專利名稱：一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor D印osition，簡(jiǎn)稱MOCVD)裝置，更具體地，涉及一種用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置中的氣體噴淋結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
[0002]金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積是制備半導(dǎo)體薄膜器件的一種關(guān) 鍵工藝，包括各種微電子器件、薄膜光伏電池、發(fā)光二極管，都離不開(kāi)MOCVD工藝。MOCVD的基本生長(zhǎng)過(guò)程是，將反應(yīng)氣體從氣源引入反應(yīng)腔室，利用以加熱器加熱的襯底引發(fā)化學(xué)反應(yīng)，從而在基片上生成單晶或多晶薄膜。在MOCVD過(guò)程中，薄膜生長(zhǎng)所需要的反應(yīng)物依靠氣體運(yùn)輸(流動(dòng)和擴(kuò)散) 到達(dá)生長(zhǎng)表面，在運(yùn)輸過(guò)程的同時(shí)還發(fā)生著化學(xué)反應(yīng)，最終生長(zhǎng)粒子通過(guò)吸附和表面反應(yīng)， 結(jié)合進(jìn)薄膜晶格。[0003]如圖1所示的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括密封的反應(yīng)腔100，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個(gè)基座104，待加工的多片基片105位于基座上?；路桨ㄐD(zhuǎn)軸24，支撐并使基座高速旋轉(zhuǎn)。一個(gè)加熱器103位于基座下方圍繞該旋轉(zhuǎn)軸，加熱并控制基座的溫度。與基座相對(duì)的反應(yīng)腔上方包括一個(gè)氣體噴淋頭101。氣體噴淋頭101包括第一氣體通道通過(guò)氣體管路43連接到第一氣源，還包括第二氣體通道通過(guò)管路44連接到第二氣源42。第一氣體通道和第二氣體通道在面向基座的下表面上互相間隔排布，而且在氣體噴淋頭的下表面，還包括一個(gè)隔熱板，在隔熱板內(nèi)第一氣體通道和第二氣體通道出氣口之間包括多個(gè)冷卻槽，該冷卻槽通過(guò)冷卻液管道51與冷卻裝置50相連通。在現(xiàn)有工藝中，水冷隔熱板用于隔絕加熱器產(chǎn)生的熱量、抑制氣體通道因劇烈的溫度變化而引起的熱變形，并且也可以防止氣體由于高溫提前分解。[0004]氣體噴淋頭用于將不同的反應(yīng)氣體(比如第一反應(yīng)氣體和第二反應(yīng)氣體)送入反應(yīng)腔室，業(yè)內(nèi)已有的技術(shù)如CN101678497揭露了一種有多個(gè)氣體導(dǎo)管構(gòu)成的第一氣體通道和第二氣體通道，這種氣體噴淋頭要達(dá)到在下方基座上的氣體均勻分布需要所有氣體導(dǎo)管直徑很小，比如毫米級(jí)的，這樣小的尺寸加工難度大。在整個(gè)氣體噴淋頭上將要分布成千上萬(wàn)的氣體導(dǎo)管。而且這些氣體導(dǎo)管是與氣體氣體分布的板是焊接固定的，無(wú)法簡(jiǎn)單的拆卸， 所以在長(zhǎng)期使用中只要其中一個(gè)焊接點(diǎn)泄露，整個(gè)氣體噴淋頭就報(bào)廢了，這些都造成氣體噴淋頭成本高昂。所以業(yè)界需要一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的氣體噴淋頭，不僅能降低成本而且保證氣體在基座表面的均勻分布。實(shí)用新型內(nèi)容[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提供一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，所述金屬有機(jī)物沉積裝置包括一個(gè)反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個(gè)放置待處理基片的基座，所述基座設(shè)置在旋轉(zhuǎn)軸上，使所述基座轉(zhuǎn)速大于500轉(zhuǎn)/分鐘；一個(gè)氣體分布器與所述基座相對(duì)并向所述基座供應(yīng)氣體，所述氣體分布器包括多條平行排布的氣體分布管道，所述氣體分布管道包括第一氣體分布管道和第二氣體分布管道，分別于與第一反應(yīng)氣體源和第二反應(yīng)氣體源相連通，其中第一氣體分布管道與第二氣體分布管道交替排布；所述多條第一氣體分布管道和第二氣體分布管道下方還包括一個(gè)導(dǎo)氣部件，所述導(dǎo)氣部件下表面包括多個(gè)凹槽和向下突出部，所述多個(gè)凹槽與所述多個(gè)第一氣體管道位置對(duì)應(yīng)，所述凹槽內(nèi)包括第一導(dǎo)氣槽與所述多個(gè)第一氣體分布管道連通，所述多個(gè)突出部與所述多個(gè)第二氣體分布管道位置對(duì)應(yīng)，所述突出部?jī)?nèi)包括多個(gè)第二導(dǎo)氣槽與所述第二氣體分布管道連通；所述第一氣體分布管道與第二氣體分布管道平行交替分布且具有相同的距離。