專利名稱：薄膜形成裝置的制作方法
技術領域：
薄膜形成裝置技術領域[0001]本實用新型涉及薄膜形成裝置，特別涉及具備離子輔助設備的薄膜形成裝置。
背景技術：
[0002]以往，已知如下技術:在進行離子輔助鍍膜的薄膜形成裝置中，將用于提高離子輔助鍍膜效果的離子源配置在薄膜形成裝置的向外周側偏移的位置，而并非配置在薄膜形成裝置的中心位置(專利文獻I)。[0003]專利文獻1:國際公開號W02010/018876[0004]在專利文獻I中，將離子源配置在外周側，但是并未解決由用作蒸鍍構件的電子槍所產生的高能量的電子進入離子源等、離子源與電子槍的干涉的問題。即，如圖4所示，在離子源與電子槍的配置中，若電子槍的朝向或者離子源的朝向為任意則會產生不良情況。即，在圖4所示的情況下，存在著因由電子槍產生的高能量的電子進入離子源而使離子源的動作變得不穩(wěn)定的問題點。實用新型內容[0005]本實用新型的目的在于提供一種薄膜形成裝置，該薄膜形成裝置具備離子源，其中，電子槍、離子源都不會因彼此發(fā)出的電子而發(fā)生干涉，從而薄膜形成裝置能夠穩(wěn)定地動作。[0006]上述課題根據本實用新型的薄膜形成裝置，通過下述方式解決，S卩，該薄膜形成裝置在真空容器內使蒸鍍物質蒸鍍至基體，其中，所述薄膜形成裝置具備:基體保持構件，所述基體保持構件配設在所述真空容器內，用于保持多個所述基體；旋轉構件，所述旋轉構件用于使所述基體保持構件旋轉；至少一個蒸鍍構件，所述蒸鍍構件具備與所述基體對置設置的電子槍和用于收納蒸鍍物質的坩堝；以及離子源，所述離子源對所述基體照射離子，對于所述離子源，使從電子槍的燈絲朝向坩堝的線為水平線并將其作為基準線，使所述離子源的電極位于相對于該基準線呈±45°的范圍以外的位置，且所述離子源配置成，使得所述離子源的電極中心與用于使所述基體保持構件旋轉的旋轉構件之間的水平距離(L)相對于所述基體保持構件的直徑(D)的比(L/D)在0.3以上、0.5以下的范圍。[0007]此時，優(yōu)選還具備中和器，所述中和器對所述基體照射電子。[0008]根據本實用新型，能夠提供一種薄膜形成裝置，其具備離子源，其中，電子槍、離子源都不會因彼此發(fā)出的電子而發(fā)生干涉，從而薄膜形成裝置能夠穩(wěn)定地動作。


圖1是本實用新型的實施方式涉及的薄膜形成裝置的概要平面配置圖。[0010]圖2是本實用新型的實施方式涉及的薄膜形成裝置的概要平面配置圖。[0011]圖3是本實用新型的實施方式涉及的薄膜形成裝置的概要結構圖。[0012]圖4是現有技術的與圖1相當的概要平面配置圖。[0013]標號說明[0014]1:薄膜形成裝置；[0015]10:真空容器；[0016]20:基體保持器；[0017]21:旋轉構件；[0018]30:蒸鍍源；[0019]31:閘板;[0020]40:電子槍；[0021]50:離子源；[0022]51:閘板；[0023]52:連接件；[0024]60:中和器；[0025]K:基體。
具體實施方式
[0026]下面，對本實用新型涉及的薄膜形成裝置進行說明。另外，下面說明的部件及其結構等當然并不是對本實用新型進行限定，能夠按照本實用新型的主旨進行各種改變。而且，形成薄膜的基體包括基板。[0027]圖1和圖2是本實用新型的一個實施方式的薄膜形成裝置I的概要平面配置圖，圖3是薄膜形成裝置的概要結構圖。薄膜形成裝置I是具備離子輔助設備的薄膜形成裝置，在縱向放置的圓筒狀的真空容器10的內部的上方保持有基體保持器20。在真空容器10內部的下方配設有作為蒸鍍構件的蒸鍍源30和電子槍40。