多區(qū)域氣體注入上電極系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種等離子體處理的系統(tǒng)和方法，該系統(tǒng)和方法包括等離子體處理系統(tǒng)，該等離子體處理系統(tǒng)包括等離子體室和耦聯(lián)到所述等離子體室的控制器。所述等離子體室包括襯底支撐件和與所述襯底支撐件相對(duì)的上電極，所述上電極具有多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域。
【專利說(shuō)明】多區(qū)域氣體注入上電極系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體涉及等離子體處理方法和系統(tǒng)，并且更具體地，涉及用于在等離子體室的上電極具有多個(gè)氣體注入?yún)^(qū)域的方法和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1A是典型的等離子體室100的側(cè)視圖。典型的等離子體室100具有單一的噴頭型上電極102，和襯底支撐件140，襯底支撐件140用于當(dāng)襯底130由等離子體150處理時(shí)支撐所述襯底。
[0003]圖1B是在等離子體室100中的典型的上電極的更詳細(xì)的視圖。典型地，該噴頭型上電極102包括多個(gè)層104、110、120、125。表面層104包括暴露于等離子體表面104A和多個(gè)排出口 106。暴露于等離子體表面104A是暴露于等離子體150的表面層的表面。排出口基本上均勻地分布在整個(gè)等離子體室100上，從而保持工藝氣體的均勻分布。
[0004]表面層104的背后是氣體分配層110。氣體分配層110包括多個(gè)氣體通道112、114，以均勻分配工藝氣體至表面層104的端口 106。多個(gè)氣體通道112、114被耦聯(lián)到一個(gè)或多個(gè)外部工藝氣體源(未示出)。大量的精力放在多個(gè)氣體通道112、114的詳細(xì)設(shè)計(jì)中，以便確保該多個(gè)氣體通道均勻分配工藝氣體至各排出口 106，從而在整個(gè)等離子體室100均勻分布。
[0005]氣體分配層110的背后是溫度控制層120。溫度控制層120包括元件122。根據(jù)需要，元件122可加熱 或冷卻溫度控制層120，以控制上電極102的溫度。作為控制在等離子體室100中進(jìn)行的等離子體處理的一方面，上電極102的溫度被控制。大量的精力放在溫度控制層120的詳細(xì)設(shè)計(jì)中，以便保持在整個(gè)表面層104的均勻的溫度。
[0006]不幸的是，因?yàn)楦鞣N原因，跨越襯底130的中心至邊緣的等離子體處理并不總是均勻的。鑒于上述情況，所需要的是沿襯底130的中心到邊緣操控等離子體處理的系統(tǒng)和方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]廣義地說(shuō)，本發(fā)明通過(guò)提供沿襯底的中心到邊緣操控等離子體處理的系統(tǒng)和方法來(lái)滿足這些需求。應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明可以以包括作為工藝、器件、系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或設(shè)備的多種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的若干發(fā)明實(shí)施方式描述如下。
[0008]一實(shí)施方式提供了用于等離子體處理的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理系統(tǒng)包括等離子體室和耦聯(lián)到所述等離子體室的控制器。所述等離子體室包括襯底支撐件和與所述襯底支撐件相對(duì)的上電極，所述上電極具有多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域。
[0009]所述同心氣體注入?yún)^(qū)域中的每一個(gè)包括多個(gè)氣體饋給件，所述多個(gè)氣體饋給件圍繞相應(yīng)的所述氣體注入?yún)^(qū)域均勻地分布。在第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一成組的氣體饋給件可與第二同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第二成組的氣體饋給件對(duì)準(zhǔn)。在第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一成組的氣體饋給件可從第二同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第二成組的氣體饋給件順時(shí)針偏移。
[0010]所述多個(gè)氣體饋給件中的至少一個(gè)可包括等離子體放電器。所述等離子體放電器可包括多個(gè)具有寬度太小而不能支持等離子體的小通道。所述等離子體放電器可包括接地電極。
[0011]所述同心氣體注入?yún)^(qū)域中的每一個(gè)可包括多個(gè)同心氣體增壓環(huán)。在相應(yīng)的同心氣體注入?yún)^(qū)域的所述同心氣體增壓環(huán)由多個(gè)氣體通道耦聯(lián)在一起。所述多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域中的每一個(gè)可包括多個(gè)排出口。所述等離子體處理系統(tǒng)還可包括耦聯(lián)到所述內(nèi)側(cè)上電極的RF源。
[0012]另一實(shí)施方式提供了一種等離子體處理系統(tǒng)，其包括等離子體室和耦聯(lián)到所述等離子體室的控制器。所述等離子體室包括襯底支撐件和與所述襯底支撐件相對(duì)的上電極，所述上電極具有多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域。所述多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域中的每一個(gè)包括多個(gè)氣體饋給件。所述多個(gè)氣體饋給件被均勻地圍繞相應(yīng)的所述氣體注入?yún)^(qū)域分布。所述多個(gè)氣體饋給件中的至少一個(gè)包括等離子體放電器。