[0006]其中所述基座轉(zhuǎn)速大于600小于1200轉(zhuǎn)/分鐘。[0007]第二反應(yīng)氣體包括金屬有機(jī)物氣體，第一反應(yīng)氣體為包括NH3，H2之一。[0008]多個(gè)第一或第二導(dǎo)氣槽在中心區(qū)域和兩端區(qū)域具有不同的流量。所述不同流量的導(dǎo)氣槽結(jié)構(gòu)可以是第一或第二導(dǎo)氣槽的兩端有多個(gè)通孔排列組成；或者第一或第二導(dǎo)氣槽具有不同的開(kāi)口寬度。[0009]本實(shí)用新型另一實(shí)施例提供了一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，所述金屬有機(jī)物沉積裝置包括一個(gè)反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個(gè)放置待處理基片的基座，所述基座設(shè)置在旋轉(zhuǎn)軸上，使所述基座轉(zhuǎn)速大于500轉(zhuǎn)/分鐘；一個(gè)氣體分布器與所述基座相對(duì)并向所述基座供應(yīng)氣體，所述氣體分布器包括多條平行排布的氣體分布管道，所述氣體分布管道包括第一氣體分布管道和位于多條第一氣體分布管道之間的多個(gè)間隙，所述多個(gè)第一氣體分布管道與第一反應(yīng)氣體源連通，所述位于第一氣體分布管道之間的多個(gè)間隙與第二反應(yīng)氣體源連通；所述氣體分布器還包括一個(gè)導(dǎo)氣部件，所述導(dǎo)氣部件下表面包括多個(gè)凹槽和向下突出部，[0010]所述多個(gè)突出部與所述多個(gè)第一氣體分布管道位置對(duì)應(yīng)，所述突出部?jī)?nèi)包括多個(gè)第二導(dǎo)氣槽與所述第一氣體分布管道連通；所述多個(gè)凹槽與所述多個(gè)間隙位置對(duì)應(yīng)，所述凹槽內(nèi)包括第二導(dǎo)氣槽與所述多個(gè)間隙連通，所述第一導(dǎo)氣槽與第二導(dǎo)氣槽平行，交替分布且具有相同的距離L。[0011]其中所述氣體分布器下表面呈圓形，所述多條第一和第二導(dǎo)氣槽從中心到邊緣交替分布，所述圓形下表面包括一個(gè)中心線位于所述最中心處的第一與第二氣體分布管道之間。其中所述中心線與第一導(dǎo)氣槽的距離在O. 3-0. 7L之間?！0012]本實(shí)用新型通過(guò)提供一種新型的氣體分布器與下方的旋轉(zhuǎn)軸配合能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)使得在金屬有機(jī)物沉積裝置內(nèi)的兩種反應(yīng)氣體在基座上表面均勻混合，維護(hù)成本低而且加工效果好。


[0013]通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯[0014]圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的所述金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；[0015]圖2示出根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；[0016]圖3示出根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的所述氣體分布器中導(dǎo)氣部件局部截面的結(jié)構(gòu)示意圖；[0017]圖4示出根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的所述氣體分布器中導(dǎo)氣部件面向基座的下視圖；[0018]圖5示出根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的氣體分布器中氣體分布管道局部結(jié)構(gòu)示意圖；[0019]圖6示出根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的氣體分布器中氣體分布管道縱截面的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0020]