而且，產生離子束(氣體離子)的離子源50和中和器60配設在真空容器10內部的側面?zhèn)取0028]真空容器10是在公知的成膜裝置中通常采用的具有大致圓筒形狀的不銹鋼制的容器，并且處于接地電位。[0029]在真空容器10設有未圖示的排氣口，并且真空容器10經由排氣口 10而與未圖示的真空泵連接。而且，在真空容器10形成有用于向內部導入氣體的氣體導入管(未圖示)。通過未圖示的排氣構件以使真空容器10的內側成為預定的壓力(例如大約3X 10_2 10_4Pa)的方式對真空容器1 0的內側進行排氣。[0030]基體保持器20是以能夠繞垂直軸線旋轉的方式保持在真空容器10內的上側的、形成為拱頂狀的不銹鋼制的部件。旋轉構件21與未圖示的馬達的輸出軸連接。在基體保持器20的下表面，以成膜面朝下的方式支承有多個基體K。另外，基體保持器20是權利要求中的基體保持構件。[0031]本實施方式的基體K是在表面通過成膜而附著電介質膜或吸收膜的樹脂(例如，聚酰亞胺)或者石英等具有透光性的部件。在本實施方式中，采用圓板狀的部件作為基體K，但形狀并不限定于此，只要是能夠在表面形成薄膜，例如也可以是透鏡形狀、圓筒狀、圓環(huán)狀之類的其他形狀。[0032]蒸鍍構件具備:電子槍40，其至少配設有一個，并與基體K對置設置；和作為蒸鍍源30的坩堝，其用于收納蒸鍍物質。在真空容器10內的下側，在圓形的旋轉容器中配設有多個蒸鍍源30即坩堝，在所述蒸鍍源30的上方安裝有能夠開閉操作的閘板31。閘板31由未圖示的控制器適當進行開閉控制。[0033]在本實用新型中，在以從電子槍40的燈絲(filament)朝向蒸鍍源(坩堝)30的線為基準X的情況下，使后述的離子源50位于不進入相對于所述基準X的±45°的范圍以內的位置。[0034]電子槍40對燈絲通電而進行加熱，使熱電子放出，用磁場(永久磁鐵或電磁鐵)使飛出的電子束偏向，并照射到坩堝內的蒸發(fā)物質。進而，用從電子槍40的燈絲向坩堝發(fā)射的電子束加熱位于坩堝內的高折射率物質或低折射率物質并向基體K放出。這些結構采用公知的結構。[0035]在本實施方式中成膜的薄膜是交替層疊高折射率物質和低折射率物質而成膜的，但對于由一種或者多種蒸發(fā)物質構成的成膜也能夠應用本實用新型，在該情況下，可以適當改變蒸鍍源的數量和配置。另外，在本實施方式中制作的薄膜還可以應用于短波通濾光片(SWPF)、紅外截止濾光片、帶通濾光片、ND濾光片等薄膜器件。[0036]離子源50具備:離子源主體，其具有電極并照射離子；連接部(連接件52)，其用于將離子源主體設置在真空容器10 ;以及真空導入部(未圖示的凸緣)，其用于至少將作為所照射的離子的原料的氣體導入真空容器10的內部。真空導入部除了氣體以外，還具備作為用于導入電力、冷卻水的饋通部分的功能。離子源50用于向基體K放出離子束(ionbeam),從反應氣體(例如，O2)或稀有氣體(例如Ar)的等離子體引出帶電的離子(02+，Ar+)并利用加速電壓加速射出。而且，在離子源50的上方安裝有能夠通過未圖示的控制器適當進行開閉控制的閘板51。離子源50采用公知的結構。[0037]中和器60用于向基體K放出電子(e_)，其從Ar、02等氣體的等離子體誘導出電子，并通過加速電壓加速而放出電子。利用從此射出的電子將附著在基體K表面的離子中和。在本實施方式涉及的薄膜形成裝置I中，中和器60與離子源50隔開預定距離地配設。中和器60的安裝位置只要是能夠向基體K照射電子來進行中和的位置即可。[0038]接著，對本實用新型的特征即離子源50的安裝位置進行說明。