在第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一成組的氣體饋給件從第二同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第二成組的氣體饋給件順時(shí)針?lè)较蚱啤?br> [0013]又一實(shí)施方式提供了一種使用具有多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域的上電極選擇蝕刻速率的方法，該方法包括:在等離子體室中產(chǎn)生等離子體；降低第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一蝕刻速率，包括在所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域注入調(diào)節(jié)氣體；以及降低第二同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第二蝕刻速率，包括在所述第二同心氣體注入?yún)^(qū)注入調(diào)節(jié)氣體。 [0014]降低所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的所述第一蝕刻速率可包括將在所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域的第一襯底溫度或所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一上電極溫度中的至少一個(gè)設(shè)置成高于第二同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第二襯底溫度或在所述第二同心氣體注入?yún)^(qū)域的第二上電極的溫度中的至少一個(gè)的溫度。
[0015]提高所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域的第一蝕刻速率可包括將在所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域的第一襯底溫度或所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一上電極溫度中的至少一個(gè)設(shè)置成低于第二同心氣體注入?yún)^(qū)域的第二襯底溫度或在所述第二同心氣體注入?yún)^(qū)域的第二上電極的溫度中的至少一個(gè)的溫度。
[0016]所述調(diào)節(jié)氣體可降低在待處理的襯底的表面上的碳/氟比。所述調(diào)節(jié)氣體可包括氧氣或其它適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)氣體。
[0017]結(jié)合附圖，在下面的詳細(xì)描述中，通過(guò)以舉例的方式說(shuō)明本發(fā)明的原理，本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]結(jié)合附圖通過(guò)在下面的詳細(xì)說(shuō)明將容易地理解本發(fā)明。
[0019]圖1A是典型的等離子體室的側(cè)視圖。
[0020]圖1B是在等離子體室中的典型的上電極的更詳細(xì)的視圖。
[0021]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體室。
[0022]圖3A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體室的邊緣區(qū)域的示意圖。
[0023]圖3B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離子和中性物質(zhì)的密度的曲線圖。[0024]圖3C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的跨越(across)襯底的半徑的相對(duì)蝕刻速率的曲線圖。
[0025]圖3D是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在等離子體室頂部的部分的示意圖。
[0026]圖4A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示出在使用雙溫區(qū)上電極選擇邊緣蝕刻速率的過(guò)程中所執(zhí)行的方法 操作的流程圖。
[0027]圖4B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示出在保持所述上電極的設(shè)定點(diǎn)溫度的過(guò)程中所執(zhí)行的方法操作的流程圖。
[0028]圖5A和圖5B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多區(qū)域氣體注入上電極的示意圖。
[0029]圖5C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的調(diào)節(jié)每個(gè)氣體注入?yún)^(qū)域中的氣體注入的效果的曲線圖。
[0030]圖和5E是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的調(diào)節(jié)氣體和工藝氣體的相對(duì)密度的曲線圖。
[0031]圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有多區(qū)域氣體注入上電極的等離子體室的橫截面圖。
[0032]圖7A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的分配氣體供給饋給件的示意圖。
[0033]圖7B-F是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體放電器的示意圖。
[0034]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在使用分配氣體區(qū)域選擇邊緣蝕刻速率的過(guò)程中所執(zhí)行的方法操作的流程圖。
[0035]圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的簡(jiǎn)化示意圖。
[0036]圖1OA是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的加熱的邊緣環(huán)的示意圖。
[0037]圖1OB和IOC是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的凸輪鎖的示意圖。
[0038]圖1OD和IOE是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的到加熱器的電氣連接的示意圖。
[0039]圖1OF是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的光學(xué)溫度傳感器的原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]現(xiàn)在將描述操控沿所述襯底的中心到邊緣的等離子體處理的系統(tǒng)和方法的一些示例性實(shí)施方式。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員，顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以在沒(méi)有本文闡述的具體細(xì)節(jié)中的一些或全部的情況下實(shí)施。