以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。[0021]如圖2所示為本實(shí)用新型的實(shí)施例，其中的氣體分布裝置201與圖1所示現(xiàn)技術(shù)中的氣體噴淋頭101不同。氣體分布裝置201包括一個(gè)氣體分布層203，氣體分布層203內(nèi)包括多跟互相平行排布的氣體分布管，氣體分布層203中的多個(gè)氣體分布管通過(guò)供氣管路 43，44分別與第一反應(yīng)氣體源41和第二反應(yīng)氣體源42相連通。[0022]如圖5所示為氣體分布層203的俯視圖，氣體分布層203包括多個(gè)平行的導(dǎo)氣管道64、65，所述多個(gè)導(dǎo)氣管道64，65交替排布。導(dǎo)氣管道64與供氣管路44通過(guò)導(dǎo)氣管道 64兩端的環(huán)形通路相連通，導(dǎo)氣管道65與 供氣管路43通過(guò)導(dǎo)氣管道65兩端的環(huán)形通路相連通。如圖6所示為氣體分布層203的垂直截面圖，其中第二導(dǎo)氣管64位于第一導(dǎo)氣管 65上方。除了圖5中所不的每中氣體源通過(guò)交替排布的導(dǎo)氣管64，65在整個(gè)平面上分布， 也可以只有導(dǎo)氣管65而無(wú)需導(dǎo)氣管64，多條導(dǎo)氣管65外壁之間的長(zhǎng)條形間隙形成第二反應(yīng)氣源的流經(jīng)通道。[0023]氣體分布層203下方為導(dǎo)氣層205，導(dǎo)氣層下方包括多個(gè)交替排布的凹槽和突出部。如圖3所示為導(dǎo)氣層內(nèi)具體結(jié)構(gòu)，氣體分布層中的第一導(dǎo)氣管65管壁下方開(kāi)有導(dǎo)氣槽 45，導(dǎo)氣槽45貫穿導(dǎo)氣層205中的突出部使第一反應(yīng)氣體從導(dǎo)氣管65沿著導(dǎo)氣槽45向下噴射。導(dǎo)氣層中的凹槽中包括導(dǎo)氣槽46與上方的第二導(dǎo)氣管64相連通，使得第二反應(yīng)氣體從第二導(dǎo)氣管64沿著導(dǎo)氣槽46向下噴射。第二反應(yīng)氣體也可以是從多條導(dǎo)氣管65側(cè)壁之間的間隙通過(guò)導(dǎo)氣槽46向下連通到導(dǎo)氣層的凹槽中。圖4為氣體分布裝置下表面的視圖。如圖3和4所示本實(shí)用新型包括一個(gè)對(duì)稱軸200，位于最內(nèi)側(cè)導(dǎo)氣槽45、46之間。多個(gè)第一導(dǎo)氣管64和臨近的第二導(dǎo)氣管65之間具有相同的距離L，與之相應(yīng)配置的多個(gè)導(dǎo)氣槽45、46在導(dǎo)氣層下表面也具有相同的距離。[0024]氣體分布層203除了由第一導(dǎo)氣管65和第二導(dǎo)氣管64組成外，也可以只包括第一導(dǎo)氣管65，第二反應(yīng)氣體可以穿過(guò)多根第二導(dǎo)氣管65之間的縫隙到達(dá)導(dǎo)氣槽46。反之亦然，可以只有第二導(dǎo)氣管64，第一反應(yīng)氣體可以穿過(guò)多根平行的第二導(dǎo)氣管64之間的縫隙到達(dá)導(dǎo)氣槽45。[0025]當(dāng)?shù)谝环磻?yīng)氣源41供應(yīng)第一反應(yīng)氣體，第一反應(yīng)氣體通過(guò)氣體供應(yīng)管路43到達(dá)氣體分布管65，最后在導(dǎo)氣層的突出部沿導(dǎo)氣槽45向下噴射。第二反應(yīng)氣體供應(yīng)第二反應(yīng)氣體，通過(guò)供應(yīng)管路44到達(dá)氣體分布管64，最后通過(guò)導(dǎo)氣槽46向下噴射。第二反應(yīng)氣體向下沿著導(dǎo)氣部件下表面的凹槽擴(kuò)散，在擴(kuò)散中降低氣壓，同時(shí)第二反應(yīng)氣體的氣流向左右兩側(cè)擴(kuò)散并與從兩側(cè)導(dǎo)氣槽45噴射下來(lái)的第一反應(yīng)氣體發(fā)生混合后到達(dá)下方的基片表面。所述凹槽除了圖中所述的是三角形截面的結(jié)構(gòu)也可以是其它形狀，如梯形或者橢圓形等，只要能實(shí)現(xiàn)第二反應(yīng)氣體向下流的過(guò)程中擴(kuò)散減壓的具體結(jié)構(gòu)都屬于本實(shí)用新型范圍。[0026]其中第一反應(yīng)氣體為氫化氣體如H2，NH3等還包括載流氣體N2等。第二反應(yīng)氣體為MO金屬有機(jī)物氣體如Ga (CH3) 3以及部分載流氣體。[0027]雖然第一反應(yīng)氣體與第二反應(yīng)氣體會(huì)在噴出后發(fā)生混合，但是由于每個(gè)導(dǎo)氣槽 45,46與第一、第二氣體分布管道之間位置對(duì)應(yīng)，存在距離L，而L足夠大所以反應(yīng)氣體到達(dá)基座上表面時(shí)仍然沒(méi)有完全混合，氣體分布的濃度仍然呈現(xiàn)兩種氣體濃度高低交替的帶狀分布。但是由于下方基座是在旋轉(zhuǎn)軸上高速旋轉(zhuǎn)的，所以這一帶狀的不均勻氣體分布在在高速旋轉(zhuǎn)中得到大幅度改善。但是基座中心區(qū)域由于旋轉(zhuǎn)的線速度小所以氣體混合遠(yuǎn)不如邊緣區(qū)域，所以混合效果很差。