[0039]離子源50通過作為連接部的連接件52安裝在真空容器10的側面。并且，離子源50的電極部位于以從構成蒸鍍構件的電子槍40的燈絲朝向蒸鍍源(坩堝)30的線為基準X的±45°的范圍以外的位置，且配置成使得離子源50的電極中心與使基體保持構件旋轉的旋轉構件21的中心 C之間的水平距離(L)相對于基體保持器20的直徑(D)的比(L/D)在0.3以上、0.5以下的范圍。[0040]另外，在本實施方式中，離子源50配設在真空容器10的側面?zhèn)?，但只要是滿足上述離子源50的配置的位置，也可以設于底面。[0041]離子源50的安裝位置并不限定于真空容器10的側面的位置，也可以是，通過連接件配置在真空容器10的從側面的壁面離開的位置。連接件還能夠在真空容器10的半徑方向調整離子源50的位置，因此能夠容易地達到適當的配置。[0042]在本實用新型中，安裝有中和器60。中和器60的安裝位置只要是能夠向基體K照射電子來進行中和的位置即可。但是，通過將中和器60配置在靠近基體保持器20的位置，能夠向附著有從離子源50照射的離子的基體K的區(qū)域準確地照射電子。[0043]而且，將中和器60配置在與離子源50離開預定距離的位置的話，與從離子源50向基體K移動過程中的離子直接反應的情況減少，能夠高效地中和基體K的電荷。因此，與現有的薄膜形成裝置相比，即使施加于中和器60的電流值為較低的值，也能夠適當地對基體K進行中和。例如，在高折射率膜和低折射率膜等電介質膜的成膜時，能夠向基體K表面供給足夠的電子，因此，在基體K上不易作用對氧離子的靜電斥力，氧離子容易向基體K飛出。其結果是，能夠 使高折射率膜和低折射率膜等電介質膜完全氧化。
權利要求1.一種薄膜形成裝置，所述薄膜形成裝置在真空容器內使蒸鍍物質蒸鍍至基體，其特征在于， 所述薄膜形成裝置具備: 基體保持構件，所述基體保持構件配設在所述真空容器內，用于保持多個所述基體； 旋轉構件，所述旋轉構件用于使所述基體保持構件旋轉； 至少一個蒸鍍構件，所述蒸鍍構件具備與所述基體對置設置的電子槍和用于收納蒸鍍物質的坩堝；以及 離子源，所述離子源對所述基體照射離子， 對于所述離子源，使從電子槍的燈絲朝向坩堝的線為水平線并將其作為基準線，使所述離子源的電極位于相對于該基準線呈±45°的范圍以外的位置，且所述離子源配置成，使得所述離子源的電極中心與用于使所述基體保持構件旋轉的旋轉構件的中心之間的水平距離L相對于所述基體保持構件的直徑D的比L/D在0.3以上、0.5以下的范圍。
2.根據權利要求1所述的薄膜形成裝置，其特征在于， 所述薄膜形成裝置還具 備中和器，所述中和器向所述基體照射電子。
專利摘要本實用新型提供一種薄膜形成裝置，其具備離子源，其中，電子槍、離子源都不會因彼此發(fā)出的電子而發(fā)生干涉，從而能夠穩(wěn)定地動作。對于離子源，使從電子槍的燈絲朝向坩堝的線為水平線并將其作為基準線，使所述離子源的電極部位于相對于基準線呈±45°的范圍以外的位置，且所述離子源配置成，所述離子源的電極中心與使所述基體保持構件旋轉的旋轉構件的中心之間的水平距離(L)相對于所述基體保持構件的直徑(D)的比(L/D)在0.3以上、0.5以下的范圍。
文檔編號C23C14/30GK203080057SQ20122069421
公開日2013年7月24日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權日2012年12月14日
發(fā)明者林達也, 姜友松, 佐藤望, 鹽野一郎, 長江亦周 申請人:株式會社新柯隆