[0041]一種方法，操控沿著襯底130的中心到邊緣的等離子體處理，以改變從襯底的中心130A到邊緣130B的上電極的溫度。另一種方法,操控沿著襯底130的中心到邊緣的等離子體處理，以操控沿著從襯底的中心130A到邊緣130B的工藝氣體濃度。
[0042]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體室200。圖2的室包括分別經(jīng)由相應(yīng)的匹配網(wǎng)絡(luò)連接到下電極108的具有RF頻率fl、f2、f3的RF功率源220、222和224。上電極201通過(guò)開(kāi)關(guān)244和匹配網(wǎng)絡(luò)246連接到具有RF頻率f4的第四RF功率源242。
[0043]另外，該室包括開(kāi)關(guān)244，開(kāi)關(guān)244將上電極201連接到接地電位或經(jīng)由匹配網(wǎng)絡(luò)246連接到RF功率源242。第一加熱器218位于上電極201的上方，而第二加熱器216位于接地電極248的上方。加熱器通過(guò)氮化鋁材料層與上電極201和接地電極分離，但也可使用其他絕緣體。加熱器216控制在所述接地電極的外部區(qū)域的溫度，以及加熱器218控制上電極201的溫度。每一個(gè)加熱器是可操作的以在襯底處理操作期間獨(dú)立打開(kāi)或關(guān)閉。[0044]控制上電極的溫度可用于調(diào)節(jié)室的響應(yīng)。然而，控制溫度受到溫度不能迅速改變的限制。因此，溫度控制提供對(duì)室中的變化的慢響應(yīng)。利用上電極201的溫度控制難以控制每個(gè)襯底處理操作。此外，可以施加到在室200中的硅表面的溫度有上限。
[0045]晶片處理裝置還包括系統(tǒng)控制器202，上電極功率控制器206，加熱器控制器208，和分別為fl、f2、f3的功率源控制器210、212和214。系統(tǒng)控制器202接收等離子體配方204，等離子體配方204包括用于在室中進(jìn)行的不同操作的指令?？梢栽诙鄠€(gè)操作實(shí)現(xiàn)晶片的處理，并且每個(gè)操作可能需要在室中進(jìn)行不同的設(shè)置。例如，在一個(gè)操作中所有4個(gè)RF功率源被接通，而在其它操作僅3、或2、或I個(gè)RF功率源等被接通。
[0046]根據(jù)配方204，系統(tǒng)控制器設(shè)置所述室的操作參數(shù)，包括哪個(gè)RF功率源被接通或斷開(kāi)，它們的電壓和功率設(shè)置，開(kāi)關(guān)244的設(shè)置，加熱器216和218度數(shù)的設(shè)置，在室中使用的氣體，在室中的壓強(qiáng)，晶片處理操作的持續(xù)時(shí)間等。在一實(shí)施方式中，系統(tǒng)控制器202發(fā)送指令到上電極功率控制器206用于在上電極的功率的配置，該配置包括設(shè)定開(kāi)關(guān)244連接上電極到地或到RF功率，并且接通或斷開(kāi)RF功率242，以及設(shè)定RF功率242的功率電平。
[0047]系統(tǒng)控制器202與加熱器控制器208耦合，以調(diào)節(jié)上電極201的溫度。加熱器控制器208調(diào)節(jié)加熱器216和218，以控制上電極201的溫度。溫度傳感器(未示出)提供在上電極中的一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)處的上電極201的溫度的信息給加熱器控制器208。因此，加熱器控制器208可以通過(guò)接通或斷開(kāi)加熱器來(lái)調(diào)節(jié)在上電極201上的溫度以實(shí)現(xiàn)晶片處理過(guò)程中所需的溫度。
[0048]系統(tǒng)控制器202與功率源控制器210、212和214耦合，功率源控制器210、212和214控制對(duì)應(yīng)的RF功率210、222或224是接通還是斷開(kāi)，以及，如果功率接通，則控制設(shè)置什么功率。在一個(gè)實(shí)施方式中，RF功率源242的頻率為400千赫。在另一實(shí)施方式中，頻率在從400千赫到2兆赫的范圍內(nèi)，而在又一實(shí)施方式中，頻率在從100千赫至10兆赫的范圍內(nèi)。在某些操作中，三個(gè)底部射頻功率不同時(shí)接通，這使得在頂部RF具有較高頻率。在一個(gè)實(shí)施方式中，f4與在底部的頻率fl-f3不同，以避免在室中諧振。
[0049]在一個(gè)實(shí)施方式中，在室中的壓強(qiáng)具有介于20毫乇和60毫托之間的值。在另一個(gè)實(shí)施方式中，頂部功率源的電壓可以在幾百伏(例如，100伏至2000伏或更高)的范圍內(nèi)，而底部RF功率源可以有高達(dá)6000伏或更高的電壓。在一個(gè)實(shí)施方式中，電壓為1000V。在另一實(shí)施方式中，頂部RF功率源的電壓有介于100伏和600伏之間的值，并且底部的RF功率源的電壓具有介于1000V和6000V之間的值。在頂室和底室中的壓強(qiáng)可具有介于10毫乇和500毫乇之間的值。在一個(gè)實(shí)施方式中，室在15毫乇的壓強(qiáng)下操作。
[0050]值得注意的是，圖2的實(shí)施方式是示例性的。其他實(shí)施方式可以利用不同類型的室、不同的頻率、基于配方對(duì)室配置的其他類型的調(diào)整、在室中不同的壓強(qiáng)等。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，室是CCP等離子體室。此外，上面所描述的在半導(dǎo)體晶片處理裝置中的一些模塊可以組合成單一的模塊，或單一的模塊的功能可以由多個(gè)模塊來(lái)執(zhí)行。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，功率控制器210、212和214集成在系統(tǒng)控制器202中，但是其它配置也是可能的。因此圖2所示的實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為排他性或者限制性的，而是示例性或說(shuō)明性的。
雙溫區(qū)上電極
[0051]圖3A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體室200的邊緣區(qū)域的示意圖。上電極201被熱耦聯(lián)到在襯底邊緣區(qū)域130B上方的區(qū)域312A上方的內(nèi)部加熱器218。等離子體約束結(jié)構(gòu)252向外延伸超過(guò)所述襯底邊緣區(qū)域130B。約束結(jié)構(gòu)252包括多個(gè)約束環(huán)254。