這一結(jié)果會(huì)導(dǎo)致中心區(qū)域氣相沉積的速率下降，中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的沉積速率相差可以大于6%，甚至能達(dá)到11%。這樣大的差距會(huì)導(dǎo)致中心區(qū)域的基片在加工完成后基本無(wú)法達(dá)到加工標(biāo)準(zhǔn)。現(xiàn)有技術(shù)為了解決這一問(wèn)題在中心區(qū)域設(shè)置特殊的氣體噴射結(jié)構(gòu)，如在中心添加輔助的噴氣口，或者設(shè)置最中心的第一反應(yīng)氣體導(dǎo)氣槽和第二反應(yīng)氣體導(dǎo)氣槽間距不同，同時(shí)需要配合在中心區(qū)域和邊緣區(qū)域調(diào)節(jié)不同的氣體流量和種類。這樣做雖然能達(dá)到沉積速率在整個(gè)基座上更均一的目的，但是氣體分布的機(jī)構(gòu)增加了復(fù)雜度，同時(shí)調(diào)試工藝時(shí)也增加了復(fù)雜度，兩者均增加了成本。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)在轉(zhuǎn)速大于500轉(zhuǎn)/分鐘小于1500轉(zhuǎn)/分鐘，特別是大于在600轉(zhuǎn)/分鐘小于1200轉(zhuǎn)/分鐘時(shí)即使導(dǎo)氣槽45、46具有均一的間距L，在不需要對(duì)中心部分噴氣裝置做額外設(shè)置的情況下仍然能達(dá)到中心區(qū)域和邊緣區(qū)域具有類似的沉積速率，沉積速率的差距可以控制在6% 以下，比如5. 5%甚至能達(dá)到3. 4%。[0028]如圖4所示的噴氣槽平行線排布也可以是連續(xù)的折線型的或者其它曲線形式的， 只要相鄰導(dǎo)氣槽平行且保持一定的距離L均能實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的發(fā)明目的。所述最內(nèi)側(cè)的導(dǎo)氣槽45、46之間具有L的距離，對(duì)稱軸200可以在離導(dǎo)氣槽45之間O. 3L-0. 7L之間，具體參數(shù)可以根據(jù)設(shè)計(jì)需要調(diào)整。[0029]導(dǎo)氣槽45、46也可以不是如圖4所示的的連續(xù)的，為了調(diào)控氣體在中心和邊緣區(qū)域的流量，可以在部 分區(qū)域設(shè)為斷續(xù)的。比如要減小邊緣區(qū)域的流量導(dǎo)氣槽45、46在兩端可以是多個(gè)導(dǎo)氣孔串聯(lián)成低流量的導(dǎo)氣槽，中心是連續(xù)的導(dǎo)氣槽。同樣要減小中間部分氣流也可以將中間部分由連續(xù)的槽改為斷續(xù)的多個(gè)孔或較短的導(dǎo)氣槽組合而成的低流量導(dǎo)氣槽。所述低流量導(dǎo)氣槽也可以是槽45、46具有不同的寬度。[0030]本實(shí)用新型的多條導(dǎo)氣管中任何一條損壞或泄漏后只要拆卸下來(lái)并更換即可，無(wú)需重新制造，而且下表面的導(dǎo)氣槽開(kāi)口可以較大可以容納更大的誤差不易損壞或變形，所以具有很高的可靠性。[0031]以上對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本實(shí)用新型并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改， 這并不影響本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
權(quán)利要求1.一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，所述裝置包括一個(gè)反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個(gè)放置待處理基片的基座，所述基座設(shè)置在旋轉(zhuǎn)軸上，使所述基座轉(zhuǎn)速大于500轉(zhuǎn)/分鐘；一個(gè)氣體分布器與所述基座相對(duì)并向所述基座供應(yīng)氣體，所述氣體分布器包括多條平行排布的氣體分布管道，所述氣體分布管道包括第一氣體分布管道和第二氣體分布管道，分別與第一反應(yīng)氣體源和第二反應(yīng)氣體源相連通，其中第一氣體分布管道與第二氣體分布管道交替排布；所述多條第一氣體分布管道和第二氣體分布管道下方還包括一個(gè)導(dǎo)氣部件，所述導(dǎo)氣部件下表面包括多個(gè)凹槽和向下突出部；所述多個(gè)凹槽與所述多個(gè)第一氣體管道位置對(duì)應(yīng)，所述凹槽內(nèi)包括第一導(dǎo)氣槽與所述多個(gè)第一氣體分布管道連通；所述多個(gè)突出部與所述多個(gè)第二氣體分布管道位置對(duì)應(yīng)，所述突出部?jī)?nèi)包括多個(gè)第二導(dǎo)氣槽與所述第二氣體分布管道連通；所述第一氣體分布管道與第二氣體分布管道平行交替分布且具有相同的距離L。