技術(shù)編號：3277911
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。薄膜形成裝置[0001]本實用新型涉及薄膜形成裝置，特別涉及具備離子輔助設(shè)備的薄膜形成裝置。背景技術(shù)[0002]以往，已知如下技術(shù)在進行離子輔助鍍膜的薄膜形成裝置中，將用于提高離子輔助鍍膜效果的離子源配置在薄膜形成裝置的向外周側(cè)偏移的位置，而并非配置在薄膜形成裝置的中心位置(專利文獻I)。[0003]專利文獻1國際公開號W02010/018876[0004]在專利文獻I中，將離子源配置在外周側(cè)，但是并未解決由用作蒸鍍構(gòu)件的電子槍所產(chǎn)生的高能量的電子進入離子...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。