[0052]襯底支撐件140包括邊緣環(huán)205。邊緣環(huán)205包括溫度控制機(jī)構(gòu)，該溫度控制機(jī)構(gòu)能加熱或冷卻邊緣環(huán)至所期望的邊緣環(huán)的溫度。該邊緣環(huán)205相鄰于邊緣區(qū)域130B和在邊緣區(qū)域130B的外部。該邊緣環(huán)205通過(guò)邊緣環(huán)307與等離子體電隔離。
[0053]約束結(jié)構(gòu)252還包括突起310，其從等離子體室的上部向下突出。突起310被熱耦聯(lián)到外加熱器216。
[0054]絕緣體250將上電極201與突起310以及將內(nèi)加熱器218與外加熱器216電和熱絕緣。內(nèi)加熱器218可以加熱所述上電極201到第一期望溫度Tl (即，內(nèi)部電極溫度)。外加熱器216可以加熱突起310到第二期望溫度T2(即，外電極的溫度)。類似地，邊緣環(huán)205可被加熱到第三期望溫度Τ3(即，邊緣環(huán)溫度)。襯底130可以被加熱到第四期望溫度Τ4(即，襯底溫度)。
[0055]在內(nèi)部區(qū)域312Α與外部區(qū)域312Β中的中性分子302和離子304的密度可以通過(guò)相對(duì)溫度Τ1、Τ2、Τ3和Τ4來(lái)選擇。中性分子302趨向于減緩被蝕刻的表面與離子304之間的反應(yīng)性。中性分子302傾向于在熱梯度中擴(kuò)散，并粘附至相對(duì)溫度Tl、Τ2、Τ3和Τ4中的最冷的表面上?？梢圆倏刂行苑肿?02和304離子的相對(duì)密度以選擇蝕刻速率。
[0056]舉例而言，如果Τ1ΧT2，那么與外部等離子體區(qū)域312Β相比，可以提高在襯底130的邊緣130Β上方所述內(nèi)部等離子體區(qū)域312Α中的中性分子302的相對(duì)密度。從而降低在襯底130的邊緣130Β的離子304的反應(yīng)性。降低離子304的反應(yīng)性導(dǎo)致襯底130的邊緣區(qū)域130Β的相應(yīng)降低的蝕刻速率。 [0057]類似地，如果Τ2ΧT1，那么與外部等離子體區(qū)域312Β相比，可以降低在襯底130的邊緣130Β上方所述內(nèi)部等離子體區(qū)域312Α中的該中性分子302的相對(duì)密度。從而提高在襯底130的邊緣130Β上的離子304的反應(yīng)性。提高離子304的反應(yīng)性導(dǎo)致襯底130的邊緣區(qū)域130Β的相應(yīng)提高的蝕刻速率。
[0058]因此，通過(guò)選擇在各等離子體區(qū)域312Α、312Β的相對(duì)溫度，可以提高或降低在襯底130的邊緣區(qū)域130Β的相應(yīng)的蝕刻速率。
[0059]圖3Β是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離子304和中性物質(zhì)302的密度的曲線圖350。圖350具有在水平軸的襯底的半徑和示于垂直軸的離子304和中性物質(zhì)302的相對(duì)密度。
[0060]圖3C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的跨越襯底130的半徑的相對(duì)蝕刻速率的曲線圖370。圖370具有在水平軸的襯底的半徑，而多個(gè)蝕刻循環(huán)的蝕刻速率示于垂直軸上。
[0061]在襯底130的中心區(qū)域130Α中，離子304和中性物質(zhì)302的相對(duì)密度是近似相等的，并且相應(yīng)的蝕刻速率在襯底的相同部分大致相等。
[0062]朝向襯底130的邊緣區(qū)域130Β，相對(duì)密度在下降線352趨于變化。如上所述操控相對(duì)溫度Tl、Τ2、Τ3，可以在曲線圖將下降線352左移或右移。理想情況下，如上所述操控相對(duì)溫度！1、12、13，可以將下降線352右移到超過(guò)襯底130的邊緣130Β。
[0063]圖3D是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體室頂部的部分的示意圖。示出了內(nèi)部加熱器218，外部加熱器216，接地電極248，氣體分配板610和絕緣板382 (例如，氮化鋁或其它合適的絕緣體)。氣體分配板610可以具有施加的RF信號(hào)，從而典型的熱耦聯(lián)需要濾波器網(wǎng)絡(luò)以有效地發(fā)揮作用。因此，光學(xué)溫度傳感器384可用于監(jiān)測(cè)氣體分配板610的溫度。
[0064]應(yīng)當(dāng)理解的是，光學(xué)溫度傳感器384可以被放置在任何可提供氣體分配板610的適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)視角的方向和位置。光學(xué)溫度傳感器384可以通過(guò)絕緣板382監(jiān)測(cè)氣體分配板的溫度。該接地電極248也可以包括板式加熱器。
[0065]可以單獨(dú)和組合使用內(nèi)部加熱器218、外部加熱器216、加熱的邊緣環(huán)205和靜電卡盤(pán)140內(nèi)的加熱和冷卻系統(tǒng)，以減少在等離子體室中的熱逐漸上升的時(shí)間。也可單獨(dú)和組合使用內(nèi)部加熱器218、外部加熱器216、加熱的邊緣環(huán)205和靜電卡盤(pán)140內(nèi)的加熱和冷卻系統(tǒng)，以減少和甚至基本上消除在等離子體室的各部分中在等離子體處理過(guò)程中通常發(fā)生的過(guò)渡期間的部分冷卻。減少或消除過(guò)渡期間的部分冷卻提高了處理速度，并隨著時(shí)間的推移且在等離子體室中的整個(gè)期望的表面上將離子體室維持等在更加恒定的溫度。減少或消除過(guò)渡期間的部分冷卻提高了化學(xué)工藝的一致性，因?yàn)闊釁^(qū)和冷區(qū)以及時(shí)間間隔可以影響存在于所述室的各種氣體和等離子體副產(chǎn)物的分壓。
[0066]圖4A是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式的示出在使用雙溫區(qū)上電極選擇邊緣蝕刻速率所執(zhí)行的方法操作400的流程圖。這里所示的操作是示例性的，應(yīng)該被理解的是，某些操作可以具有子操作，且在其它情況下，其中所描述的某些操作可不被包括在所說(shuō)明的操作中。出于這點(diǎn)考慮，現(xiàn)在將描述該方法操作400。
[0067] 在操作405，在等離子體室262中產(chǎn)生等離子體260。在操作410，進(jìn)行詢問(wèn)，以確定是否要降低在邊緣區(qū)域130B的蝕刻速率。如果邊緣區(qū)域130B的蝕刻速率應(yīng)降低，則在操作415中繼續(xù)該方法操作。如果邊緣區(qū)域130B的蝕刻速率不應(yīng)降低，則在操作420中繼續(xù)該方法操作。
[0068]在操作415，溫度Tl和/或T4被調(diào)整為大于溫度T2和T3，并且在操作430中繼續(xù)該方法操作。