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，所述基座轉(zhuǎn)速大于600轉(zhuǎn)/分鐘小于1200轉(zhuǎn)/分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，第二反應(yīng)氣源包括金屬有機(jī)物氣體，第一反應(yīng)氣源為包括NH3，H2之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，所述多個(gè)第一或第二導(dǎo)氣槽在中心區(qū)域和兩端區(qū)域具有不同的流量。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，所述第一或第二導(dǎo)氣槽的兩端有多個(gè)通孔排列組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，其中第一或第二導(dǎo)氣槽具有不同的開(kāi)口寬度。
7.一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，所述裝置包括一個(gè)反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個(gè)放置待處理基片的基座，所述基座設(shè)置在旋轉(zhuǎn)軸上，使所述基座轉(zhuǎn)速大于500轉(zhuǎn)/分鐘；一個(gè)氣體分布器與所述基座相對(duì)并向所述基座供應(yīng)氣體，所述氣體分布器包括多條平行排布的氣體分布管道，所述氣體分布管道包括第一氣體分布管道和位于多條第一氣體分布管道之間的多個(gè)間隙，所述多個(gè)第一氣體分布管道與第一反應(yīng)氣體源連通，所述位于第一氣體分布管道之間的多個(gè)間隙與第二反應(yīng)氣體源連通；所述氣體分布器還包括一個(gè)導(dǎo)氣部件，所述導(dǎo)氣部件下表面包括多個(gè)凹槽和向下突出部;所述多個(gè)突出部與所述多個(gè)第一氣體分布管道位置對(duì)應(yīng)，所述突出部?jī)?nèi)包括多個(gè)第一導(dǎo)氣槽與所述第一氣體分布管道連通；所述多個(gè)凹槽與所述多個(gè)間隙位置對(duì)應(yīng)，所述凹槽內(nèi)包括第二導(dǎo)氣槽與所述多個(gè)間隙連通；所述第一導(dǎo)氣槽與第二導(dǎo)氣槽平行，交替分布且具有相同的距離L。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，所述多個(gè)第一或第二導(dǎo)氣槽在中心區(qū)域和兩端區(qū)域具有不同的流量。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述氣體分布器下表面呈圓形，所述多條第一和第二導(dǎo)氣槽從中心到邊緣交替分布，所述圓形下表面包括一個(gè)中心線位于所述最中心處的第一與第二氣體分布管道之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，其中所述中心線與第一導(dǎo)氣槽的距離在O. 3-0. 7L之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，第二反應(yīng)氣源包括金屬有機(jī)物氣體，第一反應(yīng)氣源為包括NH3，H2之一。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積裝置，所述化學(xué)氣相反應(yīng)沉積裝置包括一個(gè)位于反應(yīng)腔內(nèi)的基座用于放置待處理基片，基座由下方的旋轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)高速轉(zhuǎn)動(dòng)。與基座相對(duì)的包括一個(gè)氣體分布裝置，氣體分布裝置包括多根平行的氣體分布管道，氣體分布管道下方包括導(dǎo)氣部件，導(dǎo)氣部件包括與所述氣體分布管道位置對(duì)應(yīng)的多個(gè)凹槽和向下突起部，所述多根氣體分布管道分別通過(guò)多個(gè)導(dǎo)氣槽與導(dǎo)氣部件下表面的凹槽和向下突起部相連通。導(dǎo)氣部件下表面的多個(gè)導(dǎo)氣槽分別向下噴出第一和第二反應(yīng)氣體。所述導(dǎo)氣槽之間具有相同的距離。
文檔編號(hào)C23C16/44GK202830169SQ20122049509
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月25日
發(fā)明者周寧, 何乃明, 姜勇, 杜志游, 尹志堯 申請(qǐng)人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司