的鉆芯工序、⑶的倒角工序、⑷的利用固定磨粒的磨削工序、(5)的第一研磨(主表面研磨)工序、(6)的端面研磨工序、(7)的化學(xué)強(qiáng)化工序、(8)的第二研磨(最終)研磨工序。即，在第一研磨工序之后進(jìn)行端面研磨工序。[0149].比較例
[0150]比較例中，依次進(jìn)行⑴的玻璃坯板的成型和磨光工序、⑵的鉆芯工序、⑶的倒角工序、(6)的端面研磨工序、(4)的利用固定磨粒的磨削工序、(5)的第一研磨(主表面研磨)工序、(7)的化學(xué)強(qiáng)化工序、(8)的第二研磨(最終)研磨工序。即，在第一研磨工序之前進(jìn)行端面研磨工序。
[0151]上述實(shí)施例和比較例中的LUL耐久試驗(yàn)中，實(shí)施例為合格，比較例為不合格?？疾炝嗽贚UL耐久試驗(yàn)中不合格的比較例的原因，結(jié)果可知在玻璃基板和O磁性層之間附著有顆粒，對(duì)該顆粒進(jìn)行組成分析，結(jié)果可知顆粒為氧化鋯顆粒。即可知，第一研磨中使用的氧化鋯磨粒的殘留物附著于玻璃基板的主表面是上述耐久試驗(yàn)的不合格的原因。由此可知，在第一研磨工序之后進(jìn)行端面研磨使磁頭劃碰 故障、熱粗糙故障等不良情況難以發(fā)生。
[0152][第二實(shí)施方式涉及的實(shí)施例、比較例]
[0153]此處，著重于與上述第一實(shí)施方式涉及的實(shí)施例、比較例的不同，進(jìn)行說明。
[0154]按照順序進(jìn)行第二實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法的各工序。
[0155]此處，
[0156](4)的端面研磨中，利用研磨刷，使用粒徑的平均值(D50)為1.Ομπι的氧化鈰作為游離磨粒，對(duì)在玻璃坯板間夾著填充物層積的兩塊以上玻璃坯板進(jìn)行研磨。
[0157](5)的利用固定磨粒的磨削中，使用將金剛石磨粒(平均粒徑:1~20μπι)用樹脂粘結(jié)劑固定而成的金剛石片粘貼在上定盤、下定盤上的磨削裝置進(jìn)行磨削。
[0158](6)的第一研磨中，使用圖1和圖2的研磨裝置研磨60分鐘。詳細(xì)的研磨條件如下所示。
[0159](7)的第二研磨中，使用與圖1和圖2同樣的另一研磨裝置研磨30分鐘。詳細(xì)的研磨條件如下所示。玻璃坯板與研磨裝置的載具之間的最大間隙如表2所示。
[0160]<第一研磨的研磨條件>
[0161].研磨墊:硬質(zhì)聚氨酯墊(JIS-A硬度:80~100)
[0162].研磨負(fù)荷:120g/cm2
[0163].定盤轉(zhuǎn)速:30rpm
[0164].研磨液供給流量:3000L/min
[0165].研磨液:含有15重量％的氧化鋯(ZrO2)作為研磨磨粒。
[0166].粒徑的平均值(D50):0.3~1.5 μ m
[0167].粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差(SD):0.1~0.4 μ m
[0168]<第二研磨的研磨條件>
[0169].研磨墊:硬質(zhì)聚氨酯墊(JIS-A硬度:80~100)
[0170].研磨負(fù)荷:120g/cm2
[0171].定盤轉(zhuǎn)速:30rpm
[0172]?研磨液供給流量:3000L/min
[0173].研磨液:含有15重量％的表1和表2中記載的研磨磨粒。
[0174].粒徑的平均值(D50):0.8~1.5 μ m
[0175].粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差(SD):0.2~0.8 μ m
[0176][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種磁盤用玻璃基板的制造方法，其是具備一對(duì)主表面以及與該一對(duì)主表面正交的側(cè)壁面的磁盤用玻璃基板的制造方法，該制造方法包括: 研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)玻璃坯板的主表面進(jìn)行研磨；和 除去工序，在所述研磨工序之后，物理性除去在研磨所述玻璃坯板的側(cè)壁面或主表面時(shí)由于該玻璃坯板的側(cè)壁面與玻璃基板的側(cè)壁面面對(duì)的載具的端面發(fā)生摩擦而粘固于玻璃坯板的側(cè)壁面的氧化鋯顆粒。
2.—種磁盤用玻璃基板的制造方法，其是具備一對(duì)主表面以及與該一對(duì)主表面正交的側(cè)壁面的磁盤用玻璃基板的制造方法，該制造方法包括: 主表面研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)玻璃坯板的主表面進(jìn)行研磨；和 端面研磨工序，在所述主表面研磨工序之后，對(duì)在所述主表面研磨工序中與所述載具的端面接觸過的玻璃坯板的側(cè)壁面進(jìn)行研磨。
3.一種磁盤用玻璃基板的制造方法，其是具備一對(duì)主表面以及與該一對(duì)主表面正交的側(cè)壁面的磁盤用玻璃基板的制造方法，該制造方法包括: 第一研磨工序，使盤狀的玻璃坯板保持在載具中，利用研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間供給具有氧化鋯顆粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)玻璃坯板的主表面進(jìn)行研磨；和 第二研磨工序，使所述玻璃坯板保持在上述載具中，利用所述研磨墊夾著該玻璃坯板的主表面，在玻璃坯板和研磨墊之間以及玻璃坯板的側(cè)壁面和載具的端面之間供給具有氧化鋯顆粒以外的磨粒作為研磨磨粒的研磨液，使研磨墊與玻璃坯板進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)該玻璃坯板的主表面進(jìn)行研磨。
4.如權(quán)利要求3所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在所述第二研磨工序中，所述玻璃坯板與所述載具之間的最大間隙為0.5mm以上。
5.如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于， 與所述玻璃坯板的側(cè)壁面接觸的所述載具的端面的表面粗糙度為5μπι以下。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，使用具有所述氧化鋯顆粒的研磨液進(jìn)行研磨之前的玻璃坯板的側(cè)壁面的表面粗糙度以算術(shù)平均粗糙度Ra計(jì)為0.1ym以下。
7.如權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述磁盤用玻璃基板的直徑大于2.5英寸的尺寸且板厚為0.6mm以下。
【文檔編號(hào)】B24B37/04GK104011795SQ201280064360
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月29日
【發(fā)明者】中川裕樹, 飯泉京介, 巖間健太, 吉丸剛太郎 申請(qǐng)人:Hoya株式會(huì)社