[0069]在操作420，進(jìn)行詢問(wèn)，以確定是否提高在邊緣區(qū)域130B的蝕刻速率。如果邊緣區(qū)域130B的蝕刻速率應(yīng)提高，則在操作425中繼續(xù)該方法操作。如果邊緣區(qū)域130B的蝕刻速率不應(yīng)提高，則在操作430中繼續(xù)該方法操作。
[0070]在操作420，溫度T2和/或T3被調(diào)整為大于溫度Tl和T4，并且在操作430中繼續(xù)該方法操作。
[0071]在操作430，進(jìn)行詢問(wèn)，以確定該蝕刻處理是否完成。如果該蝕刻處理完成，則可以結(jié)束該方法操作。如果該蝕刻處理沒(méi)有完成，則如上所述在操作410中繼續(xù)該方法操作。
[0072]具有上電極201的雙區(qū)溫度控制的另一個(gè)方面是當(dāng)上電極已施加RF時(shí)，熱量會(huì)在上電極中產(chǎn)生，然后當(dāng)不施加RF時(shí)被冷卻。加熱器218、216提供雙區(qū)溫度控制上電極201以允許當(dāng)施加RF時(shí)上電極201的中央部分被冷卻，在不施加RF時(shí)被加熱，以便保持所需的設(shè)定點(diǎn)溫度。
[0073]本發(fā)明的另一個(gè)方面在于雙區(qū)溫度控制上電極可以具有上電極201的不導(dǎo)電的可從電極201的剩余部分拆除以便維修(例如，清潔)的表面201A。
[0074]圖4B是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式的示出在保持上電極201的設(shè)定點(diǎn)溫度所執(zhí)行的方法操作450的流程圖。這里所示的操作是示例性的，應(yīng)該理解的是，某些操作可以具有子操作，且在其它情況下，此處所描述的某些操作可不被包括在所說(shuō)明的操作中。出于這點(diǎn)考慮，現(xiàn)在將描述該方法操作450。[0075]在操作452，在等離子體室262產(chǎn)生等離子體260。在操作454，進(jìn)行詢問(wèn)，以確定是否施加RF到上電極201。如果施加RF到上電極201，那么在操作456繼續(xù)該方法操作。如果不施加RF到上電極201，那么在操作458繼續(xù)該方法操作。
[0076]在操作456，降低溫度Tl，以維持設(shè)定點(diǎn)溫度，并且在操作460繼續(xù)該方法操作。在操作458，提高溫度Tl，以維持設(shè)定點(diǎn)溫度，并且在操作460繼續(xù)該方法操作。
[0077]在操作460，進(jìn)行詢問(wèn)，以確定該蝕刻處理是否完成。如果該蝕刻處理完成，則可以結(jié)束該方法操作。如果該蝕刻處理沒(méi)有完成，則如上所述在操作454中繼續(xù)該方法操作。
多區(qū)域氣體注入上電極
[0078]操控從襯底130的中心130A至邊緣130B的蝕刻速率的另一種方法是調(diào)節(jié)從襯底的中心至邊緣的沿徑向的工藝氣體的濃度。從上電極501注入多區(qū)域氣體允許調(diào)節(jié)氣體(例如，氧氣或其它調(diào)節(jié)氣體)可以從襯底130的中心徑向向外注入不同的區(qū)域中。調(diào)節(jié)氣體改變了在襯底130的表面的碳/氟比，從而改變離子密度和相應(yīng)的蝕刻速率。
[0079]本文所描述的示例性實(shí)施方式包括在上電極501的三個(gè)氣體注入?yún)^(qū)域。但應(yīng)理解的是，也可以使用三個(gè)以上的區(qū)域(例如，四個(gè)或更多個(gè)區(qū)域)。
[0080]圖5A和5B是按照本發(fā)明的實(shí)施方式的多區(qū)域氣體注入上電極501的示意圖500、550。多區(qū)域氣體注入上電極501包括三個(gè)氣體注入?yún)^(qū)域502、504和506。氣體注入?yún)^(qū)域502、504和506是同心的。
[0081]中心氣體注入?yún)^(qū) 域1,502具有中心氣體供應(yīng)饋給件552。每個(gè)同心的氣體注入?yún)^(qū)域504、506具有圍繞各自的圓周基本上均勻地分布的相應(yīng)的氣體供應(yīng)饋給件。舉例而言，氣體注入?yún)^(qū)域2，504具有4個(gè)氣體供應(yīng)饋給件554，它們又由中心和輻分配歧管供給。類似地，氣體注入?yún)^(qū)域3，506具有八個(gè)氣體供應(yīng)饋給件556，它們又由中心和輻分配歧管供給。
[0082]均勻分布的氣體供應(yīng)饋給件554、556可以在各自的氣體注入?yún)^(qū)域504、506對(duì)準(zhǔn)。替代地，均勻分布的氣體供應(yīng)饋給件554、556可在各自的氣體注入?yún)^(qū)域504、506偏移(即順時(shí)針)。分配氣體供應(yīng)饋給件554、556的數(shù)量在每個(gè)區(qū)域504、506中可以是相同的，或在每個(gè)區(qū)域數(shù)量不同。
[0083]每個(gè)氣體注入?yún)^(qū)域502、504、506可包括一個(gè)或多個(gè)同心的氣體增壓環(huán)562、564、566。該氣體增壓環(huán)562、564、566通過(guò)在各自的氣體注入?yún)^(qū)域502、504、506內(nèi)的多個(gè)氣體通道572、574、576聯(lián)接在一起。每個(gè)氣體注入?yún)^(qū)域502、504、506包括通過(guò)上電極的表面到等離子體區(qū)域的多個(gè)排出口 532、534、536。
[0084]圖5C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的調(diào)節(jié)每個(gè)氣體注入?yún)^(qū)域502、504、506中的氣體注入的效果的曲線圖520。圖形521是調(diào)節(jié)在氣體注入?yún)^(qū)域1，502中注入的氣體的效果。圖形522是調(diào)節(jié)在氣體注入?yún)^(qū)域2，504中注入的氣體的效果。圖形523是調(diào)節(jié)在氣體注入?yún)^(qū)域3，506中注入的氣體的效果。
[0085]參考圖形521，在整個(gè)氣體注入?yún)^(qū)域I調(diào)節(jié)在氣體注入?yún)^(qū)域1，502中注入的氣體比在氣體注入?yún)^(qū)域2，504和在氣體注入?yún)^(qū)域3，506更穩(wěn)定有效(即，更加線性可預(yù)測(cè))。參考圖形522，在整個(gè)氣體注入?yún)^(qū)域2調(diào)節(jié)在氣體注入?yún)^(qū)域2，504中注入的氣體比在氣體注入?yún)^(qū)域1，502或在氣體注入?yún)^(qū)域3，506更穩(wěn)定有效。參考圖表523，在整個(gè)氣體注入?yún)^(qū)域3調(diào)節(jié)在氣體注入?yún)^(qū)域3，506中注入的氣體比在氣體注入?yún)^(qū)域1502或在氣體注入?yún)^(qū)域2，504更穩(wěn)定有效。[0086]圖?和5E是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的調(diào)節(jié)氣體和工藝氣體的相對(duì)密度的曲線圖580、590。提高調(diào)節(jié)氣體(氧氣)流率增加與該流率成正比的氧自由基的存在。而工藝氣體(氟)密度基本上是恒定的。提高工藝氣體(C4F8)流率降低氧自由基的相對(duì)密度。該工藝氣體自由基(氟)基本與該工藝氣體的流率成正比地增加。氧自由基的相對(duì)密度控制聚合物除去的程度，而不改變等離子體性質(zhì)。工藝氣體的相對(duì)密度在較短的停留時(shí)間影響有效性。
[0087]圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的具有多區(qū)域氣體注入上電極501的等離子體室600的橫截面圖。等離子體室600的橫截面圖示出了形成等離子體室的頂部部分的多層組件。多區(qū)域氣體注入上電極501包括內(nèi)部電極201和外部電極310。絕緣體250分隔開(kāi)內(nèi)部電極201和外部電極310。絕緣體250可以是石英或一些其它合適的絕緣材料。內(nèi)部電極201和外部電極310可以具有不同的施加信號(hào)。舉例而言，RF信號(hào)可以被施加到內(nèi)部電極201和地或其它DC電勢(shì)可以被施加到外部電極310。
[0088]內(nèi)部電極201可拆卸地安裝在氣體分配板610。氣體分配板610在整個(gè)上電極501分配工藝氣體和調(diào)節(jié)氣體。該氣體分配板610包括分配增壓室562、564、566和通道572、574,576以均勻分配工藝氣體和調(diào)節(jié)氣體。
[0089]氣體分配板610被安裝在絕緣板612上。絕緣板612將內(nèi)部電極201與形成等離子體室600的頂部部分的其他層電隔離。該氣體饋給件552、554、556可包括等離子體放電器620。該等離子體放電器620防止等離子體在氣體饋給件552、554、556點(diǎn)燃。
[0090]圖7A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的分配氣體供給饋給件554、556的示意圖。一個(gè)或多個(gè)分配氣體供給饋給件554、556可包括等離子體放電器620。
[0091]圖7B-F是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的等離子體放電器620、620’的示意圖。等離子體放電器620、620’基本上防止等離子體在分配氣體供應(yīng)饋給件554、556內(nèi)點(diǎn)燃。密封件702A、702B防止氣體泄漏。
[0092]等離子體放電器620可以包括沿等離子體放電器的外部部分設(shè)置的多個(gè)小管750和帶凹槽的通道752。小管750和帶凹槽的通道752具有足夠小的寬度，以至于熄滅到達(dá)等離子體放電器620的任何等離子體。等離子體放電器620也可以包括接地電極(未示出)，接地電極可以協(xié)助熄滅到達(dá)等離子體放電器的任何等離子體。
[0093]替代的等離子體放電器620’有螺旋外部線圈760，螺旋外部線圈760形成具有足夠小的寬度，以至于熄滅到達(dá)等離子體放電器的任何等離子體的螺旋形通道。螺旋外部線圈760也可以接地，以協(xié)助熄滅到達(dá)等離子體放電器620’的等離子體。等離子體放電器620,620'可以由陶瓷材料(例如，氧化鋁或類似材料)制成。
[0094]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在使用分配氣體區(qū)域502、504、506選擇邊緣蝕刻速率所執(zhí)行的方法操作800的流程圖。這里所示的操作是示例性的，應(yīng)該理解的是，某些操作可以具有子操作，且在其它情況下，此處所描述的某些操作可不被包括在所說(shuō)明的操作中。出于這點(diǎn)考慮，現(xiàn)在將描述該方法操作800。
[0095]在操作802，在等離子體室262中產(chǎn)生等離子體260。在操作804，進(jìn)行詢問(wèn)，以確定是否要降低在內(nèi)部氣體分配區(qū)域1，502的蝕刻速率。如果內(nèi)部氣體分配區(qū)域1，502的蝕刻速率要降低，則在操作806繼續(xù)該方法操作。如果內(nèi)部氣體分配區(qū)域1，502的蝕刻速率不要降低，則在操作808繼續(xù)該方法操作。[0096]在操作806，將調(diào)節(jié)氣體注入到內(nèi)部氣體分配區(qū)域1，502，并且在操作816繼續(xù)該方法操作。
[0097]在操作808，進(jìn)行詢問(wèn)以確定是否要降低中間氣體分配區(qū)域2，504的蝕刻速率。如果中間氣體分配區(qū)域2，504的蝕刻速率要降低，則在操作810繼續(xù)該方法操作。如果中間氣體分配區(qū)域2，504的蝕刻速率不要降低，則在操作812繼續(xù)該方法操作。
[0098]在操作810，將調(diào)節(jié)氣體注入到中間氣體分配區(qū)域2，504，并且在操作816繼續(xù)該方法操作。
[0099]在操作812，進(jìn)行詢問(wèn)以確定是否要降低外部氣體分配區(qū)域3，506的蝕刻速率。如果外部氣體分配區(qū)域3，506的蝕刻速率要降低，則在操作814繼續(xù)該方法操作。如果外部氣體分配區(qū)域3，506蝕刻速率不要降低，則在操作816繼續(xù)該方法操作。
[0100]在操作812，將調(diào)節(jié)氣體注入到外部氣體分配區(qū)域3，506，并且在操作816繼續(xù)該方法操作。
[0101]在操作816，進(jìn)行詢問(wèn)以確定該蝕刻處理是否完成。如果該蝕刻處理完成，則該方法的操作可以結(jié)束。如果該蝕刻處理沒(méi)有完成，則如上所述在操作804繼續(xù)該方法操作。
[0102]圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)900的簡(jiǎn)化示意圖。應(yīng)當(dāng)理解的是，本文描述的方法可以用數(shù)字處理系統(tǒng)，如常規(guī)的、通用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行。可以在替代方案中使用被設(shè)計(jì)或編程為只執(zhí)行一種功能的專用計(jì)算機(jī)。該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)包括中央處理單元(CPU) 904，它通過(guò)總線910耦聯(lián)到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM) 928、只讀存儲(chǔ)器(ROM) 912和大容量存儲(chǔ)設(shè)備914。相位控制程序908駐留在隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM) 928，但也可以駐留在大容量存儲(chǔ)914或R0M912。
[0103]大容量存儲(chǔ)設(shè)備914代表持久的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，如軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器或固定磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其可以是本地的或遠(yuǎn)程的。網(wǎng)絡(luò)接口 930提供經(jīng)由允許與其他設(shè)備通信的網(wǎng)絡(luò)932的連接。應(yīng)當(dāng)理解的是，CPU904可包含在通用處理器，專用處理器，或?qū)ｉT(mén)編程的邏輯器件中。輸入/輸出(I/O)接口提供與不同的外圍設(shè)備的通信并通過(guò)總線910與CPU904、RAM928、R0M912以及大容量存儲(chǔ)設(shè)備914相連。樣品外圍設(shè)備包括顯示器918、鍵盤(pán)922、光標(biāo)控制924，可移動(dòng)媒體設(shè)備934等。
[0104] 顯示器918被配置為顯示在此描述的用戶界面。鍵盤(pán)922、光標(biāo)控制924、可移動(dòng)媒體設(shè)備934和其他外圍設(shè)備被連接到I/O接口 920，以便將命令選擇中的信息傳輸給CPU904。應(yīng)當(dāng)理解的是，往來(lái)于外部設(shè)備的數(shù)據(jù)可通過(guò)I/O接口 920通信。也可以在分布式計(jì)算環(huán)境中實(shí)施實(shí)施方式，在分布式計(jì)算環(huán)境中任務(wù)由通過(guò)基于有線或無(wú)線的網(wǎng)絡(luò)連接的遠(yuǎn)程處理設(shè)備來(lái)執(zhí)行。
[0105]圖1OA是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的被加熱的邊緣環(huán)307的示意圖?？梢匀芜x地包括加熱器205以加熱邊緣環(huán)307。
[0106]圖1OB和IOC是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的凸輪鎖1010的示意圖。凸輪鎖1010包括凸輪鎖軸1011和凸輪鎖頭1012。凸輪鎖1010與碰鎖1014耦聯(lián)以固定靜電卡盤(pán)140至設(shè)施板1015。
[0107]圖1OD和IOE是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電氣連接件1020、1022到加熱器205的示意圖。電氣連接件1020、1022耦接電功率到加熱器205。當(dāng)凸輪鎖1010固定靜電卡盤(pán)140到設(shè)施板1015時(shí)，電氣連接件1020、1022耦接到加熱器205。[0108]圖1OF是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的光學(xué)溫度傳感器1030的原理圖。光學(xué)溫度傳感器1030監(jiān)測(cè)邊緣環(huán)307的溫度并將該溫度數(shù)據(jù)耦接到系統(tǒng)控制器。
[0109]考慮到上述各實(shí)施方式，應(yīng)理解的是，本發(fā)明可采用涉及存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)的各種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的操作。這些操作是那些需要物理量的物理操控的操作。通常，盡管不是必須的，這些量采用能夠被存儲(chǔ)、傳輸、組合、比較以及以其他方式操控的電或磁信號(hào)的形式。另外，所進(jìn)行的操控經(jīng)常以諸如產(chǎn)生、識(shí)別、確定或比較等術(shù)語(yǔ)稱呼。
[0110]本發(fā)明還可以體現(xiàn)為在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)可讀代碼和/或邏輯。該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)是可以存儲(chǔ)其后可以由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)讀取的數(shù)據(jù)的任何數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的例子包括硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)設(shè)備(NAS)、邏輯電路、只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、CD-R0M、CD-R、CD-RW、磁帶、和其他光學(xué)和非光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)還可以分布在網(wǎng)絡(luò) 耦聯(lián)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，使得計(jì)算機(jī)可讀代碼以分布方式存儲(chǔ)并且執(zhí)行。
[0111]應(yīng)進(jìn)一步理解的是，在上面的圖中的操作所表示的指示并不要求以所說(shuō)明的順序來(lái)執(zhí)行，并且可能并非所有的操作所表示的處理對(duì)實(shí)施本發(fā)明是必要的。另外，在任何上述附圖中描述的處理也可以以被存儲(chǔ)在RAM、ROM或硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的任何一個(gè)或組合中的軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0112]雖然為便于清楚理解，已經(jīng)相當(dāng)詳細(xì)地描述前述的發(fā)明，但顯而易見(jiàn)，可在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)實(shí)施某些變化方案和修改方案。因此，本實(shí)施方式應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性的而非限制性的，并且本發(fā)明并不限于本文給出的細(xì)節(jié)，而是可以在所附權(quán)利要求的范圍和等同方案內(nèi)進(jìn)行修改。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體處理系統(tǒng)，其包括: 等離子體室，其包括: 襯底支撐件；和 與所述襯底支撐件相對(duì)的上電極，所述上電極具有多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域；以及 控制器，其耦聯(lián)到所述等離子體室。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域中的每一個(gè)包括多個(gè)氣體饋給件，所述多個(gè)氣體饋給件圍繞相應(yīng)的所述氣體注入?yún)^(qū)域均勻地分布。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，在第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一多個(gè)氣體饋給件與第二同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第二多個(gè)氣體饋給件對(duì)準(zhǔn)。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，在第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一多個(gè)氣體饋給件從第二同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第二多個(gè)氣體饋給件順時(shí)針偏移。
5.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)氣體饋給件中的至少一個(gè)包括等離子體放電器。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述等離子體放電器包括多個(gè)具有寬度太小而不能支持等離子體的小通道。
7.如權(quán)利要求5所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述等離子體放電器包括接地電極。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域中的每一個(gè)包括多個(gè)同心氣體增壓環(huán)，并且其中在相應(yīng)的同心氣體注入?yún)^(qū)域中的所述同心氣體增壓環(huán)由多個(gè)氣體通道耦聯(lián)在一起。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域中的每一個(gè)包括多個(gè)排出口。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其還包括耦聯(lián)到所述內(nèi)側(cè)上電極的RF源。
11.一種等離子體處理系統(tǒng)，其包括: 等離子體室，其包括: 襯底支撐件；和 與所述襯底支撐件相對(duì)的上電極，所述上電極具有多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域，其中，所述多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域中的每一個(gè)包括多個(gè)氣體饋給件，所述多個(gè)氣體饋給件圍繞相應(yīng)的所述氣體注入?yún)^(qū)域均勻地分布，其中所述多個(gè)氣體饋給件中的至少一個(gè)包括等離子體放電器，并且其中在第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一多個(gè)氣體饋給件從第二同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第二多個(gè)氣體饋給件順時(shí)針偏移；和 控制器，其耦聯(lián)到所述等離子體室。
12.一種使用具有多個(gè)同心氣體注入?yún)^(qū)域的上電極選擇蝕刻速率的方法，其包括: 在等離子體室中產(chǎn)生等離子體； 降低第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一蝕刻速率，包括在所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域注入調(diào)節(jié)氣體；和 降低第二同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第二蝕刻速率，包括在所述第二同心氣體注入?yún)^(qū)域注入調(diào)節(jié)氣體。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中降低所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的所述第一蝕刻速率包括將在所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域的第一襯底溫度或所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一上電極溫度中的至少一個(gè)設(shè)置成高于第二同心氣體注入?yún)^(qū)域的第二襯底溫度或在所述第二同心氣體注入?yún)^(qū)域的第二上電極的溫度中的至少一個(gè)的溫度。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其還包括提高所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一蝕刻速率，提高所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一蝕刻速率包括將在所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域的第一襯底溫度或所述第一同心氣體注入?yún)^(qū)域中的第一上電極溫度中的至少一個(gè)設(shè)置成低于第二同心氣體注入?yún)^(qū)域的第二襯底溫度或在所述第二同心氣體注入?yún)^(qū)域的第二上電極的溫度中的至少一個(gè)的溫度。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述調(diào)節(jié)氣體降低了在待處理的襯底的表面上的碳/氟比。
16.如權(quán)利要求12所述的方法 ，其中，所述調(diào)節(jié)氣體包括氧氣。
【文檔編號(hào)】C23F1/08GK104024477SQ201280057644
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2012年11月16日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月23日
【發(fā)明者】賴安·拜斯, 拉金德?tīng)枴さ隙髻? 阿列克謝·馬拉赫塔諾夫, 李路民, 南尚基, 吉姆·羅杰斯, 埃里克·赫德森, 格拉爾多·德?tīng)柤拥现Z, 安德魯·D·貝利三世, 邁克·凱洛格, 安東尼·德拉列拉, 達(dá)雷爾·埃利希 申請(qǐng)人:朗姆研究公司